JP2010109176A - Semiconductor manufacturing device, maintenance method thereof, and maintenance tool - Google Patents

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Naoto Kubota
直人 窪田
Atsushi Kanai
篤 金井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing device allowing maintenance to be efficiently executed, to provide a maintenance method thereof, and to provide a maintenance tool. <P>SOLUTION: The semiconductor manufacturing device includes a process muffle 1, a muffle floor 5 disposed in the process muffle 1, a conveyance belt 9 which carries a semiconductor wafer W while sliding on the muffle floor 5, and a monitoring device for monitoring movement of the conveyance belt 9. The monitoring device has, for example, an encoder 30. This configuration allows detection of variations in movement speed (for example, pulsation) of the conveyance belt 9, and maintenance timing of a normal pressure CVD device 100 can be determined on the basis of the detection result. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, a maintenance method thereof, and a maintenance jig.

この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示された常圧気相成長装置（以下、常圧ＣＶＤ装置ともいう。）がある。常圧ＣＶＤ装置は、常圧環境にある反応室内に基板を配置してこれを加熱すると共に、反応室内に原料ガスを供給し、供給された原料ガスを熱で化学反応させることにより、基板上に所望の膜を成膜する装置である。
このような常圧ＣＶＤ装置は、処理室内で基板をローダ側からアンローダ側へ搬送するためのベルトを有する。また、このベルトの下部には、処理室の底面に相当する温度コントロールされた金属板があり、この金属板はマッフルフロアと呼ばれている。マッフルフロアには直径１ｍｍ弱の微細な孔が多数形成されており、孔よりＮ2ガスを放出することにより、マッフルフロア表面での生成物異常成長を抑制すると共に、基板に対する成膜レートのコントロールを可能としている。
特開平６−１００１３８号公報 As this type of prior art, there is an atmospheric pressure vapor phase growth apparatus (hereinafter also referred to as an atmospheric pressure CVD apparatus) disclosed in Patent Document 1, for example. The atmospheric pressure CVD apparatus places a substrate in a reaction chamber in an atmospheric pressure environment and heats the substrate, supplies a source gas into the reaction chamber, and chemically reacts the supplied source gas with heat, thereby An apparatus for forming a desired film.
Such an atmospheric pressure CVD apparatus has a belt for transporting the substrate from the loader side to the unloader side in the processing chamber. In addition, a temperature-controlled metal plate corresponding to the bottom surface of the processing chamber is provided below the belt, and this metal plate is called a muffle floor. The muffle floor has many fine holes with a diameter of less than 1 mm. By releasing N 2 gas from the holes, abnormal growth of products on the muffle floor surface is suppressed, and the deposition rate on the substrate is controlled. Is possible.
JP-A-6-100138

しかしながら、上記孔は長時間使用するとデポ物が堆積し孔が塞がれ、Ｎ2ガスが放出されなくなる。孔からＮ2ガスが放出されなくなると種々の問題が発生するため、定期的にデポ物を取り除いて孔を復元する必要があった（定期的メンテナンス）。
また、デポ物の堆積による孔の閉鎖の程度は、装置の使用条件により異なる。例えば、ガス種、温度、加工時間、メンテナンスの仕上げ具合などにより、閉鎖の程度は大きく左右される。従って、定期的メンテナンスでは、使用可能期間内であるにも関わらず孔が塞がれて加工不良が発生することや、メンテナンス時期に到達したにも関わらず孔に問題が無く、（結果的に）装置を不要に停止させ生産効率を落としてしまうことがあった。 However, when the holes are used for a long time, deposits accumulate, the holes are blocked, and N 2 gas is not released. Since various problems occur when the N 2 gas is no longer released from the holes, it was necessary to periodically remove the deposits and restore the holes (periodic maintenance).
In addition, the degree of closing of the hole due to the deposition of the deposit varies depending on the use conditions of the apparatus. For example, the degree of closing depends greatly on the gas type, temperature, processing time, maintenance finish, and the like. Therefore, in periodic maintenance, the hole is blocked and a processing defect occurs despite being within the usable period, and there is no problem with the hole even though the maintenance time has been reached. ) The equipment was stopped unnecessarily, and production efficiency was sometimes reduced.

さらに、孔の復元については、孔を塞いでいるデポ物をドリルで削り取ることにより開口させることも可能であるが、この処理方式（以下、ドリル方式ともいう。）ではドリルの歯が破断し易く、また、処理そのものが熟練を要する仕事であるため、復元作業に長時間を要していた。
そこで、本発明のいくつかの態様は、このような課題に着目してなされたものであって、メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具の提供を目的とする。 Furthermore, with regard to the restoration of the hole, it is possible to open the deposit by scraping off the deposit covering the hole, but in this processing method (hereinafter also referred to as the drill method), the teeth of the drill are easily broken. In addition, since the processing itself is a work requiring skill, the restoration work takes a long time.
Accordingly, some aspects of the present invention have been made paying attention to such a problem, and an object thereof is to provide a semiconductor manufacturing apparatus, a maintenance method thereof, and a maintenance jig capable of performing maintenance efficiently. And

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置は、処理室と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、前記搬送ベルトの動きを監視する監視装置と、を備えることを特徴とするものである。
また、上記の構成において、前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴としても良い。 In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention includes a processing chamber, a support plate disposed in the processing chamber, and a transport belt that transports the substrate while sliding on the support plate. And a monitoring device for monitoring the movement of the conveyor belt.
In the above configuration, the monitoring device may include an encoder, and the encoder may include a roller that rotates according to the movement of the transport belt.
In the above configuration, the monitoring device may further include a conversion display unit that converts a pulse count value output from the encoder into a voltage amount and displays the voltage amount on a screen.

また、上記の構成において、前記監視装置は、前記エンコーダから出力される信号に異常が有るか否かを判断する判断部、をさらに有することを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴としても良い。 In the above configuration, the monitoring device may further include a determination unit that determines whether or not there is an abnormality in the signal output from the encoder.
Further, in the above configuration, further comprising a loader that supplies the substrate onto the conveyor belt, and a control unit that controls the operation of the loader, and when the determination unit determines that there is an abnormality in the waveform, The controller may stop supplying the substrate by the loader.

また、上記の構成において、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部、をさらに備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給されることを特徴としても良い。
本発明の別の形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、上記の構成を有する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とするものである。 Further, in the above configuration, the apparatus further includes a gas supply unit that supplies a raw material gas for film formation into the processing chamber, and a plurality of holes are provided on a surface of the support plate on a side on which the transport belt slides, An inert gas may be supplied into the processing chamber from the plurality of holes.
A maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present invention is a maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus having the above-described configuration, and holds a needle having a diameter smaller than the diameter of the hole and one end of the needle. And a step of preparing a maintenance jig provided with a holding part, and a step of cleaning the inside of the hole using the maintenance jig. In the step of cleaning the inside of the hole, the needle is placed in the hole. It is characterized by driving.

本発明のさらに別の形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、処理室と、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、前記メンテナンス治具を用いて前記孔の内部を清掃する工程と、を含み、前記孔の内部を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とするものである。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus maintenance method comprising: a processing chamber; a gas supply unit that supplies a film forming source gas into the processing chamber; a support plate disposed in the processing chamber; A transport belt that transports the substrate while sliding on the support plate, and a surface of the support plate on the side on which the transport belt slides is provided with a plurality of holes, and the plurality of holes are provided in the processing chamber. A method for maintaining a semiconductor manufacturing apparatus in which an inert gas is supplied to a maintenance jig comprising a needle having a diameter smaller than the diameter of the hole and a holding portion for holding one end of the needle. And cleaning the inside of the hole using the maintenance jig, and in the step of cleaning the inside of the hole, the needle is driven into the hole.

本発明のさらに別の形態に係るメンテナンス治具は、処理室と、前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に配置された支持板と、前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンスに使用される治具であって、前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えることを特徴とするものである。   A maintenance jig according to still another embodiment of the present invention includes a processing chamber, a gas supply unit that supplies a raw material gas for film formation into the processing chamber, a support plate disposed in the processing chamber, and the support plate A conveying belt that conveys the substrate while sliding the substrate, and a plurality of holes are provided in a surface of the support plate on the side where the conveying belt slides, and the plurality of holes are inactive into the processing chamber. A jig used for maintenance of a semiconductor manufacturing apparatus to which gas is supplied, comprising: a needle having a diameter smaller than the diameter of the hole; and a holding portion for holding one end of the needle. Is.

また、上記の構成において、前記保持部の前記針を保持する側に取り付けられた樹脂材、をさらに備えることを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴としても良い。
また、上記の構成において、前記針は、ピアノ線からなることを特徴としても良い。ここで、ピアノ線とは、炭素鋼で作られた金属線のことである。 In the above configuration, a resin material attached to a side of the holding unit that holds the needle may be further provided.
In the above configuration, one end of the needle may be detachably attached to the holding portion.
In the above configuration, the needle may be a piano wire. Here, the piano wire is a metal wire made of carbon steel.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る常圧ＣＶＤ装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示すように、この常圧ＣＶＤ装置１００は、プロセスマッフル１と、インジェクター３と、マッフルフロア５と、クーリングマッフル７と、搬送ベルト９と、エッチングマッフル１１と、超音波洗浄器１３と、ガス噴射口１５と、赤外線ランプ１７と、ラグローラー１９と、複数のピンチローラー２１と、水冷ローラー２３と、エンコーダ３０と、を備える。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.
(1) 1st Embodiment FIG. 1: is a conceptual diagram which shows the structural example of the atmospheric pressure CVD apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention. As shown in FIG. 1, the atmospheric pressure CVD apparatus 100 includes a process muffle 1, an injector 3, a muffle floor 5, a cooling muffle 7, a conveyor belt 9, an etching muffle 11, and an ultrasonic cleaner 13. , A gas injection port 15, an infrared lamp 17, a lug roller 19, a plurality of pinch rollers 21, a water cooling roller 23, and an encoder 30.

プロセスマッフル１は、例えば常圧（即ち、ほぼ１気圧）の環境下で成膜処理を行うための処理室である。また、インジェクター３は、プロセスマッフル１内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部である。原料ガスは、半導体ウエーハＷ上に形成される膜の種類によって種々選択することができる。例えば、半導体ウエーハＷ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を成膜する場合は、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）の組み合わせ、又は、テトラエトキシラン（ＴＥＯＳ）とオゾン（Ｏ3）の組み合わせを用いることができる。なお、ＴＥＯＳは常温・常圧で液体であるため、例えば、ＴＥＯＳを不活性ガスでバブリングして、ＴＥＯＳ雰囲気を含む不活性ガスを作成し、これを原料ガスの一つとしても良い（即ち、ＴＥＯＳの輸送に、不活性ガスによるバブリングを用いても良い）。不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ2）又はアルゴン（Ａｒ）等を用いることができる。 The process muffle 1 is a processing chamber for performing a film forming process under an environment of, for example, normal pressure (that is, approximately 1 atm). The injector 3 is a gas supply unit that supplies a film forming material gas into the process muffle 1. The source gas can be variously selected depending on the type of film formed on the semiconductor wafer W. For example, when a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the semiconductor wafer W, the raw material gas is a combination of silane (SiH 4 ) and oxygen (O 2 ), or tetraethoxylane (TEOS) and ozone ( A combination of O 3 ) can be used. Since TEOS is a liquid at normal temperature and normal pressure, for example, TEOS is bubbled with an inert gas to create an inert gas containing a TEOS atmosphere, and this may be used as one of the source gases (ie, Bubbling with an inert gas may be used to transport TEOS). As the inert gas, for example, nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) can be used.

マッフルフロア５は、プロセスマッフル１内に配置された支持板である。マッフルフロア５の温度は、処理中は、成膜条件に適した温度（通常は、３００℃〜６００℃のうちの任意の範囲）にコントロールされる。マッフルフロア５には、熱伝導性に優れた材料（例えば、ステンレス等の金属）が使用されている。また、図２に示すように、このマッフルフロア５には、例えば直径１ｍｍ弱の微細な孔６が多数形成されている。処理中は、これら多数の孔６から搬送ベルト９側へ不活性ガス（例えば、Ｎ2又はＡｒ等）が放出することにより、マッフルフロア５表面での生成物異常成長を抑制できると共に、搬送ベルト９に載せられた半導体ウエーハＷ表面での成膜レートをコントロールできるようなっている。 The muffle floor 5 is a support plate arranged in the process muffle 1. The temperature of the muffle floor 5 is controlled to a temperature suitable for film forming conditions (usually, an arbitrary range of 300 ° C. to 600 ° C.) during processing. The muffle floor 5 is made of a material having excellent thermal conductivity (for example, a metal such as stainless steel). Further, as shown in FIG. 2, the muffle floor 5 is formed with a number of fine holes 6 having a diameter of, for example, less than 1 mm. During the treatment, an inert gas (for example, N 2 or Ar) is released from the large number of holes 6 toward the conveying belt 9, thereby suppressing abnormal product growth on the surface of the muffle floor 5 and conveying belt. The film forming rate on the surface of the semiconductor wafer W placed on the substrate 9 can be controlled.

図１に戻って、クーリングマッフル７は、成膜後の半導体ウエーハＷを冷却するための冷却室である。搬送ベルト９は、例えばその上面に半導体ウエーハを載せて搬送するものである。搬送ベルト９は、例えば、プロセスマッフル１の入口１ａからクーリングマッフル７の出口７ｂまで、半導体ウエーハＷを搬送する。
エッチングマッフル１１は、クーリングマッフル７の出口７ｂから出て（図示しない）アンローダ側に半導体ウエーハＷを渡した後の搬送ベルト９を所定の薬液又はガスでエッチングするためのエッチング室である。例えば、プロセスマッフル１内でＳｉＯ2の成膜処理が行われる場合は、搬送ベルト９の表面にも意図せずＳｉＯ2が堆積する。これをそのまま残しておくとパーティクルの原因となるので、エッチングマッフル１１では、搬送処理を終えた後のベルト表面を例えばフッ酸（ＨＦ）の蒸気でエッチングしてＳｉＯ2を取り除く。 Returning to FIG. 1, the cooling muffle 7 is a cooling chamber for cooling the semiconductor wafer W after film formation. The transport belt 9 is for transporting a semiconductor wafer on its upper surface, for example. For example, the transport belt 9 transports the semiconductor wafer W from the inlet 1 a of the process muffle 1 to the outlet 7 b of the cooling muffle 7.
The etching muffle 11 is an etching chamber for etching the transport belt 9 after exiting from the outlet 7b of the cooling muffle 7 (not shown) and passing the semiconductor wafer W to the unloader side with a predetermined chemical or gas. For example, when the film forming process of the SiO 2 is performed in the process muffle within 1, SiO 2 is deposited unintentionally on the surface of the conveyor belt 9. If this is left as it is, it becomes a cause of particles. Therefore, in the etching muffle 11, the surface of the belt after the conveyance process is etched with, for example, hydrofluoric acid (HF) vapor to remove SiO 2 .

超音波洗浄器１３は、エッチング後の搬送ベルト９を水洗するためのものである。ガス噴射口１５は、水にぬれた搬送ベルト９の水分を飛ばすためのものである。ガス噴射口１５から噴射されるガスは、例えば、高温の窒素又は空気等である。赤外線ランプ１７は、搬送ベルト９を最終的に乾かすためのである。ラグローラー１９は、搬送ベルト９を一方向（即ち、プロセスマッフル１の入口１ａからクーリングマッフル７の出口７ｂの方向）に駆動するためのものである。ピンチローラー２１は、搬送ベルト９の張力を維持して、ラグローラー１９による搬送ベルト９の駆動を補助するものである。水冷ローラー２３は、搬送ベルト９の張力を維持すると共に、赤外線ランプ１７によって加熱された搬送ベルト９を冷却するためのものである。   The ultrasonic cleaner 13 is for washing the transport belt 9 after etching with water. The gas injection port 15 is for blowing the moisture of the transport belt 9 wet with water. The gas injected from the gas injection port 15 is, for example, high-temperature nitrogen or air. The infrared lamp 17 is for finally drying the conveyor belt 9. The lug roller 19 is for driving the conveyor belt 9 in one direction (that is, from the inlet 1a of the process muffle 1 to the outlet 7b of the cooling muffle 7). The pinch roller 21 maintains the tension of the conveyor belt 9 and assists the driving of the conveyor belt 9 by the lug roller 19. The water cooling roller 23 is for maintaining the tension of the transport belt 9 and cooling the transport belt 9 heated by the infrared lamp 17.

エンコーダ３０は、搬送ベルト９の移動具合を監視するための監視装置の一部である。このエンコーダ３０は、搬送ベルト９の動きに応じて回転するローラー３１を有する。即ち、エンコーダ３０は、搬送ベルト９の表面に密着（即ち、密に接触）し、搬送ベルト９との間に働く摩擦力によって回転するローラー３１を有する。搬送ベルト９が実線矢印の方向に移動すると、摩擦力によりローラー３１も破線矢印の方向に回転し、ローラー３１は搬送ベルト９の移動速度に応じた速度で回転するようになっている。このローラー３１の回転運動がエンコーダ３０に伝えられるようになっている。   The encoder 30 is a part of a monitoring device for monitoring the degree of movement of the conveyor belt 9. The encoder 30 includes a roller 31 that rotates according to the movement of the transport belt 9. That is, the encoder 30 has a roller 31 that is in close contact with (i.e., in close contact with) the surface of the conveyor belt 9 and that is rotated by a frictional force acting between the encoder 30 and the encoder 30. When the conveyor belt 9 moves in the direction of the solid line arrow, the roller 31 also rotates in the direction of the broken line arrow due to the frictional force, and the roller 31 rotates at a speed corresponding to the moving speed of the conveyor belt 9. The rotational movement of the roller 31 is transmitted to the encoder 30.

これにより、図１の常圧ＣＶＤ装置１００では、マッフルフロア５上を摺動する搬送ベルト９の動きをエンコーダ３０で検知し、搬送ベルト９の移動具合から異常を検知し、成膜不良（例えば、膜厚の不均一性）が発生する前にメンテナンス時期を決定することができる。その原理は、マッフルフロア５上にデポ物（例えば、ＳｉＯ2）が堆積し始めると、図２に示した孔６が塞がり始め、同時に搬送ベルト９がデポ物と接触することにより搬送ベルト９の摺動負荷が増す。その摺動負荷がラグローラー１９のグリップ力を上回った時、空転の症状となり、結果として搬送ベルト９の動きがギクシャク（脈動）し始める。この脈動がローラー３１を介してエンコーダ３０に伝えられ、エンコーダ３０から出力される信号に基づいて異常が検出される。 Thereby, in the atmospheric pressure CVD apparatus 100 of FIG. 1, the movement of the conveyance belt 9 sliding on the muffle floor 5 is detected by the encoder 30, an abnormality is detected from the movement of the conveyance belt 9, and film formation failure (for example, The maintenance time can be determined before the non-uniformity of the film thickness occurs. The principle is that when deposits (for example, SiO 2 ) start to deposit on the muffle floor 5, the holes 6 shown in FIG. 2 begin to close, and at the same time, the conveyor belt 9 comes into contact with the deposits, so Increases sliding load. When the sliding load exceeds the gripping force of the lug roller 19, it becomes a symptom of idling, and as a result, the movement of the conveying belt 9 starts to jerky (pulsates). This pulsation is transmitted to the encoder 30 via the roller 31, and an abnormality is detected based on a signal output from the encoder 30.

例えば図３に示すように、搬送ベルトの移動具合を監視するための監視装置５０は、エンコーダ３０から出力される信号を解析するために、ｆ／Ａ変換器４１と、Ａ／Ｄ変換器４３と、パーソナルコンピュータ（以下、ＰＣという。）４５と、を有する。
エンコーダ３０では、ローラー３１の回転量が電気的なパルス信号に変換されて出力されるが、このパルス信号はｆ／Ａ変換器４１で電圧量（即ち、アナログ信号）に変換される。即ち、ｆ／Ａ変換器４１では、単位時間当たりのパルスのカウント値が、単位時間当たりの電圧量に変換される。そして、このアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器４３でデジタル信号に変換され、ＰＣ４５に送信される。ＰＣ４５では、このデジタル信号に基づいて、電圧量の経時変化が画面上に表示される。 For example, as shown in FIG. 3, the monitoring device 50 for monitoring the movement of the conveyor belt includes an f / A converter 41 and an A / D converter 43 in order to analyze a signal output from the encoder 30. And a personal computer (hereinafter referred to as a PC) 45.
In the encoder 30, the rotation amount of the roller 31 is converted into an electrical pulse signal and output. The pulse signal is converted into a voltage amount (that is, an analog signal) by the f / A converter 41. That is, the f / A converter 41 converts the pulse count value per unit time into a voltage amount per unit time. This analog signal is converted into a digital signal by the A / D converter 43 and transmitted to the PC 45. In the PC 45, the change over time of the voltage amount is displayed on the screen based on the digital signal.

図４は、ＰＣ４５の画面表示の一例を示す図である。図４の横軸は時間を示し、縦軸はエンコーダ３０から出力される信号（即ち、パルスのカウント値）に応じた電圧値を示す。ラグローラー１９でスリップが発生し、搬送ベルト９が脈動すると、図４に示すように電圧値が突発的に上昇する。半導体装置の製造ラインでは、例えば図４に示すような電圧波形について、その高さ（即ち、電圧値）の上限規格を設けておく。そして、この上限規格を一定の回数以上オーバーしたら、ＰＣ４５はエンコーダ３０から出力される信号に異常が有ると判断して、その画面上にアラート（警報）を表示するように設定しておく。作業者は、このアラートを確認したら、例えば、常圧ＣＶＤ装置１００が備える（図示しない）ローダを停止させて、未処理の半導体ウエーハについての成膜処理を中止する。そして、メンテナンスの準備に取り掛かる。   FIG. 4 is a diagram showing an example of a screen display of the PC 45. As shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 4 indicates time, and the vertical axis indicates a voltage value corresponding to a signal (that is, a pulse count value) output from the encoder 30. When slip occurs in the lag roller 19 and the conveying belt 9 pulsates, the voltage value suddenly increases as shown in FIG. In the semiconductor device manufacturing line, for example, an upper limit standard for the height (ie, voltage value) of the voltage waveform as shown in FIG. 4 is provided. If this upper limit is exceeded a certain number of times, the PC 45 determines that there is an abnormality in the signal output from the encoder 30 and sets an alert (alarm) on the screen. When the operator confirms this alert, for example, the loader (not shown) provided in the atmospheric pressure CVD apparatus 100 is stopped, and the film forming process for the unprocessed semiconductor wafer is stopped. Then, preparation for maintenance begins.

このように、本発明の第１実施形態によれば、搬送ベルト９の移動速度の変化（例えば、脈動）を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス時期を決定することができる。例えば、脈動を検出した場合は、常圧ＣＶＤ装置１００による成膜処理を停止して、当該装置のメンテナンスに取り掛かることができる。
上記の常圧ＣＶＤ装置１００では、搬送ベルト９の動きを監視する監視装置５０の一部にエンコーダ３０を用いているため、脈動を精度良く検出することができる。さらに、エンコーダ３０から出力される信号を最終的にアナログの波形に変換して画面上に表示している。これにより、作業者は搬送ベルト９の脈動を画面上で確認することが容易となっている。 Thus, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to detect a change (for example, pulsation) in the moving speed of the conveyor belt 9, and based on this detection result, the maintenance time of the atmospheric pressure CVD apparatus 100 Can be determined. For example, when the pulsation is detected, the film forming process by the atmospheric pressure CVD apparatus 100 can be stopped and the maintenance of the apparatus can be started.
In the atmospheric pressure CVD apparatus 100 described above, since the encoder 30 is used as a part of the monitoring apparatus 50 that monitors the movement of the conveyor belt 9, pulsation can be detected with high accuracy. Further, the signal output from the encoder 30 is finally converted into an analog waveform and displayed on the screen. Thereby, the operator can easily confirm the pulsation of the conveyor belt 9 on the screen.

なお、上記の第１実施形態では、ＰＣ４５の画面上に表示されたアラート（警報）を作業者が確認した後で、常圧ＣＶＤ装置１００による成膜処理を作業者が停止する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはない。例えば、図５に示すように、常圧ＣＶＤ装置１００は、ＰＣ４５からのフィードバック信号Ｓ１を受けて、その成膜処理を自動的に停止するようにしても良い。   In the first embodiment, the case where the worker stops the film forming process by the atmospheric pressure CVD apparatus 100 after the worker confirms the alert (alarm) displayed on the screen of the PC 45 has been described. . However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 5, the atmospheric pressure CVD apparatus 100 may receive the feedback signal S1 from the PC 45 and automatically stop the film forming process.

即ち、図４に示したような電圧波形の上限規格を一定の回数以上オーバーしたら、ＰＣ４５はエンコーダ３０から出力される信号に異常が有ると判断して、画面上にアラート（警報）を表示させる。また、この表示と前後して、或いは同時に、ＰＣ４５は常圧ＣＶＤ装置１００の制御部１０にフィードバック信号Ｓ１を送信する。制御部１０は、このフィードバック信号Ｓ１を受信すると、ローダ１２に停止信号Ｓ２を送信する。この停止信号Ｓ２を受けて、ローダ１２は搬送ベルト上への半導体ウエーハの供給動作を停止する。
このような構成であれば、ＰＣ４５の画面を作業者が監視していなくても、アラートの表示とほぼ同時に、ローダ１２を停止させることができ、後続の成膜処理を直ちに中止することができる。従って、成膜不良の発生をさらに抑制することができる。 That is, when the upper limit of the voltage waveform as shown in FIG. 4 is exceeded for a certain number of times, the PC 45 determines that the signal output from the encoder 30 is abnormal and displays an alert on the screen. . In addition, before or after this display, or simultaneously, the PC 45 transmits a feedback signal S1 to the control unit 10 of the atmospheric pressure CVD apparatus 100. Upon receiving this feedback signal S1, the control unit 10 transmits a stop signal S2 to the loader 12. In response to the stop signal S2, the loader 12 stops the operation of supplying the semiconductor wafer onto the conveyor belt.
With such a configuration, even if the operator does not monitor the screen of the PC 45, the loader 12 can be stopped almost simultaneously with the display of the alert, and the subsequent film forming process can be immediately stopped. . Therefore, the occurrence of film formation defects can be further suppressed.

（２）第２実施形態
次に、成膜処理を停止した後の、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス方法について説明する。
図６は、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス方法の一例を示す概念図である。図６に示すように、マッフルフロア５の孔６を塞いでいるデポ物は、ポンチ６０を用いて取り除くことができる。ここで、ポンチ６０は、孔６の直径よりも小さな直径の針６１と、針６１の一端を保持する保持部６２と、を備えるメンテナンス治具のことである。
図７はポンチ６０の構成例を示す概念図である。 (2) 2nd Embodiment Next, the maintenance method of the atmospheric pressure CVD apparatus 100 after stopping the film-forming process is demonstrated.
FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating an example of a maintenance method for the atmospheric pressure CVD apparatus 100. As shown in FIG. 6, the deposit covering the hole 6 of the muffle floor 5 can be removed using a punch 60. Here, the punch 60 is a maintenance jig including a needle 61 having a diameter smaller than the diameter of the hole 6 and a holding portion 62 that holds one end of the needle 61.
FIG. 7 is a conceptual diagram showing a configuration example of the punch 60.

図７において、針６１の直径φ１は例えば０．８ｍｍであり、保持部６２の直径φ２は例えば１０ｍｍである。また、針６１の長さＬは例えば１．０ｃｍである。なお、この場合の孔６の直径は例えば０．９ｍｍであり、孔６の深さ（即ち、マッフルフロア５の厚さ）は例えば０．５ｃｍである。また、針６１の材質はピアノ線（即ち、炭素鋼で作られた金属線）であることが好ましい。これにより、打ち込みの衝撃力に耐えうる、十分な強度の針６１を実現することができ、同じ針６１を繰り返し使用することが可能である。さらに、針６１の先端６１ａは、平面を広く有することが好ましい。つまり、尖っていないことが好ましい。これにより、先端６１ａとデポ物との接触面積を広く稼ぐことができ、デポ物を効率良く押し出すことができる。   In FIG. 7, the diameter φ1 of the needle 61 is, for example, 0.8 mm, and the diameter φ2 of the holding portion 62 is, for example, 10 mm. The length L of the needle 61 is, for example, 1.0 cm. In this case, the diameter of the hole 6 is, for example, 0.9 mm, and the depth of the hole 6 (that is, the thickness of the muffle floor 5) is, for example, 0.5 cm. The material of the needle 61 is preferably a piano wire (that is, a metal wire made of carbon steel). As a result, a sufficiently strong needle 61 that can withstand the impact force of driving can be realized, and the same needle 61 can be used repeatedly. Further, the tip 61a of the needle 61 preferably has a wide flat surface. That is, it is preferably not sharp. Thereby, the contact area of the front-end | tip 61a and a deposit can be earned widely, and a deposit can be extruded efficiently.

図６に示すように、ポンチ６０を用いて孔６内を清掃する場合は、針６１の他端（即ち、先端）６１ａを孔６内に差し込み、保持部６２の針６１を保持する側の反対側の面６２ｂを例えばハンマー６９で叩いて、針６１を孔６内に打ち込む。これにより、デポ物は針６１の先端６１ａに押されてマッフルフロア５の反対側（図６では、下側）に押し出され、孔６内から取り除かれる。以下、この処理方式をポンチ方式と呼ぶ。本発明者の知見では、上述のドリル方式ではドリルの歯が破断し易いが、ポンチ方式では針６１が折れにくい。また、処理そのものが簡単であり、孔６内を塞いでいるデポ物をマッフルフロア５の反対側へ一気に押し出すことができるので、孔６内を効率良く清掃することができる。これにより、孔６の復元作業を短時間に終わらせることができる。
このように、本発明の第２実施形態によれば、常圧ＣＶＤ装置１００をメンテナンスする際に、マッフルフロア５の孔６内をポンチ６０を用いて清掃する。これにより、孔６内を塞いでいるデポ物をマッフルフロア５の反対側へ一気に押し出すことができ、孔６内を効率良く清掃することができる。 As shown in FIG. 6, when the inside of the hole 6 is cleaned using the punch 60, the other end (that is, the tip) 61 a of the needle 61 is inserted into the hole 6, and the side of the holding part 62 that holds the needle 61 is inserted. The opposite surface 62 b is hit with a hammer 69, for example, and the needle 61 is driven into the hole 6. As a result, the deposit is pushed by the tip 61a of the needle 61, pushed to the opposite side (lower side in FIG. 6) of the muffle floor 5, and removed from the hole 6. Hereinafter, this processing method is referred to as a punch method. According to the knowledge of the present inventor, the drill teeth are easily broken in the above-described drill method, but the needle 61 is not easily broken in the punch method. Further, the process itself is simple, and the deposit covering the inside of the hole 6 can be pushed out to the opposite side of the muffle floor 5, so that the inside of the hole 6 can be efficiently cleaned. Thereby, the restoration work of the hole 6 can be completed in a short time.
As described above, according to the second embodiment of the present invention, the inside of the hole 6 of the muffle floor 5 is cleaned using the punch 60 when the atmospheric pressure CVD apparatus 100 is maintained. Thereby, the deposit covering the inside of the hole 6 can be pushed out to the opposite side of the muffle floor 5 at a stretch, and the inside of the hole 6 can be efficiently cleaned.

なお、上述のポンチ６０では、図８（ａ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側の面６２ａに、樹脂材６４が取り付けられていても良い。或いは、図８（ｂ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側の面６２ａに、樹脂材からなるテープ６５が巻きつけられていても良い。このような構成であれば、針６１を孔６内に打ち込む際に、保持部６２とマッフルフロア５とが直に衝突することを防ぐことができ、保持板６２とマッフルフロア５の双方に働く衝撃力を樹脂の弾性力で緩和することができる。
また、本発明のポンチは、保持部６２に対して、針６１が着脱可能に取り付けられていても良い。例えば、針６１は保持部６２に対してピンバイス方式で取り付けられていても良い。 In the punch 60 described above, as shown in FIG. 8A, a resin material 64 may be attached to a surface 62a of the holding portion 62 on the side where the needle 61 is held. Alternatively, as shown in FIG. 8B, a tape 65 made of a resin material may be wound around the surface 62a of the holding portion 62 on the side where the needle 61 is held. With such a configuration, when the needle 61 is driven into the hole 6, it is possible to prevent the holding portion 62 and the muffle floor 5 from directly colliding with each other, and it acts on both the holding plate 62 and the muffle floor 5. The impact force can be reduced by the elastic force of the resin.
In the punch of the present invention, the needle 61 may be detachably attached to the holding portion 62. For example, the needle 61 may be attached to the holding portion 62 by a pin vice method.

図９（ａ）〜９（ｂ）はピンバイス方式のポンチ６０´の構成例を示す図であり、図９（ａ）は保持部６２の側面を示し、図９（ｂ）は保持部６２の下面を示し、図９（ｃ）は針６１を保持部６２に固定するための固定部６６の断面を示す。ピンバイス方式では、図９（ａ）に示すように、保持部６２の針６１を保持する側はコレクトチャックとなっており、針６１の一端をくわえることができる嵌設孔ｈが設けられている。また、この保持部６２の外側面と、固定部６６の内側面にはそれぞれ対応するネジ溝が設けられている。図９（ａ）に示すように、嵌設孔ｈに針６１の一端を挿し込み、この状態で固定部６６を保持部６２の外側面に被せてネジを回すと、図９（ｂ）の矢印で示すように、嵌設孔ｈの径が徐々に狭まって針６１が保持部６２に固定される。また、固定したときと反対方向にネジを回すと、嵌設孔ｈの径が徐々に広がって針６１を保持部６２から取り外すことができる。   FIGS. 9A to 9B are diagrams showing a configuration example of a pin vise punch 60 ′, FIG. 9A shows the side surface of the holding portion 62, and FIG. 9B shows the holding portion 62. FIG. 9C shows a cross section of the fixing portion 66 for fixing the needle 61 to the holding portion 62. In the pin vise method, as shown in FIG. 9A, the side of the holding portion 62 that holds the needle 61 is a collect chuck, and a fitting hole h that can hold one end of the needle 61 is provided. . Corresponding screw grooves are provided on the outer surface of the holding portion 62 and the inner surface of the fixing portion 66, respectively. As shown in FIG. 9A, when one end of the needle 61 is inserted into the fitting hole h and the fixing portion 66 is put on the outer surface of the holding portion 62 in this state and the screw is turned, the screw shown in FIG. As indicated by the arrow, the diameter of the fitting hole h gradually decreases, and the needle 61 is fixed to the holding portion 62. Further, when the screw is turned in the direction opposite to that when it is fixed, the diameter of the fitting hole h gradually increases, and the needle 61 can be removed from the holding portion 62.

このような構成であれば、例えば、使用の過程で劣化した針６１を新品の針６１に交換することができる。保持部６２は交換せずに済むので、メンテナンスにかかるコストの低減に寄与することができる。
また、本発明のポンチは、押圧力の有無によって針６１が伸縮する（即ち、動く）ような構成であっても良い。 With such a configuration, for example, the needle 61 that has deteriorated in the course of use can be replaced with a new needle 61. Since it is not necessary to replace the holding unit 62, it is possible to contribute to a reduction in maintenance costs.
The punch of the present invention may be configured such that the needle 61 expands and contracts (that is, moves) depending on the presence or absence of a pressing force.

図１０は、ポンチ６０´´の構成例を示す図である。図７との違いは、針６１と保持部６２との間に弾性体（一例として、バネ）６７が設けられている点である。図１０の矢印で示すように、針６１に押圧力が与えられると、バネ６７は縮み、針６１は保持部６２内に押し込まれる。また、押圧力が取り除かれると、バネ６７は伸び、針６１は保持部６２内から外側へ飛び出す。また、このポンチ６０´´では、針６１の移動方向をガイドすると共に、その移動可能な範囲を一定の範囲に制限するためのガイド機構６８が設けられている。このガイド機構６８は、例えば、保持部６２の内側面に設けられた溝６８ａと、この溝６８ａに嵌め込まれた板６８ｂとを有する。板６８ｂには、針６１の一端が固定されている。   FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of the punch 60 ″. The difference from FIG. 7 is that an elastic body (for example, a spring) 67 is provided between the needle 61 and the holding portion 62. As shown by the arrow in FIG. 10, when a pressing force is applied to the needle 61, the spring 67 is contracted and the needle 61 is pushed into the holding portion 62. When the pressing force is removed, the spring 67 extends and the needle 61 jumps out from the holding portion 62 to the outside. The punch 60 ″ is provided with a guide mechanism 68 for guiding the moving direction of the needle 61 and limiting the movable range to a certain range. The guide mechanism 68 includes, for example, a groove 68a provided on the inner surface of the holding portion 62, and a plate 68b fitted in the groove 68a. One end of the needle 61 is fixed to the plate 68b.

このような構成であれば、例えば、図６において、針６１の先端６１ａをマッフルフロア５の表面に押し当てながら孔６を探すときに、針６１の先端６１ａが孔６内に入ると針は縮んだ状態から一気に伸び、そのときの振動が保持部６２を介して作業者の手に伝わる。これにより、孔６の位置が特定し易くなる。
上記の第１、第２実施形態では、プロセスマッフル１が本発明の「処理室」に対応し、マッフルフロア５が「支持板」に対応し、インジェクター３が本発明の「ガス供給部」に対応している。また、ｆ／Ａ変換器４１、Ａ／Ｄ変換器４３及びＰＣ４５の組み合わせが「変換表示部」に対応し、ＰＣ４５は「判断部」にも対応している。また、常圧ＣＶＤ装置１００が本発明の「半導体製造装置」に対応し、ポンチ６０、６０´又は６０´´が本発明の「メンテナンス治具」に対応している。 With such a configuration, for example, in FIG. 6, when the tip 61 a of the needle 61 enters the hole 6 when searching for the hole 6 while pressing the tip 61 a of the needle 61 against the surface of the muffle floor 5, the needle The contracted state extends at a stretch, and the vibration at that time is transmitted to the operator's hand through the holding portion 62. Thereby, it becomes easy to specify the position of the hole 6.
In the first and second embodiments described above, the process muffle 1 corresponds to the “processing chamber” of the present invention, the muffle floor 5 corresponds to the “support plate”, and the injector 3 corresponds to the “gas supply unit” of the present invention. It corresponds. The combination of the f / A converter 41, the A / D converter 43, and the PC 45 corresponds to a “conversion display unit”, and the PC 45 also corresponds to a “determination unit”. Further, the atmospheric pressure CVD apparatus 100 corresponds to the “semiconductor manufacturing apparatus” of the present invention, and the punch 60, 60 ′ or 60 ″ corresponds to the “maintenance jig” of the present invention.

なお、上記の第１、第２実施形態では、本発明の「半導体製造装置」の一例として、半導体ウエーハＷに対して成膜処理を行う常圧ＣＶＤ装置１００について説明した。しかしながら、半導体製造装置はこれに限られることはない。本発明の「半導体製造装置」は、搬送ベルトを用いて基板等を搬送しながら、その表面に加工処理を施す他の製造装置にも適用可能であり、そのような他の製造装置の一例として半導体実装工程で使用されるリフロー装置がある。また、本発明において、加工処理が施される「基板」は半導体ウエーハＷに限定されるものではなく、例えば、ガラス基板であっても良い。ガラス基板は、主に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造工程で使用されるものである。或いは、本発明の「基板」は半導体実装工程でＩＣチップが取り付けられる配線基板であっても良い。配線基板としては、例えばガラスエポキシ基板や、ポリイミド等の材質からなるフィルム基板が挙げられる。フィルム基板は、主に、ＩＣチップの実装法の一つであるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）で使用されるものである。   In the first and second embodiments, the atmospheric pressure CVD apparatus 100 that performs the film forming process on the semiconductor wafer W has been described as an example of the “semiconductor manufacturing apparatus” of the present invention. However, the semiconductor manufacturing apparatus is not limited to this. The “semiconductor manufacturing apparatus” of the present invention can also be applied to other manufacturing apparatuses that process a surface of a substrate while transporting a substrate or the like using a transport belt. As an example of such other manufacturing apparatus, There is a reflow apparatus used in a semiconductor mounting process. In the present invention, the “substrate” on which the processing is performed is not limited to the semiconductor wafer W, and may be a glass substrate, for example. The glass substrate is mainly used in a manufacturing process of a thin film transistor (TFT). Alternatively, the “substrate” of the present invention may be a wiring substrate to which an IC chip is attached in a semiconductor mounting process. Examples of the wiring board include a glass epoxy board and a film board made of a material such as polyimide. The film substrate is mainly used in TAB (Tape Automated Bonding), which is one of IC chip mounting methods.

第１実施形態に係る常圧ＣＶＤ装置１００の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the atmospheric pressure CVD apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment. マッフルフロア５の断面構成の一例を示す図。The figure which shows an example of the cross-sectional structure of the muffle floor. 監視装置５０の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the monitoring apparatus. ＰＣ４５の画面表示の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen display of PC45. フィードバック制御の一例を示す図。The figure which shows an example of feedback control. 第２実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the maintenance method which concerns on 2nd Embodiment. ポンチ６０の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the punch 60. FIG. ポンチ６０の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the punch 60. FIG. ポンチ６０´の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of punch 60 '. ポンチ６０´´の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of punch 60 ''.

符号の説明Explanation of symbols

１ プロセスマッフル、３ インジェクター、５ マッフルフロア、６ 孔 ７ クーリングマッフル、９ 搬送ベルト、１０ 制御部、１１ エッチングマッフル、１２ ローダ、１３ 超音波洗浄器、１５ ガス噴射口、１７ 赤外線ランプ、１９ ラグローラー、２１ ピンチローラー、２３ 水冷ローラー、３０ エンコーダ、４１ ｆ／Ａ変換器、４３ Ａ／Ｄ変換器、４５ ＰＣ、５０ 監視装置、６０、６０´、６０´´ ポンチ、６１ 針、６１ａ （針の）先端、６２ 保持部、６４ 樹脂材、６５ テープ、６６ 固定部、６７ 弾性体（バネ）、６８ 機構、６８ａ 溝、６８ｂ 板、１００ 常圧ＣＶＤ装置、Ｗ 半導体ウエーハ   1 Process muffle, 3 Injector, 5 Muffle floor, 6 holes 7 Cooling muffle, 9 Conveyor belt, 10 Control unit, 11 Etching muffle, 12 Loader, 13 Ultrasonic cleaner, 15 Gas injection port, 17 Infrared lamp, 19 Lag roller , 21 Pinch roller, 23 Water-cooled roller, 30 Encoder, 41 f / A converter, 43 A / D converter, 45 PC, 50 Monitoring device, 60, 60 ′, 60 ″ punch, 61 needle, 61a ) Tip, 62 holding part, 64 resin material, 65 tape, 66 fixing part, 67 elastic body (spring), 68 mechanism, 68a groove, 68b plate, 100 atmospheric pressure CVD apparatus, W semiconductor wafer

Claims (12)

処理室と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、
前記搬送ベルトの動きを監視する監視装置と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。 A processing chamber;
A support plate disposed in the processing chamber;
A transport belt for transporting the substrate while sliding on the support plate;
And a monitoring device that monitors the movement of the conveyor belt. 前記監視装置はエンコーダを有し、前記エンコーダは前記搬送ベルトの動きに応じて回転するローラーを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。   2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the monitoring device includes an encoder, and the encoder includes a roller that rotates according to the movement of the conveyor belt. 3. 前記監視装置は、前記エンコーダから出力されるパルスのカウント値を電圧量に変換して画面に表示する変換表示部、をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the monitoring device further includes a conversion display unit that converts a pulse count value output from the encoder into a voltage amount and displays the voltage amount on a screen. 前記監視装置は、
前記エンコーダから出力される信号に異常が有るか否かを判断する判断部、をさらに有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体製造装置。 The monitoring device
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising a determination unit that determines whether or not there is an abnormality in the signal output from the encoder. 前記搬送ベルト上に前記基板を供給するローダと、
前記ローダの動作を制御する制御部と、をさらに備え、
前記判断部が前記波形に異常有りと判断したときは、前記制御部が前記ローダによる前記基板の供給を停止する、ことを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。 A loader for supplying the substrate onto the conveyor belt;
A control unit for controlling the operation of the loader,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein when the determination unit determines that there is an abnormality in the waveform, the control unit stops supply of the substrate by the loader. 前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部、をさらに備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、
前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の半導体製造装置。 A gas supply unit for supplying a film forming source gas into the processing chamber;
A plurality of holes are provided on a surface of the support plate on a side on which the conveyor belt slides,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein an inert gas is supplied into the processing chamber from the plurality of holes. 請求項６に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔内を清掃する工程と、を含み、
前記孔内を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 A maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6,
Preparing a maintenance jig comprising a needle having a diameter smaller than the diameter of the hole and a holding portion for holding one end of the needle;
Cleaning the inside of the hole using the maintenance jig,
In the step of cleaning the inside of the hole, the maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the needle is driven into the hole. 処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、前記針の一端を保持する保持部と、を備えるメンテナンス治具を用意する工程と、
前記メンテナンス治具を用いて前記孔の内部を清掃する工程と、を含み、
前記孔の内部を清掃する工程では、前記針を前記孔内に打ち込むことを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 A processing chamber;
A gas supply unit for supplying a source gas for film formation into the processing chamber;
A support plate disposed in the processing chamber;
A transport belt that transports the substrate while sliding on the support plate,
A maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of holes are provided on a surface of the support plate on a side on which the conveyor belt slides, and an inert gas is supplied into the processing chamber from the plurality of holes,
Preparing a maintenance jig comprising a needle having a diameter smaller than the diameter of the hole and a holding portion for holding one end of the needle;
Cleaning the inside of the hole using the maintenance jig,
In the step of cleaning the inside of the hole, the maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the needle is driven into the hole. 処理室と、
前記処理室内に成膜の原料ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に配置された支持板と、
前記支持板上を摺動しながら基板を搬送する搬送ベルトと、を備え、
前記支持板の前記搬送ベルトが摺動する側の面には複数の孔が設けられ、前記複数の孔から前記処理室内に不活性ガスが供給される半導体製造装置のメンテナンスに使用される治具であって、
前記孔の直径よりも小さな直径の針と、
前記針の一端を保持する保持部と、を備えることを特徴とするメンテナンス治具。 A processing chamber;
A gas supply unit for supplying a source gas for film formation into the processing chamber;
A support plate disposed in the processing chamber;
A transport belt that transports the substrate while sliding on the support plate,
A jig used for maintenance of a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of holes are provided in a surface of the support plate on which the conveyor belt slides, and an inert gas is supplied into the processing chamber from the plurality of holes. Because
A needle having a diameter smaller than the diameter of the hole;
A maintenance jig comprising: a holding portion that holds one end of the needle. 前記保持部の前記針を保持する側に取り付けられた樹脂材、をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のメンテナンス治具。   The maintenance jig according to claim 9, further comprising a resin material attached to a side of the holding unit that holds the needle. 前記針の一端は、前記保持部に着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項９に記載のメンテナンス治具。   The maintenance jig according to claim 9, wherein one end of the needle is detachably attached to the holding portion. 前記針は、ピアノ線からなることを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか一項に記載のメンテナンス治具。   The maintenance needle according to any one of claims 9 to 11, wherein the needle is made of a piano wire.
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