JP2010098251A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性SiC基板1上に化合物半導体領域2が形成されている。化合物半導体領域2には、順次積層されたバッファ層2a、電子走行層2b、電子供給層2c及び表面層2dが含まれている。化合物半導体領域2には、活性領域を画定する素子分離領域3が設けられている。そして、活性領域と整合するようにして、導電性SiC基板1に開口部1aが形成されている。表面層2dには、電子供給層2cを露出する2個の開口部が形成されており、開口部の各々に、オーミック電極がソース電極4又はドレイン電極5として形成されている。更に、開口部10aを介して表面層2dと接するゲート電極6がシリコン窒化膜10上に形成されている。
【選択図】図3
Description
半絶縁性SiC基板よりも安価な導電性SiC基板を用いることが考えられる。しかし、導電性SiC基板の導電性は、シリコン基板と同様に高いため、半導体装置の高周波特性が低くなるという問題点がある。これは、図2(a)に示すように、半絶縁性SiC基板101に代えて導電性SiC基板111が用いられた場合には、大きな寄生抵抗及び寄生容量が存在するため、高周波特性が低くなってしまうのである。
次に、第1の実施形態について説明する。図3は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図5は、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図6は、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。第1の実施形態がショットキーゲート型のトランジスタであるのに対し、本実施形態はMIS(metal insulator semiconductor)ゲート型のトランジスタである。即ち、図6に示すように、シリコン窒化膜10に開口部10aが形成されておらず、ゲート電極6に代えて、シリコン窒化膜10上にゲート電極16が設けられている。他の構成は第1の実施形態と同様である。
次に、第4の実施形態について説明する。図7(a)及び(b)は、第4の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。図7(a)及び(b)には、互いに直交する断面を示してある。
1a:開口部
2:化合物半導体領域
3:素子分離領域
4:ソース電極
5:ドレイン電極
6、16:ゲート電極
15:放熱部材
34:空洞部
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられた化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、
を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極下方の前記基板に前記化合物半導体層を露出する開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記開口部内に設けられた放熱部材を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に設けられた化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極の下方の前記基板と前記化合物半導体層との間に空洞部と、
前記化合物半導体層を前記基板上に支持する支持部材と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記基板は、導電性SiC基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層の上方にソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を形成する工程と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極下方の前記基板に前記化合物半導体層を露出する開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層の上方にソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記化合物半導体層を形成する工程の前に、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極の下方にダミー膜を形成し、その周囲に支持部材を形成する工程を有し、
前記化合物半導体層を形成する工程の後に、
前記支持部材を残存させながら前記ダミー膜を除去することにより、前記基板と前記化合物半導体層との間に空洞部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板として、導電性SiC基板を用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102637735A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 化合物半导体器件及其制造方法 |
JP2013243173A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2015065233A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN111081771A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-28 | 成都挚信电子技术有限责任公司 | 一种绝缘层掩埋型晶体管结构及器件 |
WO2020090870A1 (ja) | 2018-11-01 | 2020-05-07 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6123350A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-01-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH03227527A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH06283552A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JPH09266215A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Nippon Steel Corp | 高周波高出力用半導体デバイスおよびその製造方法 |
JPH10289979A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nippon Steel Corp | 高周波半導体デバイス |
JP2004311986A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007165638A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2008012877A1 (fr) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Fujitsu Limited | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉ EMPLOYANT UN SUBSTRAT DE SiC ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELUI-CI |
JP2008117885A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2010067662A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2008270052A patent/JP5487590B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6123350A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-01-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH03227527A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH06283552A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JPH09266215A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Nippon Steel Corp | 高周波高出力用半導体デバイスおよびその製造方法 |
JPH10289979A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nippon Steel Corp | 高周波半導体デバイス |
JP2004311986A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007165638A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2008012877A1 (fr) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Fujitsu Limited | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉ EMPLOYANT UN SUBSTRAT DE SiC ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELUI-CI |
JP2008117885A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2010067662A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102637735A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 化合物半导体器件及其制造方法 |
CN102637735B (zh) * | 2011-02-14 | 2015-06-17 | 富士通株式会社 | 化合物半导体器件及其制造方法 |
JP2013243173A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2015065233A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2020090870A1 (ja) | 2018-11-01 | 2020-05-07 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法 |
KR20210082523A (ko) | 2018-11-01 | 2021-07-05 | 에어 워터 가부시키가이샤 | 화합물 반도체 장치, 화합물 반도체 기판, 및 화합물 반도체 장치의 제조방법 |
CN111081771A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-28 | 成都挚信电子技术有限责任公司 | 一种绝缘层掩埋型晶体管结构及器件 |
CN111081771B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-04-18 | 成都挚信电子技术有限责任公司 | 一种绝缘层掩埋型晶体管结构及器件 |
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