JP6301863B2 - 窒化物半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1,図2A〜図2Hを用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における窒化物半導体装置の構成を示す断面図である。図2A〜図2Hは、本発明の実施の形態1における窒化物半導体装置の製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2について、図3,図4A〜図4Iを用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態2における窒化物半導体装置の構成を示す断面図である。図4A〜図4Iは、本発明の実施の形態2における窒化物半導体装置の製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。
Claims (5)
- 基板の上に形成された窒化物半導体からなる絶縁層と、
アンドープの窒化物半導体から構成され、前記絶縁層の上のゲート領域のみに結晶成長することで形成されたチャネル層と、
窒化物半導体から構成されて前記チャネル層の上のみに結晶成長することで形成されたバリア層と、
n型の窒化物半導体から構成され、前記チャネル層および前記バリア層の周囲の前記絶縁層の上に結晶成長することで形成されたコンタクト層と、
前記バリア層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟んで形成されて、前記コンタクト層に接続するソース電極およびドレイン電極と
を備え、
前記チャネル層および前記バリア層は、主表面をIII族極性面とされ、かつ成長側面が(1−101)面とされていることを特徴とする窒化物半導体装置。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置において、
前記コンタクト層は、前記バリア層までの高さより厚く形成され、
前記ゲート電極は、リセスゲート構造とされている
ことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 基板の上に窒化物半導体からなる絶縁層を結晶成長する第1工程と、
前記絶縁層の上にゲート領域が開口した選択成長マスクを形成する第2工程と、
前記選択成長マスクの開口部の前記絶縁層の上に選択的にアンドープの窒化物半導体を結晶成長して前記絶縁層の上のゲート領域のみにチャネル層を形成する第3工程と、
前記チャネル層の上のみに窒化物半導体を結晶成長してバリア層を形成する第4工程と、
前記選択成長マスクを除去してから前記チャネル層および前記バリア層の周囲の前記絶縁層の上にn型の窒化物半導体を結晶成長してコンタクト層を形成する第5工程と、
前記バリア層の上にゲート電極を形成する第6工程と、
前記ゲート電極を挟んで前記コンタクト層に接続するソース電極およびドレイン電極を形成する第7工程と
を備え、
前記第3工程および前記第4工程では、前記チャネル層および前記バリア層を、主表面をIII族極性面とし、かつ成長側面を(1−101)面とした状態で結晶成長して形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記第4工程では、前記コンタクト層を前記バリア層までの高さより厚く形成し、
前記ゲート電極は、リセスゲート構造とする
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項3または4記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記第4工程では、前記絶縁層,チャネル層,バリア層に対して選択的に前記選択成長マスクをエッチングするウエットエッチングにより前記選択成長マスクを除去する
ことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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