CN112143389A - 切割带和切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，‑15℃下的Tanδ的值(A)相对于‑5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。

Description

切割带和切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及例如在制造半导体集成电路时使用的切割带、和具备该切割带的切割芯片接合薄膜。
背景技术
以往，已知有在半导体集成电路的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备切割带、和层叠于该切割带并且与晶圆粘接的芯片接合层。切割带具有基材层、和与芯片接合层接触的粘合层。这种切割芯片接合薄膜在半导体集成电路的制造中例如如下所述地来使用。
制造半导体集成电路的方法通常具备：利用高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序、和从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。
后工序例如具有下述工序：安装工序，将晶圆的与电路面处于相反侧的面贴附于芯片接合层，将晶圆固定于切割带；切割工序，将借助芯片接合层贴附于切割带的晶圆割断为小的芯片(Die)而小片化；扩展工序，使经小片化的芯片彼此的间隔扩大；拾取工序，在芯片接合层与粘合剂层之间进行剥离，取出贴附有芯片接合层的状态的芯片(Die)；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层的状态的芯片(Die)粘接于被粘物。半导体集成电路经由这些工序而制造。
在上述制造方法中，扩展工序通过在重叠于切割带的芯片接合层上配置有晶圆的状态下、并且在例如0℃以下的低温条件下将切割带沿着放射方向拉伸而将晶圆与芯片接合层一起割断、小片化。但是，存在切割带随着拉伸而破裂的情况。一旦切割带破裂则割断会变得不良，后续的拾取工序中会发生障碍。为了防止这样的问题，迫切希望切割带具有抑制低温下的扩展工序中的破裂的性能。
作为应对扩展工序中的问题的以往的切割带，例如，已知一种在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa的切割带(专利文献1)。
专利文献1记载的切割带可在常温下的扩展工序和此后的工序中抑制产生于芯片接合层与粘合剂层之间的浮起。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-195746号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，对于抑制了低温下的扩展工序中的破裂的切割芯片接合薄膜、切割带，还不能说已进行了充分研究。
因此，本发明的课题在于，提供抑制了低温下的扩展工序中的破裂的切割带、和切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的切割带的特征在于，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，-15℃下的T anδ的值(A)相对于-5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。
根据上述构成的切割带，低温下的扩展工序中的破裂得到抑制。
上述的切割带优选：-15℃下的25％拉伸时的强度为15[N/20mm]以上。由此，可以使低温下的扩展工序中的晶圆割断性变良好。
上述的切割带优选：具备基材层和粘合性高于该基材层的粘合剂层，并且上述基材层的厚度为80μm以上且150μm以下。由此，可以进一步抑制低温下的扩展工序中的破裂。
上述切割带优选：上述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。由此，可以进一步抑制低温下的扩展工序中的破裂。
本发明的切割芯片接合薄膜具备上述切割带、和贴合于该切割带的芯片接合层。
上述切割芯片接合薄膜中，芯片接合层的厚度可以为50μm以上且135μm以下。即使为具备这样的较厚的芯片接合层的切割芯片接合薄膜，也可以抑制低温下的扩展工序中切割带破裂。
上述切割芯片接合薄膜优选用于在0℃以下、并且在上述芯片接合层上粘接有晶圆的状态下进行拉伸的冷扩展工序，在上述冷扩展工序中，上述晶圆与上述芯片接合层一起被割断。
发明的效果
本发明的切割带和切割芯片接合薄膜发挥如下效果：可以进一步抑制低温下的扩展工序中的破裂。
附图说明
图1：将本实施方式的切割芯片接合薄膜沿着厚度方向切断而成的截面图。
图2A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图2D：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。
图3A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。
图3B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。
图4A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图4B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图4C：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的截面图。
图5A：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的截面图。
图5B：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的截面图。
图6：示意性示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的截面图。
附图标记说明
1：切割芯片接合薄膜、
10：芯片接合层、
20：切割带、
21：基材层、
22：粘合剂层。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的切割芯片接合薄膜、和切割带的一实施方式进行说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1具备：切割带20、和层叠于该切割带20的粘合剂层22并且与半导体晶圆粘接的芯片接合层10。
本实施方式的切割带20通常为长条片，直到使用为止以卷绕的状态保管。本实施方式的切割芯片接合薄膜1以粘贴于具有比要进行割断处理的硅晶圆大一圈的内径的圆环状的框并被切割的方式使用。
本实施方式的切割带20具备基材层21、和与该基材层21重叠的粘合剂层22。
本实施方式的切割带20中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，-15℃下的Tanδ的值(A)相对于-5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。
本实施方式的切割带20由于具有上述的构成，从而低温下的扩展工序(将在后文详述)中的破裂得到抑制。低温通常是指0℃以下的温度。
切割带20的动态粘弹性测定可按照实施例中记载的方法来实施。由进行3次测定而得的测定结果的平均值求出上述的各Tanδ。
需要说明的是，上述的比(A/B)可以为2.00以下。
上述的比(A/B)例如可以通过增大-15℃下的Tanδ的值(A)来使其变大。
例如，可以通过在切割带20中配混玻璃化转变温度(Tg)更接近-15℃的材料、或者增加该材料的配混量来增大-15℃下的Tanδ的值(A)。
另一方面，上述的比(E”/E’)例如可以通过增大-5℃下的Tanδ的值(B)来使其变小。
例如，可以通过在切割带20中配混玻璃化转变温度(Tg)更偏离-5℃的材料、或增加该材料的配混量来增大-5℃下的Tanδ的值(B)。
-15℃下的Tanδ的值(A)优选0.05以上，更优选0.07以上，进一步优选0.10以上。通过使Tanδ的值(A)为0.05以上，有在-15℃下进行拉伸时的切割带20的缓和性进一步变大的优点。
-15℃下的Tanδ的值(A)优选0.50以下，更优选0.40以下，进一步优选0.30以下。通过使Tanδ的值(A)为0.50以下，有可以使在-15℃下进行拉伸时的应力更高效地向芯片接合层10传递的优点。
-5℃下的Tanδ的值(B)优选0.05以上，更优选0.09以上，进一步优选0.11以上。通过使Tanδ的值(B)为0.05以上，有在-5℃下进行拉伸时的切割带20的缓和性进一步变大的优点。
-5℃下的Tanδ的值(B)优选0.50以下，更优选0.40以下，进一步优选0.27以下。通过使Tanδ的值(B)为0.50以下，有可以使在-5℃下进行拉伸时的应力更高效地向芯片接合层10传递的优点。
切割带20中，-15℃下的25％拉伸时的强度优选15[N/20mm]以上。由此，可以使低温下的扩展工序中的晶圆割断性变良好。
-15℃下的25％拉伸时的强度可以为30[N/20mm]以下。
上述的25％拉伸时的强度为按照实施例中记载的方法测定的值。需要说明的是，由进行3次测定而得的测定结果的平均值求出上述强度的值。
例如，可以通过选择更硬质的树脂作为构成切割带20的树脂、或者使基材层21的厚度进一步变厚来提高上述的25％拉伸时的强度。另一方面，例如，可以通过选择更软质的树脂作为构成切割带20的树脂、或者使基材层21的厚度进一步变薄来降低上述的25％拉伸时的强度。
基材层21可以为单层结构，也可以为层叠结构。
基材层21的各层为例如金属箔、纸、布等纤维片、橡胶片、树脂薄膜等。
作为构成基材层21的纤维片，可列举纸、织布、无纺布等。
作为树脂薄膜的材质，可列举例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等乙烯的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚丙烯酸酯；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；脂肪族聚酰胺、全芳香族聚酰胺(芳纶)等聚酰胺；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素或纤维素衍生物；含有机硅高分子；含氟高分子等。这些可以单独使用一种或组合使用两种以上。
基材层21具有树脂薄膜的情况下，也可以对树脂薄膜实施拉伸处理等，控制伸长率等变形性。
基材层21的表面可以实施表面处理，以提高与粘合剂层22的密合性。作为表面处理，可采用例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离射线处理等基于化学方法或物理方法的氧化处理等。另外，也可以实施基于锚涂剂、底漆、粘接剂等涂布剂的涂布处理。
基材层21优选包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂、α-烯烃系热塑性弹性体树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)树脂和离聚物树脂(IO)中的至少一种。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举α-烯烃的均聚物、两种以上的α-烯烃的共聚物等。
基材层21可以包含多种上述树脂的混合物(共混物)。例如，基材层21可以包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)与离聚物树脂(IO)的混合物，也可以包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)与聚丙烯系弹性体树脂的混合物。这种混合物中，乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)所占的比例可以为60质量％以上且80质量％以下。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)可以包含10质量％以上且30质量％以下的乙酸乙烯酯的构成单元。
基材层21的厚度优选80μm以上且150μm以下。所述值为随机选择的至少3个位置处的测定值的平均值。以下的粘合剂层22的厚度也同样。
基材层21的背面侧(未重叠粘合剂层22的那一侧)可以利用例如有机硅系树脂、氟系树脂等脱模剂(剥离剂)等实施脱模处理，以赋予剥离性。
从能够从背面侧向粘合剂层22供给紫外线等活性能量射线方面出发，基材层21优选为透光性(紫外线透射性)的树脂薄膜等。
本实施方式的切割带20也可以在使用前的状态下具备覆盖粘合剂层22的一个面(粘合剂层22的未重叠基材层21的面)的剥离片。当面积小于粘合剂层22的芯片接合层10以容纳于粘合剂层22内的方式进行配置时，以覆盖粘合剂层22和芯片接合层10这两者的方式来配置剥离片。剥离片是为了保护粘合剂层22而使用的，在将芯片接合层10贴附于粘合剂层22之前被剥离。
作为剥离片，可以使用例如利用有机硅系、长链烷基系、氟系、硫化钼等剥离剂进行了表面处理的塑料薄膜或纸等。
另外，作为剥离片，可以使用例如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯·偏氟乙烯共聚物等氟系聚合物制的薄膜；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃制的薄膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等聚酯制的薄膜等。
另外，作为剥离片，可以使用例如利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸类等。
需要说明的是，剥离片可以作为用于支撑粘合剂层22的支撑材料来利用。剥离片特别是在将粘合剂层22重叠于基材层21上时适合使用。详细而言，可以在剥离片与粘合剂层22层叠的状态下使粘合剂层22重叠于基材层21，重叠后将剥离片剥离(转印)，由此在基材层21上重叠粘合剂层22。
本实施方式中，粘合剂层22包含例如丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物和聚合引发剂。
粘合剂层22优选具有5μm以上且40μm以下的厚度。粘合剂层22的形状和大小通常与基材层21的形状和大小相同。
在本实施方式的切割带20中，粘合剂层22的厚度在切割带20的总厚度中所占的比例可以为5％以上且30％以下。
上述的丙烯酸类聚合物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元、含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元、和含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。构成单元为构成丙烯酸类聚合物的主链的单元。上述的丙烯酸类聚合物中的各侧链包含在构成主链的各构成单元中。
需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”这一表述表示甲基丙烯酸酯(methacrylate)和丙烯酸酯(acrylate)中的至少一者。同样地，“(甲基)丙烯酸”这一表述表示甲基丙烯酸和丙烯酸中的至少一者。
粘合剂层22中所含的丙烯酸类聚合物中，上述的构成单元可以通过1H-NMR、13C-NMR等NMR分析、热分解GC/MS分析、和红外分光法等进行确认。需要说明的是，丙烯酸类聚合物中的上述构成单元的摩尔比例通常可以根据使丙烯酸类聚合物进行聚合时的配混量(投料量)来计算。
上述的(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元来自(甲基)丙烯酸烷基酯单体。换言之，(甲基)丙烯酸烷基酯单体进行了聚合反应后的分子结构为(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元。“烷基”这一表述表示与(甲基)丙烯酸形成酯键的烃部分。
(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元中的烷基部分的烃可以为饱和烃，也可以为不饱和烃。
需要说明的是，烷基部分优选不含含有氧(O)、氮(N)等的极性基团。由此可以抑制烷基聚合物的极性极端提高。因此，可抑制粘合剂层22对芯片接合层10具有过度的亲和性。由此可以从芯片接合层10更良好地剥离切割带20。烷基部分的碳数可以为6以上且10以下。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元，可列举例如(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯等各构成单元。
丙烯酸类聚合物具有含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，所述构成单元的羟基容易与异氰酸酯基反应。
通过预先使具有含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元的丙烯酸类聚合物和异氰酸酯化合物在粘合剂层22中共存，可以使粘合剂层22适度固化。因此，丙烯酸类聚合物可以充分凝胶化。由此，粘合剂层22可以维持形状并发挥粘合性能。
含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元优选为(甲基)丙烯酸含羟基C2～C4烷基酯的构成单元。“C2～C4烷基”这一表述表示与(甲基)丙烯酸形成酯键的烃部分的碳数。换之，(甲基)丙烯酸含羟基C2～C4烷基酯单体表示(甲基)丙烯酸与碳数2～4的醇(通常为2元醇)形成酯键而得到的单体。
C2～C4烷基的烃部分通常为饱和烃。例如，C2～C4烷基的烃部分为直链状饱和烃或支链状饱和烃。C2～C4烷基的烃部分优选不含含有氧(O)、氮(N)等的极性基团。
作为(甲基)丙烯酸含羟基C2～C4烷基酯的构成单元，可列举例如：(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基正丁酯或(甲基)丙烯酸羟基异丁酯之类的(甲基)丙烯酸羟基丁酯的各构成单元。需要说明的是，(甲基)丙烯酸羟基丁酯的构成单元中，羟基(-OH基)可以与烃部分的末端的碳(C)键合，也可以与烃部分的末端以外的碳(C)键合。
上述的丙烯酸类聚合物包含在侧链具有聚合性不饱和双键的含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。
通过使上述的丙烯酸类聚合物包含含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元，由此能够在拾取工序前通过照射活性能量射线(紫外线等)使粘合剂层22固化。详细而言，通过照射紫外线等活性能量射线，由光聚合引发剂产生自由基，通过该自由基的作用，可以使丙烯酸类聚合物彼此进行交联反应。由此，可以通过照射使照射前的粘合剂层22的粘合力降低。而且，可以使芯片接合层10从粘合剂层22良好地剥离。
需要说明的是，作为活性能量射线，可以采用紫外线、辐射线、电子束。
具体而言，含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元可以具有使含异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯单体的异氰酸酯基与上述的含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元中的羟基形成氨基甲酸酯键而得到的分子结构。
具有聚合性基团的含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元可以在丙烯酸类聚合物的聚合后制备。例如，可以在(甲基)丙烯酸烷基酯单体与含羟基(甲基)丙烯酸酯单体的共聚后，使含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元的一部分的羟基与含异氰酸酯基的聚合性单体的异氰酸酯基进行氨基甲酸酯化反应，由此得到上述的含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。
上述的含异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯单体优选在分子中具有1个异氰酸酯基并且具有1个(甲基)丙烯酰基。作为所述单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸2-异氰酸根合乙酯。
本实施方式中的切割带20的粘合剂层22还包含异氰酸酯化合物。异氰酸酯化合物的一部分可以为通过氨基甲酸酯化反应等进行反应后的状态。
异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基。通过使异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基，从而能够使粘合剂层22中的丙烯酸类聚合物间进行交联反应。详细而言，通过使异氰酸酯化合物的一个异氰酸酯基与丙烯酸类聚合物的羟基进行反应、使其它异氰酸酯基与其它丙烯酸类聚合物的羟基进行反应，从而可以进行借助了异氰酸酯化合物的交联反应。
作为异氰酸酯化合物，可列举例如：脂肪族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯、或芳香脂肪族二异氰酸酯等二异氰酸酯。
进而，作为异氰酸酯化合物，可列举例如：二异氰酸酯的二聚体、三聚体等聚合多异氰酸酯、多亚甲基多亚苯基多异氰酸酯。
另外，作为异氰酸酯化合物，可列举例如：使过量的上述异氰酸酯化合物与含活性氢化合物反应而得的多异氰酸酯。作为含活性氢化合物，可列举含活性氢低分子量化合物、含活性氢高分子量化合物等。
需要说明的是，作为异氰酸酯化合物，也可以使用脲基甲酸酯化多异氰酸酯、缩二脲化多异氰酸酯等。
上述的异氰酸酯化合物可以单独使用一种或组合使用两种以上。
作为上述的异氰酸酯化合物，优选芳香族二异氰酸酯与含活性氢低分子量化合物的反应产物。芳香族二异氰酸酯的反应产物的异氰酸酯基的反应速度比较慢，因此包含所述反应产物的粘合剂层22可抑制过度固化。作为上述的异氰酸酯化合物，优选分子中具有3个以上异氰酸酯基的异氰酸酯化合物。
粘合剂层22中所含的聚合引发剂为能够通过施加的热能、光能而引发聚合反应的化合物。通过使粘合剂层22包含聚合引发剂，从而在对粘合剂层22赋予热能、光能时可以在丙烯酸类聚合物间进行交联反应。详细而言，能够在具有含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元的丙烯酸类聚合物间引发聚合性基团彼此的聚合反应，从而使粘合剂层22固化。由此，可以降低粘合剂层22的粘合力，在拾取工序中可以从固化后的粘合剂层22容易地剥离芯片接合层10。
作为聚合引发剂，可以采用例如光聚合引发剂或热聚合引发剂等。作为聚合引发剂，可以使用通常的市售制品。
粘合剂层22还可以包含除上述的成分以外的其它成分。作为其它成分，可列举例如：增粘剂、增塑剂、填充剂、防老剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂、表面活性剂、轻剥离化剂等。其它成分的种类和用量可以根据目的来适当地选择。
接着，对本实施方式的切割芯片接合薄膜1详细进行说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1具备：上述的切割带20、和层叠于该切割带20的粘合剂层22的芯片接合层10。芯片接合层10在半导体集成电路的制造中粘接于半导体晶圆。
芯片接合层10可包含热固化性树脂和热塑性树脂中的至少一者。芯片接合层10优选包含热固化性树脂和热塑性树脂。
作为热固化性树脂，可列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。作为上述热固化性树脂，可以仅采用一种或采用两种以上。从含有更少的可成为作为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的方面出发，作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂。作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为上述环氧树脂，可列举例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、或缩水甘油胺型的各环氧树脂。
酚醛树脂可以作为环氧树脂的固化剂而发挥作用。作为酚醛树脂，可列举例如：酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。
作为酚醛清漆型酚醛树脂，可列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等。
作为上述酚醛树脂，可以仅采用一种或采用两种以上。
芯片接合层10中，酚醛树脂的羟基相对于环氧树脂的环氧基1当量优选为0.5当量以上且2.0当量以下，更优选0.7当量以上且1.5当量以下。由此，可以充分进行环氧树脂与酚醛树脂的固化反应。
芯片接合层10包含热固化性树脂的情况下，芯片接合层10中的所述热固化性树脂的含有比例相对于芯片接合层10的总质量优选5质量％以上且60质量％以下、更优选10质量％以上且50质量％以下。由此，芯片接合层10可以适当地表现出作为热固化型粘接剂的功能。
作为芯片接合层10中可包含的热塑性树脂，可列举例如：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙(商品名)等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。
作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少、并且耐热性高而可以进一步确保芯片接合层10的粘接性的方面出发，优选丙烯酸类树脂。
作为上述热塑性树脂，可以仅采用一种或采用两种以上。
上述丙烯酸类树脂优选为在分子中的构成单元中(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元以质量比例计最多的聚合物。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯。
上述丙烯酸类树脂还可以包含来自能够与(甲基)丙烯酸烷基酯单体共聚的其它单体成分的构成单元。
作为上述其它单体成分，可列举例如：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体、或其它各种多官能性单体等。
从可以在芯片接合层10中发挥更高的内聚力的方面出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸烷基酯(特别是烷基部分的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体与含氮原子单体与多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与多缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
从容易将芯片接合层10的弹性、粘性设定在期望的范围内的方面出发，上述丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选-50℃以上且50℃以下，更优选10℃以上且30℃以下。
芯片接合层10包含热固化性树脂和热塑性树脂的情况下，芯片接合层10中的上述热塑性树脂的含有比例相对于除填料以外的有机成分(例如，热固化性树脂、热塑性树脂、固化催化剂等、硅烷偶联剂、染料)的总质量优选为30质量％以上且70质量％以下、更优选为40质量％以上且60质量％以下、进一步优选为45质量％以上且55质量％以下。需要说明的是，可以通过改变热固化性树脂的含有比例来调整芯片接合层10的弹性、粘性。
芯片接合层10的热塑性树脂具有热固化性官能团的情况下，作为该热塑性树脂，例如，可以采用含热固化性官能团丙烯酸类树脂。该含热固化性官能团丙烯酸类树脂优选在分子中以最多的质量比例包含来自(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举例如：上述例示的(甲基)丙烯酸(甲基)烷基酯。
另一方面，作为含热固化性官能团丙烯酸类树脂中的热固化性官能团，可列举例如：缩水甘油基、羧基、羟基、异氰酸酯基等。
芯片接合层10优选含有含热固化性官能团丙烯酸类树脂和固化剂。作为固化剂，可列举作为粘合剂层22中可包含的固化剂而例示出的物质。含热固化性官能团丙烯酸类树脂中的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，优选使用具有多个酚结构的化合物作为固化剂。可以使用例如上述的各种酚醛树脂作为固化剂。
芯片接合层10优选含有填料。通过改变芯片接合层10中的填料的量，可以更容易地调整芯片接合层10的弹性和粘性。进而，可以调整芯片接合层10的导电性、导热性、弹性模量等物性。
作为填料，可列举无机填料和有机填料。作为填料，优选无机填料。
作为无机填料，可列举例如：包含氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、钙氧化物、镁氧化物、铝氧化物、氮化铝、氮化硼、晶态二氧化硅、非晶态二氧化硅等二氧化硅等的填料。另外，作为无机填料的材质，可列举铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金等。可以为硼酸铝晶须、无定形炭黑、石墨等填料。填料的形状可以为球状、针状、片状等各种形状。作为填料，可以仅采用上述中的一种或采用两种以上。
上述填料的平均粒径优选0.005μm以上且10μm以下、更优选0.005μm以上且1μm以下。通过使上述平均粒径为0.005μm以上，从而对半导体晶圆等被粘物的润湿性、粘接性进一步提高。通过使上述平均粒径为10μm以下，从而可以更充分地发挥由添加的填料带来的特性，另外，可以进一步发挥芯片接合层10的耐热性。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(例如，制品名“LA-910”、HORIBA,Ltd.制)来求出。
芯片接合层10包含填料的情况下，上述填料的含有比例相对于芯片接合层10的总质量优选30质量％以上且70质量％以下、更优选40质量％以上且60质量％以下、进一步优选42质量％以上且55质量％以下。
芯片接合层10根据需要可以包含其它成分。作为上述其它成分，可列举例如：固化催化剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、染料等。
作为阻燃剂，可列举例如：三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。
作为硅烷偶联剂，可列举例如：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
作为离子捕捉剂，可列举例如：水滑石类、氢氧化铋、苯并***等。
作为上述其它添加剂，可以仅采用一种或采用两种以上。
从容易调整弹性和粘性的方面出发，芯片接合层10优选包含热塑性树脂(特别是丙烯酸类树脂)、热固化性树脂和填料。
芯片接合层10中，丙烯酸类树脂等热塑性树脂相对于除填料以外的有机成分的总质量的含有比例优选30质量％以上且70质量％以下，更优选40质量％以上且60质量％以下，进一步优选45质量％以上且55质量％以下。
相对于芯片接合层10的总质量，填料的含有比例优选30质量％以上且70质量％以下，更优选40质量％以上且60质量％以下，进一步优选42质量％以上且55质量％以下。
芯片接合层10的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。所述厚度可以为50μm以上且135μm以下。即使为具备这样的较厚的芯片接合层的切割芯片接合薄膜，也可以抑制低温下的扩展工序中的切割带破裂。需要说明的是，芯片接合层10为层叠体的情况下，上述的厚度为层叠体的总厚度。
芯片接合层10的玻璃化转变温度(Tg)优选0℃以上，更优选10℃以上。通过使上述玻璃化转变温度为0℃以上，从而能够通过冷扩展容易地将芯片接合层10割断。芯片接合层10的玻璃化转变温度的上限例如为100℃。
如图1所示，芯片接合层10例如可以具有单层结构。本说明书中，单层是指仅具有由同种组合物形成的层。将多层由同种组合物形成的层层叠而成的形态也为单层。
另一方面，芯片接合层10例如可以具有将由两种以上不同的组合物分别形成的层层叠而成的多层结构。
对于本实施方式的切割芯片接合薄膜1而言，使用时例如通过照射活性能量射线(例如紫外线)来使粘合剂层22固化。详细而言，在将一个面上粘接有半导体晶圆的芯片接合层10与贴合于该芯片接合层10的另一面的粘合剂层22层叠的状态下，至少对粘合剂层22照射紫外线等。例如，从配置有基材层21的一侧照射紫外线等，经过了基材层21的紫外线等到达粘合剂层22。通过照射紫外线等，粘合剂层22发生固化。
通过在照射后粘合剂层22发生固化，从而能够降低粘合剂层22的粘合力，因此能够在照射后比较容易地从粘合剂层22剥离芯片接合层10(粘接有半导体晶圆的状态)。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1可以在使用前的状态下具备覆盖芯片接合层10的一个面(芯片接合层10的未重叠粘合剂层22的面)的剥离片。剥离片是为了保护芯片接合层10而使用的，在即将将被粘物(例如半导体晶圆)贴附于芯片接合层10之前被剥离。
作为该剥离片，可以采用与上述的剥离片同样的剥离片。该剥离片可以作为用于支撑芯片接合层10的支撑材料来利用。在将芯片接合层10重叠于粘合剂层22上时适合使用剥离片。详细而言，可以在剥离片与芯片接合层10层叠的状态下使芯片接合层10与粘合剂层22重叠，重叠后将剥离片剥离(转印)，由此在粘合剂层22上重叠芯片接合层10。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1由于以如上方式来构成，因此可抑制低温下的扩展工序(将在后文详述)中的破裂。
接着，对本实施方式的切割带20和切割芯片接合薄膜1的制造方法进行说明。
本实施方式的切割芯片接合薄膜1的制造方法具备：
制造切割带20的工序(切割带的制造方法)、和在制造的切割带20上重叠芯片接合层10来制造切割芯片接合薄膜1的工序。
切割带的制造方法(制造切割带的工序)具备：
合成丙烯酸类聚合物的合成工序；
粘合剂层制作工序，使溶剂从包含上述丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物、聚合引发剂、溶剂、和根据目的适宜追加的其它成分的粘合剂组合物中挥发而制作粘合剂层22；和
层叠工序，使粘合剂层22和基材层21贴合，由此将基材层21和粘合剂层22层叠。
在合成工序中，例如，使(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯单体与含羟基(甲基)丙烯酸酯单体进行自由基聚合，由此合成丙烯酸类聚合物中间体。
自由基聚合可以通过通常的方法来进行。例如，可以使上述的各单体溶解于溶剂并且边加热边进行搅拌，添加聚合引发剂，由此合成丙烯酸类聚合物中间体。为了调整丙烯酸类聚合物的分子量，也可以在链转移剂的存在下进行聚合。
接着，使丙烯酸类聚合物中间体中所含的含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元的一部分羟基与含异氰酸酯基的聚合性单体的异氰酸酯基通过氨基甲酸酯化反应进行键合。由此，含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元的一部分形成含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。
氨基甲酸酯化反应可以通过通常的方法来进行。例如，在溶剂和氨基甲酸酯化催化剂的存在下，边加热边对丙烯酸类聚合物中间体和含异氰酸酯基的聚合性单体进行搅拌。由此，能够使丙烯酸类聚合物中间体的羟基的一部分与含异氰酸酯基的聚合性单体的异氰酸酯基形成氨基甲酸酯键。
粘合剂层制作工序中，例如，使丙烯酸类聚合物、异氰酸酯化合物、和聚合引发剂溶解于溶剂，制备粘合剂组合物。可以通过改变溶剂量来调整组合物的粘度。接着，将粘合剂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，例如，采用辊涂、丝网涂布、凹版涂布等通常的涂布方法。对所涂布的组合物实施脱溶剂处理、固化处理等，由此使所涂布的粘合剂组合物固化，从而制作粘合剂层22。
层叠工序中，将与剥离片重叠的状态的粘合剂层22和基材层21重叠而进行层叠。需要说明的是，剥离片在直到使用前为止可以为与粘合剂层22重叠的状态。
需要说明的是，为了促进交联剂与丙烯酸类聚合物的反应，另外，为了促进交联剂与基材层21的表面部分的反应，在层叠工序之后可以在50℃环境下实施48小时的熟化处理工序。
需要说明的是，基材层21可以使用市售的薄膜等，也可以通过通常的方法进行制膜来制作。作为制膜的方法，可列举例如：压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、干式层压法等。也可以采用共挤出成型法。
通过这些工序，能够制造切割带20。
切割芯片接合薄膜的制造方法(制造切割芯片接合薄膜的工序)具备如下工序：
树脂组合物制备工序，制备用于形成芯片接合层10的树脂组合物；
芯片接合层制作工序，由树脂组合物制作芯片接合层10；和
贴附工序，在如上操作而制得的切割带20的粘合剂层22上贴附芯片接合层10。
树脂组合物制备工序中，例如，将环氧树脂、环氧树脂的固化催化剂、丙烯酸类树脂、酚醛树脂、溶剂等混合并将各树脂溶解于溶剂，由此制备树脂组合物。可以通过改变溶剂量来调整组合物的粘度。需要说明的是，作为这些树脂，可以使用市售的制品。
芯片接合层制作工序中，例如，将如上操作而制备的树脂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，没有特别限定，例如，可以采用辊涂、丝网涂布、凹版涂布等通常的涂布方法。接着，根据需要，通过脱溶剂处理、固化处理等使所涂布的组合物固化，制作芯片接合层10。
贴附工序中，从切割带20的粘合剂层22和芯片接合层10分别将剥离片剥离，以芯片接合层10与粘合剂层22直接接触的方式使两者贴合。例如，可以通过进行压接来贴合。贴合时的温度没有特别限定，例如，为30℃以上且50℃以下，优选35℃以上且45℃以下。贴合时的线压没有特别限定，优选0.1kgf/cm以上且20kgf/cm以下，更优选1kgf/cm以上且10kgf/cm以下。
如上所述地制造的切割芯片接合薄膜1例如作为用于制造半导体集成电路的辅助用具而使用。以下，对使用中的具体例进行说明。
制造半导体集成电路的方法通常具备从形成有电路面的半导体晶圆将芯片切出并进行组装的工序。
该工序例如具有如下工序：半切割工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工为芯片(Die)而在半导体晶圆上形成槽，进而对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，将经半切割加工的半导体晶圆的一面(例如，与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层10，将半导体晶圆固定于切割带20；扩展工序，使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；拾取工序，将芯片接合层10与粘合剂层22之间剥离并在贴附有芯片接合层10的状态下取出半导体芯片(Die)；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层10的状态的半导体芯片(Die)粘接于被粘物。实施这些工序时，使用本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)作为制造辅助用具。
半切割工序中，如图2A～图2D所示，实施用于将半导体集成电路割断成小片(Die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆的与电路面处于相反侧的面贴附晶圆加工用带T。另外，将切割环R安装于晶圆加工用带T。在贴附有晶圆加工用带T的状态下形成分割用的槽。在形成有槽的面贴附背面研磨带G，另外将最初贴附的晶圆加工用带T剥离。在贴附有背面研磨带G的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆成为规定的厚度为止。
安装工序中，如图3A～图3B所示，将切割环R安装于切割带20的粘合剂层22后，在露出的芯片接合层10的面贴附经半切割加工的半导体晶圆(粘接)。之后从半导体晶圆剥离背面研磨带G。
扩展工序中，如图4A～图4C所示，在切割带20的粘合剂层22上安装切割环R后，固定于扩展装置的保持工具H。使扩展装置所具备的顶起构件U从切割芯片接合薄膜1的下侧顶起，由此对切割芯片接合薄膜1进行拉伸而使其在面方向上扩展。由此，在特定的温度条件下将经半切割加工的半导体晶圆与芯片接合层10一起割断。上述温度条件为0℃以下，例如为-20～0℃，优选-15～0℃，更优选-10～-5℃。使顶起构件U下降，由此解除扩展状态(至此为止为冷扩展工序)。进而，在扩展工序中，如图5A～图5B所示，在更高的温度条件下拉伸切割带20而使面积扩大。由此，将被割断的相邻的半导体芯片在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大间隔(常温扩展工序)。
拾取工序中，如图6所示，将贴附有芯片接合层10的状态的半导体芯片从切割带20的粘合剂层22剥离。详细而言，使销构件P上升，从而将拾取对象的半导体芯片隔着切割带20顶起。将顶起的半导体芯片用吸附夹具J保持。
芯片接合工序中，将贴附有芯片接合层10的状态的半导体芯片粘接于被粘物。
如上所述，本实施方式的切割芯片接合薄膜1(切割带20)可在上述工序中使用，在冷扩展工序中，在0℃以下且在芯片接合层10上粘接有晶圆的状态下拉伸切割带20，晶圆与芯片接合层10一起被割断。进而，在常温下的扩展工序中拉伸切割带20。
需要说明的是，冷扩展工序中的温度通常为0℃以下，例如为-15℃～0℃的温度。常温下的扩展工序中的温度为例如10℃～25℃的温度。
本说明书所公开的事项包含以下事项。
(1)
一种切割带，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，
-15℃下的Tanδ的值(A)相对于-5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上2.00以下。
(2)
根据上述(1)所述的切割带，其中，-15℃下的25％拉伸时的强度为15[N/20mm]以上且30[N/20mm]以下。
(3)
根据上述(1)或(2)所述的切割带，其具备基材层、和粘合性高于该基材层的粘合剂层，
上述基材层的厚度为80μm以上且150μm以下。
(4)
根据上述(3)所述的切割带，其中，上述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。
(5)
根据上述(1)～(4)中任一项所述的切割带，其中，-15℃下的Tanδ的值(A)为0.05以上且0.50以下，
-5℃下的Tanδ的值(B)为0.05以上且0.50以下。
(6)
根据上述(3)～(5)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂、α-烯烃系热塑性弹性体树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)树脂、和离聚物树脂(IO)中的至少一种。
(7)
根据上述(6)所述的切割带，其中，上述基材层由聚丙烯系弹性体树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂与离聚物树脂(IO)的混合物、或者乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂与聚丙烯系弹性体树脂的混合物形成。
(8)
根据上述(3)～(7)中任一项所述的切割带，其中，上述基材层具有单层结构。
(9)
根据上述(3)～(8)中任一项所述的切割带，其中，上述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，该丙烯酸类聚合物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元、含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元、和含聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。
(10)
根据上述(9)所述的切割带，其中，上述粘合剂层进一步包含异氰酸酯化合物和聚合引发剂。
(11)
根据上述(3)～(10)中任一项所述的切割带，其中，上述粘合剂层的厚度在上述切割带的总厚度中所占的比例为5％以上且30％以下。
(12)
一种切割芯片接合薄膜，其具备上述(1)～(11)中任一项所述的切割带、和贴合于该切割带的芯片接合层。
(13)
根据上述(12)所述的切割芯片接合薄膜，其中，上述芯片接合层的厚度为50μm以上且135μm以下。
(14)
根据上述(12)或(13)所述的切割芯片接合薄膜，其用于在0℃以下并且在上述芯片接合层上粘接有晶圆的状态下进行拉伸的冷扩展工序，
在上述冷扩展工序中，上述晶圆与上述芯片接合层一起被割断。
(15)
根据上述(12)～(14)中任一项所述的切割带，其中，上述芯片接合层包含热固化性树脂和热塑性树脂中的至少一者。
(16)
根据上述(15)所述的切割带，其中，上述芯片接合层包含环氧树脂和酚醛树脂作为上述热固化性树脂，包含丙烯酸类树脂作为上述热塑性树脂。
(17)
根据上述(15)或(16)所述的切割带，其中，上述芯片接合层进一步包含填料。
本实施方式的切割带、切割芯片接合薄膜如上述所例示，但是本发明不受上述例示的切割带、切割芯片接合薄膜限定。
即，在不损害本发明效果的范围内，可采用通常用于切割带、切割芯片接合薄膜的各种方式。
实施例
接着通过实验例更详细地对本发明进行说明，但本发明不受这些例子限定。
如下所述地制造切割带。另外，使用该切割带制造切割芯片接合薄膜。
＜基材层＞
使用以下所示的制品制作单层的基材层。详细而言，在各实施例和比较例中，使用挤出T模成型机对基材层进行制膜。挤出温度条件为180～230℃的范围。
(实施例1)
·原料名：Vistamaxx 3980FL(厚度125μm)
聚丙烯系弹性体树脂
埃克森美孚日本公司制Vistamaxx系列
(实施例2)
·原料名：REXPEARL EMA EB330H
乙烯-丙烯酸甲酯共聚树脂(EMA)
日本聚乙烯公司制REXPEARL(REXPEARL EMA)系列
(实施例3)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)与离聚物树脂(IO)的共混物(7：3质量比)
·原料名：EV550
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA含有14质量％的乙酸乙烯酯)
DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司制EVAFLEX系列
·原料名：HIMILAN1706
离聚物树脂(IO)
DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司制HIMILAN(系列)
(实施例4)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA)与聚丙烯系弹性体树脂的共混物(7：3质量比)
·原料名：EV550
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA含有14质量％乙酸乙烯酯)
DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司制EVAFLEX系列
·原料名：Vistamaxx 3980FL
聚丙烯系弹性体树脂
埃克森美孚日本公司制Vistamaxx系列
(比较例1)
·原料名：Novatec LC720
低密度聚乙烯树脂(LDPE)
日本聚乙烯公司制Novatec LD系列
(比较例2)
·原料名：WXK1233(厚度100μm)
茂金属系聚丙烯无规共聚物
Japan Polypropylene Corp.制WINTEC系列
(实施例5)
·原料名：EV250(厚度125μm)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA含有28质量％乙酸乙烯酯)
DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司制EVAFLEX系列
(实施例6)
·原料名：EV550(厚度125μm)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂(EVA含有14质量％乙酸乙烯酯)
DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司制EVAFLEX系列
＜粘合剂层＞
(丙烯酸类聚合物的合成)
向具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中以单体浓度达到约55质量％的方式加入下述原料，在氮气气流中在60℃下进行10小时聚合反应。由此合成丙烯酸类聚合物中间体。
·丙烯酸2-乙基己酯(以下也称为“2EHA”)：100质量份、
·丙烯酸2-羟基乙酯(以下也称为“HEA”)：20质量份、
·聚合引发剂：适量、
·聚合溶剂：甲苯
使合成的丙烯酸类聚合物中间体100质量份和2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下也称为“MOI”)1.4质量份在二月桂酸二丁基锡(0.1质量份)存在下、在空气气流中、50℃下进行60小时加成反应，由此合成丙烯酸类聚合物。
(粘合剂层的制作)
之后，按照下述组成制备粘合剂溶液，适当加入甲苯而将粘度调整为500mPa·s。
·合成的丙烯酸类聚合物：100质量份、
·多异氰酸酯化合物
(制品名“Coronate L”、日本聚氨酯公司制)
：1.1质量份、
·光聚合引发剂
(制品名“Irgacure 184”、Ciba Specialty Chemicals公司制)：
：3质量份
准备PET系薄膜作为剥离片。用涂抹器在剥离片的面上涂布如上制备的粘合剂溶液。需要说明的是，对剥离片(PET系薄膜)的单面实施了作为脱模处理的有机硅处理，在该实施了脱模处理的面上涂布粘合剂溶液。涂布后，在120℃下加热2分钟来实施干燥处理，从而在剥离片上制作厚度10μm的粘合剂层。
＜切割带的制作＞
使用层压机在室温下将在剥离片上制作的粘合剂层的露出面与各基材层(厚度125μm)贴合，由此制作切割带。
＜芯片接合层的制作＞
将下述(a)～(d)溶解于甲乙酮，制备固体成分浓度为40～50质量％的树脂组合物。
(a)丙烯酸类树脂(制品名“Teisan Resin SG-280EK23”长濑化学公司制)：15质量％
(b)环氧树脂(制品名“EPPN 501H”日本化药公司制)：29质量％
(c)酚醛清漆型酚醛树脂(制品名“HF-1M”明和化成公司制)16质量％
(d)无机填料(二氧化硅)(制品名“SE-2050MCV”Admatechs公司制)：40质量％
将树脂组合物涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离片)上。之后在130℃下实施2分钟干燥处理。由此制作厚度(平均厚度)60μm的芯片接合层。将所制作的厚度60μm的芯片接合层彼此贴合，由此制作厚度120μm的芯片接合层。需要说明的是，贴合时的层压条件为80℃、0.15MPa、10mm/s(秒)。
＜切割芯片接合薄膜的制造＞
将所制作的芯片接合层切割成直径330mm的圆形，与各切割带贴合(温度：25℃、速度10mm/秒、压力0.15MPa)。
之后仅对贴合有芯片接合层的部分照射紫外线(300mJ/cm2)，制造切割芯片接合薄膜。
如上所述地使用表1所示的构成的基材层、并且按照上述的方法分别制造实施例和比较例的切割带和切割芯片接合薄膜。
将各切割带的物性(利用动态粘弹性测定而得到的Tanδ等)示于表1。
[表1]
Figure BDA0002546874250000271
＜利用动态粘弹性测定而得的各温度(-15℃、-5℃)下的Tanδ＞
如下所述地对各切割带计算各温度下的Tanδ。
从芯片接合薄膜切出尺寸(宽度)如下述所示的试验样品，制作试验样品。使用固体粘弹性测定装置(测定装置：RSA-G2、TA公司制)，在下述的试验条件下通过拉伸模式测定动态储能模量。
试验样品的宽度：10mm、
卡盘间距离：20mm、
升温速度：10℃/分钟、
试验温度：-30～100℃、
频率：1Hz
分别测定-15℃和-5℃下的储能模量E’和损耗模量E”，通过Tanδ＝E”/E’的计算式计算Tanδ。采用3次测定的各测定值的平均值。Tanδ越高表示粘性的性质越高。需要说明的是，对MD方向和TD方向这两个方向实施测定，采用测定值高者作为结果。
＜利用拉伸试验机进行的强度测定(25％拉伸时)＞
使用拉伸试验机，对具备基材层和粘合剂层的切割带在下述的试验条件下测定25％拉伸时的强度。采用3次测定的各测定值的平均值。需要说明的是，对MD方向和TD方向这两个方向实施测定，采用测定值高者作为最终的值。
测定温度：-15℃、
试验样品的宽度：10mm、
卡盘间距离：50mm、
拉伸速度：300mm/分钟
＜扩展时的破裂抑制性能和割断性的评价＞
按照以10mm×10mm的芯片尺寸进行割断的方式对12英寸晶圆实施刀片半切割。对该12英寸晶圆进行背面研磨(磨削)，直至达到40μm的厚度为止。之后与切割芯片接合薄膜贴合。需要说明的是，晶圆贴合温度为70℃，贴合速度为10mm/秒。
之后，用DISCO公司制芯片分离装置DDS2300进行半导体晶圆和芯片接合层的割断，进一步进行切割带的热收缩。
详细而言，用冷扩展单元在扩展温度-15℃、扩展速度300mm/秒、扩展量16mm的条件下将半导体晶圆和芯片接合层割断。
接着，用热扩展单元在扩展量7mm、加热温度220℃、风量40L/分钟、加热距离20mm、旋转速度5°/秒的条件下使切割带热收缩，由此评价切割片的破裂抑制性能。将未发生带破裂者评价为〇，将发生了带破裂者评价为×。
对于割断性，将割断率小于80％的情况评价为×，将为80％以上的情况评价为〇，将为90％以上的情况评价为◎。
由上述的评价结果可知，实施例的切割芯片接合薄膜与比较例的切割芯片接合薄膜相比，抑制了低温下的扩展工序中的破裂。
另外，利用-15℃下的25％拉伸时的强度为15[N/20mm]以上的切割带，可以使割断性达到良好。
实施例的切割带中，-15℃下的Tanδ的值(A)相对于-5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。
Tanδ的值为该温度下的切割带的粘性高低的指标。上述的比(A/B)为0.75以上表示与-5℃下的粘性相比、更低温度的-15℃下的粘性不怎么降低。因此认为，即使在-15℃下拉伸切割带，粘性也不怎么降低，从而能够抑制破裂。
切割带的上述性质在芯片接合层的厚度较厚(例如50μm以上且135μm以下)时特别有利。详细而言，在扩展工序中，若芯片接合层的厚度比较厚，则直至将芯片接合层与晶圆一起割断为止需要比较大的力。因此，直至晶圆和芯片接合层被割断为止，也会对被拉伸的切割带本身施加大的力。由于该影响，直至芯片接合层被割断为止，有被拉伸的切割带本身发生变形、即破裂之虞。
但是，本实施方式的切割带具有如上所述由Tanδ规定的物性，因此在0℃以下的低温下粘性也不怎么降低，如上述所说明，认为能够抑制低温下的扩展工序中的破裂。
产业上的可利用性
本发明的切割带和切割芯片接合薄膜例如可适宜作为制造半导体集成电路时的辅助用具来使用。

Claims (7)

1.一种切割带，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比E”/E’、即Tanδ，
-15℃下的Tanδ的值A相对于-5℃下的Tanδ的值B的比即A/B为0.75以上。
2.根据权利要求1所述的切割带，其-15℃下的25％拉伸时的强度为15[N/20mm]以上。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其具备基材层、和粘合性高于该基材层的粘合剂层，
所述基材层的厚度为80μm以上且150μm以下。
4.根据权利要求3所述的切割带，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm以上且40μm以下。
5.一种切割芯片接合薄膜，其具备权利要求1～4中任一项所述的切割带、和贴合于该切割带的芯片接合层。
6.根据权利要求5所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合层的厚度为50μm以上且135μm以下。
7.根据权利要求5或6所述的切割芯片接合薄膜，其用于在0℃以下、并且在所述芯片接合层上粘接有晶圆的状态下进行拉伸的冷扩展工序，
在所述冷扩展工序中，所述晶圆与所述芯片接合层一起被割断。
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