JP2010068007A - 窒化物半導体レーザ素子 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010068007A JP2010068007A JP2009292178A JP2009292178A JP2010068007A JP 2010068007 A JP2010068007 A JP 2010068007A JP 2009292178 A JP2009292178 A JP 2009292178A JP 2009292178 A JP2009292178 A JP 2009292178A JP 2010068007 A JP2010068007 A JP 2010068007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- face
- layer
- adhesion layer
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】III−V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、六方晶の結晶からなる密着層115を積層し、密着層115に端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも六方晶半導体層からなる密着層118を積層し、密着層118に端面コート膜117を積層した構成とする。
【選択図】図4
Description
窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された電極と、該窒化物半導体層に形成された共振器と、該共振器の端面に形成された密着層と、該密着層上に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、
前記密着層と前記窒化物半導体層は六方晶の結晶からなり、
前記端面コート膜は、前記密着層と共通の組成元素を含むことを特徴としている。
膜116)を順次成膜する。単層のSiO2の厚さは反射率が5%になるように3λ/4n(λ:発振波長、n:屈折率)付近に設定されている。
113、114 共振器端面
115、118 密着層
116、117 端面コート膜
Claims (5)
- 窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された電極と、該窒化物半導体層に形成された共振器と、該共振器の端面に形成された密着層と、該密着層上に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、
前記密着層と前記窒化物半導体層は六方晶の結晶からなり、
前記端面コート膜は、前記密着層と共通の組成元素を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 前記密着層がAlNであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記端面コート膜が酸化物を含んでなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記端面コート膜がSiの窒化物の単層、またはSiの窒化物と酸化物の多層構造であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記密着層を室温以上200℃以下の温度で成膜することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009292178A JP2010068007A (ja) | 2004-12-20 | 2009-12-24 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004367005 | 2004-12-20 | ||
JP2009292178A JP2010068007A (ja) | 2004-12-20 | 2009-12-24 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009143037A Division JP2009206526A (ja) | 2004-12-20 | 2009-06-16 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010068007A true JP2010068007A (ja) | 2010-03-25 |
Family
ID=36867132
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009143037A Pending JP2009206526A (ja) | 2004-12-20 | 2009-06-16 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2009292178A Pending JP2010068007A (ja) | 2004-12-20 | 2009-12-24 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009143037A Pending JP2009206526A (ja) | 2004-12-20 | 2009-06-16 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2009206526A (ja) |
CN (1) | CN1805230B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2416460A2 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-08 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4832221B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
JP5122337B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
CN101582470B (zh) * | 2007-10-09 | 2010-09-15 | 兰州大成科技股份有限公司 | 单晶硅薄膜组件的制备方法 |
JP5383313B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2014-01-08 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP2012109499A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
CN102299479A (zh) * | 2011-07-15 | 2011-12-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | F-p腔半导体激光器腔面钝化的方法 |
CN103311801A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-09-18 | 长春理工大学 | 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法 |
CN109309485A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-02-05 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 采用畴反转区的声表面波谐振结构滤波器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264900A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Masanori Murakami | Ii−vi族化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2000151013A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送受信集積素子 |
WO2003036771A1 (fr) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Ammono Sp.Zo.O. | Laser a semi-conducteurs a base de nitrure et procede de production de ce laser |
JP2003133638A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-05-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子及びレーザモジュール |
JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164969A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JP3994623B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2007-10-24 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2003060298A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子 |
JP2005252229A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体レーザ装置、半導体装置の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム |
-
2005
- 2005-12-20 CN CN 200510136195 patent/CN1805230B/zh active Active
-
2009
- 2009-06-16 JP JP2009143037A patent/JP2009206526A/ja active Pending
- 2009-12-24 JP JP2009292178A patent/JP2010068007A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264900A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Masanori Murakami | Ii−vi族化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2000151013A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送受信集積素子 |
JP2003133638A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-05-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子及びレーザモジュール |
WO2003036771A1 (fr) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Ammono Sp.Zo.O. | Laser a semi-conducteurs a base de nitrure et procede de production de ce laser |
JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2416460A2 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-08 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same |
US8654808B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-02-18 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1805230B (zh) | 2011-06-01 |
JP2009206526A (ja) | 2009-09-10 |
CN1805230A (zh) | 2006-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4451371B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
US7750363B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device having an end face coating film and method of manufacturing the same | |
JP2010068007A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
US7602829B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same | |
JP5491679B1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
WO2007097411A1 (ja) | 2波長半導体発光装置及びその製造方法 | |
US20110057220A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2006228826A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4310352B2 (ja) | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 | |
JP4860210B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
KR20060043109A (ko) | 반도체 레이저 | |
JP2010135516A (ja) | 窒化物半導体発光装置 | |
JP5431441B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4799339B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4740037B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびこれを備えた窒化物半導体レーザ装置 | |
JP4514760B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
CN101902012B (zh) | 半导体激光装置 | |
JP2008205231A (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2011119540A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2009267108A (ja) | 半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置 | |
JP2007081017A (ja) | モノリシック型半導体レーザ | |
JP2008172088A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006216731A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2007081016A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20091224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20120907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20121211 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130531 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20130607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130628 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20131115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |