JP4799339B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Description
図1に、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子に用いられる窒化物半導体積層発光構造体の好ましい一例の模式的な断面図を示す。ここで、窒化物半導体積層発光構造体100は、n型GaNからなる半導体基板101上に、n型GaNからなる厚さ0.2μmのバッファ層102、n型Al0.06Ga0.94Nからなる厚さ2.3μmのn型クラッド層103、n型GaNからなる厚さ0.02μmのn型ガイド層104、レーザ光を発光する発光層として機能する厚さ4nmのInGaNと厚さ8nmのGaNからなる多重量子井戸活性層105、p型Al0.3Ga0.7Nからなる厚さ20nmのp型電流ブロック層106、p型Al0.05Ga0.95Nからなる厚さ0.5μmのp型クラッド層107およびp型GaNからなる厚さ0.1μmのp型コンタクト層108が半導体基板101側からこの順序でエピタキシャル成長により積層された構成を有している。なお、上記の各層の混晶比は適宜調節されるものであり、本発明の本質とは関係がない。また、窒化物半導体積層発光構造体100から出射されるレーザ光の波長は多重量子井戸活性層105を構成する窒化物半導体の混晶比を調整することによって、たとえば370nm〜470nmの範囲で適宜調節することができる。なお、本実施の形態においては、レーザ光の波長は405nmとされた。
図7に、本発明の窒化物半導体レーザ素子の好ましい他の一例の共振器長方向の模式的な側面図を示す。本発明の窒化物半導体レーザ素子2000は、図1に示す構成の窒化物半導体積層発光構造体100と、窒化物半導体積層発光構造体100の光出射面となる光出射側の共振器端面113に接するようにして形成された前面第1コート膜114aと、前面第1コート膜114a上に形成された前面第2コート膜114bと、光反射側の共振器端面115上に形成された後面コート膜116と、後面コート膜116上に形成された高反射膜117と、から構成されている。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (6)
- 基板と、前記基板上に順次積層された、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層と、を含む窒化物半導体積層発光構造体を含み、
前記窒化物半導体積層発光構造体の光出射面上にコート膜が形成されており、
前記コート膜は、ランタンとアルミニウムとの酸窒化物を含む、窒化物半導体発光素子。 - 前記コート膜は、前記光出射面に接する第1コート膜と、前記第1コート膜上に形成された第2コート膜と、を含み、前記第1コート膜は酸化物、酸窒化物または窒化物を主成分とし、前記第2コート膜は、ランタンとアルミニウムとの酸窒化物を主成分とすることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1コート膜はアモルファスであって、前記第1コート膜は50nm以下の厚さに形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記コート膜は、前記光出射面における光出射部を少なくとも被覆していることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体レーザ素子の光出射側の共振器端面に前記コート膜が形成されていることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体発光ダイオード素子であって、前記窒化物半導体発光ダイオード素子の発光面に前記コート膜が形成されていることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
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