JP2003133638A

JP2003133638A - 分布帰還型半導体レーザ素子及びレーザモジュール

Info

Publication number: JP2003133638A
Application number: JP2002020507A
Authority: JP
Inventors: Ryosuke Tanitsu; 亮介谷津; Masaki Funahashi; 政樹舟橋; Akihiko Kasukawa; 秋彦粕川
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2001-08-14
Filing date: 2002-01-29
Publication date: 2003-05-09
Also published as: US6829277B2; US20030039285A1

Abstract

(57)【要約】【課題】光アイソレータを使用することなく、広温度
範囲における安定した単一モード動作を行うことが可能
なＤＦＢレーザ素子及びレーザモジュールを提供するこ
とを目的とする。【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバ
ッファ層１４、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層１８、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０が
順に積層され、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６との界面近傍
のｐ−ＩｎＰクラッド層１８内に、ＩｎＧａＡｓ吸収部
２２が周期的に配列されてなる吸収性回折格子２４が形
成されている。このような吸収性回折格子型の利得結合
型ＤＦＢレーザ素子１０における各種の半導体材料から
なる積層構造の劈開面において、その一方の前端面に、
反射率１０〜２０％の反射膜３６がコーティングされ、
他方の後端面に、反射膜３６の反射率よりも高い反射率
の高反射膜３８がコーティングされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は分布帰還型半導体レ
ーザ素子及びレーザモジュールに係り、更に詳しくは、
利得結合型又は複素結合型の分布帰還型半導体レーザ素
子及びその分布帰還型半導体レーザ素子を用いたレーザ
モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】分布帰還型半導体レーザ素子（Distribu
ted Feedback Laser Diode；以下、単に「ＤＦＢレーザ
素子」と略する）は、所定の半導体材料の積層構造と所
定の共振器長からなる共振器の内部に、屈折率の実部又
は虚部を周期的に変化させるための回折格子が形成され
ていて、特定波長のレーザ光のみに帰還がかかるように
して波長選択性をもたせたレーザ素子である。

【０００３】そして、このＤＦＢレーザ素子において、
（１）屈折率の実部のみ、即ち屈折率のみが周期的に変
化している構造のものを屈折率結合型といい、（２）屈
折率の虚部のみ、即ち利得のみが周期的に変化している
構造のものを利得結合型といい、（３）屈折率の実部も
虚部も共に周期的に変化している構造のものを複素結合
型という。

【０００４】そして、屈折率結合型は、一般にブラッグ
波長を挟んだ２つのモード間における閾値利得差が小さ
いことから、２モードで発振し易いため、単一モードで
の発振動作が起こり難く、単一モードでの歩留まりが低
くなると共に、微少な反射戻り光に対しても動作が不安
定になるという問題を有している。これに対し、利得結
合型は、ブラッグ波長で発振して、単一モードでの歩留
まりが高くなると共に、反射戻り光に対して相対的に高
い耐性を有している。また、複素結合型は、ブラッグ波
長を挟んだ２つのモードのうち、一方が選択されて発振
する特性を有している。

【０００５】このようなＤＦＢレーザ素子は、その優れ
た特性から光通信用途に広く使用されている。但し、Ｄ
ＦＢレーザ素子は、一般に外部からの反射戻り光に対し
てそれ程高い耐性を有していないため、安定した動作が
要求される幹線系においては、ＤＦＢレーザ素子が組み
込まれたＤＦＢレーザモジュールに光アイソレータを内
蔵するようになっている。また、加入者系においても、
高速用のＤＦＢレーザモジュールの場合には、光アイソ
レータを内蔵することが不可欠である。

【０００６】しかし、加入者系において使用されるＤＦ
Ｂレーザモジュールは、低コストであることが強く要求
されるため、少なくとも比較的低速用の場合には、光ア
イソレータを内蔵しなくてもよいＤＦＢレーザモジュー
ルが要請されている。このような光アイソレータを内蔵
しないＤＦＢレーザモジュールを作製する場合には、外
部からの反射戻り光がＤＦＢレーザ素子になるべく入射
しないようにすることが非常に重要である。このため、
通常は、例えば反射戻り光を低減する目的でＤＦＢレー
ザ素子と光ファイバとを光学的に結合するレンズの表面
にＡＲ（Anti Reflection；無反射）コーティングを施
したり、光ファイバの端面に斜め研磨及びＡＲコーティ
ングを施したりすることが行われる。

【０００７】なお、ＤＦＢレーザ素子自体に関しても、
その光出力を増大するために、また安定した単一モード
発振を実現して高い単一モード歩留まりを得るために、
通常、ＤＦＢレーザ素子のレーザ光を出射する側の端面
（以下、この出射側端面を「前端面」、その反対側の端
面を「後端面」という）にＡＲコーティングが施されて
いる。しかし、この前端面へのＡＲコーティングは、他
方において微少の反射戻り光に対する耐性を低下させる
ことになり、動作が不安定になるという問題を招くこと
にもなっている。

【０００８】即ち、ＤＦＢレーザ素子の前端面の反射率
を低くすると、単一モード歩留まり及びスロープ効率
（発振状態における電流−光出力特性の微分効率）は向
上するものの、反射戻り光に対する耐性は弱くなり、逆
に、前端面の反射率を高くすると、反射戻り光に対する
耐性は強くなるものの、単一モード歩留まり及びスロー
プ効率は悪化するというトレードオフの関係になり、こ
れらの両立を達成することは困難であった。

【０００９】ところで、このようなＤＦＢレーザ素子の
問題を解決するものとして、特開昭６１−１５６８９４
号公報に係るＤＦＢレーザ素子が提案されている。即
ち、ここでは、前端面にＡＲコーティングが施され、後
端面が高反射端面となっている従来のＤＦＢレーザ素子
が、前端面から有効に大きな光出力を取り出すことがで
きる一方で、外部からの光が内部の電界に結合し易く、
反射雑音に弱いという問題を有していることに対して、
ＤＦＢレーザ素子の前端面の反射率を１０％以上にし、
後端面の反射率を劈開面の反射率よりも高くすることが
提案されている。そして、このことによって反射雑音耐
性を大きくし、高温動作特性を向上させることができる
とされている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開昭６
１−１５６８９４号公報に開示されたＤＦＢレーザ素子
は、その記載内容から明らかなように、屈折率結合型の
ＤＦＢレーザ素子である。このため、その効果は、３０
ｄＢ程度の通常のアイソレータを用いることにより反射
光に対し大きな雑音を生ずることなしに使用することが
できるという程度に止まるため、このＤＦＢレーザ素子
を使用する場合は依然として光アイソレータを使用する
ことが必要である。

【００１１】従って、上記公報に係るＤＦＢレーザ素子
は、光アイソレータを不要とする程に反射戻り光に対す
る耐性を高め、光アイソレータを内蔵しないＤＦＢレー
ザモジュールを実現しようとする課題に応えることはで
きないといわざるを得ない。また、上記公報に係るＤＦ
Ｂレーザ素子においては、利得ピーク波長とＤＦＢ発振
波長との関係が適当な範囲内にあれば、へきかい面程度
の反射率でも充分に高出力が可能であり、ファブリ・ペ
ローモードも抑えられるとし、結合係数及びデチューニ
ング量（活性層の利得ピーク波長とＤＦＢ発振波長との
差）を最適にすることにより単一モード性を保持できる
としているが、本発明者らの実験によれば、例えば−４
０℃〜＋８５℃の広温度範囲における安定動作を実現す
ることはできなかった。これは、屈折率結合型のＤＦＢ
レーザ素子の場合、利得ピーク波長とＤＦＢ発振波長の
温度変化率が異なり、広温度範囲に亘って良好なチュー
ニングを行うことは困難であることから、たとえその前
端面の反射率を１０％以上にしても、広温度範囲におけ
る安定動作を実現するには至らなかったためであると考
えられる。

【００１２】従って、上記特開昭６１−１５６８９４号
公報に係るＤＦＢレーザ素子は、加入者系において使用
されるＤＦＢレーザ素子に対する要求、即ち広温度範囲
（例えば−４０℃〜＋８５℃）における安定した単一モ
ード動作という要求に応えることはできないといわざる
を得ない。本発明は上記先行技術に係るＤＦＢレーザ素
子における前記した問題点を解決し、光アイソレータを
使用することなく、広温度範囲における安定した単一モ
ード動作を行うことが可能なＤＦＢレーザ素子及びレー
ザモジュールを提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため、上記特開昭６１−１５６８９４号公報に
おいて提案されているＤＦＢレーザ素子の問題点につい
て鋭意検討を重ねた結果、上記公報に係るＤＦＢレーザ
素子は屈折率結合型であるため、単一モードでの歩留ま
りが低く、反射戻り光に対する耐性も低い点に注目し
た。そして、一方、利得結合型又は複素結合型のＤＦＢ
レーザ素子は、単一モードでの歩留まりが相対的に高
く、反射戻り光に対する耐性も相対的に高いという事実
に着目し、上記先行技術に係る屈折率結合型のＤＦＢレ
ーザ素子に代えて、利得結合型又は複素結合型のＤＦＢ
レーザ素子を用いることにより、前記した課題の解決を
実現することが可能ではないかとの着想を抱いた。

【００１４】そして、本発明者は、この利得結合型又は
複素結合型のＤＦＢレーザ素子において、その反射戻り
光に対する高い耐性と高い単一モード歩留まり及びスロ
ープ効率とを両立することが可能になる前端面の反射率
の条件について種々の実験を重ね、その結果、前記した
課題を解決することができる本発明のＤＦＢレーザ素子
及びレーザモジュールを開発するに至った。

【００１５】即ち、本発明のＤＦＢレーザ素子は、利得
結合型又は複素結合型のＤＦＢレーザ素子において、一
方の端面（前端面）の反射率が他方の端面（後端面）の
反射率よりも小さく、且つその値が１０％以上であるこ
とを特徴とする（請求項１）。なお、上記請求項１に係
るＤＦＢレーザ素子において、一方の端面（前端面）の
反射率が２０％以下であることが好適である（請求項
２）。

【００１６】また、上記請求項１に係る利得結合型のＤ
ＦＢレーザ素子が、吸収性回折格子型のＤＦＢレーザ素
子であることが好適である（請求項３）。また、本発明
のレーザモジュールは、上記請求項１乃至３のいずれか
に係るＤＦＢレーザ素子と、光ファイバと、これらＤＦ
Ｂレーザ素子と光ファイバとを光学的に結合するレンズ
とを有することを特徴とする（請求項４）。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を用いて説明する。（第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子の一
例を示す概略断面図、図２は図１の吸収性回折格子型の
利得結合型ＤＦＢレーザ素子（但し、両端面の反射膜を
除く）の部分切欠斜視図、図３は図１及び図２の吸収性
回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子を組み込んだ
同軸型のＤＦＢレーザモジュールを示す概略断面図であ
る。

【００１８】本実施形態に係る吸収性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子は、発振波長として約１５５０
ｎｍを目標とした吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢ
レーザ素子である。即ち、図１及び図２に示されるよう
に、本実施形態に係る吸収性回折格子型の利得結合型Ｄ
ＦＢレーザ素子１０においては、ｎ−ＩｎＰ基板１２上
に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＩｎＧａＡｓＰウェル
層とＩｎＧａＡｓＰバリア層とが交互に積層されたＭＱ
Ｗ−ＳＣＨ（Multi Quantum Well-Separate Confinemen
t Heterostructure）活性層１６、ｐ−ＩｎＰクラッド
層１８、及び高濃度に不純物ドープされたｐ−ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層２０が順に積層されている。

【００１９】そして、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６との界
面近傍のｐ−ＩｎＰクラッド層１８内には、複数個のＩ
ｎＧａＡｓ吸収部２２が所定の周期をもって配列されて
なる吸収性回折格子２４が形成されている。なお、この
吸収性回折格子２４とＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６との間
のｐ−ＩｎＰクラッド層１８は、通常ｐ−ＩｎＰスペー
サ層１８ａと呼ばれている。こうして、吸収性回折格子
構造となっている。

【００２０】また、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６や吸収性
回折格子２４を含む半導体積層領域は、長手方向に延び
るメサストライプ形状に加工され、そのメサストライプ
の両側に、ｐ−ＩｎＰ層２６及びｎ−ＩｎＰ層２８が順
に積層されてなるキャリアブロック層３０が埋め込まれ
ている。こうして、埋め込みヘテロ構造となっている。

【００２１】また、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０
表面上には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ上部電極３２が形成さ
れ、ｎ−ＩｎＰ基板１２裏面上には、ＡｕＧｅＮｉ下部
電極３４が形成されている。そして、このような各種の
半導体材料からなる積層構造の劈開面において、その一
方の前端面に、反射率１０〜２０％の反射膜３６がコー
ティングされ、他方の後端面に、反射膜３６の反射率よ
りも高い反射率の高反射膜３８がコーティングされてい
る点に本実施形態の特徴がある。

【００２２】ここで、反射膜３６の反射率が１０％未満
であると、反射戻り光に対する耐性が低下して、例えば
−４０℃〜＋８５℃の広温度範囲における安定動作を確
保することが困難になる。このため、この吸収性回折格
子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子を組み込んでＤＦＢ
レーザモジュールを作製する場合には、従来の場合と同
様に光アイソレータを内蔵しなければならなくなり、本
発明の目的を達成することができない。また、反射膜３
６の反射率が２０％を超えると、光出力が低下すると共
に、安定した単一モード発振が損なわれて単一モード歩
留まりが低下する。このため、この場合にも、本発明の
目的を達成することができない。

【００２３】なお、反射膜３６及び高反射膜３８の材料
としては、例えばＳｉＮ_X膜を用い、その組成又は膜厚
を変えることにより、１０〜２０％の範囲内における所
望の反射率を得るようにしている。また、高反射膜３８
をコーティングする代わりに、劈開面（反射率３１％）
をそのまま用いてもよい。次に、図１及び図２の吸収性
回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０を組み込
んだ同軸型のＤＦＢレーザモジュールについて、図３を
用いて説明する。

【００２４】即ち、図３に示されるように、ＤＦＢレー
ザモジュール５０においては、ステム５２の一方側に略
円筒形状のキャップ５４が被さっており、そのキャップ
５４内のステム５２上に、台座５６を介して、本実施形
態に係る吸収性回折格子型のＤＦＢレーザ素子１０がボ
ンディングされている。また、ステム５２の他方側に
は、吸収性回折格子型のＤＦＢレーザ素子１０に電気的
に接続している複数のリードピン５８ａ，５８ｂ，５８
ｃがキャップ５４と反対方向に突設されている。

【００２５】また、キャップ５４の頭部には円形の窓６
０が設けられ、この窓６０には円柱形状のフェルール６
２が嵌合されている。そして、このフェルール６２の中
心貫通孔に、光ファイバ６４が挿着されている。また、
キャップ５４内には、ホルダ（図示せず）によって支持
されたレンズ６６が配置され、このレンズ６６を介し
て、吸収性回折格子型のＤＦＢレーザ素子１０とフェル
ール６２に挿着された光ファイバ６４とが光学的に結合
されている。即ち、吸収性回折格子型のＤＦＢレーザ素
子１０から出射されたレーザ光がレンズ６６によって集
光され、光ファイバ６４に入射するようになっている。

【００２６】以上のように、本実施形態に係る吸収性回
折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０によれば、
その前端面に反射率１０〜２０％の反射膜３６をコーテ
ィングすることにより、屈折率結合型のＤＦＢレーザ素
子を用いる場合よりも単一モードでの歩留まりを高く
し、反射戻り光に対する耐性を高くすると共に、例えば
−４０℃〜＋８５℃の広温度範囲における安定した単一
モード動作を実現することが可能になるため、反射戻り
光に対する高い耐性と高い単一モード歩留まり及びスロ
ープ効率との両立を実現することができる。

【００２７】また、このような吸収性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子１０を組み込んだＤＦＢレーザ
モジュール５０によれば、この吸収性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子１０の奏する作用・効果によ
り、光アイソレータの内蔵を不要とすることが可能にな
るため、例えば加入者系において使用される光アイソレ
ータを内蔵しない低コストのＤＦＢレーザモジュールを
提供することができる。

【００２８】（第２の実施形態）図４は本発明の第２の
実施形態に係る活性層エッチング型利得性回折格子型の
利得結合型ＤＦＢレーザ素子の一例を示す概略断面図で
ある。本実施形態に係る活性層エッチング型利得性回折
格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子は、上記第１の実
施形態に係る吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレー
ザ素子１０の吸収性回折格子構造の代わりに、活性層エ
ッチング型利得性回折格子構造を用いているものであ
る。このため、上記第１の実施形態の図１に示す吸収性
回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０の構成要
素と同一の要素には同一符号を付して説明を省略する。

【００２９】図４に示されるように、本実施形態に係る
活性層エッチング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザ素子１０ａにおいては、ｎ−ＩｎＰ基板１２上
に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＩｎＧａＡｓＰウェル
層とＩｎＧａＡｓＰバリア層とが交互に積層されたＭＱ
Ｗ−ＳＣＨ活性層１６、ｐ−ＩｎＰクラッド層１８、及
びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０が順に積層されて
いる。

【００３０】そして、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６は、ｐ
−ＩｎＰクラッド層１８との界面において、所定の周期
をもった凹凸形状に加工されており、この周期的な凹凸
形状のＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６からなる活性層エッチ
ング型利得性回折格子２４ａが形成されている。こうし
て、活性層エッチング型利得性回折格子構造となってい
る。

【００３１】また、活性層エッチング型利得性回折格子
２４ａを含む半導体積層領域は、上記第１の実施形態の
場合と同様に、長手方向に延びるメサストライプ形状に
加工され、そのメサストライプの両側に、ｐ−ＩｎＰ層
及びｎ−ＩｎＰ層が順に積層されてなるキャリアブロッ
ク層が埋め込まれている。こうして、埋め込みヘテロ構
造となっている。また、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２０表面上には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ上部電極３２が形成
され、ｎ−ＩｎＰ基板１２裏面上には、ＡｕＧｅＮｉ下
部電極３４が形成されている。

【００３２】そして、このような各種の半導体材料から
なる積層構造の劈開面において、その一方の前端面に、
反射率１０〜２０％の反射膜３６がコーティングされ、
他方の後端面に、反射膜３６の反射率よりも高い反射率
の高反射膜３８がコーティングされている点も、上記第
１の実施形態の場合と同様である。また、図４の活性層
エッチング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレー
ザ素子１０ａを組み込んだ同軸型のＤＦＢレーザモジュ
ールは、上記第１の実施形態の図３における吸収性回折
格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０を活性層エッ
チング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素
子１０ａに置換したものであり、その他の構成要素は同
一である。このため、その図示及び説明も省略する。

【００３３】以上のように、本実施形態に係る活性層エ
ッチング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ
素子１０ａによれば、その前端面に反射率１０〜２０％
の反射膜３６をコーティングすることにより、上記第１
の実施形態の場合と略同様の効果を奏し、反射戻り光に
対する高い耐性と高い単一モード歩留まり及びスロープ
効率との両立を実現することができる。

【００３４】また、このような活性層エッチング型利得
性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ａを組
み込んだＤＦＢレーザモジュールによれば、この活性層
エッチング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレー
ザ素子１０ａの奏する作用・効果により、上記第１の実
施形態の場合と略同様に、例えば加入者系において使用
される光アイソレータを内蔵しない低コストのＤＦＢレ
ーザモジュールを提供することができる。

【００３５】（第３の実施形態）図５は本発明の第３の
実施形態に係る電流ブロック型利得性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子の一例を示す概略断面図であ
る。本実施形態に係る電流ブロック型利得性回折格子型
の利得結合型ＤＦＢレーザ素子は、上記第１の実施形態
に係る吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子
１０の吸収性回折格子構造の代わりに、電流ブロック型
利得性回折格子構造を用いているものである。このた
め、上記第１の実施形態の図１の吸収性回折格子型の利
得結合型ＤＦＢレーザ素子１０の構成要素と同一の要素
には同一符号を付して説明を省略する。

【００３６】図５に示されるように、本実施形態に係る
電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレ
ーザ素子１０ｂにおいては、上記第１の実施形態の図１
の吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０
におけるＩｎＧａＡｓ吸収部２２が所定の周期をもって
配列されてなる吸収性回折格子２４の代わりに、ｎ−Ｉ
ｎＰ電流ブロック部２２ａが所定の周期をもって配列さ
れてなる電流ブロック型利得性回折格子２４ｂが形成さ
れている。こうして、電流ブロック型利得性回折格子構
造となっている。

【００３７】但し、その他の構成要素は上記第１の実施
形態の場合と同一であるため、電流ブロック型利得性回
折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ｂの構成に
ついてのこれ以上の説明は省略する。また、図５の電流
ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ
素子１０ｂを組み込んだ同軸型のＤＦＢレーザモジュー
ルは、上記第１の実施形態の図３における吸収性回折格
子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０を電流ブロック
型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０
ｂに置換したものであり、その他の構成要素は同一であ
る。このため、その図示及び説明は省略する。

【００３８】以上のように、本実施形態に係る電流ブロ
ック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子
１０ｂによれば、その前端面に反射率１０〜２０％の反
射膜３６をコーティングすることにより、上記第１の実
施形態の場合と略同様の効果を奏し、反射戻り光に対す
る高い耐性と高い単一モード歩留まり及びスロープ効率
との両立を実現することができる。

【００３９】また、このような電流ブロック型利得性回
折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ｂを組み込
んだＤＦＢレーザモジュールによれば、この電流ブロッ
ク型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１
０ｂの奏する作用・効果により、上記第１の実施形態の
場合と略同様に、例えば加入者系において使用される光
アイソレータを内蔵しない低コストのＤＦＢレーザモジ
ュールを提供することができる。

【００４０】なお、上記第１〜第３の実施形態において
は、複数個のＩｎＧａＡｓ吸収部２２が周期的に配列さ
れてなる吸収性回折格子２４を有する吸収性回折格子型
の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０、周期的な凹凸形状
のＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６からなる活性層エッチング
型利得性回折格子２４ａを有する活性層エッチング型利
得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ａ、
複数個のｎ−ＩｎＰ電流ブロック部２２ｂが周期的に配
列されてなる電流ブロック型利得性回折格子２４ｂを有
する電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザ素子１０ｂについて説明しているが、本発明に
係るＤＦＢレーザ素子は、これらに限定される必要はな
く、他の構造の利得結合型ＤＦＢレーザ素子であっても
よい。また、利得結合型ＤＦＢレーザ素子の代わりに、
複素結合型ＤＦＢレーザ素子であってもよい。

【００４１】また、ｎ−ＩｎＰ基板１２上にＭＱＷ−Ｓ
ＣＨ活性層１６が設けられているが、その活性層の構造
はＭＱＷ−ＳＣＨ構造に限定されるものではなく、例え
ば単一ＱＷ（Quantum Well）構造、ＧＲＩＮ（Graded I
ndex）構造、歪ＱＷ構造、又はこれらを組み合わた構
造、更にはＱＷ構造でないものまで他の種々の構造をと
ることが可能である。

【００４２】また、ｎ−ＩｎＰ基板１２をｐ−ＩｎＰ基
板に代え、その上に形成される各種の半導体層の導電型
を逆にしたものであってもよい。更には、ＩｎＰ基板の
代わりにＧａＡｓ基板を用いると共に、活性層としてＧ
ａＡｌＡｓ系やＩｎＧａＰ系を用い、発振波長として約
７００〜９００ｎｍや約６６０〜６９０ｎｍを目標とし
た利得結合型又は複素結合型のＤＦＢレーザ素子であっ
てもよい。

【００４３】また、上記第１〜第３の実施形態において
は、同軸型のＤＦＢレーザモジュールについて説明して
いるが、本発明に係るＤＦＢレーザモジュールは同軸型
に限定されるものではなく、例えばＤＩＬ（Dual Inlin
e）型やバタフライ型など、他のモジュール形態を採用
する場合においても、同様の効果を得ることができる。

【００４４】

【実施例】（実施例１〜３）実施例１〜３は、上記第１
の実施形態に対応するものである。即ち、図１及び図２
に示す吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子
１０並びにこれを組み込んだ図３に示すＤＦＢレーザモ
ジュール５０を作製し、その特性測定を行ったものであ
る。

【００４５】先ず、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic
Chemical Vapor Deposition；有機金属気相成長）装置
を用い、成長温度６００℃の条件において、ｎ−ＩｎＰ
基板１２上に、厚さ５００ｎｍのｎ−ＩｎＰバッファ層
１４を積層成長し、このｎ−ＩｎＰバッファ層１４上に
厚さ５ｎｍのＩｎＧａＡｓＰウェル層と厚さ１０ｎｍの
ＩｎＧａＡｓＰバリア層とを交互に積層成長して厚さ１
５０ｎｍのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６を形成し、このＭ
ＱＷ−ＳＣＨ活性層１６上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層１
８の一部をなす厚さ１００ｎｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層
１８ａ及び厚さ２０ｎｍのＩｎＧａＡｓ吸収層を順に積
層成長する。

【００４６】次いで、このＩｎＧａＡｓ吸収層上に、フ
ォトレジストを約１００ｎｍの厚さに塗布した後、ＥＢ
（Electron Beam）描画装置を用いて、周期が約２４０
ｎｍのレジスト回折格子パターンを形成する。このＥＢ
レジスト回折格子のデューティ（duty）比は、０．５
（５０％）程度とする。続いて、このレジスト回折格子
をエッチングマスクとして、ＩｎＧａＡｓ吸収層を選択
的にエッチングする。このエッチングにおいては、Ｉｎ
ＧａＡｓ吸収層とｐ−ＩｎＰスペーサ層１８ａとでエッ
チング選択性のない臭素系のエッチャントを用いて、Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層を貫通し、更に下地のｐ−ＩｎＰスペ
ーサ層１８ａ表面層を１０ｎｍ程度エッチング除去する
まで行う。こうして複数個のＩｎＧａＡｓ吸収部２２が
約２４０ｎｍの周期をもって配列されてなる吸収性回折
格子２４を形成する。なお、このとき形成された吸収性
回折格子２４のデューティ比は、０．３（３０％）とな
るようにする。

【００４７】次いで、レジスト回折格子パターンを除去
した後、例えばＭＯＣＶＤ装置を用いて、ｐ−ＩｎＰス
ペーサ層１８ａ及びＩｎＧａＡｓ吸収部２２上に、ｐ−
ＩｎＰ回折格子埋め込み層を成長し、吸収性回折格子２
４の凹凸を埋め込んでその表面を平坦化する。このとき
のｐ−ＩｎＰ回折格子埋め込み層の成長は、吸収性回折
格子２４の形状が変形しないように、例えば５２０℃程
度の比較的低温で行う。なお、このｐ−ＩｎＰ回折格子
埋め込み層はｐ−ＩｎＰクラッド層１８の一部をなすも
のであるため、図１及び図２においてはｐ−ＩｎＰクラ
ッド層１８に含められている。

【００４８】次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）装置を用いて、基体全面にＳｉＮ_X
膜を成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びＲＩＥ
（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）装
置を用いて、このＳｉＮ_X膜をストライプ形状に加工す
る。続いて、このストライプ形状のＳｉＮ_X膜をエッチ
ングマスクとし、ｐ−ＩｎＰ回折格子埋め込み層からｎ
−ＩｎＰ基板１２に達するまでエッチングして、ＭＱＷ
−ＳＣＨ活性層１６や吸収性回折格子２４を含む半導体
積層領域をメサストライプ形状に加工する。なお、この
メサストライプにおいて、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６の
幅が約１．５μｍ程度となるように調節する。続いて、
このＳｉＮ_X膜を選択成長用マスクとして、メサストラ
イプの両側にｐ−ＩｎＰ層２６及びｎ−ＩｎＰ層２８を
埋め込み成長して、キャリアブロック層３０を形成す
る。こうして、埋め込みヘテロ構造とする。

【００４９】次いで、ＳｉＮ_X膜を除去した後、基体全
面に、厚さ２μｍ程度のｐ−ＩｎＰクラッド層１８及び
高濃度に不純物ドープされた厚さ３０ｎｍのｐ−ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層２０を順に積層成長する。続いて、
ｎ−ＩｎＰ基板１２裏面を研磨して、その厚さが１２０
μｍ程度になるように調整する。次いで、ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層２０表面上に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ上部
電極３２を形成し、またｎ−ＩｎＰ基板１２裏面上に、
ＡｕＧｅＮｉ下部電極３４を形成する。

【００５０】次いで、ウェーハ形状の基体を所定の方向
に劈開してバー化した後、例えばプラズマＣＶＤ装置を
用いて、その劈開面の一方の前端面に、ＳｉＮ_X膜から
なる反射膜３６をコーティングすると共に、他方の後端
面に、この反射膜の反射率よりも高い反射率のＳｉＮ_X
膜からなる高反射膜３８をコーティングする。そして、
このとき、ＳｉＮ_X膜の組成又は膜厚を変えることによ
り、前端面にコーティングする反射膜３６の反射率がそ
れぞれ１％、５％、１０％、２０％となるようにした。
具体的には、例えば反射膜の反射率が１％の場合に、Ｓ
ｉＮ_X膜（屈折率ｎ＝１．９７）の膜厚を２００ｎｍと
し、５％の場合に、ＳｉＮ_X膜（ｎ＝２．２５）の膜厚
を１７０ｎｍとし、１０％の場合に、ＳｉＮ_X膜（ｎ＝
２．４５）の膜厚を１５０ｎｍとし、２０％の場合に、
ＳｉＮ_X膜（ｎ＝２．９０）の膜厚を１３０ｎｍとした
（比較例１、２；実施例１、２）。

【００５１】また、反射膜３６をコーティングする代わ
りに前端面を劈開状態にして、その反射率が３１％とな
るようにした（実施例３）。更に、他方の後端面には、
反射膜３６の反射率又は劈開状態にした場合の反射率３
１％よりも高い反射率の高反射膜３８をコーティングす
る。そして、その後、チップ化して、吸収性回折格子型
の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０及びそれと同様の構
造のＤＦＢレーザ素子を作製した。

【００５２】次いで、この吸収性回折格子型の利得結合
型ＤＦＢレーザ素子１０等を組み込んで図３に示すＤＦ
Ｂレーザモジュール５０等を作製するが、その製造方法
は公知であり、その説明は省略する。そして、これら各
々の吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１
０等を用いて組み立てた上記図３に示すＤＦＢレーザモ
ジュール５０等について、そのスロープ効率、伝送波
形、単一モード歩留まりについて調べた。

【００５３】なお、伝送波形の良否についての判定は、
吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０に
対する反射戻り光を−１４ｄＢとした場合の伝送信号の
アイパターン（Eye Pattern）を観察し、図６（ａ）に
表されるようにその信号波形に殆ど劣化がない場合を○
（良品）、図６（ｂ）に表されるようにその劣化がひど
い場合を×（不良品）とした。次の表１に、特性測定の
結果をまとめて記載する。

【００５４】

【表１】

【００５５】（実施例４〜６）実施例４〜６は、上記第
２の実施形態に対応するものである。即ち、図４に示す
活性層エッチング型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザ素子１０ａ及びこれを組み込んだＤＦＢレーザ
モジュールを作製し、その特性測定を行った。

【００５６】先ず、上記実施例１〜３の場合と同様の条
件により、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層１４、ＩｎＧａＡｓＰウェル層とＩｎＧａＡｓＰバ
リア層とが交互に積層されたＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６
を形成する。次いで、このＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６上
に、フォトレジストを約１００ｎｍの厚さに塗布した
後、ＥＢ描画装置を用いて、周期が約２４０ｎｍのレジ
スト回折格子パターンを形成する。このＥＢレジスト回
折格子のデューティ比は、０．５（５０％）程度とす
る。

【００５７】続いて、このレジスト回折格子をエッチン
グマスクとして、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６を選択的に
エッチングする。こうしてＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６表
面を約２４０ｎｍの周期をもった凹凸形状に加工し、こ
の周期的な凹凸形状のＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６からな
る活性層エッチング型利得性回折格子２４ａを形成す
る。

【００５８】次いで、レジスト回折格子パターンを除去
した後、表面が凹凸形状をなすＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１
６上に、上記実施例１〜３の場合と同様のプロセスによ
り、ｐ−ＩｎＰ回折格子埋め込み層を成長し、活性層エ
ッチング型利得性回折格子２４ａの凹凸を埋め込んでそ
の表面を平坦化する。なお、このｐ−ＩｎＰ回折格子埋
め込み層はｐ−ＩｎＰクラッド層１８の一部をなすもの
であるため、図４においてはｐ−ＩｎＰクラッド層１８
に含められている。

【００５９】次いで、上記実施例１〜３の場合と同様の
プロセスにより、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１６や活性層エ
ッチング型利得性回折格子２４ａを含む半導体積層領域
をメサストライプ形状に加工した後、このメサストライ
プの両側にｐ−ＩｎＰ層及びｎ−ＩｎＰ層を埋め込み成
長して、キャリアブロック層を形成する。こうして、埋
め込みヘテロ構造とする。更に、基体全面に、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１８及びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２
０を順に積層成長する。

【００６０】続いて、このｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト
層２０表面上に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ上部電極３２を形成
し、また裏面研磨によって厚さを調整したｎ−ＩｎＰ基
板１２の裏面上に、ＡｕＧｅＮｉ下部電極３４を形成す
る。続いて、ウェーハ形状の基体を所定の方向に劈開し
てバー化した後、その劈開面の一方の前端面に反射膜３
６をコーティングする。このとき、前端面にコーティン
グする反射膜３６の反射率がそれぞれ１％、５％、１０
％、２０％となるようにした（比較例３、４；実施例
４、５）。また、反射膜３６をコーティングする代わり
に前端面を劈開状態にして、その反射率が３１％となる
ようにした（実施例６）。

【００６１】更に、劈開面の他方の後端面に、反射膜３
６の反射率又は劈開状態にした場合の反射率３１％より
も高い反射率の高反射膜３８をコーティングする。そし
て、その後、チップ化して、活性層エッチング型利得性
回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ａ及びそ
れと同様の構造のＤＦＢレーザ素子を作製した。次い
で、この活性層エッチング型利得性回折格子型の利得結
合型ＤＦＢレーザ素子１０ａ等を組み込んでＤＦＢレー
ザモジュールを作製する。そして、これらのＤＦＢレー
ザモジュールについて、そのスロープ効率、伝送波形、
単一モード歩留まりについて調べた。

【００６２】なお、伝送波形の良否についての判定方法
は、上記第１の実施形態の場合と同様とした。次の表２
に、特性測定の結果をまとめて記載する。

【００６３】

【表２】

【００６４】（実施例７〜９）実施例７〜９は、上記第
３の実施形態に対応するものである。即ち、図５に示す
電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレ
ーザ素子１０ｂ及びこれを組み込んだＤＦＢレーザモジ
ュールを作製し、その特性測定を行ったものである。

【００６５】なお、上記実施例１〜３の場合と比較する
と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層１８ａ上に積層成長したＩｎ
ＧａＡｓ吸収層を選択的にエッチングして、複数個のＩ
ｎＧａＡｓ吸収部２２が約２４０ｎｍの周期をもって配
列されてなる吸収性回折格子２４を形成する工程の代わ
りに、ｐ−ＩｎＰスペーサ層１８ａ上に積層成長したｎ
−ＩｎＰ電流ブロック層を選択的にエッチングして、複
数個のｎ−ＩｎＰ電流ブロック部２２ａが約２４０ｎｍ
の周期をもって配列されてなる電流ブロック性性回折格
子２４ｂを形成する工程を用いている。そして、それ以
外の工程は同一である。

【００６６】このため、実施例７〜９については、ｎ−
ＩｎＰ基板１２上へのｎ−ＩｎＰバッファ層１４等の形
成から、埋め込みヘテロ構造を形成したウェーハ形状の
基体を所定の方向に劈開してバー化するに到るまでのプ
ロセスの説明は省略する。次いで、劈開面の一方の前端
面に反射膜３６をコーティングする。このとき、前端面
にコーティングする反射膜３６の反射率がそれぞれ１
％、５％、１０％、２０％となるようにした（比較例
５、６；実施例７、８）。また、反射膜３６をコーティ
ングする代わりに前端面を劈開状態にして、その反射率
が３１％となるようにした（実施例９）。

【００６７】更に、劈開面の他方の後端面に、反射膜３
６の反射率又は劈開状態にした場合の反射率３１％より
も高い反射率の高反射膜３８をコーティングする。そし
て、その後、チップ化して、電流ブロック型利得性回折
格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ｂ及びそれと
同様の構造のＤＦＢレーザ素子を作製した。次いで、こ
の電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢ
レーザ素子１０ｂ等を組み込んでＤＦＢレーザモジュー
ルを作製する。そして、これらのＤＦＢレーザモジュー
ルについて、そのスロープ効率、伝送波形、単一モード
歩留まりについて調べた。なお、伝送波形の良否につい
ての判定方法は、上記第１の実施形態の場合と同様とし
た。次の表３に、特性測定の結果をまとめて記載する。

【００６８】

【表３】

【００６９】これらの表１〜３から次のことが明らかに
なる。（１）スロープ効率は、吸収性回折格子型、活性層エッ
チング型利得性回折格子型、及び電流ブロック型利得性
回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０、１０
ａ、１０ｂにおいて、その前端面の反射率が大きくなる
に連れて低下する傾向にある。吸収性回折格子型及び電
流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレー
ザ素子１０、１０ｂの場合、反射率１〜２０％の範囲
（比較例１、２、実施例１、２；比較例５、６、実施例
７、８）においては、０．４Ｗ／Ａのオーダが確保され
るものの、反射率３１％（実施例３；９）になると、
０．３Ｗ／Ａのオーダに低下した。活性層エッチング型
利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１０ａ
の場合は、他の構造の吸収性回折格子型及び電流ブロッ
ク型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子１
０、１０ｂの利得結合型ＤＦＢレーザ素子と比較して若
干スロープ効率が低く、反射率１〜２０％の範囲（比較
例３、４、実施例４、５）においては、０．３Ｗ／Ａの
オーダが確保されるものの、反射率３１％（実施例６）
になると、０．２Ｗ／Ａのオーダに低下した。

【００７０】（２）反射戻り光による伝送信号波形の劣
化は、前端面の反射率が１〜５％の範囲（比較例１、
２；３、４；５、６）で見られるものの、１０％以上
（実施例１〜３；４〜６；７〜９）になると、殆ど劣化
は観察されず、良好な伝送特性が得られた。（３）単一モード歩留まりは、前端面の反射率が大きく
なるに連れて僅かに低下する傾向にある。吸収性回折格
子型及び活性層エッチング型利得性回折格子型の利得結
合型ＤＦＢレーザ素子１０、１０ａにおいては、何れの
場合（比較例１、２、実施例１〜３；比較例３、４、実
施例４〜６）も、９０％以上の高い歩留まりが得られ
た。電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザ素子１０ｂにおいては、他の構造の吸収性回折
格子型及び活性層エッチング型利得性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子１０、１０ａと比較すると若干
低いものの、何れの場合（比較例５、６、実施例７〜
９）も、８０％以上の高い歩留まりが得られた。

【００７１】以上の結果から、反射戻り光に対する高い
耐性と高いスロープ効率及び単一モード歩留まりとを両
立させる観点からは、吸収性回折格子型の利得結合型Ｄ
ＦＢレーザ素子１０の前端面の反射率が１０〜２０％の
範囲（実施例１、２）であることが望ましいと確認され
た。次いで、前端面の反射率が１０％、２０％の吸収性
回折格子型、活性層エッチング型利得性回折格子型、及
び電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢ
レーザ素子１０、１０ａ、１０ｂについて、−４０℃〜
＋８５℃の広温度範囲における動作試験を行った。具体
的には、−４０℃、−２０℃、＋２５℃、＋７５℃、＋
８５℃の各温度において、伝送波形及び光スペクトルの
測定を行った。その結果、何れの温度においても、単一
モードで且つ良好な伝送波形が観測された。

【００７２】また、吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザ素子１０と同様の構造を有する従来の屈折率結
合型ＤＦＢレーザ素子を作製し、その前端面の反射率を
１％、５％、１０％、２０％、３１％とした場合につい
て、そのスロープ効率、伝送波形、単一モード歩留まり
について調べた（比較例７〜１１）。その結果を次の表
４に示す。

【００７３】

【表４】

【００７４】この表４の結果を上記の表１〜３の結果と
比較すると、単一モード歩留まりが大幅に低下している
ことが明らかである。このことから、前端面の反射率を
後端面の反射率よりも小さくし、且つその値を１０％以
上にすることは、利得結合型ＤＦＢレーザ素子（又は複
素結合型ＤＦＢレーザ素子）に適用してこそ、高いスロ
ープ効率及び単一モード歩留まりを共に実現するという
効果を発揮することができるのであって、屈折率結合型
ＤＦＢレーザ素子に適用した場合、必ずしも同様の効果
を期待することができる訳ではないといえる。

【００７５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係るＤＦＢレーザ素子及びレーザモジュールによれば、
次のような効果を奏することができる。即ち、請求項１
に係るＤＦＢレーザ素子によれば、利得結合型又は複素
結合型の分布帰還型半導体レーザ素子において、一方の
端面の反射率を他方の端面の反射率よりも小さく且つ１
０％以上にすることにより、広温度範囲における安定し
た単一モード動作を実現し、反射戻り光に対する高い耐
性と高い単一モード歩留まり及びスロープ効率との両立
を実現することができる。

【００７６】また、請求項３に係るレーザモジュールに
よれば、上記請求項１に係るＤＦＢレーザ素子を組み込
むことにより、光アイソレータの内蔵を不要とすること
が可能になり、例えば加入者系において使用される低コ
ストのレーザモジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る吸収性回折格子
型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子を示す概略断面図であ
る。

【図２】図１のＤＦＢレーザ素子（但し、両端面の反射
膜を除く）の部分切欠斜視図である。

【図３】図１及び図２の吸収性回折格子型の利得結合型
ＤＦＢレーザ素子を組み込んだ同軸型のＤＦＢレーザモ
ジュールを示す概略断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態に係る活性層エッチン
グ型利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子を
示す概略断面図である。

【図５】本発明の第３の実施形態に係る電流ブロック型
利得性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ素子を示す
概略断面図である。

【図６】伝送特性を調べるための反射戻り光に対する伝
送信号のアイパターンを示す図である。

【符号の説明】

１０吸収性回折格子型の利得結合型ＤＦＢレーザ
素子１０ａ活性層エッチング型利得性回折格子型の利得
結合型ＤＦＢレーザ素子１０ｂ電流ブロック型利得性回折格子型の利得結合
型ＤＦＢレーザ素子１２ｎ−ＩｎＰ基板１４ｎ−ＩｎＰバッファ層１６ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１８ｐ−ＩｎＰクラッド層１８ａｐ−ＩｎＰスペーサ層２０ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２２ＩｎＧａＡｓ吸収部２２ａｎ−ＩｎＰ電流ブロック部２４吸収性回折格子２４ａ活性層エッチング型利得性回折格子２４ｂ電流ブロック型利得性回折格子２６ｐ−ＩｎＰ層２８ｎ−ＩｎＰ層３０キャリアブロック層３２Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ上部電極３４ＡｕＧｅＮｉ下部電極３６反射膜３８高反射膜５０レーザモジュール５２ステム５４キャップ５６台座５８ａ，５８ｂ，５８ｃリードピン６０窓６２フェルール６４光ファイバ６６レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者粕川秋彦東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 CA13 5F073 AA22 AA45 AA64 AA74 AA76 AA83 AB27 AB28 BA02 CA12 CB02 CB20 DA05 DA32 EA03 EA17 EA29 HA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】利得結合型又は複素結合型の分布帰還型
半導体レーザ素子であって、一方の端面の反射率が他方
の端面の反射率よりも小さく、且つその値が１０％以上
であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項２】前記一方の端面の反射率が、２０％以下
である、請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項３】前記利得結合型の分布帰還型半導体レー
ザ素子が、吸収性回折格子型の分布帰還型半導体レーザ
素子である、請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ素
子。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の分布
帰還型半導体レーザ素子と、光ファイバと、前記分布帰
還型半導体レーザ素子と前記光ファイバとを光学的に結
合するレンズとを有することを特徴とするレーザモジュ
ール。