JP2010062477A - トレンチ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1ベース層11の表面から形成されたトレンチ14の底面14aおよび側壁面14bに配置されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に配置され、トレンチを充填するゲート電極4と、ゲート電極4を被覆する層間絶縁膜5と、第1ベース層11の表面に配置され、トレンチの底面よりも浅く形成された第2ベース層12と、第2ベース層12の表面に配置されたソース層13と、層間絶縁膜5をマスクとして第2ベース層12内まで形成されたセルフアラインコンタクト溝15の底面15aにおいて第2ベース層12に接続され、側壁面15bにおいてソース層13に接続されたソース電極7と、第1ベース層11の裏面に配置されたドレイン層10と、ドレイン層10に配置されたドレイン電極8とを備えるトレンチ型半導体装置及びその製造方法。
【選択図】図1
Description
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係るトレンチ型半導体装置の模式的断面構造は、図1に示すように表される。また、第1の実施の形態に係るトレンチ型半導体装置の格子状平面パターン構成は、図2に示すように表される。図1は、図2において、I−I線に沿う模式的断面構造に対応している。
第1の実施の形態に係るトレンチ型半導体装置の製造方法は、図6〜図18に示すように、高抵抗で第1導電型の第1ベース層11を形成する工程と、第1ベース層11の表面から形成されたトレンチ14の底面14aおよび側壁面14bにゲート絶縁膜3を形成する工程と、ゲート絶縁膜3上に、トレンチ14を充填するゲート電極4を形成する工程と、ゲート電極4を被覆して層間絶縁膜5を形成する工程と、第1ベース層11の表面に、トレンチ14の底面14aよりも浅く形成されたp型第2ベース層12を形成する工程と、第2ベース層12の表面にn+型ソース層13を形成する工程と、層間絶縁膜5をマスクとしてn+型ソース層13を貫通し、p型第2ベース層12内まで形成されたセルフアラインコンタクト溝15の底面15aにおいてp型第2ベース層12に接続され、セルフアラインコンタクト溝15の側壁面15bにおいて、n+型ソース層13に接続されたソース電極7を形成する工程と、第1ベース層11の裏面にn+型ドレイン層10を形成する工程と、n+型ドレイン層10にドレイン電極8を形成する工程とを有する。
上記のように、本発明は第1の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
2…基板
3…ゲート絶縁膜
3a…LOCOS酸化膜
4…ゲート電極
5…層間絶縁膜(LOCOS絶縁膜)
6…バリアメタル層
7…第1主電極(ソース電極、エミッタ電極)
8…第2主電極(ドレイン電極、コレクタ電極)
10…第2主電極層(ドレイン層、コレクタ層)
11…第1ベース層
12…第2ベース層
12a…ボディーコンタクト層
13…第1主電極層(ソース層、エミッタ層)
14…トレンチ
14a…トレンチの底面
14b…トレンチの側壁面
15…セルフアラインコンタクト溝
15a…セルフアラインコンタクト溝の底面
15b…セルフアラインコンタクト溝の側壁面
31…酸化膜
32…窒化膜
33…マスク層
33a…開口部
35…ポリシリコン層
36…イオン注入層
Claims (23)
- 高抵抗で第1導電型の第1ベース層と、
前記第1ベース層の表面から形成されたトレンチの底面および側壁面に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置され、前記トレンチを充填するゲート電極と、
前記ゲート電極を被覆して配置された層間絶縁膜と、
前記第1ベース層の表面に配置され、前記トレンチの底面よりも浅く形成された第2導電型の第2ベース層と、
前記第2ベース層の表面に配置された第1導電型の第1主電極層と、
前記層間絶縁膜をマスクとして前記第1主電極層を貫通し、前記第2ベース層内まで形成されたセルフアラインコンタクト溝の底面において前記第2ベース層に接続され、前記セルフアラインコンタクト溝の側壁面において、前記第1主電極層に接続された第1主電極と、
前記第1ベース層の裏面に配置された第2主電極層と、
前記第2主電極層に配置された第2主電極と
を備えることを特徴とするトレンチ型半導体装置。 - 前記層間絶縁膜は、LOCOS酸化膜により形成され、前記ゲート絶縁膜の一部および前記第1主電極層の一部をも被覆して配置されたことを特徴とする請求項1に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記セルフアラインコンタクト溝の底面には、第2導電型で前記第2ベース層よりも不純物密度が高いボディーコンタクト層を備えることを特徴とする請求項1または2に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記第1主電極は、デバイス表面全面に配置されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記第1主電極は、下地にバリアメタル層を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記第1ベース層および前記第2ベース層は、面方位が(100)面を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記第1ベース層内まで形成されたトレンチは、矩形平面パターンを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記第1ベース層内まで形成されたトレンチの底面および側壁面は、いずれも(100)面を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記セルフアラインコンタクト溝の底面および側壁面は、いずれも(100)面を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記セルフアラインコンタクト溝は、格子状パターンを有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記セルフアラインコンタクト溝は、千鳥格子状パターンを有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 前記セルフアラインコンタクト溝は、ストライプ状パターンを有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置。
- 高抵抗で第1導電型の第1ベース層を形成する工程と、
前記第1ベース層の表面から形成されたトレンチの底面および側壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記トレンチを充填するゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を被覆して層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1ベース層の表面に、前記トレンチの底面よりも浅く形成された第2導電型の第2ベース層を形成する工程と、
前記第2ベース層の表面に第1導電型の第1主電極層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をマスクとして前記第1主電極層を貫通し、前記第2ベース層内まで形成されたセルフアラインコンタクト溝の底面において前記第2ベース層に接続され、前記セルフアラインコンタクト溝の側壁面において、前記第1主電極層に接続された第1主電極を形成する工程と、
前記第1ベース層の裏面に第2主電極層を形成する工程と、
前記第2主電極層に第2主電極を形成する工程と
を有することを特徴とするトレンチ型半導体装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜は、LOCOS酸化膜により形成され、前記ゲート絶縁膜の一部および前記第1主電極層の一部をも被覆して形成されたことを特徴とする請求項13に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記第1主電極を形成する工程において、前記第1主電極は、デバイス表面全面に形成されたことを特徴とする請求項13または14に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記第1主電極を形成する工程において、前記第1主電極の下地にバリアメタル層を形成する工程を有することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記第1ベース層および前記第2ベース層の各形成工程において、前記第1ベース層、前記第2ベース層は、面方位が(100)面を有することを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチを形成する工程において、前記トレンチは、平面パターンが矩形構造を有することを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチを形成する工程において、前記トレンチの底面および側壁面は、いずれも(100)面を有することを特徴とする請求項13〜18のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記セルフアラインコンタクト溝を形成する工程において、前記セルフアラインコンタクト溝の底面および側壁面は、いずれも(100)面を有することを特徴とする請求項13〜19のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記セルフアラインコンタクト溝を形成する工程において、前記セルフアラインコンタクト溝は、格子状パターンを有することを特徴とする請求項13〜20のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記セルフアラインコンタクト溝を形成する工程において、前記セルフアラインコンタクト溝は、千鳥格子状パターンを有することを特徴とする請求項13〜20のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
- 前記セルフアラインコンタクト溝は、ストライプ状パターンを有することを特徴とする請求項13〜20のいずれか1項に記載のトレンチ型半導体装置の製造方法。
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