JP2010050610A - 薄膜バラン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る薄膜バランは、2つのコイルを備える不平衡伝送線路と、2つのコイルを備え、不平衡伝送線路に磁気結合する平衡伝送線路と、平衡伝送線路に、一端が接続されたキャパシタと、キャパシタの他端に接続された接地端子72と、を有する。キャパシタ4の下部電極11は、不平衡伝送線路を構成するコイル及び平衡伝送線路を構成するコイルに重ならない領域に配置されている。
【選択図】図2
Description
図1に示すように、コイル41と、コイル42と、コイル41及びコイル42を接続する引き出し配線23とにより不平衡伝送線路2が構成されている。不平衡伝送線路2の一端は不平衡信号端子71に接続されており、不平衡伝送線路2の他端は開放されている。また、コイル31と、コイル32と、コイル31及びコイル32を接続する引き出し配線22とにより平衡伝送線路3が構成される。2つのコイル31,32の一端は、引き出し配線22及びキャパシタ4を介して接地端子72に接続されている。2つのコイル31,32の他端は、平衡信号端子74,75に接続されている。
上記の薄膜バラン1では、不平衡信号端子71に不平衡信号が入力されると、不平衡信号はコイル41、引き出し配線23、及びコイル42を伝播する。そして、コイル41においてはコイル31と電磁気的に結合し、コイル42においてはコイル32と電磁気的に結合することによって、不平衡信号は位相が180°異なる2つの平衡信号に変換され、この2つ平衡信号が平衡信号端子74,75から出力される。このとき、DC供給端子73にバイアス電圧を印加しておくことにより、平衡信号が増幅されて出力される。なお、平衡信号から不平衡信号の変換動作は、上述した動作を逆にしたものである。
この薄膜バランは、さらに不平衡回路と電磁気的に結合する平衡回路を有し、その平衡回路は一対の1/4波長回路を構成する伝送線路(第2のコイル部)を備えている。平衡回路を構成する一方の1/4波長回路の一端は平衡信号端子に接続され、その他端は平衡回路を構成する他方の1/4波長回路の一端と接続される。また、平衡回路を構成する他方の1/4波長回路の他端は平衡信号端子に接続される。さらに、平衡回路を構成する一対の1/4波長回路間の一点はキャパシタの一端と直流供給端子に接続され、そしてキャパシタの他端は接地端子に接続される。
このような回路構成において、キャパシタが第1のコイル部及び第2のコイル部に重ならない領域に配置されている。
実施例1の薄膜バラン1は、図2に示すように、コイルの周囲であって、DC供給端子73及び不平衡信号端子71の間の領域に下部電極11が配置されている。下部電極11と、接地端子72とを接続する引き出し配線12は、コイルに重なっている。
実施例2では、図7に示すように、コイルの周囲であって、DC供給端子73及び接地端子72の間の領域に下部電極11を配置した。この場合には、下部電極11と接地端子72は、長い引き出し配線を介さずに接続されている。
実施例3では、図8に示すように、キャパシタ4の下部電極14a,14bが、左右のコイルを各コイルに分割する仮想線(NC端子76とDC供給端子73とを結ぶ仮想線に等しい)に対して対称となるように配置した。下部電極14a,14b同士は、引き出し配線15を介して接続されており、下部電極14bは接地端子72に接続されている。
比較例1では、図9に示すように、片側のコイル及びコイル開口に重なるようにキャパシタ4の下部電極16を配置した。
比較例2では、図10に示すように、コイル開口には重ならないが、コイルに重なるようにキャパシタ4の下部電極17a,17bを配置した。また、キャパシタ4の下部電極17a,17bが、左右のコイルを各コイルに分割する仮想線(NC端子76とDC供給端子73とを結ぶ仮想線に等しい)に対して対称となるように配置した。下部電極17a,17b同士は、引き出し配線18を介して接続されており、下部電極17bは接地端子72に接続されている。
上記の実施例1〜3及び比較例1〜2の構造について、2つの平衡信号の出力バランスをシミュレーションにより求めた。目的の周波数は、2400−2500MHzとした。以下の評価では、出力バランスが−1.0dB以上1.0dB以下を合格基準とした。結果を図11に示す。ここで、図11に示す出力バランス特性は平衡信号端子74と平衡信号端子75から出力される振幅差であることから0dBがより理想的な出力バランスとなる。図11では、E1は実施例1の結果、E2は実施例2の結果、E3は実施例3の結果、C1は比較例1の結果、C2は比較例2の結果を示す。
Claims (4)
- 一対の第1のコイル部を備える不平衡伝送線路と、
一対の第2のコイル部を備え、前記不平衡伝送線路に電磁気的に結合する平衡伝送線路と、
前記平衡伝送線路に、一端が接続されたキャパシタと、
前記キャパシタの他端に接続された接地端子と、
を有し、
前記キャパシタは、前記第1のコイル部及び前記第2のコイル部に重ならない領域に配置された、
薄膜バラン。 - 前記キャパシタは、引き出し配線を介して前記平衡伝送線路又は前記接地端子に接続されており、
前記引き出し配線が、前記第1のコイル部及び前記第2のコイル部に重ならない領域に配置された、
請求項1記載の薄膜バラン。 - 前記キャパシタは、前記接地端子に隣接して配置された、
請求項1記載の薄膜バラン。 - 前記一対の第1のコイル部は同一面に並んで配置され、前記一対の第2のコイル部は前記一対の第1のコイル部に対向して配置されており、
前記キャパシタは、前記一対のコイル部を各コイル部に分割する仮想線に対して対称となるように配置された、
請求項1記載の薄膜バラン。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2012034084A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
JP2017526893A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-09-14 | シンジン エナーテック カンパニー リミテッド | 複合熱源を利用したヒートポンプ冷暖房システムおよびその制御方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5240669B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-07-17 | Tdk株式会社 | 薄膜バラン |
JP5051063B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2012-10-17 | Tdk株式会社 | 薄膜バラン |
JP5142088B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-02-13 | Tdk株式会社 | 薄膜バラン |
JP5142089B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-02-13 | Tdk株式会社 | 薄膜バラン |
US8648667B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Tdk Corporation | Thin film balun |
US8653904B2 (en) * | 2010-06-25 | 2014-02-18 | Tdk Corporation | Thin film balun |
CN103579731B (zh) * | 2012-08-03 | 2018-04-03 | Tdk株式会社 | 层叠构造型平衡‑不平衡变换器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002271111A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層バラン素子 |
JP2003007537A (ja) * | 2001-04-19 | 2003-01-10 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バラントランス |
JP2007214950A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | バランスフィルタ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683510B1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-01-27 | Northrop Grumman Corporation | Ultra-wideband planar coupled spiral balun |
JP3944193B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-07-11 | 太陽誘電株式会社 | バランおよびバランスフィルタおよび無線通信機器 |
JP5060716B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-10-31 | 双信電機株式会社 | 受動部品 |
JP4840725B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2011-12-21 | 宇部興産株式会社 | 積層型バラン |
US7629860B2 (en) * | 2007-06-08 | 2009-12-08 | Stats Chippac, Ltd. | Miniaturized wide-band baluns for RF applications |
JP5240669B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-07-17 | Tdk株式会社 | 薄膜バラン |
US8648667B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Tdk Corporation | Thin film balun |
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2008
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-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002271111A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層バラン素子 |
JP2003007537A (ja) * | 2001-04-19 | 2003-01-10 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バラントランス |
JP2007214950A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | バランスフィルタ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034084A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
JP2017526893A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-09-14 | シンジン エナーテック カンパニー リミテッド | 複合熱源を利用したヒートポンプ冷暖房システムおよびその制御方法 |
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