JP2009077303A - 積層型誘電体バンドパスフィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】積層型誘電体バンドパスフィルタにおいて、通過帯域の特性を良好に保ちながら減衰極の位置を自由に設定できるようにする。
【解決手段】信号の入力端（側面入力電極３２と底面入力電極５４）と出力端（側面出力電極３４と底面出力電極５６）との間に配置される複数のストリップライン共振器３８、４０、４２からなるバンドパスフィルタ部と、入力端と該入力端側のストリップライン共振器との間に配置されたコンデンサ（コンデンサ電極４６）と入力端とグランド（側面グランド電極３６）との間に配置されたインダクタ（インダクタ電極５０）とからなる整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合している。
【選択図】図３

Description

本発明は、積層型の誘電体バンドパスフィルタに関し、更に詳しく述べると、複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、コンデンサとインダクタからなる整合回路部とが同じ積層誘電体チップ中に埋設形成され、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合している構造の積層型誘電体バンドパスフィルタに関するものである。この積層型誘電体バンドパスフィルタは、例えば携帯電話機や各種無線通信機器などに有用である。

携帯電話機、あるいはその他の各種無線通信機器では、高周波部品として積層型誘電体バンドパスフィルタが用いられている。従来公知の積層型誘電体バンドパスフイルタとしては、複数の誘電体層を積層してなるチップの内部に、ストリップライン状の共振器を複数配置し、それらを電磁界的に結合することでバンドパスフィルタ特性を発現させる構成がある（例えば特許文献１参照）。

近年の無線通信技術の進展に伴い、限りある周波数資源の有効活用の観点から、この種の積層型誘電体バンドパスフィルタでは、通信帯域外で高い減衰量と急峻な減衰特性が求められている。また、無線通信機器に使用しているＩＣから出る通信帯域外の不要な信号を減衰させ、また、ＩＣに悪影響を与える通信帯域外の不要な外来のノイズを減衰させるために、通過帯域外に減衰極を設けることが求められている。このようなＩＣから出る不要な信号やＩＣに悪影響を与える外来の不要なノイズは、各ＩＣメーカーの仕様（ＩＣチップセットの仕様）によって異なり、そのため積層型誘電体バンドパスフィルタに求められる減衰極の周波数位置もＩＣチップセットによって異なるものとなる。

そこで従来技術では、ストリップライン共振器の長さ、幅、間隔等を変えることで電磁界的結合度を調整し、それによって減衰特性や減衰極の周波数位置が要求条件を満たすように設計している。しかしながら、各ＩＣメーカーのチップセットによって仕様が異なるため、その都度全ての設計をし直さなければならず手間がかかり、また、その仕様によっては構造自体を大きく変えなければならないこともある。
特許第２８０６７１０号公報

本発明が解決しようとする課題は、積層型誘電体バンドパスフィルタにおいて、バンドパスフィルタとしての特性を良好に保ちながら、通過帯域に影響を与えることなく、減衰極の周波数位置を自由に設定できるようにすることである。本発明が解決しようとする他の課題は、積層型誘電体バンドパスフィルタにおいて、同様に、バンドパスフィルタとしての特性を良好に保ち、通過帯域に影響を与えることなく、減衰極の周波数位置を自由に設定できるようにしつつ、不平衡−平衡変換をするバラン機能をもたせることである。

本発明は、信号の入力端と出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、入力端側及び／又は出力端側に配置されるコンデンサとインダクタからなるハイパス型の整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタである。ここで、バンドパスフィルタ部の各ストリップライン共振器は、一端開放他端短絡の１／４波長共振型とする。

整合回路部は、信号の入力端側あるいは出力端側、もしくは入力端側と出力端側の両方に配置することができるが、典型的には入力端側に配置する。好ましくは本発明は、信号の入力端と出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、前記入力端と該入力端側のストリップライン共振器との間に配置されたコンデンサと前記入力端とグランドとの間に配置されたインダクタとからなる整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタである。

また本発明は、不平衡信号を入力する不平衡入力端と平衡信号を出力する平衡出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、前記不平衡入力端と該不平衡入力端側のストリップライン共振器との間に配置されたコンデンサと前記不平衡入力端とグランドとの間に配置されたインダクタとからなる整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタである。ここで、バンドパスフィルタ部の各ストリップライン共振器は、両端開放の１／２波長共振型とする。

なお本発明において、「整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合している」とは、それによって、バンドパスフィルタ部により形成される減衰極とは別の減衰極が通過帯域外に発生する程度の強さで電磁界的に結合しているという意味である。

本発明に係る積層型誘電体バンドパスフィルタは、同じ積層誘電体チップ内にバンドパスフィルタ部と整合回路部とを埋設形成し、整合回路部のインダクタをバンドパスフィルタ部と電磁界的に結合させたことにより、バンドパスフィルタとして通過帯域内の通過特性を良好に保ちつつ、減衰帯域に減衰極を設けることができる。また、整合回路部のインダクタとバンドパスフィルタ部との結合度を変えることにより、減衰極の周波数位置を自由に設定することができ、減衰極の周波数位置によって通過帯域に及ぼす影響を少なくすることができる。また本発明によれば、このような効果を有しつつ、不平衡−平衡変換をするバラン機能をもたせることもできる。

図１は、本発明に係る積層型誘電体バンドパスフィルタの一実施例を示す等価回路図である。この積層型誘電体バンドパスフィルタは、入力端ＩＮと出力端ＯＵＴの間に、整合回路部１０とバンドパスフィルタ部１２とを配置した構成である。ここでバンドパスフィルタ部１２は、３本の一端開放他端短絡の１／４波長共振型のストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３からなる。ストリップライン共振器Ｔ１−Ｔ２間の電磁界結合をＭ１で、ストリップライン共振器Ｔ２−Ｔ３間の電磁界結合をＭ２で表す。整合回路部１０は、コンデンサＣとインダクタＬとからなる。この実施例は、整合回路部１０を入力端側に配置している構成なので、入力端ＩＮと該入力端に接続されるストリップライン共振器Ｔ１との間にコンデンサＣを配置し、入力端ＩＮとグランドとの間にインダクタＬを配置している。整合回路部１０のインダクタＬとバンドパスフィルタ部１２のストリップライン共振器Ｔ１との間の電磁界結合をＭｉで表す。

まず、ストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３とそれらの間の電磁的結合Ｍ１，Ｍ２からなるバンドパスフィルタ部１２は、ストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の電気的長さの４倍を１波長とする共振周波数で共振し、その近傍の周波数帯域を通過帯域としてそれ以外の周波数帯域を減衰させるバンドパスフィルタ特性を呈する。ここで電磁界結合Ｍ１、Ｍ２により、通過帯域幅や減衰極の位置が変化する。電磁界結合Ｍ１、Ｍ２が、電界結合が主である場合には減衰極は通過帯域よりも低域側に発生し、磁界結合が主である場合には逆に減衰極は通過帯域よりも高域側に発生するが、積層構造の誘電体バンドパスフィルタでは、通常、磁界結合が主となるので、減衰極は通過帯域よりも高域側に発生する。

次に、整合回路部１０は、帯域内の反射特性を改善し、通過特性を改善する機能を果たす。コンデンサＣとインダクタＬの組み合わせは、ハイパス型の整合回路部となり、ＤＣ〜低周波領域の減衰特性を改善する。そして、整合回路部１０のインダクタＬとバンドパスフィルタ部１２のストリップライン共振器Ｔ１との電磁界的結合Ｍｉは、バンドパスフィルタ部１２で発生する減衰極以外に、更にもう一つの減衰極を通過帯域よりも低域側に発生させる。その滅衰極は、電磁界的結合Ｍｉの値によって周波数位置が変化し、更に電磁界的結合Ｍｉの変化は通過帯域にほとんど影響を及ぼさないため、バンドパスフィルタ部１２を再設計する必要が無い。また、その減衰極を通過帯域付近の周波数位置に発生させることにより急峻な減衰特性を得ることができ、減衰極の周波数位置を変化させることで必要とするバンドパスフィルタ特性を発現させることができる。

なお、図１に示す実施例では、入力端側に整合回路部を配置しているが、これを出力端側に配置してもよい。その揚合も同様の効果が得られる。更に、整合回路部を、入力端側と出力端側の両方に配置してもよい。その揚合、滅衰極が更にもう一つ発生し、入力端側と出力端側とでそれぞれの結合度を変えることによって異なる周波数位置に減衰極を持つ特性を得ることができる。

図１に示す等価回路は、図２及び図３で説明する構造の積層型誘電体バンドパスフィルタで実現できる。図２は、その外観の斜視図であり、図３は、その内部構造を各層毎に示す説明図である。この積層型誘電体バンドパスフィルタは、コンデンサ電極やストリップライン共振器、入力電極、出力電極、アース電極、インダクタ等を、ＡｇやＣｕ等の導体ペーストで誘電体グリーンシート上に印刷形成し、その誘電体グリーンシートを図３の順序に積層して圧着一体化し、それを焼成することで製造される。

この積層型誘電体バンドパスフィルタは、外観的には図２に示すように、直方体状のチップ形式である。該チップの一方の端面の上端縁中央から下端縁に達し、更には底面の一部に広がるように、帯状に入力電極２０（入力端ＩＮ）が形成され、該入力電極２０に対向するように、他方の端面の上端縁中央から下端縁に達し、更には底面の一部に広がるように、帯状に出力電極２２（出力端ＯＵＴ）が形成されている。更に、前記入力電極２０と出力電極２２が形成されている両端面及びその近傍を除き、チップの上面、両側面、及び底面の大部分にわたってアース電極２４が形成されている。

次に、前記チップの内部構造について、図３により、最上層＃１から最下層＃４まで順に説明する。

最上層（第１層）＃１には、その上面のほぼ全面にわたって上面グランド電極３０が形成されている。該上面グランド電極３０は、相対向する側面入力電極３２と側面出力電極３４寄りの両辺は外周縁には達せず離間しており、それらと直交する対向辺は外周縁に達して側面グランド電極３６に連続する。

第２層＃２には、その上面に３本のストリップライン共振器３８、４０、４２（図１中のＴ１、Ｔ２、Ｔ３に相当する）が形成されている。各ストリップライン共振器３８、４０、４２は細長矩形状で、その一端は外周縁に達して側面グランド電極３６に連続して短絡端となり、他端は外周縁には達せず離間した状態にあって開放端となる。出力端側のストリップライン共振器４２の開放端付近の側縁からは、出力側接続ライン４４が出力側の端縁まで達するように形成され、側面出力電極３４に接続される。

第３層＃３には、入力端側のストリップライン共振器３８に上下方向で対応する位置にコンデンサ電極４６が形成され、該コンデンサ電極４６の側縁には、入力側の端縁から入力側接続ライン４８が形成され、側面入力電極３２に接続される。コンデンサ電極４６とストリップライン共振器３８間で厚み方向で図１中のコンデンサＣが形成される。

最下層（第４層）＃４には、その上面にインダクタ電極５０が形成される。インダクタ電極５０の一方は側面入力電極３２に接続され、他方は側面グランド電極３６に接続される。ここでインダクタ電極５０はミアンダ状に形成されているが、スルーホールを用いてコイル状に形成してもよいし、インダクタンス値が小さければ鉤型状としてもよい。インダクタ電極５０は、上下方向で入力端側のストリップライン共振器３８に重なるか、もしくはその近傍に位置するように設けられる。最下層＃４の裏面に当たる部分には、両端縁近傍部を除きほぼ全面に底面グランド電極５２が形成されており、両側縁は側面グランド電極３６に連続している。また、側面入力電極３２に連続するように底面入力電極５４が形成され、側面出力電極３４に連続するように底面出力電極５６が形成される。従って、側面入力電極３２と底面入力電極５４とが入力電極２０（図２参照）となり、側面出力電極３４と底面出力電極５６とが出力電極２２（図２参照）となる。また、上面アース電極３０と側面アース電極３６と底面アース電極５２とがアース電極２４となる。

図２及び図３に示す例では、各層間の接続を側面電極（側面入力電極３２、側面出力電極３４、側面アース電極３６）で行っているが、それらの一部もしくは全部をスルーホールを用いて行う構成とすることもできる。側面電極は、積層一体化後に導体ペーストを印刷することで形成する。また、バンドパスフィルタ部の出力端側は直接結合であるが、容量結合でもよい。なお、各層は、１枚以上の誘電体グリーンシートからなる。

このような構造の積層型誘電体バンドパスフィルタのフィルタ特性について、図４により説明する。特性曲線ａは、バンドパスフィルタ部だけの場合の特性を示している（従来例）。また特性曲線ｂは、整合回路部のインダクタとバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器との結合が殆ど無いか非常に弱い場合の特性を示している（比較例）。それに対して特性曲線ｃは、整合回路部のインダクタとバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器との結合がやや強い場合の特性を示しており（本発明）、１．５ＧＨｚ付近に減衰極ｐ１が現れている。特性曲線ｄは、整合回路部のインダクタとバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器との結合を更に強めた場合の特性を示している（本発明）。この場合、減衰極ｐ２が２ＧＨｚ付近に現れており、減衰特性がより一層急峻になっていることが分かる。つまり、結合が弱まるほど、減衰極の周波数位置は低周波側に移る。いずれにしても本発明ではハイパス型の整合回路部であるため、２ＧＨｚより低い周波数において減衰特性が改善されている。また、特性曲線ａ〜ｄを比べれば明らかなように、本発明のように整合回路部を設けても、通過帯域や高域側の減衰特性にはほとんど影響を与えていない（バンドパスフィルタ部により形成される本来の減衰極ｐ３の周波数位置はほとんど変化していない）ことが分かる。

整合回路部のインダクタとバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器との結合度は、第２層＃２及び第３層＃３の厚さ、あるいはストリップライン共振器３８に対するインダクタ電極５０の水平方向の位置ずれによって調整できる。層厚が厚くなれば結合は弱く、層厚が薄くなれば結合は強くなるし、位置ずれ量が大きければ結合は弱く、位置ずれ量が小さければ結合は強くなる。実際には、層厚よりも位置ずれ量の方が結合度の変化に与える影響（減衰を強めたり弱めたりする効果）が大きく、また層厚を大きく変えることは難しいので、インダクタ電極５０の位置ずれ量（重なり具合）を調整する方が有効である。因みに、図３の例で、インダクタ電極５０を左方向へずらしストリップライン共振器３８との重なり具合を減らすと、結合は弱くなり、減衰極の周波数位置は低周波側（左方向）へ移る。

図５は、本発明に係る積層型誘電体バンドパスフィルタの他の実施例を示す等価回路図である。この積層型誘電体バンドパスフィルタは、不平衡信号を入力する不平衡入力端ＩＮと平衡信号を出力する平衡出力端ＯＵＴ１、ＯＵＴ２との間に配置される整合回路部１０とバンドパスフィルタ部１２を組み合わせた構成である。ここでバンドパスフィルタ部１２は、３本の両端開放の１／２波長共振型のストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３からなる。ストリップライン共振器Ｔ１−Ｔ２間の電磁界結合をＭ１で、ストリップライン共振器Ｔ２−Ｔ３間の電磁界結合をＭ２で表す。整合回路部１０は、コンデンサＣとインダクタＬとからなる。整合回路部１０は不平衡入力端側に配置され、不平衡入力端ＩＮと該不平衡入力端側のストリップライン共振器Ｔ１との間にコンデンサＣを配置し、不平衡入力端ＩＮとグランドとの間にインダクタＬを配置した構成である。整合回路部１０のインダクタＬとバンドパスフィルタ部１２との間の電磁界結合をＭｉで表す。

まず、ストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３とそれらの間の電磁的結合Ｍ１，Ｍ２からなるバンドパスフィルタ部１２は、ストリップライン共振器Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の電気的長さの２倍を１波長とする共振周波数で共振し、その近傍の周波数帯域を通過帯域としてそれ以外の周波数帯域を減衰させるバンドパスフィルタ特性を呈する。ここで電磁界結合Ｍ１、Ｍ２により、通過帯域幅や減衰極の位置が変化する。電磁界結合Ｍ１、Ｍ２が、電界結合が主である場合には減衰極は通過帯域よりも低域側に発生し、磁界結合が主である場合には逆に減衰極は通過帯域より高域側に発生するが、積層構造の誘電体バンドパスフィルタでは、通常、磁界結合が主となるので、減衰極は通過帯域よりも高域側に発生する。

次に、整合回路部１０は、帯域内の反射特性を改善し、通過特性を改善する機能を果たす。コンデンサＣとインダクタＬの組み合わせは、ハイパス型の整合回路部となり、ＤＣ〜低周波領域の減衰特性も改善する。そして、整合回路部１０のインダクタＬとバンドパスフィルタ部１２のストリップライン共振器Ｔ１との電磁界的結合Ｍｉは、バンドパスフィルタ部１２で発生する減衰極以外に、更にもう一つの減衰極を通過帯域よりも低域側に発生させる。その滅衰極は、電磁界的結合Ｍｉの値によって周波数位置が変化し、更に電磁界的結合Ｍｉの変化は通過帯域にほとんど影響を及ぼさないため、バンドパスフィルタ部１２は再設計する必要が無い。また、その減衰極を通過帯域付近の周波数位置に発生させることにより急峻な減衰特性を得ることができ、減衰極の周波数位置を変化させることで、必要とするバンドパスフィルタ特性を発現させることができる。

図５に示す等価回路は、図６及び図７で説明する構造の積層型誘電体バンドパスフィルタで実現できる。図６は、その外観の斜視図であり、図７は、その内部構造を各層毎に示す説明図である。

この実施例の積層型誘電体バンドパスフィルタは、外観的には図６に示すように、直方体状の誘電体チップ形式である。該チップの一方の端面の上端縁中央から下端縁に達し、更に底面の一部に広がるように、帯状に不平衡入力電極６０（入力端ＩＮ）が形成され、該不平衡入力電極６０に対向する他方の端面の上端縁から下端縁に達し、更には底面の一部に広がるように、帯状に２つの平衡出力電極６２（出力端ＯＵＴ１、ＯＵＴ２）が互いに離間して形成されている。更に、前記不平衡入力電極６０と平衡出力電極６２が形成されている両端面及びその近傍を除き、チップの上面、両側面、及び底面の大部分にわたってアース電極６４が形成されている。

次に、前記チップの内部構造について、図７により、最上層＃１から最下層＃４まで順に説明する。

最上層（第１層）＃１には、その上面のほぼ全面にわたって上面グランド電極７０が形成されている。該上面グランド電極７０は、相対向する側面入力電極７２と側面出力電極７４寄りの両辺は外周縁には達せず離間しており、それらと直交する対向辺は外周縁に達して側面グランド電極７６に連続する。

第２層＃２には、その上面に３本のストリップライン共振器７８、８０、８２（図５中のＴ１、Ｔ２、Ｔ３に相当する）が形成されている。各ストリップライン共振器７８、８０、８２は細長矩形状で、その両端はいずれも外周縁には達せず離間した状態にあって開放端となる。出力端側のストリップライン共振器８２の両開放端付近の側縁からは、それぞれ出力側接続ライン８４が出力側の端縁まで達するように形成され、側面出力電極７４に接続される。そのため、２つの側面出力電極７４では出力信号の位相が１８０度ずれ、バラン機能が付加される。

第３層＃３には、入力端側のストリップライン共振器７８に上下方向で対応する位置にコンデンサ電極８６が形成され、該コンデンサ電極８６の側縁には、入力側の端縁から入力側接続ライン８８が形成され、側面入力電極７２に接続される。コンデンサ電極８６とストリップライン共振器７８間で図５中のコンデンサＣが形成される。

最下層（第４層）＃４には、その上面にインダクタ電極９０が形成される。インダクタ電極９０の一方は側面入力電極７２に接続され、他方は側面グランド電極７６に接続される。ここでインダクタ電極９０はミアンダ状に形成されているが、スルーホールを用いてコイル状に形成してもよいし、インダクタンス値が小さければ鉤型状としてもよい。インダクタ電極９０は、上下方向で入力端側のストリップライン共振器７８に重なるか、もしくはその近傍に位置するように設けられる。最下層＃４の裏面に当たる部分には、両端縁近傍部を除きほぼ全面に底面グランド電極９２が形成されており、両側縁は側面グランド電極７６に連続している。また、側面入力電極７２に連続するように底面入力電極９４が形成され、側面出力電極７４に連続するように底面出力電極９６が形成される。従って、側面入力電極７２と底面入力電極７４とが不平衡入力電極６０（図６参照）となり、側面出力電極７４と底面出力電極９６とが平衡出力電極６２（図６参照）となる。また、上面アース電極７０と側面アース電極７６と底面アース電極９２とがアース電極６４となる。

この実施例の積層型誘電体バンドパスフィルタは、前記実施例と同様に、バンドパスフィルタ部と整合回路部により通過帯域内の通過特性を良好に保ちつつ、整合回路部のインダクタをバンドパスフィルタ部と電磁界的に結合することにより、通過帯域に影響を与えることなく減衰帯域に減衰極を設けることができ、またその結合度を変えることにより、減衰極の周波数位置を変えることができる。その他、この実施例では、不平衡−平衡変換をするバラン機能を有する。

本発明に係る積層型誘電体バンドパスフィルタの一実施例を示す等価回路図。 その積層型誘電体バンドパスフィルタの外観図。 その積層型誘電体バンドパスフィルタの内部構造を示す説明図。 そのフィルタ特性を示すグラフ。 本発明に係る積層型誘電体バンドパスフィルタの他の実施例を示す等価回路図。 その積層型誘電体バンドパスフィルタの外観図。 その積層型誘電体バンドパスフィルタの内部構造を示す説明図。

符号の説明

１０ 整合回路部
１２ バンドパスフィルタ部
２０ 入力電極
２２ 出力電極
２４ アース電極
３８、４０、４２ ストリップライン共振器
４６ コンデンサ電極
５０ インダクタ電極

Claims (5)

1. 信号の入力端と出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、入力端側及び／又は出力端側に配置されるコンデンサとインダクタからなるハイパス型の整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタ。
2. 信号の入力端と出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、前記入力端と該入力端側のストリップライン共振器との間に配置されたコンデンサと前記入力端とグランドとの間に配置されたインダクタとからなる整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタ。
3. バンドパスフィルタ部の各ストリップライン共振器が一端開放他端短絡の１／４波長共振型である請求項１又は２の記載の積層型誘電体バンドパスフィルタ。
4. 不平衡信号を入力する不平衡入力端と平衡信号を出力する平衡出力端との間に配置される複数のストリップライン共振器からなるバンドパスフィルタ部と、前記不平衡入力端と該不平衡入力端側のストリップライン共振器との間に配置されたコンデンサと前記不平衡入力端とグランドとの間に配置されたインダクタとからなる整合回路部とを具備し、前記バンドパスフィルタ部と整合回路部とは同じ積層誘電体チップ中に埋設形成されており、整合回路部のインダクタがバンドパスフィルタ部のストリップライン共振器と電磁界的に結合していることを特徴とする積層型誘電体バンドパスフィルタ。
5. バンドパスフィルタ部の各ストリップライン共振器が両端開放の１／２波長共振型である請求項４の記載の積層型誘電体バンドパスフィルタ。

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