JP2006184269A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】外部磁界を受けた場合でも導体に流れる電流値を高精度に求めることのできる電流センサを提供する。
【解決手段】バスバー２を、それぞれに流れる電流が略同一となる第１の導体部２１と第２の導体部２２に分離し、第１の導体部２１の近傍にホール素子３ａを設け、更に第２の導体部２２の近傍にホール素子３ｂを設け、且つホール素子３ａが第１の導体部２１に生じる磁界を検出する向きと、ホール素子３ｂが第２の導体部２２に生じる磁界を検出する向きが互いに逆向きとなるように各ホール素子３ａ，３ｂを配置する。更に、ホール素子３ａにより検出される磁界とホール素子３ｂにより検出される磁界を減算して得られる磁界に基づいて、バスバー２に流れる電流を求める演算回路４を設ける構成とした。
【選択図】 図１

Description

本発明は、導体に流れる電流を高精度に検出する電流センサに関する。

従来における電流センサとして、例えば特開２００１−２２１８１５号公報（特許文献１）に記載されたものが知られている。図８は特許文献１に記載された電流センサの構成を示す説明図である。同図に示すように、この電流センサは、被測定電流を流す電流通路形成用の導体１０１と、導体１０１に電流が流れた際に、この導体１０１の近傍に生じる磁界を検出するためのホールＩＣ１０２とを備えており、これらは樹脂成形体１０３を用いて一体化されている。

また、導体１０１はＵ字形状をなしており、該導体１０１の互いに向き合う導体間では、集磁効果をもたらしている。そして、ホールＩＣ１０２は、導体１０１に流れる電流によって生じる磁界が該ホールＩＣ１０２で効率良く検出できる位置に配置されている。

そして、導体１０１の周囲にはこの導体１０１に流れる電流値に比例した磁界が発生するので、ホールＩＣ１０２はホール素子１０４で検出される磁界に比例した大きさの電圧信号を出力する。これにより被測定電流に比例した電圧信号を得ることができ、結果として導体１０１に流れる電流値を求めることができる。
特開２００１−２２１８１５号公報

しかしながら、上述した特許文献１に開示された従来技術は、ホール素子１０４の感磁方向に対して、外部磁界を受けた場合に、この外部磁界がバイアスとなり、出力電圧に誤差が生じてしまうという問題が発生する。

本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、外部磁界を受けた場合でも導体に流れる電流値を高精度に求めることのできる電流センサを提供することにある。

上記目的を達成するため、本願請求項１に記載の発明は、導体に流れる電流により生じる磁界を検出し、検出された磁界に基づいて前記導体に流れる電流を検出する電流センサにおいて、前記導体を２つの導体部に分離して前記導体に流れる電流を分流させ、前記２つの導体部近傍にそれぞれ磁気検出手段を設け、且つ、前記各磁気検出手段は、各導体部の周囲に発生する磁界を互いに逆向きとなる方向で検出し、前記各磁気検出手段にて検出された磁界に基づいて、前記導体に流れる電流を求めることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、導体に流れる電流により生じる磁界を検出し、検出された磁界に基づいて前記導体に流れる電流を検出する電流センサにおいて、前記導体を、それぞれに流れる電流が略同一となる第１の導体部と第２の導体部に分離し、前記第１の導体部の近傍に第１の磁気検出手段を設け、更に前記第２の導体の近傍に第２の磁気検出手段を設け、且つ前記第１の磁気検出手段が前記第１の導体部に生じる磁界を検出する向きと、前記第２の磁気検出手段が前記第２の導体部に生じる磁界を検出する向きが互いに逆向きとなるように前記各磁気検出手段を配置し、更に、前記第１の磁気検出手段により検出される磁界と前記第２の磁気検出手段により検出される磁界を減算して得られる磁界に基づいて前記導体に流れる電流を求める演算手段を備えることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、前記第１の磁気検出手段及び前記第２の磁気検出手段は、前記第１の導体部と前記第２の導体部の中心線に対して対称となる位置に配置されることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、前記導体の中央部に開口部を形成することにより、前記導体を前記第１の導体部、第２の導体部に分離し、前記第１の磁気検出手段、及び第２の磁気検出手段は、前記開口部内に設けられることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、前記第１の磁気検出手段及び第２の磁気検出手段は、ホール素子であることを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、前記第１の磁気検出手段及び第２の磁気検出手段は、磁気インピーダンス（ＭＩ）センサであることを特徴とする。

請求項１，２の発明では、導体に流れる電流を２つの導体部に分流し、各導体部近傍に設けられた磁気検出手段で各導体部に流れる電流に起因して生じる磁界を検出する。この際、各磁気検出手段は、導体部周囲に生じる磁界を互いに逆方向となる向きで検出するので、２つの磁気検出手段で検出された磁界を減算すれば、結果として２つの磁界を加算したことになり、この結果を用いて導体に流れる電流を求めることができる。また、導体の外部から各磁気検出手段に印加される外部磁界は、２つの磁気検出手段で検出された磁界を減算することにより相殺されるので、外部磁界の影響を回避することができる。

請求項３の発明では、第１の磁気検出手段と第２の磁気検出手段が第１の導体部と第２の導体部の中心線に対して対称となる位置に配置されるので、各磁気検出手段に印加される磁界を略同一とすることができ、各磁気検出手段では、等大逆向きで発生する２つの磁界を高精度に検出することができる。

請求項４の発明では、導体の中央部に開口部を形成し、この開口部内に第１の磁気検出手段、及び第２の磁気検出手段を設けるので、磁気検出手段の取り付けスペースを容易に確保することができ、各構成部品のレイアウトを容易にすることができる。

請求項５の発明では、第１，第２の磁気検出手段としてホール素子を用いるので、第１の導体及び第２の導体に流れる電流に起因して生じる磁界を高精度に検出することができ、電流の検出精度を向上させることができる。

請求項６の発明では、第１，第２の磁気検出手段として磁気インピーダンス（ＭＩ）センサを用いるので、第１の導体及び第２の導体に流れる電流に起因して生じる磁界を高精度に検出することができ、電流の検出精度を向上させることができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサの構成を示す斜視図、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図を示している。図１に示すように、この電流センサ１は、断面矩形状をなし中央部に矩形状の開口部２ａが形成されたバスバー（導体）２と、バスバー２の開口部２ａの一方の側面近傍に設けられた第１のホール素子（第１の磁気検出手段）３ａと、他方の側面近傍に設けられた第２のホール素子（第２の磁気検出手段）３ｂと、開口部２ａの上部適所に設けられた演算回路（演算手段）４を備えている。なお、第１のホール素子３ａと第２のホール素子３ｂは磁界の検出特性が同一となるものを使用している。

更に、第１，第２のホール素子３ａ，３ｂ、及び演算回路４を含む開口部２ａの周辺部は樹脂等の絶縁材料で構成された絶縁性包囲体５により全体が覆設されて一体化されている。

開口部２ａは、図２に示すようにバスバー２の幅方向の略中央部に形成されており、従って開口部２ａの図中左側となる導体部（第１の導体部）２１と図中右側となる導体部（第２の導体部）２２の断面は同一形状となり、各導体部２１，２２に流れる電流は略同一となる。つまり、各導体部２１，２２には、バスバー２全体に流れる電流の１／２となる電流がそれぞれ流れる（分流する）ことになる。

また、上述したように第１のホール素子３ａは、開口部２ａ内の導体部２１近傍に配置され、第２のホール素子３ｂは、開口部２ａ内の導体部２２近傍に配置され、この際、第１のホール素子３ａ及び第２のホール素子３ｂは、導体部２１と導体部２２の中心線に対して対称となる位置に配置される。つまり、導体部２１から第１のホール素子３ａまでの距離と、導体部２２から第２のホール素子３ｂまでの距離が略同一となる。

各ホール素子３ａ，３ｂは、該ホール素子３ａ，３ｂに印加される磁界に比例した大きさとなる電圧信号を生成し、この電圧信号を演算回路４に出力する。

演算回路４は、各ホール素子３ａ，３ｂより出力される電圧信号に基づいて、バスバー２に流れる電流値を求め、求めた電流値を後段の回路（図示せず）に出力する。

次に、上記のように構成された本実施形態に係る電流センサ１の作用について説明する。図３は、バスバー２の開口部２ａ周辺に発生する磁界を示す説明図である。同図に示すように、導体部２１に電流が流れることにより、電流方向に対する右ねじの方向に第１の磁界が発生し、同様に導体部２２に電流が流れることにより、電流方向に対する右ねじの方向に第２の磁界が発生する。この際、上述したように、各導体部２１，２２に流れる電流は同一となるので、これらの電流により生じる第１の磁界、第２の磁界は大きさが等しくなる。ここで、この磁界をＢＩとする。

更に、バスバー２に流れる電流に起因して生じる磁界以外の外部磁界として、例えば、バスバー２の開口部２ａの法線方向に向く外部磁界Ｂαが発生し、この外部磁界Ｂαが各ホール素子３ａ，３ｂに印加された場合を想定する。

以下、外部磁界Ｂαが存在する場合に演算回路４で求められる電流値と、外部磁界Ｂαが存在しない場合に演算回路４で求められる電流値とを対比して説明する。

＜外部磁界Ｂαが存在しない場合＞
外部磁界Ｂαが存在しない場合には、第１のホール素子３ａに印加される磁界はＢＩとなり、第１のホール素子３ａは、磁界ＢＩに比例した大きさとなる電圧Ｖ１を出力する。即ち、ｋを比例定数として（１）式で示される。

Ｖ１＝ｋ*ＢＩ ・・・（１）
また、第２のホール素子３ｂに印加される磁界は、第１のホール素子３ａの場合と向きが逆向きとなるので−ＢＩとなり、第２のホール素子３ｂは、磁界−ＢＩに比例した大きさとなる電圧Ｖ２を出力する。即ち、（２）式で示される。

Ｖ２＝ｋ*（−ＢＩ） ・・・（２）
そして、演算回路４で各ホール素子３ａ，３ｂより出力された各電圧信号Ｖ１，Ｖ２を差動増幅（減算）すると、Ｖ１−Ｖ２の値は（３）式で示される。

Ｖ１−Ｖ２＝ｋ*｛ＢＩ−（−ＢＩ）｝＝ｋ*２ＢＩ ・・・（３）
そして、演算回路４では、（３）式で求められたＶ１−Ｖ２の値に基づいて、バスバー２に流れる電流値を求めることができる。

＜外部磁界Ｂαが存在する場合＞
外部磁界Ｂαが存在する場合には、第１のホール素子３ａに印加される磁界は（ＢＩ＋Ｂα）となり、第１のホール素子３ａは、磁界（ＢＩ＋Ｂα）に比例した大きさとなる電圧Ｖ１を出力する。即ち、ｋを比例定数として（４）式で示される。

Ｖ１＝ｋ*（ＢＩ＋Ｂα） ・・・（４）
また、第２のホール素子３ｂには、第１のホール素子３ａの場合と向きが相違する磁界−ＢＩが印加され、更に、外部磁界Ｂαは第１のホール素子３ａの場合と向きが同一となるので、電圧Ｖ２は（５）式で示される。

Ｖ２＝ｋ*（−ＢＩ＋Ｂα） ・・・（５）
そして、演算回路４で各ホール素子３ａ，３ｂより出力された各電圧信号Ｖ１，Ｖ２を差動増幅すると、Ｖ１−Ｖ２の値は（６）式で示される。

Ｖ１−Ｖ２＝ｋ*｛（ＢＩ＋Ｂα）−（−ＢＩ＋Ｂα）｝
＝ｋ*２ＢＩ ・・・（６）
（３）式と（６）式を比較すると、Ｖ１−Ｖ２を演算することにより外部磁界Ｂαが相殺され、外部磁界の影響を受けずにバスバー２に流れる電流により発生する磁界のみを検出できることが理解される。こうして、ホール素子３ａ，３ｂの近傍に外部磁界が存在する場合であっても、この外部磁界を相殺することにより、高精度にバスバー２に流れる電流値を求めることができる。

図４は、開口部２ａ内に生じる磁界の分布を示す説明図である。同図（ａ）に示すように、バスバー２の符号Ｐに示す方向に電流を流し、且つ、バスバー２の長手方向をＹ軸、幅方向をＸ軸として開口部２ａ内の座標を設定して開口部２ａ内の磁界を測定したところ、同図（ｂ）に示す如くの結果が得られた。

図４（ｂ）から明らかなように、開口部２ａの中心線βを境界として極性が相違し大きさが略同一となる磁界分布が得られた。これにより、上記の（１）式に示したｋ*ＢＩと、（２）式に示したｋ*（−ＢＩ）は同一の値となることを確認することができた。

このようにして、第１の実施形態に係る電流センサ１では、バスバー２の中央部に開口部２ａを形成し、この開口部２ａ内に特性が同一となる２つのホール素子３ａ，３ｂを配置し、各ホール素子３ａ，３ｂより出力される電圧信号Ｖ１，Ｖ２の差分を演算することにより、外部磁界Ｂαを相殺し、バスバー２に流れる電流に起因した磁界のみについての電圧信号を得ることができる。従って、外部磁界Ｂαが存在する場合であっても、この影響を受けることなく、バスバー２に流れる電流により発生する磁界のみを高精度に検出することができ、電流検出精度を著しく向上させることができる。

また、第１の実施形態の変形例として、図５に示すように、バスバー２の開口部２ａ内に、２個のホール素子１３と演算回路１４が搭載されたホールＩＣ６を配置し、このホールＩＣ６を絶縁性包囲体５で覆設する構成とすることも可能である。このような構成とすれば、上述した第１の実施形態と比較して取り付け作業が容易となり、且つ小型、省スペース化を図ることができる。

次に、第２の実施形態について説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る電流センサの構成を示す斜視図、図７は、図６におけるＢ−Ｂ断面図を示している。図６に示すように、この電流センサ３１は、断面矩形状をなし中央部に矩形状の開口部３２ａが形成されたバスバー（導体）３２と、バスバー３２の開口部３２ａの一方の側面近傍に設けられた第１のＭＩセンサ（第１の磁気検出手段）３３ａと、他方の側面近傍に設けられた第２のＭＩセンサ（第２の磁気検出手段）３３ｂと、開口部３２ａ内部の２つのＭＩセンサ３３ａ，３３ｂの間に配置された演算回路（演算手段）３４を備えている。

ここで、ＭＩセンサとは、ＭＩ効果（磁気インピーダンス効果）を用いた磁気センサであり、ＭＩ効果とは、アモルファスワイヤにパルス電流を流したときのインピーダンスが微小な外部磁界によって極めて大きな変化を示す現象である。また、第１のＭＩセンサ３３ａと第２のＭＩセンサ３３ｂは磁界の検出特性が同一となるものを使用している。

更に、第１，第２のＭＩセンサ３３ａ，３３ｂ、及び演算回路３４を含む開口部３２ａの周辺部は樹脂等の絶縁材料で構成された絶縁性包囲体３５により全体が覆設されて一体化されている。

開口部３２ａは、図７に示すようにバスバー２の幅方向の略中央部に形成されており、従って開口部３２ａの図中左側となる導体部（第１の導体部）５１と図中右側となる導体部（第２の導体部）５２の断面は同一形状となり、各導体部５１，５２に流れる電流は略同一となる。つまり、各導体部５１，５２には、バスバー３２全体に流れる電流の１／２となる電流がそれぞれ流れることになる。

また、上述したように第１のＭＩセンサ３３ａは、開口部３２ａ内の導体部５１近傍に配置され、第２のＭＩセンサ３３ｂは、開口部３２ａ内の導体部５２近傍に配置され、この際、第１のＭＩセンサ３３ａ及び第２のＭＩセンサ３３ｂは、導体部５１と導体部５２の中心線に対して対称となる位置に配置される。つまり、導体部５１から第１のＭＩセンサ３３ａまでの距離と、導体部５２から第２のＭＩセンサ３３ｂまでの距離が略同一となる。

各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂは、該ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂに印加される磁界に比例した大きさとなる電圧信号を生成し、この電圧信号を演算回路３４に出力する。

演算回路３４は、各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂより出力される電圧信号に基づいて、バスバー３２に流れる電流値を求め、求めた電流値を後段の回路（図示せず）に出力する。

次に、上記のように構成された第２の実施形態に係る電流センサ３１の作用について説明する。図７に示すように、導体部５１に電流が流れることにより、電流方向に対する右ねじの方向に第１の磁界が発生し、同様に導体部５２に電流が流れることにより、電流方向に対する右ねじの方向に第２の磁界が発生する。この際、上述したように、各導体部５１，５２に流れる電流は同一となるので、これらの電流により生じる第１の磁界、第２の磁界は大きさが等しくなる。ここで、この磁界をＢＩとする。

更に、バスバー３２に流れる電流に起因して生じる磁界以外の外部磁界として、例えば、バスバー３２の開口部３２ａの法線方向に向く外部磁界Ｂαが発生し、この外部磁界Ｂαが各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂに印加された場合を想定する。

以下、外部磁界Ｂαが存在する場合に演算回路３４で求められる電流値と、外部磁界Ｂαが存在しない場合に演算回路３４で求められる電流値とを対比して説明する。

＜外部磁界Ｂαが存在しない場合＞
外部磁界Ｂαが存在しない場合には、第１のＭＩセンサ３３ａに印加される磁界はＢＩとなり、第１のＭＩセンサ３３ａは、磁界ＢＩに比例した大きさとなる電圧Ｖ１を出力する。即ち、ｋを比例定数として（７）式で示される。

Ｖ１＝ｋ*ＢＩ ・・・（７）
また、第２のＭＩセンサ３３ｂに印加される磁界は、第１のＭＩセンサ３３ａの場合と向きが逆向きとなるので−ＢＩとなり、第２のＭＩセンサ３３ｂは、磁界−ＢＩに比例した大きさとなる電圧Ｖ２を出力する。即ち、（８）式で示される。

Ｖ２＝ｋ*（−ＢＩ） ・・・（８）
そして、演算回路３４で各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂより出力された各電圧信号Ｖ１，Ｖ２を差動増幅（減算）すると、Ｖ１−Ｖ２の値は（９）式で示される。

Ｖ１−Ｖ２＝ｋ*｛ＢＩ−（−ＢＩ）｝＝ｋ*２ＢＩ ・・・（９）
そして、演算回路３４では、（９）式で求められたＶ１−Ｖ２の値に基づいて、バスバー３２に流れる電流値を求めることができる。

＜外部磁界Ｂαが存在する場合＞
外部磁界Ｂαが存在する場合には、第１のＭＩセンサ３３ａに印加される磁界は（ＢＩ＋Ｂα）となり、第１のＭＩセンサ３３ａは、磁界（ＢＩ＋Ｂα）に比例した大きさとなる電圧Ｖ１を出力する。即ち、ｋを比例定数として（１０）式で示される。

Ｖ１＝ｋ*（ＢＩ＋Ｂα） ・・・（１０）
また、第２のＭＩセンサ３３ｂには、第１のＭＩセンサ３３ａの場合と向きが相違する磁界−ＢＩが印加され、更に、外部磁界Ｂαは第１のＭＩセンサ３３ａの場合と向きが同一となるので、電圧Ｖ２は（１１）式で示される。

Ｖ２＝ｋ*（−ＢＩ＋Ｂα） ・・・（１１）
そして、演算回路３４で各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂより出力された各電圧信号Ｖ１，Ｖ２を差動増幅すると、Ｖ１−Ｖ２の値は（１２）式で示される。

Ｖ１−Ｖ２＝ｋ*｛（ＢＩ＋Ｂα）−（−ＢＩ＋Ｂα）｝
＝ｋ*２ＢＩ ・・・（１２）
（９）式と（１２）式を比較すると、Ｖ１−Ｖ２を演算することにより外部磁界Ｂαが相殺され、外部磁界の影響を受けずにバスバー３２に流れる電流により発生する磁界のみを検出できることが理解される。こうして、ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂの近傍に外部磁界が存在する場合であっても、この外部磁界を相殺することにより、高精度にバスバー３２に流れる電流値を求めることができる。

このようにして、第２の実施形態に係る電流センサ３１では、バスバー３２の中央部に開口部３２ａを形成し、この開口部３２ａ内に特性が同一となる２つのＭＩセンサ素子３３ａ，３３ｂを配置し、各ＭＩセンサ３３ａ，３３ｂより出力される電圧信号Ｖ１，Ｖ２の差分を演算することにより、外部磁界Ｂαを相殺し、バスバー３２に流れる電流に起因した磁界のみについての電圧信号を得ることができる。従って、外部磁界Ｂαが存在する場合であっても、この影響を受けることなく、バスバー３２に流れる電流により発生する磁界のみを高精度に検出することができ、電流検出精度を著しく向上させることができる。

以上、本発明の電流センサを図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。

更に、上述した実施形態では、磁気検出手段としてホール素子、ＭＩセンサを用いる例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の磁気検出手段を用いることも可能である。

外部磁界が存在する場合でも導体に流れる電流を高精度に検出する上で極めて有用である。

本発明の第１の実施形態に係る電流センサの構成を示す斜視図である。 図１に示す電流センサのＡ−Ａ断面図である。 開口部の近傍に発生する磁界を示す説明図である。 開口部内に生じる磁界分布を示す説明図である。 ホール素子をＩＣ化した場合の構成を示す説明図である。 本発明の第２の実施形態に係る電流センサの構成を示す斜視図である。 図６に示す電流センサのＢ−Ｂ断面図である。 従来技術に係る電流センサの構成を示す説明図である。

符号の説明

１，３１ 電流センサ
２，３２ バスバー（導体）
２ａ，３２ａ 開口部
３ａ 第１のホール素子（第１の磁気検出手段）
３ｂ 第２のホール素子（第２の磁気検出手段）
４，１４，３４ 演算回路（演算手段）
５，３５ 絶縁性包囲体
６ ２素子入りホールＩＣ
１３ ホール素子
２１，２２ 導体部
３３ａ 第１のＭＩセンサ（第１の磁気検出手段）
３３ｂ 第２のＭＩセンサ（第２の磁気検出手段）
５１，５２ 導体部
１０１ 導体
１０２ ホールＩＣ
１０３ 樹脂成形体
１０４ ホール素子

Claims (6)

1. 導体に流れる電流により生じる磁界を検出し、検出された磁界に基づいて前記導体に流れる電流を検出する電流センサにおいて、
   前記導体を２つの導体部に分離して前記導体に流れる電流を分流させ、前記２つの導体部近傍にそれぞれ磁気検出手段を設け、且つ、前記各磁気検出手段は、各導体部の周囲に発生する磁界を互いに逆向きとなる方向で検出し、
   前記各磁気検出手段にて検出された磁界に基づいて、前記導体に流れる電流を求めることを特徴とする電流センサ。
2. 導体に流れる電流により生じる磁界を検出し、検出された磁界に基づいて前記導体に流れる電流を検出する電流センサにおいて、
   前記導体を、それぞれに流れる電流が略同一となる第１の導体部と第２の導体部に分離し、前記第１の導体部の近傍に第１の磁気検出手段を設け、更に前記第２の導体の近傍に第２の磁気検出手段を設け、且つ前記第１の磁気検出手段が前記第１の導体部に生じる磁界を検出する向きと、前記第２の磁気検出手段が前記第２の導体部に生じる磁界を検出する向きが互いに逆向きとなるように前記各磁気検出手段を配置し、
   更に、前記第１の磁気検出手段により検出される磁界と前記第２の磁気検出手段により検出される磁界を減算して得られる磁界に基づいて前記導体に流れる電流を求める演算手段を備えることを特徴とする電流センサ。
3. 前記第１の磁気検出手段及び前記第２の磁気検出手段は、前記第１の導体部と前記第２の導体部の中心線に対して対称となる位置に配置されることを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
4. 前記導体の中央部に開口部を形成することにより、前記導体を前記第１の導体部、第２の導体部に分離し、前記第１の磁気検出手段、及び第２の磁気検出手段は、前記開口部内に設けられることを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
5. 前記第１の磁気検出手段及び第２の磁気検出手段は、ホール素子であることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の電流センサ。
6. 前記第１の磁気検出手段及び第２の磁気検出手段は、磁気インピーダンス（ＭＩ）センサであることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の電流センサ。
   

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