JP2010040814A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN‐HFET21のソース電極30とドレイン電極29との間にPNダイオード22を接続する。こうして、ソース電極30とドレイン電極29との間に印加されたサージ電圧による過大電流を基板側に逃がすことにより、GaN‐HFET21が1kV程度のサージ電圧が印加されても破壊することはない。また、PNダイオード22の上にGaN‐HFET21を積み上げた縦型構造を有しているので、PNダイオード22のアノード電極34とカソード電極33とを、バッファ層26,GaN層27およびAlGaN層28でなるエピタキシャル層の表面に形成する必要がなく、エピタキシャル層の表面の利用効率を上げることができる。また、上記エピタキシャル層のエッチングによるエッチングダメージがなく、GaN‐HFET21に特性にばらつきが生じない。
【選択図】図1
Description
半導体基板の表面上に形成されたエピタキシャル層と、
エピタキシャル層内に形成された能動素子と、
上記半導体基板内における上記能動素子の下部に形成されたダイオードと、
上記ダイオードのカソードと上記能動素子の一方の駆動電極とを電気的に接続する第1電極と、
上記ダイオードのアノードと上記能動素子の他方の駆動電極とを電気的に接続する第2電極と
を備えたことを特徴としている。
上記半導体基板は、P型半導体基板あるいはN型半導体基板である。
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記カソードは、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側の面における一部の領域に形成されており、
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記アノードは、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側とは反対側の面における全部の領域に形成されており、
上記第1電極および上記第2電極のうち、上記半導体基板内の上記全部の領域に形成された上記アノードに電気的に接続される電極は、上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された貫通電極であり、
上記半導体基板内の上記一部の領域に形成された上記カソードは、上記貫通電極と30μm以上の距離を隔てて配置されている。
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記カソードおよび上記アノードは、上記半導体基板の両面における全部の領域に形成されており、
上記第1電極および上記第2電極のうち、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側とは反対側の面に形成されている上記カソードあるいは上記アノードに電気的に接続される電極は、上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された貫通電極であり、
上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された上記貫通電極の周囲には、上記貫通電極と上記半導体基板および上記エピタキシャル層との間を絶縁する絶縁膜が形成されている。
上記半導体基板はシリコン基板であり、
上記エピタキシャル層は窒化ガリウム層であり、
上記ダイオードの上記カソードは、上記シリコン基板における一方の面に不純物濃度が1×1020(atoms/cm3)以上になるように、リンを拡散させて形成されている。
上記半導体基板は上記N型半導体基板であり、
上記N型半導体基板は窒化物半導体基板であり、
上記窒化物半導体基板における上記エピタキシャル層とは反対側の面上に形成された裏面電極を備え、
上記窒化物半導体基板と上記裏面電極とで、上記ダイオードとしてのショットキーダイオードを構成している。
上記エピタキシャル層は窒化物半導体の層である。
上記エピタキシャル層内に形成された上記能動素子は、横型電界効果トランジスタである。
図1は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す。尚、図1(a)は、本半導体装置の等価回路を示す。また、図1(b)は、本半導体装置の断面構造を示す。
本実施の形態は、上記第1実施の形態におけるPNダイオード22に換えて、ショットキーダイオードを形成したものである。
本実施の形態は、上記第1実施の形態におけるGaN‐HFET21のソース電極30とリードフレーム35との電気的接続を、外付けのAlワイヤー36に換えて、GaN‐HFETおよびPNダイオードを貫通して形成された貫通電極によって行うものである。
本実施の形態は、上記第3実施の形態においてはP型シリコン基板51の上記一方の面の一部に形成されているPNダイオード22のN型拡散層52を、P型シリコン基板における一方の面の全面に形成したものである。
22…PNダイオード、
23,51…P型シリコン基板、
24,52,71…N型拡散層、
25,53…P型拡散層、
26,54…バッファ層、
27,55…GaN層、
28,56…AlGaN層、
29,57…ドレイン電極、
30,58…ソース電極、
31,59…ゲート電極、
33,62,63…電極、
34,66…アノード電極、
35…リードフレーム、
36…Alワイヤー、
41…N型GaN基板、
42…Pt/Au裏面電極、
43…ショットキーダイオード、
65…貫通電極、
72…酸化膜。
Claims (8)
- 半導体基板の表面上に形成されたエピタキシャル層と、
エピタキシャル層内に形成された能動素子と、
上記半導体基板内における上記能動素子の下部に形成されたダイオードと、
上記ダイオードのカソードと上記能動素子の一方の駆動電極とを電気的に接続する第1電極と、
上記ダイオードのアノードと上記能動素子の他方の駆動電極とを電気的に接続する第2電極と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
上記半導体基板は、P型半導体基板であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記カソードは、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側の面における一部の領域に形成されており、
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記アノードは、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側とは反対側の面における全部の領域に形成されており、
上記第1電極および上記第2電極のうち、上記半導体基板内の上記全部の領域に形成された上記アノードに電気的に接続される電極は、上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された貫通電極であり、
上記半導体基板内の上記一部の領域に形成された上記カソードは、上記貫通電極と30μm以上の距離を隔てて配置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の半導体装置において、
上記半導体基板内に形成されたダイオードの上記カソードおよび上記アノードは、上記半導体基板の両面における全部の領域に形成されており、
上記第1電極および上記第2電極のうち、上記半導体基板の上記エピタキシャル層側とは反対側の面に形成されている上記カソードあるいは上記アノードに電気的に接続される電極は、上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された貫通電極であり、
上記半導体基板および上記エピタキシャル層を貫通して形成された上記貫通電極の周囲には、上記貫通電極と上記半導体基板および上記エピタキシャル層との間を絶縁する絶縁膜が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4までの何れか一つに記載の半導体装置において、
上記半導体基板はシリコン基板であり、
上記エピタキシャル層は窒化ガリウム層であり、
上記ダイオードの上記カソードは、上記シリコン基板における一方の面に不純物濃度が1×1020(atoms/cm3)以上になるように、リンを拡散させて形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
上記半導体基板は上記N型半導体基板であり、
上記N型半導体基板は窒化物半導体基板であり、
上記窒化物半導体基板における上記エピタキシャル層とは反対側の面上に形成された裏面電極を備え、
上記窒化物半導体基板と上記裏面電極とで、上記ダイオードとしてのショットキーダイオードを構成した
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項6までの何れか一つに記載の半導体装置において、
上記エピタキシャル層は窒化物半導体層である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項7までの何れか一つに記載の半導体装置において、
上記エピタキシャル層内に形成された上記能動素子は、横型電界効果トランジスタである
ことを特徴とする半導体装置。
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