JP2010025822A - 物理量センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板2、3と、シリコン基板2,3に形成された変位部(ダイアフラム)8と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド11と、前記電極パッド11に接合されたインターポーザ15と、を有する。インターポーザ15は、支持基板17と、電極パッド11との接合面(第1面)から第2面にかけて形成される導通部18と、前記導通部18の第2面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部22と、を有して構成される。
【選択図】図2
Description
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有し、
前記インターポーザは、ガラスで形成された支持基板と、前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドとの接合面である第1面から前記第1面との逆面である第2面にかけてシリコンで形成された導通部と、を有して構成されることを特徴とするものである。
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有し、
前記インターポーザは、シリコンで形成された支持基板と、前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドとの接合面である第1面から前記第1面との逆面である第2面にかけてシリコンで形成された導通部と、前記支持基板と前記導通部との間に介在する絶縁層と、を有して構成されることを特徴とするものである。
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有するものであり、
前記インターポーザを、
シリコン基板の上面にエッチングにより前記導通部を形成する工程、
前記導通部の周囲を、ガラス材によって埋め、前記シリコン基板と前記ガラス材から成るインターポーザ基板を形成する工程、
上下面の双方から前記導通部が露出するように、前記インターポーザ基板の上下面を削る工程、
前記インターポーザ基板を個々のインターポーザに分断する工程、を有して形成し、
続いて、前記インターポーザの一方の面に露出した前記導通部と前記電極パッド間を接合する工程、
を有することを特徴とするものである。
よって、各導通部18は、支持基板17の上面17eから下面17fにかけて形成され、上面17e及び下面17fで露出している。またこの実施形態では、インターポーザ15の四隅に形成された各凹部26内に各導通部18が設けられるため、各導通部18の側面の一部も露出している。この実施形態では、各導通部18は直方体状であり、各導通部18の露出した側面は、支持基板17の側面17gと同一面で形成されている。
2 第1シリコン基板
3 第2シリコン基板
7 キャビティ
8 ダイアフラム
11〜14 電極パッド
15 インターポーザ
16、42、59 通気口
17 支持基板
18 導通部
20 半田ボール
21 半田
27、57 導通パッド
30 回路基板
31 半田ランド部
40 支持部
50 シリコン基板
51、55 マスク層
52 ガラス材(支持基板)
53 突状部(導通部)
54 インターポーザ基板
B〜E ピエゾ素子
Claims (10)
- シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有し、
前記インターポーザは、ガラスで形成された支持基板と、前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドとの接合面である第1面から前記第1面との逆面である第2面にかけてシリコンで形成された導通部と、を有して構成されることを特徴とする物理量センサ。 - シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有し、
前記インターポーザは、シリコンで形成された支持基板と、前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドとの接合面である第1面から前記第1面との逆面である第2面にかけてシリコンで形成された導通部と、前記支持基板と前記導通部との間に介在する絶縁層と、を有して構成されることを特徴とする物理量センサ。 - 前記インターポーザの隅部に、前記第1面から前記第2面に至る前記導通部が形成されている請求項1又は2に記載の物理量センサ。
- 前記電極パッドは、前記変位部と同じ形成面側に形成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の物理量センサ。
- 前記変位部は圧力を受けて変位するダイアフラムであり、前記支持基板には前記ダイアフラムに通じる通気口が形成されている請求項4記載の物理量センサ。
- 前記通気口は、前記支持基板の厚さ方向に形成され、前記支持基板の前記第1面側には、前記通気口に連通し、前記通気口よりも平面面積が大きい凹部が形成されている請求項5記載の物理量センサ。
- 前記支持基板の第1面には、側面にまで通じる凹形状の前記通気口が形成されている請求項5記載の物理量センサ。
- 前記変位部の形成領域を除く前記シリコン基板と前記支持基板との間の空間領域に、支持部が設けられている請求項1ないし7のいずれかに記載の物理量センサ。
- シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、物理量の変化に応じて変位する変位部と、前記変位部の変位量を検出するための検出素子と、前記検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板の一方の面に形成された電極パッドと、前記電極パッドに接合されたインターポーザと、を有するものであり、
前記インターポーザを、
シリコン基板の上面にエッチングにより前記導通部を形成する工程、
前記導通部の周囲を、ガラス材によって埋め、前記シリコン基板と前記ガラス材から成るインターポーザ基板を形成する工程、
上下面の双方から前記導通部が露出するように、前記インターポーザ基板の上下面を削る工程、
前記インターポーザ基板を個々のインターポーザに分断する工程、を有して形成し、
続いて、前記インターポーザの一方の面に露出した前記導通部と前記電極パッド間を接合する工程、
を有することを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 前記導通部の位置でダイシングの方向を直交させて、前記導通部を分断する請求項9に記載の物理量センサの製造方法。
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JP2008189025A JP2010025822A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 物理量センサ及びその製造方法 |
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JP2008189025A JP2010025822A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 物理量センサ及びその製造方法 |
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