JP2010223640A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各凹部21a、21bの各底部21c、21dの一部に溝部30を設け、この溝部30に配線部24を設ける。また、溝部30の底面31よりも小さいサイズの貫通孔32内に、配線部24に接触すると共に電気的に接続された貫通電極25を設ける。これによると、キャップ部20に溝部30が設けられたことにより、キャップ部20において貫通孔32が形成される部位の厚みが小さくなるので、貫通孔32の平面サイズを小さくすることができる。また、溝部30によりキャップ部20のうち貫通孔32が形成される部位のみを薄くしているので、キャップ部20のうち貫通孔32が形成されない部分の厚みを維持でき、ひいてはキャップ部20の剛性を確保できる。
【選択図】図2
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。以下で示される半導体装置は、可動部を有する加速度センサや角速度センサ(ジャイロセンサ)等の力学量センサを備えたものであり、例えば車両の加速度や角速度の検出に用いられるものである。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図6は、本実施形態に係る半導体装置の一部拡大断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、溝部30の壁面が傾斜している。
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図7は、本実施形態に係る半導体装置の一部拡大断面図である。この図に示されるように、貫通電極25は、貫通孔32内に空間部が残されるように貫通孔32の壁面に形成されている。すなわち、「貫通孔32の壁面」というのは、貫通電極25が貫通孔32に埋め込まれているのではなく、貫通孔32の壁面のみに形成されていることを意味している。つまり、貫通孔32内の貫通電極25は中空状となっており、貫通孔32に完全には埋まっていない。
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図8は、本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、センサ部10とキャップ部20との間に接合部材40が備えられている。
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、各センシング部14、15が配置された各キャビティ16、17はそれぞれ分離された空間として構成されていたが、本実施形態では1つの空間に各センシング部14、15を配置した構造となっている。
本実施形態では、第1〜第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、第1センシング部14および第2センシング部15はそれぞれ加速度を検出できるように構成されていたが、本実施形態では第1センシング部14がZ軸方向の加速度を検出し、第2センシング部15が圧力を検出するように構成されていることが特徴となっている。
本実施形態では、第1〜第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、キャップ部20のうちセンサ部10側に溝部30を形成した構造について説明したが、キャップ部20のうちセンサ部10とは反対側に溝部30を形成しても良い。すなわち、本実施形態では、キャップ部20の一面20a側に貫通孔32を設け、他面20b側に溝部30を設けたことが特徴となっている。
上記各実施形態では、第1センシング部14はZ軸方向の加速度を検出するように構成され、第2センシング部15はX軸方向の加速度または圧力を検出するように構成されたものが示されているが、これは一例を示したものである。もちろん、半導体装置に設けられるセンシング部の数は1つでも良いし、3つ以上でも良い。センシング部が3つ以上の場合、例えば、3軸方向の加速度を検出する組み合わせとすることができ、加速度、角速度、圧力等の異なる物理量を検出するセンシング部の組み合わせとすることもできる。
10a センサ部の表面
14、15 センシング部
16、17、18 キャビティ
20 キャップ部
20a キャップ部の一面
20b キャップ部の他面
21a、21b 凹部
21c、21d 凹部の底部
24 配線部
25 貫通電極
30 溝部
31 溝部の底面
32 貫通孔
40 接合部材
Claims (12)
- 表面(10a)を有し、この表面(10a)側にセンシング部(14、15)が設けられたセンサ部(10)と、
前記表面(10a)に対向した一面(20a)と、この一面(20a)の反対側の他面(20b)と、前記一面(20a)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ凹部(21a、21b)とを有するキャップ部(20)とを備え、
前記センシング部(14、15)が前記凹部(21a、21b)と前記センサ部(10)との間に構成されたキャビティ(16〜18)に気密封止された半導体装置であって、
前記キャップ部(20)は、
前記凹部(21a、21b)の底部(21c、21d)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ溝部(30)と、
前記溝部(30)および前記凹部(21a、21b)に配置されると共に、前記センシング部(14、15)に電気的に接続された配線部(24)と、
前記底部(21c、21d)と前記他面(20b)とを貫通すると共に、前記溝部(30)の底面(31)よりも小さいサイズの貫通孔(32)と、
前記貫通孔(32)および前記他面(20b)に配置されると共に、前記底面(31)から露出した前記配線部(24)に電気的に接続された貫通電極(25)とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 表面(10a)を有し、この表面(10a)側にセンシング部(14、15)が設けられたセンサ部(10)と、
前記表面(10a)に対向した一面(20a)と、この一面(20a)の反対側の他面(20b)と、前記一面(20a)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ凹部(21a、21b)とを有するキャップ部(20)とを備え、
前記センシング部(14、15)が前記凹部(21a、21b)と前記センサ部(10)との間に構成されたキャビティ(16〜18)に気密封止された半導体装置であって、
前記キャップ部(20)は、
前記他面(20b)のうち、凹部(21a、21b)が投影された領域を含んだ一部が前記一面(20a)側に凹んだ溝部(30)と、
前記溝部(30)および前記他面(20b)に配置された配線部(24)と、
前記底面(31)と前記底部(21c、21d)とを貫通すると共に、前記溝部(30)の底面(31)よりも小さいサイズの貫通孔(32)と、
前記貫通孔(32)および前記凹部(21a、21b)に配置され、前記底面(31)から露出した前記配線部(24)に電気的に接続されると共に、前記センシング部(14、15)に電気的に接続された貫通電極(25)とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝部(30)は、該溝部(30)の径が前記一面(20a)側から前記他面(20b)側に小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記貫通電極(25)は、前記貫通孔(32)内に空間部が残されるように前記貫通孔(32)の壁面に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記配線部(24)は、前記溝部(30)内に空間部が残されるように前記溝部(30)の壁面に形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記センサ部(10)と前記キャップ部(20)との間には、前記表面(10a)の外縁部を一周するように配置された接合部材(40)を備えていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 表面(10a)を有し、この表面(10a)側にセンシング部(14、15)を備えたセンサ部(10)を用意する工程と、
前記表面(10a)に対向した一面(20a)と、この一面(20a)の反対側の他面(20b)と、前記一面(20a)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ凹部(21a、21b)とを有するキャップ部(20)を用意する工程と、
前記センシング部(14、15)を前記凹部(21a、21b)と前記センサ部(10)との間のキャビティ(16〜18)に気密封止する工程とを含んだ半導体装置の製造方法であって、
前記キャップ部(20)を用意する工程では、
前記凹部(21a、21b)の底部(21c、21d)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ溝部(30)を形成する工程と、
前記溝部(30)および前記凹部(21a、21b)に配置されると共に、前記センシング部(14、15)に電気的に接続される配線部(24)を形成する工程と、
前記底面(31)と前記他面(20b)とを貫通すると共に、前記溝部(30)の底面(31)よりも小さいサイズの貫通孔(32)を形成する工程と、
前記貫通孔(32)の内部および前記他面(20b)に配置されると共に、前記底面(31)から露出した前記配線部(24)に電気的に接続される貫通電極(25)を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 表面(10a)を有し、この表面(10a)側にセンシング部(14、15)を備えたセンサ部(10)を用意する工程と、
前記表面(10a)に対向した一面(20a)と、この一面(20a)の反対側の他面(20b)と、前記一面(20a)の一部が前記他面(20b)側に凹んだ凹部(21a、21b)とを有するキャップ部(20)を用意する工程と、
前記センシング部(14、15)を前記凹部(21a、21b)と前記センサ部(10)との間のキャビティ(16〜18)に気密封止する工程とを含んだ半導体装置の製造方法であって、
前記キャップ部(20)を用意する工程では、
前記他面(20b)のうち、凹部(21a、21b)が投影された領域を含んだ一部が前記一面(20a)側に凹んだ溝部(30)を形成する工程と、
前記溝部(30)および前記他面(20b)に配線部(24)を形成する工程と、
前記底面(31)と前記底部(21c、21d)とを貫通すると共に、前記溝部(30)の底面(31)よりも小さいサイズの貫通孔(32)を形成する工程と、
前記貫通孔(32)および前記凹部(21a、21b)に配置され、前記底面(31)から露出した前記配線部(24)に電気的に接続されると共に、前記センシング部(14、15)に電気的に接続されるように貫通電極(25)を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記溝部(30)を形成する工程では、前記溝部(30)の径が前記一面(20a)側から前記他面(20b)側に小さくなるように、前記溝部(30)を形成することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貫通電極(25)を形成する工程では、前記貫通孔(32)内に空間部が残されるように前記貫通電極(25)を前記貫通孔(32)の壁面に形成することを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線部(24)を形成する工程では、前記溝部(30)内に空間部が残されるように前記配線部(24)を前記溝部(30)の壁面に形成することを特徴とする請求項7ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記センシング部(14、15)を前記キャビティ(16〜18)に気密封止する工程では、前記センサ部(10)と前記キャップ部(20)との間に、前記表面(10a)の外縁部を一周するように接合部材(40)を配置することを特徴とする請求項7ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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