JP2009503891A - 異なる絶縁体の側壁スペーサを有するメモリ回路を形成するための方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
域内の個々の前記トランジスタゲート配線に向かいあう側壁上に異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成している。
以下に添付してある図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を以下で記載する。
ランジスタゲート配線15を含むように描いている。周辺回路領域16を、第一の最小配線間隙D1よりも大きい第二の最小配線間隙D2をともなういくつかの複数のトランジスタゲート配線17を含むように描いている。現在の世代での処理における典型的な配線間隙D1は780Åであり、もちろん次世代の処理における間隙の縮小が期待される。現在の世代でのD1の780Åの配線間隙に対するD2の配線間隙の例としては、1500Åから2000Åである。個々のトランジスタゲート配線15および17は、側壁19を有するように考慮されてもよい。
配線17上、に第二の絶縁体のスペーサ物質32を形成している。第二の絶縁体のスペーサ物質32は、第一の絶縁体のスペーサ物質30に対して都合よく選択的にエッチングすることが可能である。ここで、 第一のスペーサ物質30としては、例えば、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、およびハフニウム酸化物のいずれか一つもしくは複合物を含み、好ましい物質32の例はドープされていない二酸化シリコンである。本明細書の内容において「ドープされていない二酸化シリコン」は、ホウ素およびリンの一つもしくは複合物が1at.%(原子百分率)よりも多くない二酸化シリコン物質と定義している。ドープされていない二酸化シリコン32を堆積するための好ましい手段は、テトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)を使用する手段であり、そしてその結果として、堆積された二酸化シリコンは後述される好ましい選択的なウェットエッチングを容易にするように(その処理工程のこの時点では少なくとも)高濃度化(densify)されない。本明細書の記述中では、「高濃度化されない」ドープされていない二酸化シリコン層は700℃よりも低温で堆積しており、それは後段で或る温度すなわち少なくとも700℃で暴露されない限り、単に“高濃度化されない”状態のままである。描画されている好ましい実施の形態において、第二の絶縁体のスペーサ物質32は、メモリアレイ回路領域14内のトランジスタゲート配線15間の間隙31を効果的に満たす一方で、周辺回路領域16内のトランジスタゲート配線17間の間隙33を満たさないような厚みで堆積される。ほんの一例であるが、物質32の好適な厚みの例は100Å〜500Åである。
アレイ回路領域14内の半導体基板12の半導体物質を効果的に露出するための基板12上のゲート誘電体層18の露出部分のエッチングを描いている。描図されたそしてより好ましい例として、周辺回路領域16内の絶縁体の側壁スペーサ34は、メモリアレイ回路領域14内の絶縁体の側壁スペーサ40の最大幅W1よりも大きい最大幅W2を有している。
本発明の一つの特徴として、本発明は、メモリアレイ回路領域内の個々のトランジスタゲート配線の向かいあう側壁上に異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成するよりも先に、周辺回路領域内の個々のトランジスタゲート配線に向かい合う側壁上に異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成することを含んでいる。上述の工程はそれを行う一つの手段の例であり、勿論、今後開発される方法も含め同様のことを行う何か他の手段を想定できる。
のようになり、ここでメモリアレイ回路領域14内の基板12の半導体物質は外界に露出され、周辺回路領域16内の基板12の半導体物質は物質30および18で覆われている。一つの好適な実施の形態として、周辺回路領域16内の絶縁体の側壁スペーサ36に隣接するエピタキシャル成長の半導体物質の成長が行われない間に、メモリアレイ回路領域14内の絶縁体の側壁スペーサ40に隣接するエピタキシャル成長の半導体物質を成長させるためにそのようなことを有効に用いてもよい。例えばそのような例として、図8における基板に、エピタキシャル成長の半導体物質の成長より先に、洗浄ステップ、例えば温度27℃および大気圧下で60秒間より短時間のHF溶液への暴露、を課すことが好ましい。HF溶液の例としては、水と49wt.%HF水溶液とが100:1の体積比のものである。
図11において、アレイおよび周辺回路に対して所望の最も高いインプラント投与量のソース/ドレイン領域45を形成するために適切にインプラントドーピングを行っている。そのようなことは、マスクおよび/またはインプラントステップのいくつかの組み合わせによって、そして、周辺回路領域内の一般的なpチャネルデバイスおよびnチャネルデバイスを作成するためのいくつかの手順の例の中で、かつ、ドーピング物質44および直下の基板に対して行ってよい。さらに、そのようなものの形成およびインプラントならびにマスクは、ソース/ドレイン領域上の物質30および18の好ましい除去に関連するいくつかの手順中に行ってもよい。
路領域もしくは周辺回路領域内のどちらかでエピタキシャルシリコンの選択的形成をも可能とすることができる。さらに、周辺回路領域に対してメモリアレイ回路領域内でスペーサ幅を最適にするようにそのような処理を用いることができる。さらに、ほんの一例として、間隙をつくっているより厚みのある周辺回路領域のスペーサは、ソース/ドレインインプラントをさらに周辺のチャネルから離すことを可能とし、また、p+接点がそれらの下方にあるより深いソース/ドレイン接合点を有することができる。
層モジュール、マルチチップモジュールを含んでいてもよい。そのような回路は、さらに、時計、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ、自動車、産業用制御系、航空機、およびその他の機器等の多様な電気制御系の補完的な構成要素であってもよい。
Claims (22)
- メモリアレイ回路領域および周辺回路領域を有し、前記メモリアレイ回路領域が第一の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含み、前記周辺回路領域が前記第一の最小配線間隙よりも大きい第二の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含む基板を設けるステップと、
前記メモリアレイ領域内の個々の前記トランジスタゲート配線の向かいあう側壁上に異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成するよりも先に、前記周辺回路領域内の個々の前記トランジスタゲート配線の向かいあう側壁上に異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成するステップと、
を含むことを特徴とするメモリ回路を形成するための方法。 - 前記メモリ回路がDRAM回路を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線が浮遊ゲートを有さないことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、およびハフニウム酸化物の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが、ドープされていない二酸化シリコンを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが、前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサの最大幅よりも大きい最大幅を有していることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサおよび前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサを形成した後、前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサに隣接するエピタキシャル成長の半導体物質を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサおよび前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサを形成した後、前記メモリアレイ回路領域内で前記絶縁体の側壁スペーサに隣接するエピタキシャル成長の半導体物質を含む一方で、前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサに隣接するエピタキシャル成長の半導体物質を含まないことを特徴とする請求項1記載の方法。
- メモリアレイ回路領域および周辺回路領域を有し、前記メモリアレイ回路領域が第一の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含み、前記周辺回路領域が前記第一の最小配線間隙よりも大きい第二の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含む基板を設けるステップと、
前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線上、および、前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の前記間隙以外に、異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成している間に、前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタ
ゲート配線間の間隙をマスクするステップと、
前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線上、および、前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の前記間隙以外に、異方性エッチングされた絶縁体の側壁スペーサを形成している間に、前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の間隙をマスクするステップと、
を含むことを特徴とするメモリ回路を形成するための方法。 - 前記メモリアレイ回路領域内をマスクするステップが、マスクとして、前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが異方性エッチングされる層を用いるステップを含んでいることを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内をマスクするステップが、マスクとして、前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが異方性エッチングされる層を用いるステップ、および、マスクとして、前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが異方性エッチングされる層を用いるステップ、を含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記周辺回路領域内を前記マスクするステップより先に、前記メモリアレイ回路領域内の前記マスクが行われることを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内を前記マスクするステップより先に、前記周辺回路領域内の前記マスクが行われることを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記周辺回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサが、前記メモリアレイ回路領域内の前記絶縁体の側壁スペーサの最大幅より大きい最大幅を有することを特徴とする請求項10記載の方法。
- メモリアレイ回路領域および周辺回路領域を有し、前記メモリアレイ回路領域が第一の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含み、前記周辺回路領域が前記第一の最小配線間隙よりも大きい第二の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含む基板を設けるステップと、
前記メモリアレイ回路領域および前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線上に第一の絶縁体のスペーサ物質を形成するステップと、
前記第一の絶縁体のスペーサ物質上および前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線上ならびに前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線上に第二の絶縁体のスペーサ物質を形成し、前記第二の絶縁体のスペーサ物質は前記第一の絶縁体のスペーサ物質に対して選択的にエッチングされることができ、前記第二の絶縁体のスペーサ物質は前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の間隙を満たしているが、前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の間隙を満たしていないステップと、
前記周辺回路領域内の個々の前記トランジスタゲート配線の向かいあう側壁上に絶縁体の側壁スペーサを効果的に形成するために前記第一の絶縁体のスペーサ物質に対して選択的に前記第二の絶縁体のスペーサ物質を異方性エッチングするステップと、
前記周辺回路領域内に前記側壁スペーサを形成した後に、前記周辺回路領域内の前記側壁スペーサをマスクしながら、前記メモリアレイ回路領域内の前記第一の絶縁体のスペーサ物質に対して選択的に前記第二の絶縁体のスペーサ物質をエッチングするステップと、
前記メモリアレイ回路領域内の個々の前記トランジスタゲート配線の向かいあう側壁上に絶縁体の側壁スペーサを効果的に形成するために前記第一の絶縁体のスペーサ物質を異方性エッチングするステップと、
を含むことを特徴とするメモリ回路を形成するための方法。 - 前記第一の絶縁体のスペーサ物質が、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項16記載の方法。
- メモリアレイ回路領域および周辺回路領域を有し、前記メモリアレイ回路領域が第一の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含み、前記周辺回路領域が前記第一の最小配線間隙よりも大きい第二の最小配線間隙をともなうトランジスタゲート配線を含む基板を設けるステップと、
前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の間隙内および前記周辺回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の間隙以外にエピタキシャル成長の半導体物質を含む***したソース/ドレイン領域を形成するステップと、
を含むことを特徴とするメモリ回路を形成するための方法。 - 前記エピタキシャル成長の半導体物質が、少なくとも一つの断面において前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の前記間隙をまたいでいることを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記メモリ回路がDRAM回路を含んでいることを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線が浮遊ゲートを有さないことを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記エピタキシャル成長の半導体物質が、少なくとも一つの断面において前記メモリアレイ回路領域内の前記トランジスタゲート配線間の前記間隙をまたいでおり、
前記メモリ回路がDRAM回路を含んでいる、
ことを特徴とする請求項18記載の方法。
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