JP2009501274A - TFT銅ゲートプロセスのための無電解NiWP接着及びキャッピング層 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)ベース表面の浄化:
好ましくは、紫外線、オゾン溶液及び/又はNaOH、Na2CO3、Na3PO4の混合物のような脱脂溶液が、ガラス表面を浄化するために使用される。(表面の有機汚染物の除去)
表面が充分に清浄である時か、これら処理が損傷や不測の化学反応を引き起こすならば、このステップは省くことができる。
HFのような希釈酸溶液が使用される。このステップは、接着層の堆積のためのガラス基板上のミクロな粗さを作り、このステップは、基板へのNiWP層の接着を最後には向上させる。しかしながら、表面がすでにある粗さを有する時か、これら処理が表面の不測で有害な反応を引き起こすならば、このステップは省くことができる。
SnCl2及び/又はPdCl2溶液が通常使用される。このステップは、表面に極薄のパラジウム層を設けるためになされる。基板は、先ずSnCl2溶液(若しくは類似物)に浸漬され、その後すすいだ後PdCl2溶液(若しくは類似物)に浸漬される。このステップは、表面上のPd層の所望の厚さが1ステップで達成できないならば、数度繰り返すことができる。しかしながら、この処理が表面の不測な反応を引き起こす時には、このステップは省くことができる。
(d)コンディショニング:
還元剤を含む水溶液が使用される。このステップは、触媒活性化ステップ(c)の後にNiWP堆積を得るために重要であることが見出された。溶液のpHは、好ましくはステップ(c)で使用されるNiWPメッキ溶液のpH値と同じpH値に調整される。このステップは、表面上のSn4+を減少させ、還元性NiWP堆積化学を促進することができる。好ましくは、ステップ(d)の溶液がNi及びWを全く含まないことで、ステップ(d)の溶液は、ステップ(e)の溶液と同じである。代替として、NaH2PO2溶液のみを使用することができる。このコンディショニングステップは、好ましくは、10秒〜3分間続けられてもよい。
好ましくは、NiSO4、Na2WO4及び/又はNaH2PO2を含む溶液が、Ni、W及びPの供給源として、夫々使用される。NaH2PO2は、還元剤である。クエン酸三ナトリウム及び(NH4)2SO4も溶液に添加され、夫々錯形成剤及びpH緩衝剤として使用されてもよい。H2SO4、NaOH及び/又はNH4OHも、必要ならば溶液のpHを調整するために使用することもできる。浴溶液の温度及びpHは、夫々50〜100℃及び5〜11の範囲であり、より好ましくは、夫々60〜90℃及び7〜10の範囲である。メッキ時間は、層の堆積速度と厚さにより決定することができ、50nmの層厚のNiWPに対して、典型的には、15秒〜5分間である。
素ガラス基板が、有機汚染物を除去するために、NaOH、Na2CO3、Na3PO4(上記定義された夫々の割合内で)を含む脱脂溶液に80℃で3分間浸漬された。脱イオン水(DIW)ですすがれた後、表面にミクロな粗さを生み出すために、希釈HF溶液(2.5%)に1分間浸漬された。すすがれた後、SnCl2溶液(1%HCl中の10g/LSnCl2)に浸漬され、その後PdCl2溶液(0.1%HCl中の0.3g/LPdCl2)に、夫々2時間浸漬された。すすがれた後、還元剤を含み、以下の組成を有するコンディショニング溶液に、室温でpH=7以内で30秒間浸された。
その後、以下の組成を有するNiWPメッキ溶液に、60℃、pH7で浸された。
堆積されたフィルムは、ガラス基板に良好な接着性を示した。層の粗さ(Ra)と厚さ均一性は、満足すべきものであった(夫々、5nmより少なく、5%以内。)堆積速度は、典型的には約3nm/minであった。
比較例:全てのこれらの例は、後に記すことを除いて、実施例1と同様にして作成された。
Cu層は、NiWP層を介さずにガラス基板上に堆積された。層は、貧弱な接着性を示し、簡単に剥がれた。
NiWP層は、浄化ステップ(a)を行わないことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、貧弱な均質性と再現性を示した。
NiWP層は、ミクロエッチングステップ(b)を行わないことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、ガラス基板上への貧弱な接着性を示した。
NiWP層は、触媒活性化ステップ(c)を行わないことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。如何なる堆積も、ガラス基板上に観察されなかった。
NiWP層は、コンディショニングステップ(d)を行わないことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、貧弱な均一性と再現性を示した。
NiWP層は、NiWP堆積浴の温度が50℃未満に固定したことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、全ての条件がそれ以外同じで、浴温度が50℃超での同じ操業と比べて、より貧弱な均質性と再現性を示した。
NiWP層は、NiWP堆積浴のpHが11より高い値に調整されたことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、他の全ての条件が同じで、pHが5〜11の場合より、ガラス基板上へのより貧弱な接着性を示した。
NiWP層は、ステップ(d)及びステップ(e)の溶液のpHが別の値に調整されたことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。堆積されたフィルムは、より貧弱な均一性を示した。
実施例2:
NiWP層は、ガラス基板に堆積され、その後今度は、Cu層が、ステップ(e)で使用された溶液の組成が、NiSO4 6H2Oを20g/Lに代えて10g/Lの量で含むことを除いて、実施例1で開示されたようなNiWP層のように堆積された。堆積されたフィルムは、ガラス基板上への良好な接着性を示し、Cu層は、満足できる粗さと厚さ均一性を有した。NiWPフィルムは、81重量%Ni、7重量%W及び12重量%Pを含んでいた。
NiWP層は、ステップ(e)実行時、クエン酸三ナトリウム二水和物の量が30g/Lで、浴温度が90℃であることを除いて、ガラス基板に堆積され、その後今度は、実施例1のように,Cu層が、NiWP層のように堆積された。堆積されたフィルムは、ガラス基板上への良好な接着性を示し、Cu層は、実施例1より良好な満足できる粗さと厚さ均一性を有した。NiWPフィルムは、94重量%Ni、2重量%W及び4重量%Pを含んでいた。
NiMoP及びCu層は、Na2MoO4がNa2WO4に代えて使用されたことを除いて、実施例1のようにガラス基板に堆積された。コンディショニング溶液の組成は以下のとおりであった。
この溶液は、pH9で、室温で維持された。
(NH4)2ReO4がNa2WO4に代えて使用されたことを除いて、実施例1のように、NiRePが、ガラス基板上及びCu層上に堆積された。コンディショニング溶液は、以下の組成を有していた。
溶液のpHは9であり、溶液は、室温で維持された。
溶液のpHは9であり、一方溶液の温度は70℃に維持された。
Claims (8)
- a)随意に基板を浄化すること、
b)随意に基板をミクロエッチングすること、
c)基板に触媒活性化層を堆積すること、
d)コンディショニング溶液で基板をコンディショニングすること、
e)Ni55〜96重量%、P3〜20重量%及びM1〜25重量%を含む層を得ることを目的として、Ni、M及び/又はPの前駆体を含む浴混合物に、前記基板若しくはその一部を接触させることにより、基板上にNiMP層を堆積すること、
のステップを含む、ガラス及び/又は銅のような基板にNiMP層(Mは、W、Mo、Reを含む群から選択される有機金属分子である)を堆積する方法。 - コンディショニング溶液のpH値が、5〜11である、請求項1記載の方法。
- 浴混合物のpH値が、5〜11である、請求項1又は2項記載の方法。
- コンディショニング溶液及び浴混合物のpH値が、実質的に同一である、請求項2又は3記載の方法。
- コンディショニング溶液の温度が、室温に近いか室温と等しい、請求項1乃至4何れか1項記載の方法。
- 浴混合物の温度が、50℃より高い、請求項1乃至5何れか1項記載の方法。
- 請求項1乃至6何れか1項記載の方法により、NiMP層が、ガラス基板上及び/又は銅接続上に堆積される、ガラス基板上へ堆積された銅接続を使用する相互接続素子。
- 請求項7の相互接続素子を含むTFT-LCD若しくはプラズマディスプレイパネル。
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