JP2009303020A - 撮像装置及び欠陥画素補正方法 - Google Patents
撮像装置及び欠陥画素補正方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】欠陥画素を補正する際にかかる処理時間が長くなることを抑えることができる撮像装置及び欠陥画素補正方法を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置され、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う。
【選択図】図3
【解決手段】複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置され、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う。
【選択図】図3
Description
本発明は、デジタルカメラなどの撮像装置に備えられた撮像素子の欠陥画素を補正する撮像装置及び欠陥画素補正方法に関する。
デジタルカメラなどの撮像装置は、被写体を撮像素子上に結像させてその被写体を表す画像情報を取り込む撮影を行う。撮像素子としては、CCD型撮像素子やCMOS型撮像素子などが用いられている。撮像素子には、多数の画素が配列されており、当該撮像素子は半導体基板上に多数のフォトダイオード等の光電変換素子を形成することにより製造される。撮像素子を製造する際、半導体基板に不純物が混入する等の原因により画素信号の取り込みが不能な欠陥画素が発生する場合がある。
従来、撮像素子の欠陥画素を補正する方法としては、例えば下記特許文献に示すものがある。
特許文献1には、主画素と複画素の複合からなる画素が配列された撮像素子を備えたカメラが記載され、主画素が欠陥画素であって、その周囲の画素の信号レベルが所定の輝度レベル以上の輝度を表す信号レベルであったときは、副画素で得られた画素値に基づいて欠陥画素の画素値を求め、副画素の方が欠陥画素であり主画素の方が正常な画素である場合は、主画素で得られた画素値に基づいて欠陥画素の画素値を求めることが記載されている。主画素は相対的に面積が広く、入射光に対して感度の高い画素であり、副画素は、相対的に面積が狭く、入射光に対して感度の低い画素である。
特許文献2には、感度の異なる主画素と副画素とを有する複数の画素を備え、入射した被写体光を受光して電気信号に変換するCCD型撮像素子が記載されている。主画素と副画素とのうち一方が欠陥の場合には、他方の画素値を補正処理データの一部として用いて欠陥画素の画素値を補正する。
欠陥画素の補正を行う場合は、該欠陥画素の周囲の画素信号を用いて演算処理によって欠陥画素の画素値を算出するため、例え周囲の画素値の平均値で補正したとしても演算処理に時間を要してしまう。
また、感度が異なる画素同士で欠陥画素の補正を行う場合は、感度の差を考慮して補正を行ったうえで欠陥画素の画素値を算出するが、感度の差が大きいと補正を精度良く行なうことができない。
また、感度が異なる画素同士で欠陥画素の補正を行う場合は、感度の差を考慮して補正を行ったうえで欠陥画素の画素値を算出するが、感度の差が大きいと補正を精度良く行なうことができない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、欠陥画素を補正する際にかかる処理時間が長くなることを抑えることができる撮像装置及び欠陥画素補正方法を提供することにある。
本発明の欠陥画素補正方法は、カラー画像データを生成するために必要な色成分の光を検出する複数の光電変換素子が設けられ、前記複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、前記複数の第1の光電変換素子と前記複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置されている撮像素子の欠陥画素補正方法であって、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う。
本発明の欠陥画素補正方法は、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が欠陥である場合には、前記第1の光電変換素子又は前記第2の光電変換素子のうち前記欠陥画素が含まれている方の、該欠陥画素に最も近く、かつ、同じ色成分の光電変換素子から、画素信号を取得し、該画素信号に基づいて前記欠陥画素の画素信号を演算する。
本発明の欠陥画素補正方法は、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子がそれぞれ正方格子状に行方向及び列方向に配列され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子が配列ピッチの約1/2だけ前記行方向及び前記列方向にずれた位置に配置されている。
本発明の欠陥画素補正方法は、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子がそれぞれ行方向及び列方向に対して傾斜するように正方格子状に配列され、前記第1の光電変換素子の前記行方向及び前記列方向の間に各第2の光電変換素子が配置されている。
本発明の撮像装置は、カラー画像データを生成するために必要な色成分の光を検出する複数の光電変換素子が設けられ、前記複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、前記複数の第1の光電変換素子と前記複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置されている撮像素子を備えた撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の検出感度が異なる場合には該検出感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う欠陥画素補正手段を備える。
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の検出感度が異なる場合には該検出感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う欠陥画素補正手段を備える。
本発明によれば、欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号として用いるため、演算処理を行う必要がない。このため、欠陥画素を補正する際にかかる処理時間が長くなることを抑えることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の欠陥画素補正方法を行う撮像装置の一例であるデジタルカメラの概略構成を示す図である。
デジタルカメラの撮像系は、撮影レンズ1と、CCD型の固体撮像素子5と、この両者の間に設けられた絞り2と、赤外線カットフィルタ3と、光学ローパスフィルタ4とを備える。本実施形態ではCCD型の固体撮像素子5を用いた例を説明するが、本発明の欠陥画素補正方法で欠陥画素の補正が行われる撮像素子は、CCD型の固体撮像素子5に限定されず、例えば、CMOS型の撮像素子に適用することができる。
図1は、本発明の欠陥画素補正方法を行う撮像装置の一例であるデジタルカメラの概略構成を示す図である。
デジタルカメラの撮像系は、撮影レンズ1と、CCD型の固体撮像素子5と、この両者の間に設けられた絞り2と、赤外線カットフィルタ3と、光学ローパスフィルタ4とを備える。本実施形態ではCCD型の固体撮像素子5を用いた例を説明するが、本発明の欠陥画素補正方法で欠陥画素の補正が行われる撮像素子は、CCD型の固体撮像素子5に限定されず、例えば、CMOS型の撮像素子に適用することができる。
デジタルカメラの電気制御系全体を統括制御するシステム制御部11は、フラッシュ発光部12及び受光部13を制御し、レンズ駆動部8を制御して撮影レンズ1の位置をフォーカス位置に調整したりズーム調整を行ったりし、絞り駆動部9を介し絞り2の開口量を制御して露光量調整を行う。
システム制御部11は、撮像素子駆動部10を介して固体撮像素子5を駆動し、撮影レンズ1を通して撮像した被写体画像を色信号として出力させる。システム制御部11には、操作部14を通してユーザからの指示信号が入力される。
デジタルカメラの電気制御系は、更に、固体撮像素子5の出力に接続された相関二重サンプリング処理等のアナログ信号処理を行うアナログ信号処理部6と、このアナログ信号処理部6から出力されたRGBの色信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路7とを備え、これらはシステム制御部11によって制御される。
デジタルカメラの電気制御系は、更に、メインメモリ16と、メインメモリ16に接続されたメモリ制御部15と、黒レベル補正、補間演算やガンマ補正演算,RGB/YC変換処理等を行って画像データを生成するデジタル信号処理部17と、デジタル信号処理部17で生成された画像データをJPEG形式に圧縮したり圧縮画像データを伸張したりする圧縮伸張処理部18と、測光データを積算しデジタル信号処理部17が行うホワイトバランス補正のゲインを求める積算部19と、着脱自在の記録媒体21が接続される外部メモリ制御部20と、カメラ背面等に搭載された液晶表示部23が接続される表示制御部22とを備え、これらは、制御バス24及びデータバス25によって相互に接続され、システム制御部11からの指令によって制御される。
図2は、図1に示す固体撮像素子5の一構成例を示した平面模式図である。
固体撮像素子5は、半導体基板50上の行方向Xとこれに直交する列方向Yとに正方格子状に配列された赤色(R)の波長域の光(R光)を検出する光電変換素子51R(図中に“R”の文字を付してある)、緑色(G)の波長域の光(G光)を検出する光電変換素子51G(図中に“G”の文字を付してある)、青色(B)の波長域の光(B光)を検出する光電変換素子51B(図中に“B”の文字を付してある)からなる複数の第1の光電変換素子と、半導体基板50上の行方向Xとこれに直交する列方向Yとに正方格子状に配列されたR光を検出する光電変換素子51r(図中に“r”の文字を付してある)、G光を検出する光電変換素子51g(図中に“g”の文字を付してある)、B光を検出する光電変換素子51b(図中に“b”の文字を付してある)からなる複数の第2の光電変換素子とを備え、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とが、それぞれの光電変換素子配列ピッチの約1/2だけ、行方向X及び列方向Yにずれた位置に配置されている。
固体撮像素子5は、半導体基板50上の行方向Xとこれに直交する列方向Yとに正方格子状に配列された赤色(R)の波長域の光(R光)を検出する光電変換素子51R(図中に“R”の文字を付してある)、緑色(G)の波長域の光(G光)を検出する光電変換素子51G(図中に“G”の文字を付してある)、青色(B)の波長域の光(B光)を検出する光電変換素子51B(図中に“B”の文字を付してある)からなる複数の第1の光電変換素子と、半導体基板50上の行方向Xとこれに直交する列方向Yとに正方格子状に配列されたR光を検出する光電変換素子51r(図中に“r”の文字を付してある)、G光を検出する光電変換素子51g(図中に“g”の文字を付してある)、B光を検出する光電変換素子51b(図中に“b”の文字を付してある)からなる複数の第2の光電変換素子とを備え、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とが、それぞれの光電変換素子配列ピッチの約1/2だけ、行方向X及び列方向Yにずれた位置に配置されている。
第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の各光電変換素子は、同じ色成分を検出する光電変換素子同士が隣接するように配列されている。つまり、行方向X及び列方向Yの斜め方向に、光電変換素子51Rは光電変換素子51rと隣接し、光電変換素子51Gは光電変換素子51gと隣接し、光電変換素子51Bは光電変換素子51bと隣接する。
第1の光電変換素子の各光電変換素子の配列ピッチと第2の光電変換素子の各光電変換素子の配列ピッチとは同じである。光電変換素子は、例えばフォトダイオードで構成されている。
第1の光電変換素子の各光電変換素子の上方にはカラーフィルタが設けられており、このカラーフィルタの配列はベイヤー配列となっている。第2の光電変換素子の各光電変換素子の上方にも同様にカラーフィルタが設けられており、このカラーフィルタの配列もベイヤー配列となっている。
第1の光電変換素子の各光電変換素子の受光感度は、第2の光電変換素子の各光電変換素子の受光感度よりも高くなっている。光電変換素子の受光感度を変化させるには、第1の光電変換素子の各光電変換素子の受光面と第2の光電変換素子の各光電変換素子の受光面がそれぞれ異なる大きさの面積となるように構成してもよいし、光電変換素子上方に設けたマイクロレンズによって、集光面積を変化させてもよいし、光電変換素子の露光時間を変えてもよい。また、第1の光電変換素子の各光電変換素子の受光感度と、第2の光電変換素子の各光電変換素子の受光感度とは同じであってもよい。
第1の光電変換素子の各光電変換素子の配列は、列方向Yに並ぶ光電変換素子51Gと光電変換素子51Rとからなる光電変換素子列であるGR光電変換素子列と、列方向Yに並ぶ光電変換素子51Bと光電変換素子51Gとからなる光電変換素子列であるBG光電変換素子列とを、行方向Xに交互に配列したものである。また、第1の光電変換素子の各光電変換素子の配列は、行方向Xに並ぶ光電変換素子51Gと光電変換素子51Bとからなる光電変換素子行であるGB光電変換素子行と、行方向Xに並ぶ光電変換素子51Rと光電変換素子51Gとからなる光電変換素子行であるRG光電変換素子行とを、列方向Yに交互に配列したものでもある。
第2の光電変換素子の各光電変換素子の配列は、列方向Yに並ぶ光電変換素子51gと光電変換素子51rとからなる光電変換素子列であるgr光電変換素子列と、列方向Yに並ぶ光電変換素子51bと光電変換素子51gとからなる光電変換素子列であるbg光電変換素子列とを、行方向Xに交互に配列したものである。また、第2の光電変換素子の各光電変換素子の配列は、行方向Xに並ぶ光電変換素子51gと光電変換素子51bとからなる光電変換素子行であるgb光電変換素子行と、行方向Xに並ぶ光電変換素子51rと光電変換素子51gとからなる光電変換素子行であるrg光電変換素子行とを、列方向Yに交互に配列したものでもある。本実施形態では、光電変換素子51Bと該光電変換素子51Bの図2中右上の光電変換素子51bとがペアとなり、光電変換素子51Gと該光電変換素子51Gの図2中右上の光電変換素子51gとがペアとなり、光電変換素子51Rと該光電変換素子51Rの図2中右上の光電変換素子51rとがペアとなる。
各光電変換素子列の右側部には、各光電変換素子列を構成する光電変換素子に蓄積された電荷を列方向Yに転送するための垂直電荷転送路54(図2では一部のみ図示してある)が形成されている。垂直電荷転送路54は、例えば、n型シリコン基板上に形成されたpウェル層内に注入されたn型不純物によって形成されている。
垂直電荷転送路54上方には、垂直電荷転送路54に読み出された電荷の転送を制御するための8相の転送パルスが撮像素子駆動部10によって印加される転送電極V1〜V8が形成されている。
転送電極V1〜V8は、それぞれ、各光電変換素子行の間を、これらを構成する光電変換素子を避けるように行方向Xに蛇行して配設されている。gb光電変換素子行の上側部には、隣接する光電変換素子行との間に、該光電変換素子行側から順に転送電極V8と転送電極V1が配置されている。gb光電変換素子行の下側部には、隣接する光電変換素子行との間に、該gb光電変換素子行側から順に転送電極V2と転送電極V3が配置されている。rg光電変換素子行の上側部には、隣接する光電変換素子行との間に、該光電変換素子行側から順に転送電極V4と転送電極V5が配置されている。rg光電変換素子行の下側部には、隣接する光電変換素子行との間に、該rg光電変換素子行側から順に転送電極V6と転送電極V7が配置されている。
各光電変換素子と、それに対応する垂直電荷転送路54との間には、各光電変換素子で発生した電荷を、該垂直電荷転送路54に読み出すための電荷読出し部55が設けられている。電荷読出し部55は、例えば、n型シリコン基板上に形成されたpウェル層の一部分によって形成されている。電荷読出し部55は、各光電変換素子に対して同一の方向(図中の斜め右下方向)に設けられている。
gb光電変換素子行の各光電変換素子に対応する電荷読出し部55上方には転送電極V2が形成されており、ここに読み出しパルスを印加することで、gb光電変換素子行の各光電変換素子に蓄積されている電荷を、各光電変換素子の右側部にある垂直電荷転送路54に読み出すことができる。
GB光電変換素子行の各光電変換素子に対応する電荷読出し部55上方には転送電極V4が形成されており、ここに読み出しパルスを印加することで、GB光電変換素子行の各光電変換素子に蓄積されている電荷を、各光電変換素子の右側部にある垂直電荷転送路54に読み出すことができる。
rg光電変換素子行の各光電変換素子に対応する電荷読出し部55上方には転送電極V6が形成されており、ここに読み出しパルスを印加することで、rg光電変換素子行の各光電変換素子に蓄積されている電荷を、各光電変換素子の右側部にある垂直電荷転送路54に読み出すことができる。
RG光電変換素子行の各光電変換素子に対応する電荷読出し部55上方には転送電極V8が形成されており、ここに読み出しパルスを印加することで、RG光電変換素子行の各光電変換素子に蓄積されている電荷を、各光電変換素子の右側部にある垂直電荷転送路54に読み出すことができる。
垂直電荷転送路54には、垂直電荷転送路54を転送されてきた電荷を行方向Xに転送するための水平電荷転送路57が接続され、水平電荷転送路57には、水平電荷転送路57を転送されてきた電荷を電圧信号に変換して出力する出力アンプ58が接続されている。
電荷読出し部55上方の転送電極(V2,V4,V6,V8)には、それぞれ、垂直電荷転送路54に電荷を蓄積するパケットを形成するためのミドルレベル(VM,例えば0V)の転送パルスVMと、垂直電荷転送路54に該パケットのバリアを形成するためのVMよりもレベルの低いローレベル(VL,例えば−8V)の転送パルスVLと、各光電変換素子から垂直電荷転送路54に電荷を読み出すためのパルスであってVMよりも高いレベル(VH,例えば15V)の読み出しパルスとのいずれかが印加可能となっている。電荷読出し部55上方の転送電極(V2,V4,V6,V8)以外の転送電極(V1,V3,V5,V7)には、VLとVMとのいずれかの転送パルスが印加可能となっている。
本実施形態の固体撮像素子5は、第1の光電変換素子から得られる信号で第1画像情報を生成し、第2の光電変換素子から得られる信号で第2画像情報を生成する撮影モードを実行することができる。この撮影モードによれば、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なるため、第1画像情報と第2画像情報を合成することでダイナミックレンジが広い画像を生成することができる。
次に、上記撮影モード時の固体撮像素子5の欠陥画素補正方法の手順を説明する。図3は、欠陥画素補正方法の手順を示すフローチャートである。
最初に撮影モードが設定されて撮影が行われ、この撮影による露光期間が終了すると、転送電極V4,V8に転送パルスVMが印加され、第1の光電変換素子の各光電変換素子に対応した電荷蓄積パケットが転送電極V4,V8下に形成される。この状態で、転送電極V4,V8にそれぞれ読み出しパルスが印加され、第1の光電変換素子の各光電変換素子で発生した電荷が、該各光電変換素子に対応して形成された電荷蓄積パケットに読み出される。次に、転送電極V1〜V8に所定パターンの転送パルスが印加され、電荷蓄積パケットに読み出された電荷が水平電荷転送路57まで転送され、ここから出力部58まで転送され、ここで信号に変換されて出力され、1フィールド目が終了する。1フィールド目で得られる信号を以下では第1画像情報とも言う。
最初に撮影モードが設定されて撮影が行われ、この撮影による露光期間が終了すると、転送電極V4,V8に転送パルスVMが印加され、第1の光電変換素子の各光電変換素子に対応した電荷蓄積パケットが転送電極V4,V8下に形成される。この状態で、転送電極V4,V8にそれぞれ読み出しパルスが印加され、第1の光電変換素子の各光電変換素子で発生した電荷が、該各光電変換素子に対応して形成された電荷蓄積パケットに読み出される。次に、転送電極V1〜V8に所定パターンの転送パルスが印加され、電荷蓄積パケットに読み出された電荷が水平電荷転送路57まで転送され、ここから出力部58まで転送され、ここで信号に変換されて出力され、1フィールド目が終了する。1フィールド目で得られる信号を以下では第1画像情報とも言う。
次に、転送電極V2,V6にそれぞれ転送パルスVMが印加されて、第2の光電変換素子の各光電変換素子に対応した電荷蓄積パケットが転送電極V2,V6下に形成される。その後、転送電極V2,V6への読み出しパルスの印加は行われず、転送電極V1〜V8に、1フィールド目と同じ上記所定パターンの転送パルスが印加されて、該電荷蓄積パケットに存在する暗電流成分の電荷が1フィールド目の電荷と同じ転送パターンで水平電荷転送路57まで転送され、ここから出力部58まで転送され、ここで信号に変換されて出力され、2フィールド目が終了する。2フィールド目で得られる信号を以下では第2画像情報とも言う。
こうすることで、第1の光電変換素子で検出された第1画像情報と、第2の光電変換素子で検出された第2画像情報とを取得する(ステップS11)。
1フィールド目と2フィールド目とで電荷蓄積パケットを同じ転送パターンで転送することで、第1画像情報と第2画像情報とをできるだけ同じ条件で得ることができる。
1フィールド目と2フィールド目でそれぞれ得られた画像情報は、デジタル変換された後、デジタル信号処理部17に入力される。デジタル信号処理部17は、1フィールド目で得られた第1画像情報に基づいて、第1の光電変換素子の欠陥画素の検出を行い、また、2フィールド目で得られた第2画像情報とに基づいて、第2の光電変換素子の欠陥画素の検出を行う(ステップS12)。
次に、第1画像情報で検出された欠陥画素と、第2画像情報で検出された欠陥画素とを比較する処理を行う。図4から図6は、光電変換素子の配列の一部と、各光電変換素子で検出する光の色成分を示す模式図である。
図4は、第1の光電変換素子のG光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合を示す模式図である。
図4に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接する、同じ色成分を検出する光電変換素子(図4において丸で囲ったg光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別する(ステップS13)。そして、この隣接するg光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該g光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得する(ステップS15)。ここで、G光を検出する光電変換素子とg光を検出する光電変換素子は、図4中の右上方向から左下方向に交互に配列されているため、G光を検出する光電変換素子とペアとなる光電変換素子は、右上側及び左下側のいずれでもよく、一方が欠陥画素である場合には、反対側の画素をペアとなる光電変換素子の替わりとして用いてもよい。
図4に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接する、同じ色成分を検出する光電変換素子(図4において丸で囲ったg光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別する(ステップS13)。そして、この隣接するg光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該g光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得する(ステップS15)。ここで、G光を検出する光電変換素子とg光を検出する光電変換素子は、図4中の右上方向から左下方向に交互に配列されているため、G光を検出する光電変換素子とペアとなる光電変換素子は、右上側及び左下側のいずれでもよく、一方が欠陥画素である場合には、反対側の画素をペアとなる光電変換素子の替わりとして用いてもよい。
図5は、第2の光電変換素子のg光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合を示す模式図である。
図5に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接する、同じ色成分を検出する光電変換素子(図5において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別する(ステップS14)。そして、この隣接するG光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該G光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得する(ステップS16)。
図5に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接する、同じ色成分を検出する光電変換素子(図5において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別する(ステップS14)。そして、この隣接するG光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該G光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得する(ステップS16)。
一方、図6に示すように、斜線で示すG光を検出する光電変換素子と該G光を検出する光電変換素子に隣接するg光を検出する光電変換素子がいずれも欠陥画素である場合には、該欠陥画素の周囲に配置された光電変換素子のうち、最も近くに位置し、同じG光を検出する光電変換素子(図6において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)の画素信号を取得する(ステップS17)。なお、本実施形態では、G光又はg光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合を例に説明したが、R光又はr光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合やB光又はb光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合も同様に補正することができる。
その後、上記ステップS15からS17で取得した画素信号を使用して、該画素信号を欠陥画素の画素信号としてそのまま置き換えて用いることによって補正処理を行う(ステップS18)。このとき、取得した画素信号を欠陥画素の画素信号としてそのまま使用するのみで、または、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、演算処理にかかる時間を削減することができる。第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が等しい場合には、感度係数の乗算が必要ないため、演算処理を全く必要としない。このように、欠陥画素に対してペアとなる正常な光電変換素子の画素信号をそのまま欠陥画素の画素信号と用いることで、補正処理にかかる演算処理を低減又は省略することができる。
デジタル信号処理部17は、補正処理された第1画像情報と第2画像情報とを用いてカラー画像データを生成する。生成されたカラー画像データは圧縮された後、記録媒体21に記録される。
本実施形態の補正方法によれば、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子とで検出された画素信号に基づく第1画像情報及び第2画像情報とを比較することで、第1画像情報及び第2画像情報のうち一方の光電変換素子に欠陥画素がある場合に、該欠陥画素に隣接する他方の光電変換素子の画素信号を使用している。こうすれば、従来の補正方法のように欠陥画素の周囲の画素信号を用いて演算処理によって欠陥画素の画素値を算出する必要がない。
なお、本実施形態の固体撮像素子は、欠陥画素の補正処理を行わない場合には、第1の光電変換素子から得られる画像情報のみで画像データを生成する駆動と、第1の光電変換素子から得られる第1画像情報と第2の光電変換素子から得られる第2画像情報とで画像データを生成する場合の駆動とを、任意に切り替えることができる。
なお、上述したように第1の光電変換素子から得られる画像情報のみで画像データを生成する場合の駆動は、例えば動画撮影などの高速撮影モードにおいて実施するようにすればよい。
図2に示した構成において、第2の光電変換素子の各光電変換素子を、受光面上方に輝度フィルタを設けた光電変換素子に変更した構成としても、本発明を適用可能である。
輝度フィルタとは、光の輝度情報と相関のある分光特性を持ったフィルタである。この輝度フィルタは、NDフィルタや、透明フィルタ、白色フィルタ、グレーのフィルタ等が該当するが、光電変換素子の受光面上方に何も設けずに光が直接該受光面に入射する構成も、輝度フィルタを設けたということができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態では、撮像装置の構成は、上記第1実施形態と同じである。
図7は、本実施形態の撮像素子の光電変換素子の配列の一例を模式的に示す図である。図7に示すように、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子がそれぞれ行方向X及び列方向Yに対して45度傾斜するように正方格子状に配列され、第1の光電変換素子の行方向X及び列方向Yの間に各第2の光電変換素子が配置されている。また、各光電変換素子の上方に、行方向X及び列方向Yの斜め45度方向にみたときの第1の光電変換素子の2×2の配列がRGBのベイヤー配列となり、かつ、行方向X及び列方向Yの斜め45度方向にみたときの第1の光電変換素子の2×2の配列がrgbのベイヤー配列となるようにカラーフィルタが設けられている。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態では、撮像装置の構成は、上記第1実施形態と同じである。
図7は、本実施形態の撮像素子の光電変換素子の配列の一例を模式的に示す図である。図7に示すように、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子がそれぞれ行方向X及び列方向Yに対して45度傾斜するように正方格子状に配列され、第1の光電変換素子の行方向X及び列方向Yの間に各第2の光電変換素子が配置されている。また、各光電変換素子の上方に、行方向X及び列方向Yの斜め45度方向にみたときの第1の光電変換素子の2×2の配列がRGBのベイヤー配列となり、かつ、行方向X及び列方向Yの斜め45度方向にみたときの第1の光電変換素子の2×2の配列がrgbのベイヤー配列となるようにカラーフィルタが設けられている。
本実施形態では、光電変換素子51Bと該光電変換素子51Bの図7中下側に隣接する光電変換素子51bとがペアとなり、光電変換素子51Gと該光電変換素子51Gの図7中下側に隣接する光電変換素子51gとがペアとなり、光電変換素子51Rと該光電変換素子51Rの図7中下側に隣接する光電変換素子51rとがペアとなる。
第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の各光電変換素子は、同じ色成分を検出する光電変換素子同士が隣接するように配列されている。つまり、光電変換素子51Rは光電変換素子51rと列方向Yで隣接し、光電変換素子51Gは光電変換素子51gと列方向Yで隣接し、光電変換素子51Bは光電変換素子51bと列方向Yで隣接する。
図7に示すように光電変換素子が配列された撮像素子も、上記第1実施形態と同じ手順で欠陥画素を補正することができる。
図8は、図7の光電変換素子の配列において、欠陥画素と該欠陥画素に隣接する同じ色成分の光電変換素子とを示す模式図である。
図8に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接するペアとなる光電変換素子(図8において丸で囲ったg光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別し、この隣接するg光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該g光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を、欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う。
図8に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接するペアとなる光電変換素子(図8において丸で囲ったg光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別し、この隣接するg光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該g光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を、欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う。
図9は、図7の光電変換素子の配列において、欠陥画素と該欠陥画素に隣接する同じ色成分の光電変換素子とを示す模式図である。
図9に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接するペアとなる光電変換素子(図9において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別し、この隣接するG光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該G光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を、欠陥画素の画素信号として補正処理を行う。
図9に示すように、斜線で示す光電変換素子が欠陥画素である場合には、該欠陥画素に隣接するペアとなる光電変換素子(図9において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)が欠陥であるか否かを判別し、この隣接するG光を検出する光電変換素子が欠陥画素でないときには、該G光を検出する光電変換素子で検出された画素信号を、欠陥画素の画素信号として補正処理を行う。
一方、図10に示すように、斜線で示すG光を検出する光電変換素子と該G光を検出する光電変換素子に隣接するg光を検出する光電変換素子がいずれも欠陥画素である場合には、該欠陥画素の周囲に配置された光電変換素子のうち、最も近くに位置し、同じG光を検出する光電変換素子(図10において丸で囲ったG光を検出する光電変換素子)の画素信号を用いて欠陥画素を補正する。本実施形態では、G光又はg光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合を例に説明したが、R光又はr光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合やB光又はb光を検出する光電変換素子が欠陥画素である場合も同様に補正することができる。
5 撮像素子
51R,51G,51B 第1の光電変換素子
51r,51g,51b 第2の光電変換素子
51R,51G,51B 第1の光電変換素子
51r,51g,51b 第2の光電変換素子
Claims (5)
- カラー画像データを生成するために必要な色成分の光を検出する複数の光電変換素子が設けられ、前記複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、前記複数の第1の光電変換素子と前記複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置されている撮像素子の欠陥画素補正方法であって、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて、または、前記第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の受光感度が異なる場合には該受光感度に応じた感度係数の乗算のみで、補正処理を行う欠陥画素補正方法。 - 前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が欠陥である場合には、前記第1の光電変換素子又は前記第2の光電変換素子のうち前記欠陥画素が含まれている方の、該欠陥画素に最も近く、かつ、同じ色成分の光電変換素子から、画素信号を取得し、該画素信号に基づいて前記欠陥画素の画素信号を演算する請求項1に記載の欠陥画素補正方法。
- 前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子がそれぞれ正方格子状に行方向及び列方向に配列され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子が配列ピッチの約1/2だけ前記行方向及び前記列方向にずれた位置に配置されている請求項1又は2に記載の欠陥画素補正方法。
- 前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子がそれぞれ行方向及び列方向に対して傾斜するように正方格子状に配列され、前記第1の光電変換素子の前記行方向及び前記列方向の間に各第2の光電変換素子が配置されている請求項1又は2に記載の欠陥画素補正方法。
- カラー画像データを生成するために必要な色成分の光を検出する複数の光電変換素子が設けられ、前記複数の光電変換素子が複数の第1の光電変換素子と複数の第2の光電変換素子とから構成され、前記複数の第1の光電変換素子と前記複数の第2の光電変換素子とが同じ配列で、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子が互いに隣接するように配置されている撮像素子を備えた撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とのうちいずれか一方が欠陥画素である場合に、他方の光電変換素子のうち、前記欠陥画素に近接し、かつ、同じ色成分を検出する光電変換素子で検出された画素信号を取得し、該画素信号を前記欠陥画素の画素信号としてそのまま用いて補正処理を行う欠陥画素補正手段を備えた撮像装置。
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JP2008156630A JP2009303020A (ja) | 2008-06-16 | 2008-06-16 | 撮像装置及び欠陥画素補正方法 |
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JP2017126898A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び映像処理装置 |
WO2019124136A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置 |
-
2008
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