JP2007088732A - 固体撮像素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】フォトダイオードを複数に分割した各分割画素におけるシェーディング補正効果のズレを小さくする。
【解決手段】第1分割画素2と第2分割画素3とに分割された所定形状のフォトダイオード1が受光面上に複数配列形成された固体撮像素子において、前記受光面を該受光面の中心位置Oを中心として複数エリアに区分し、異なる区分内のフォトダイオード1は、前記所定形状の配置方向が中心位置Oを中心として点対称となるように形成され、同一区分内のフォトダイオード1は前記所定形状が同一配置方向となるように形成される。
【選択図】 図1

Description

本発明はCCD型イメージセンサやCMOS型イメージセンサの様な固体撮像素子に係り、特に、1つ1つの画素を構成するフォトダイオードが複数に分割形成されている固体撮像素子に関する。
デジタルカメラ等に搭載される固体撮像素子は、入射光を光電変換するフォトダイオードを多数備えており、また、下記特許文献1は、各フォトダイオードを、主画素と副画素とに2分割した固体撮像素子を開示している。
図8は、斯かる構成の固体撮像素子受光面100を示し、中心部の点線枠101内の拡大表面模式図を図9に示す。尚、図9中のO点は、固体撮像素子受光面100の中心位置を示す。図9に示す固体撮像素子はCCD型であり、偶数行の各フォトダイオード(光電変換素子)1に対して奇数行の各フォトダイオード1が水平方向に1/2ピッチずらして配置され、各フォトダイオード1から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路(図示せず)が、垂直方向の各フォトダイオード1を避けるように蛇行配置される構成をとっている。
各フォトダイオード1は、図示する例では、フォトダイオード1の面積の約4/5を占める主画素(高感度画素ともいう。)2と、残りの約1/5を占める副画素(低感度画素ともいう。)3とに領域分割されており、主画素2に蓄積された電荷と副画素3に蓄積された電荷とを別々に上記の垂直転送路に読み出し転送することができるようになっている。尚、図中のR,G,Bは、各フォトダイオード1に積層されたカラーフィルタ赤(R),緑(G),青(B)を示している。尚、主画素2と副画素3とを分割する面積比は任意であり、上記の例に限るものではない。
特開2003―218343号公報
図9に示す固体撮像素子では、各フォトダイオード1の主画素2と副画素3との分割線を設ける位置が、全フォトダイオード1で同一となっている。図示の例では、フォトダイオードの右上側を副画素3に分割形成してある。
固体撮像素子の各フォトダイオード1の上には、カラーフィルタやマイクロレンズ等が積層され、多画素化が進展した近年の固体撮像素子では、各フォトダイオードの上に夫々形成される光通路は狭い隘路となっている。このため、固体撮像素子受光面100の中心では入射光は真っ直ぐにフォトダイオードに入るが、固体撮像素子受光面100の周辺部では、入射光は斜めに入射することになる。
このため、固体撮像素子受光面100の周辺領域では光の斜め入射に対応してフォトダイオード上の光通路を中心方向に向くように斜めに形成したり、周辺領域での入射光量不足に起因して発生するシェーディングを画像データ信号処理時にシェーディング補正する様にしている。
しかしながら、図9に示す様に、各フォトダイオード1の主画素2に対する副画素3の分割位置が、固体撮像素子受光面100の右上領域,右下領域,左上領域,左下領域で同一であるため、面積の大きい主画素のシェーディング補正効果と面積の小さい副画素のシェーディング補正効果とがずれてくるという問題が生じる。
本発明の目的は、フォトダイオードを複数に分割した各分割画素におけるシェーディング補正効果のズレを小さくできる固体撮像素子を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、第1分割画素と第2分割画素とに分割された所定形状のフォトダイオードが受光面上に複数配列形成された固体撮像素子において、前記フォトダイオードの前記所定形状の配置方向が前記受光面の中心位置を中心として点対称となるように前記複数のフォトダイオードが形成されていることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、第1分割画素と第2分割画素とに分割された所定形状のフォトダイオードが受光面上に複数配列形成された固体撮像素子において、前記受光面を該受光面の中心位置を中心として複数エリアに区分し、異なる区分内の前記フォトダイオードは、前記所定形状の配置方向が前記中心位置を中心として点対称となるように形成され、同一区分内の前記フォトダイオードは前記所定形状が同一配置方向となるように形成されていることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記第1分割画素の面積に対して前記第2分割画素の面積が小さいことを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記受光面に配列形成された偶数行の前記フォトダイオードに対して奇数行の前記フォトダイオードが1/2ピッチづつずれていることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記受光面上に前記フォトダイオードが正方格子状に配列形成されていることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、CCD型であることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、前記受光面の上側と下側に夫々水平転送路が設けられ、該受光面の上半分の領域の前記フォトダイオードから読み出された信号電荷は前記上側の水平転送路まで転送され、該受光面の下半分の領域の前記フォトダイオードから読み出された信号電荷は前記下側の水平転送路まで転送されることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、MOS型であることを特徴とする。
本発明によれば、各フォトダイオードの第1分割画素と第2分割画素の分割形状が偏っていても、受光面の位置によってフォトダイオードの分割形状が受光面中心位置を中心として対称となるように形成するため、第1分割画素と第2分割画素の各画像データのシェーディング補正効果にズレがなくなり、良好な撮像画像を得ることができる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。本実施形態では、固体撮像素子受光面を、中心点Oを中心に放射状に、右上領域,右下領域,左上領域,左下領域の4エリアに4分割している。
本実施形態の固体撮像素子では、図9で説明したと同様に、フォトダイオード1を主画素2と副画素3とに2分割しているのであるが、右上領域においては、副画素3の分割位置を右上側とし、右下領域においては、副画素3の分割位置を右下位置とし、左上領域においては、副画素3の分割位置を左上位置とし、左下領域においては、副画素3の分割位置を左下位置としている。
即ち、本実施形態では、固体撮像素子受光面を複数領域に分割し、各領域における分割画素位置を、受光面中心Oに対して対称となるように配置したことを特徴とする。
図2は、図1の受光面中心O周りの拡大模式図である。各フォトダイオード1の両脇には夫々蛇行する垂直転送電極5が設けられており、1つのフォトダイオード1の右側(左側)には、2枚の垂直転送電極5が配置されている。この2枚の垂直転送電極の各々と主画素2,副画素3との間に、夫々信号電荷読出ゲート(図2に黒丸で示す。)6,7が設けられている。
図3は、上述した固体撮像素子を搭載するデジタルスチルカメラのブロック構成図である。撮影レンズ10,光学ローパスフィルタ11,図示しないメカニカルシャッタの背面部に上述した固体撮像素子12が配置される。
固体撮像素子12の出力はアナログ処理回路(相関二重サンプリング回路CDSやゲインコントロールアンプGCA)13で処理された後、AD変換器14でデジタルデータに変換され、信号処理部15で信号処理される。
デジタルスチルカメラ全体を統括制御するCPU16は、タイミング発生器17を制御し、タイミング発生器17から出力される電子シャッタ信号等の各種タイミング信号がドライバ18を介して固体撮像素子12に与えられ、固体撮像素子12が駆動制御される。同様に、タイミング発生器17から出力される各種タイミング信号により、アナログ処理回路13や、AD変換器14や、信号処理回路15が制御される。
信号処理回路15は、CPU16との間で信号を授受しながら画像処理を行い、再生した画像データの縮小画像を表示部19に表示したり、JPEGデータ等に圧縮した画像データを記録メディア20に格納する。尚、符号21は、CPU16に対してユーザ指示を入力する操作キーである。
図4は、デジタルスチルカメラが固体撮像素子12から画像データを読み出すシーケンス図である。デジタルカメラのメカニカルシャッタが開いている間(主/副露光期間)に主画素2と副画素3とに夫々信号電荷が蓄積され、メカニカルシャッタが閉じたとき露光が終了する。
信号電荷の読出前に、垂直転送路を掃き出し駆動して垂直転送路上の不要電荷を排出し、その後、主画素2の信号電荷(主画素データ)を垂直転送路に読み出して水平転送路まで転送し、水平転送路を転送して固体撮像素子から出力する。次に、副画素3の信号電荷(副画素データ)を垂直転送路に読み出し、同様にして固体撮像素子から出力する。
図5は、デジタルスチルカメラが固体撮像素子12から画像データを読み出し信号処理する処理手順を示すフローチャートである。固体撮像素子12の全フォトダイオード1の主画素2,副画素3の全てから画像データを読み出す場合には、全画素読みモードが選択される(ステップS1)。
次に主/副画素読みがスタートし(ステップS2)、図4で説明した様に、先ず、主画素データが垂直転送路に読み出されて水平転送路まで転送され、次に水平転送路上を転送されて固体撮像素子12から出力され(ステップS3)、図示しない画像メモリ等に書き込まれる。
主画素データの読み出し後に、今度は副画素データが垂直転送路に読み出されて水平転送路まで転送され、次に水平転送路上を転送されて固体撮像素子12から出力され(ステップS4)、図示しない画像メモリ等に書き込まれる。
次に、固体撮像素子受光面を図1に示す様に4エリアに分割したことに起因し、分割領域の空間位置合わせ処理を行う(ステップS5)。
本実施形態では、図2に示す様に、中心点Oを通る垂直転送路aには、主画素2からも副画素3からも画像データは読み出されないため、この位置の画像データは空白になってしまう。そこで、この空白部分を削除し、右上,右下領域の画素で撮像された画像と、左上,左下領域の画素で撮像された画像の空間位置合わせを行う。
また、同様に、中心点Oを挟んだ上側の右上,左上領域と、下側の右下,左下領域との空間位置合わせも必要となる。即ち、図2で示す様に、上側領域内の、例えば副画素3間の転送電極膜数はb1,b2,b3,b4の4枚であるが、中心点Oを挟んで垂直方向に並ぶ副画素3間では、転送電極膜数は、c1,c2,c3,c4,c5と5枚となり、固体撮像素子受光面の全領域の画素データを一律のタイミングで垂直転送路上を転送させると、横一行分の空白行が生じてしまう。そこで、この空白行を削除し、上領域の画素による撮像画像と下領域の画素による撮像画像の空間位置合わせを行う。
尚、この分割領域の空間位置合わせ処理は、画像メモリに書き込まれた画像データを処理することで行っても良いが、固体撮像素子から画像データを読み出すときに垂直転送路,水平転送路の転送タイミングを制御することで上記の空白部分を削除することでもよい。
次のステップS6では、主画素から読み出された画像データと副画素から読み出された画像データとを加算合成し、撮像画像の広ダイナミックレンジ化を行う。
図6は、撮像画像の広ダイナミックレンジ化処理の説明図である。図中の特性線Iは、主画素2の光電変換特性であり、特性線IIは副画素の光電変換特性である。主画素2の出力は、特性線Iに示す様に、被写体輝度(横軸)が低輝度のとき輝度に応じてリニアに上昇し、ある輝度以上で飽和する。これに対し、副画素3の出力は、特性線IIに示す様に、飽和輝度が主画素2に対して4倍に設定され、飽和出力は、主画素2の飽和出力の1/4に設定される。この違いは、主画素2と副画素3の面積比によるものであり、主画素2に対して副画素3の感度は1/16となる。
そこで、主画素2が飽和点に達した以後、副画素3の光電変換特性IIのうちリニアに変化する部分II’を加算することで、主画素2が検出できない高輝度範囲内における輝度の差を画像に表すことができ、ダイナミックレンジの広い撮像画像が再生される。
以上述べた実施形態の固体撮像素子によれば、主画素2の画像データに対するシェーディング補正効果と、副画素3の画像データに対するシェーディング補正効果とのズレを無くすことができるため、良好でしかも広ダイナミックレンジの画像を得ることができる。
図7は、本発明の別実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。本実施形態では、固体撮像素子受光面の上側,下側の夫々に第1,第2の水平転送路(HCCD)を設けている。そして、受光面の下側領域(右下領域,左下領域)の主画素2,副画素3の画像データは第1水平転送路まで垂直転送路上を転送させた後、この第1水平転送路上を転送させて固体撮像素子から出力させる構成になっている。また、受光面の上側領域(右上領域,左上領域)の主画素2,副画素3の画像データは第2水平転送路まで垂直転送路上を転送させた後、この第2水平転送路上を転送させて固体撮像素子から出力させる構成になっている。
この固体撮像素子の画像データ読み出し方法でも、図1に示す実施形態の固体撮像素子と同様の効果を得ることができる。
尚、上述した実施形態では、CCD型で且つ所謂ハニカム画素配置(偶数行の画素に対して奇数行の画素を1/2ピッチずらして配置した画素配置)の固体撮像素子を例に説明したが、各画素を正方格子状に配置し、各画素を複数の分割画素に分割する構成でも良いことはいうまでもない。また、CCD型ではなく、CMOS型などの他の形式の固体撮像素子でも良いことはいうまでもなく、CMOS型であれば、主画素,副画素の夫々に信号読出線を設ければ良い。
本発明に係る固体撮像素子は、フォトダイオードを複数に分割した各分割画素におけるシェーディング補正効果のズレを小さくできるので、デジタルカメラ等に搭載する固体撮像素子として有用である。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。 図1に示す固体撮像素子の中心位置周りの拡大模式図である。 図1に示す固体撮像素子を搭載したデジタルスチルカメラのブロック構成図である。 図3に示すデジタルスチルカメラにおける固体撮像素子からの画像データ読み出しシーケンス図である。 図3に示すデジタルスチルカメラが実行する処理手順を示すフローチャートである。 図1に示す主画素と副画素の光電変換特性を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。 固体撮像素子受光面を示す平面図である。 従来の固体撮像素子の表面模式図である。
符号の説明
1 フォトダイオード(光電変換素子)
2 主画素
3 副画素
5 転送電極膜
6 主画素の信号電荷読出ゲート
7 副画素の信号電荷読出ゲート
O 受光面の中心位置

Claims (8)

  1. 第1分割画素と第2分割画素とに分割された所定形状のフォトダイオードが受光面上に複数配列形成された固体撮像素子において、前記フォトダイオードの前記所定形状の配置方向が前記受光面の中心位置を中心として点対称となるように前記複数のフォトダイオードが形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 第1分割画素と第2分割画素とに分割された所定形状のフォトダイオードが受光面上に複数配列形成された固体撮像素子において、前記受光面を該受光面の中心位置を中心として複数エリアに区分し、異なる区分内の前記フォトダイオードは、前記所定形状の配置方向が前記中心位置を中心として点対称となるように形成され、同一区分内の前記フォトダイオードは前記所定形状が同一配置方向となるように形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
  3. 前記第1分割画素の面積に対して前記第2分割画素の面積が小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子。
  4. 前記受光面に配列形成された偶数行の前記フォトダイオードに対して奇数行の前記フォトダイオードが1/2ピッチづつずれていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の固体撮像素子。
  5. 前記受光面上に前記フォトダイオードが正方格子状に配列形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
  6. CCD型であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の固体撮像素子。
  7. 前記受光面の上側と下側に夫々水平転送路が設けられ、該受光面の上半分の領域の前記フォトダイオードから読み出された信号電荷は前記上側の水平転送路まで転送され、該受光面の下半分の領域の前記フォトダイオードから読み出された信号電荷は前記下側の水平転送路まで転送されることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像素子。
  8. MOS型であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の固体撮像素子。
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