JP2009277872A - 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009277872A JP2009277872A JP2008127393A JP2008127393A JP2009277872A JP 2009277872 A JP2009277872 A JP 2009277872A JP 2008127393 A JP2008127393 A JP 2008127393A JP 2008127393 A JP2008127393 A JP 2008127393A JP 2009277872 A JP2009277872 A JP 2009277872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid film
- film
- wafer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部と隙間を介して対向する対向面部を備え、前記隙間に表面張力により液膜を形成すると共に基板の遠心力によりこの液膜を当該基板の裏面側から表面側へ回り込ませて、前記被処理膜の周縁部を除去するための液膜形成部と、前記対向面部よりも基板の中央よりに基板の裏面に対向してガス吐出孔及びガス吸引孔が設けられた姿勢制御部と、を備えるように装置を構成し、ガスの吐出及び吸引作用により前記基板の上下のぶれを抑えると共にガスの吐出量及び吸引量に応じて基板の周縁部の高さを調整して基板の表面側における液膜の回り込み位置を制御して、前記被処理膜の除去幅を制御する。
【選択図】図6
Description
前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部と隙間を介して対向する対向面部を備え、前記隙間に表面張力により液膜を形成すると共に基板の遠心力によりこの液膜を当該基板の裏面側から表面側へ回り込ませて、前記被処理膜の周縁部を除去するための液膜形成部と、
前記対向面部よりも基板の中央よりに基板の裏面に対向してガス吐出孔及びガス吸引孔が設けられ、ガスの吐出及び吸引作用により前記基板の上下のぶれを抑えると共にガスの吐出量及び吸引量に応じて基板の周縁部の高さを調整して基板の表面側における液膜の回り込み位置を制御するための姿勢制御部と、
被処理膜の除去幅と、前記姿勢制御部のガス吐出量及びガス吸引量と、を対応付けたデータが記憶された記憶部と、
選択された前記除去幅に対応するガス吐出量及びガス吸引量を前記記憶部から読み出しガス吐出量及びガス吸引量を制御するための制御信号を出力する制御手段と、
を備えたことを特徴とする。
前記基板を鉛直軸回りに回転させる工程と、
前記基板の周縁部と対向する対向面部を備えた液膜形成部の前記対向面部に処理液を供給する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部と隙間を介して対向する対向面部を備えた液膜形成部により、前記隙間に表面張力により液膜を形成する工程と、
基板の遠心力によりこの液膜を当該基板の裏面側から表面側へ回り込ませて、前記被処理膜の周縁部を除去する工程と、
前記対向面部よりも基板の中央よりに基板の裏面に対向して設けられたガス吐出孔及びガス吸引孔からのガスの吐出及び吸引作用により前記基板の上下のぶれを抑えると共にガスの吐出量及び吸引量に応じて基板の周縁部の高さを調整して基板の表面側における液膜の回り込み位置を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。
被処理膜の除去幅と、前記姿勢制御部のガス吐出量及びガス吸引量と、を対応付けたデータが記憶された記憶部から、選択された前記除去幅に対応するガス吐出量及びガス吸引量を読み出す工程と、
読み出されたガス吐出量及びガス吸引量に夫々ガスの吐出及びガスの吸引を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像する現像部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックとレジストが塗布された基板を露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を備えた塗布、現像装置において、
前記処理ブロックまたはインターフェイスブロックに上述の基板処理装置を備えたことを特徴とする。また、前記露光は例えば液浸露光である。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのステップ群が組み込まれている。
縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。また前記カップ体24の底部の内側領域には排気口25が形成されており、この排気口25には排気管25aが接続されている。さらに前記カップ体24の底部の外側領域には排液口26が形成されており、この排液口26には排液管26aが接続されている。
その結果として、保護膜の外縁がウエハWのベベル部分よりも内側に位置したり、下層膜の外縁よりも内側に位置したりすることが抑えられるので、液浸露光時に保護膜のウエハWへの接着性が低下して当該保護膜がウエハWから剥がれることや、水がウエハWの裏面に回り込むことが抑えられる。また、ウエハWの周において十分に余分な保護膜が除去されていない箇所が発生することも抑えられる。
また、上記のように液膜形成部5、姿勢制御部6は夫々液膜形成位置、処理位置にウエハWとの接触が抑えられるように移動するので、ウエハWとこれら液膜形成部5、姿勢制御部6との衝突によりウエハWが衝撃を受けて、形成された各膜に欠陥が発生することが抑えられる。
評価試験1
上述の姿勢制御部6を用いて、スピンチャック21に保持されたウエハWの回転数を100rpm〜300rpmの範囲で変化させたときのウエハWの周縁部の上下の振れ量を計測した。また、姿勢制御部6を用いずに同様にウエハWを回転させて、上下の振れ量を計測した。図17はこの試験の結果を示したグラフであり、グラフの横軸は回転数(rpm)、縦軸は振れ量(mm)を夫々示している。実線がこの姿勢制御部6へのガス供給量及び姿勢制御部からの吸引量を夫々15L/分としたときの結果を示しており、点線がこの姿勢制御部6へのガス供給量及び姿勢制御部6からの吸引量を夫々50L/分としたときの結果を示している。鎖線は姿勢制御部6を用いなかった実験の結果を示している。このように姿勢制御部6を用いた場合は用いなかった場合に比べて振れ量が抑えられている。従って、上記の実施形態で保護膜の周縁部の除去を行う際に、この上下のぶれによるウエハWの周におけるカット幅の変動を抑えることができると考えられる。
図18(a)に示すようにウエハWの周縁部上にレーザー測定器70を設け、姿勢制御部6により姿勢制御を行った場合と、姿勢制御を行わなかった場合とのウエハWの上下のぶれ量をウエハの回転数を変化させて測定した。図18(b)、図18(c)、図19(a)、図19(b)、図19(c)は夫々ウエハWの回転数が10rpm、30rpm、50rpm、80rpm、100rpmであるときのウエハWのぶれ量のグラフ図であり、グラフ中の実線が姿勢制御を行った場合(補正後)、グラフ中の鎖線が姿勢制御を行わなかった場合(補正前)の時間に対する測定位置の上下の変位を夫々示している。下記の表1は各グラフの結果から得られた各回転数と変位量とを示したものであり、いずれの回転数の場合も補正後の変位量は抑えられている
表1
また、直径300mmのウエハWの径方向におけるエッジ(端部)から20mmの位置について、レーザー変位計を用いて姿勢制御部6により姿勢制御を行った場合と、姿勢制御を行わなかった場合とのウエハWの上下のぶれ量をウエハの回転数を変化させて測定した。表2はその結果を示したものである。
表2
これら評価試験2−1、2−2の結果から姿勢制御部6を設けることでウエハWのぶれが抑えられることが示された。従ってこれらの評価試験からも姿勢制御部6を設けることでウエハWの周におけるカット幅の変動を抑えることができると考えられる。
ウエハWに形成された下層膜、保護膜について、各々背景技術の欄で示したように姿勢制御部6を用いずにその端部のカットを行い、その後SEMによりウエハの断面を検査した。この検査は複数のウエハWについて行い、ウエハW毎にカット時の回転数を変更した。
評価試験3−1と同様に保護膜71について、その周縁部のカットを行い、その後SEMによりウエハの断面を検査し、カット幅を観察した。この検査は複数のウエハWについて行い、ウエハW毎にカット時の回転数を変更した。ただし、この評価試験3−2においては、姿勢制御部6を用いてウエハWの姿勢制御を行いながらカットを行った。
背景技術の欄で示した手法で、姿勢制御部6を用いずに膜の周縁部のカットを行い、その後ウエハWの表面全周についてウエハW表面からのカット面の高さを測定した。ウエハWの回転数は1000rpmに設定した。図22(a)(b)は夫々異なる膜A,膜Bについてのカット高さを示したグラフであり、横軸の角度は図22(c)に示すようにノッチが形成されている箇所を0°及び360°としている。膜A、膜Bについての3シグマ(標準偏差の3倍)は夫々18.8μm、14.1μmであった。ウエハWの回転数を600rpmにして同様の試験を行ったところ図23(a)のグラフに示す結果となり、膜A、膜Bについての3シグマは夫々13.8μm、14.5μmであった。ウエハWの回転数を400rpmにして同様の試験を行ったところ図23(b)のグラフに示す結果となり、膜A、膜Bについての3シグマは夫々18.4μm、26.8μmであった。このように従来の手法によるとカット幅の精度(3シグマの値)が10μm以上あるが、評価試験1、評価試験2の結果から上記の実施形態のように膜のカットを行うことでこのカット幅の精度を高くすることができると考えられ、前記3シグマを5μm程度に抑えることができると発明者は考えている。
2 保護膜形成装置
21 スピンチャック
31 薬液ノズル
5 液膜形成部
51A 供給孔
51B 吸引孔
6 姿勢制御部
62A 吐出孔
62B 吸引孔
66A 流量制御部
66B 排気手段
8 制御部
86 記憶部
Claims (17)
- その表面に被処理膜が形成された円形状の基板の裏面の中央部を保持して当該基板を水平に支持するための基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部と隙間を介して対向する対向面部を備え、前記隙間に表面張力により液膜を形成すると共に基板の遠心力によりこの液膜を当該基板の裏面側から表面側へ回り込ませて、前記被処理膜の周縁部を除去するための液膜形成部と、
前記対向面部よりも基板の中央よりに基板の裏面に対向してガス吐出孔及びガス吸引孔が設けられ、ガスの吐出及び吸引作用により前記基板の上下のぶれを抑えると共にガスの吐出量及び吸引量に応じて基板の周縁部の高さを調整して基板の表面側における液膜の回り込み位置を制御するための姿勢制御部と、
被処理膜の除去幅と、前記姿勢制御部のガス吐出量及びガス吸引量と、を対応付けたデータが記憶された記憶部と、
選択された前記除去幅に対応するガス吐出量及びガス吸引量を前記記憶部から読み出し、ガス吐出量及びガス吸引量を制御するための制御信号を出力する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記被処理膜は液浸露光により露光されるレジスト膜を被覆して保護するための撥水性の保護膜であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記被処理膜は液浸露光により露光される撥水性のレジスト膜であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板の表面及び裏面の周縁部は、当該基板の外縁に向かうにつれてその厚さが薄くなるように斜面をなすベベル部分を形成し、前記除去幅は、液膜によりその周縁部が除去された被処理膜の外縁が基板表面の前記ベベル部分に位置するように選択されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記吐出孔及び吸引孔は基板の回転方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記吐出孔及び前記吸引孔は、基板の回転方向及び回転する基板の径方向に沿って交互に配列されていることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記姿勢制御部を、前記基板の周縁部の高さを制御するためにガスを吐出すると共に吸引を行う処理位置と、その下方の待機位置との間で昇降させるための第1の昇降機構が設けられていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記液膜形成部を、前記液膜を形成するための液膜形成位置と、その下方の待機位置との間で昇降させるための第2の昇降機構が設けられ、第2の昇降機構は、液膜形成部の基板への接触を抑えるために姿勢制御部の吐出孔からガスが吐出されているときに、液膜形成部を前記待機位置から前記液膜形成位置に上昇させることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記液膜形成部には、不要になった前記液膜を形成する処理液を除去するための排液手段が設けられていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- その表面に被処理膜が形成された円形状の基板の裏面を基板保持部により保持して当該基板を水平に支持する工程と、
前記基板を鉛直軸回りに回転させる工程と、
前記基板の周縁部と対向する対向面部を備えた液膜形成部の前記対向面部に処理液を供給する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部と隙間を介して対向する対向面部を備えた液膜形成部により、前記隙間に表面張力により液膜を形成する工程と、
基板の遠心力によりこの液膜を当該基板の裏面側から表面側へ回り込ませて、前記被処理膜の周縁部を除去する工程と、
前記対向面部よりも基板の中央よりに基板の裏面に対向して設けられたガス吐出孔及びガス吸引孔からのガスの吐出及び吸引作用により前記基板の上下のぶれを抑えると共にガスの吐出量及び吸引量に応じて基板の周縁部の高さを調整して基板の表面側における液膜の回り込み位置を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理膜の除去幅を選択する工程と、
被処理膜の除去幅と、前記姿勢制御部のガス吐出量及びガス吸引量と、を対応付けたデータが記憶された記憶部から、選択された前記除去幅に対応するガス吐出量及びガス吸引量を読み出す工程と、
読み出されたガス吐出量及びガス吸引量に応じて夫々ガスの吐出及びガスの吸引を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記基板の回転中に前記液膜を構成する処理液を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項10または11に記載の基板処理方法。
- 前記姿勢制御部の吐出孔からガスを吐出させながら、姿勢制御部を前記基板の周縁部の高さを制御するための処理位置へとその下方の待機位置から上昇させる工程を含むことを特徴とする請求項10ないし12のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記姿勢制御部を上昇させる工程を行うと共に前記液膜形成部を前記液膜を形成するための液膜形成位置へとその下方の待機位置から上昇させる工程を行うことを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
- 基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像する現像部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックとレジストが塗布された基板を露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を備えた塗布、現像装置において、
前記処理ブロックまたはインターフェイスブロックに請求項1ないし9のいずれか一つに記載の基板処理装置を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記露光は液浸露光であることを特徴とする請求項15に記載の塗布、現像装置。
- 回転する円形状の基板の表面に形成された被処理膜の周縁部を除去するための基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項10ないし14のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127393A JP5012652B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127393A JP5012652B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277872A true JP2009277872A (ja) | 2009-11-26 |
JP5012652B2 JP5012652B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=41443029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008127393A Active JP5012652B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5012652B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
US8734593B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2016207981A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN109817549A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS636843A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像処理方法 |
JPH02164477A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Teru Kyushu Kk | 基板処理装置 |
JPH04192514A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | レジスト現像装置 |
JPH08124846A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2001267404A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板搭載装置 |
JP2002246364A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-08-30 | Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh | ウエハ形状の物品に対する液体処理のための装置 |
JP2003332285A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Supurauto:Kk | 基板処理装置及び方法 |
JP2007273541A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Topcon Corp | ウェハ保持装置 |
JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008127393A patent/JP5012652B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS636843A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像処理方法 |
JPH02164477A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Teru Kyushu Kk | 基板処理装置 |
JPH04192514A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | レジスト現像装置 |
JPH08124846A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2001267404A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板搭載装置 |
JP2002246364A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-08-30 | Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh | ウエハ形状の物品に対する液体処理のための装置 |
JP2003332285A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Supurauto:Kk | 基板処理装置及び方法 |
JP2007273541A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Topcon Corp | ウェハ保持装置 |
JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
US8734593B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US9576787B2 (en) | 2010-03-30 | 2017-02-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
JP2016207981A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN109817549A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质 |
KR20190058306A (ko) * | 2017-11-20 | 2019-05-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법 및 기억 매체 |
JP2019096669A (ja) * | 2017-11-20 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
JP2022009316A (ja) * | 2017-11-20 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
US11467496B2 (en) | 2017-11-20 | 2022-10-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, method of adjusting parameters of coating module, and storage medium |
KR102648704B1 (ko) | 2017-11-20 | 2024-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법 및 기억 매체 |
CN109817549B (zh) * | 2017-11-20 | 2024-06-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5012652B2 (ja) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5012651B2 (ja) | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
JP4788785B2 (ja) | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 | |
JP6436068B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US8218124B2 (en) | Substrate processing apparatus with multi-speed drying having rinse liquid supplier that moves from center of rotated substrate to its periphery and stops temporarily so that a drying core can form | |
JP6439766B2 (ja) | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 | |
KR102403094B1 (ko) | 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 | |
JP4853536B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
US8894775B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2010206019A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
JP5012652B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
JP4381909B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6938248B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
US10921713B2 (en) | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus | |
JP2010016315A (ja) | 回転塗布装置の洗浄用治具および洗浄方法 | |
JP5072380B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2017183310A (ja) | 液処理装置 | |
JP6627954B2 (ja) | 塗布、現像方法、記憶媒体及び塗布、現像装置 | |
JP2010040921A (ja) | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
JP2009094406A (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP6597872B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5138802B2 (ja) | 回転塗布装置の洗浄用治具および洗浄方法 | |
JP3920608B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP2020009800A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7138493B2 (ja) | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5012652 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |