JP6597872B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
次いで、基板の表面全体に金属を含有するレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
その後、前記保護膜を前記基板から除去する工程と、を含み、
前記保護膜を形成する工程は、
前記基板を回転保持部に保持する工程と、次いで前記回転保持部を回転させた状態で、第1のノズルから保護膜用の塗布液を基板の外方側斜めに向けて吐出させながら、塗布液の吐出領域を基板の外周よりも外側から基板の表面側周縁部に移動させる工程と、続いて前記第1のノズルを停止した状態で保護膜用の塗布液を前記表面側周縁部に吐出する工程と、
を含み、
前記第1のノズルからの塗布液の吐出を停止した状態で、前記塗布液の吐出領域を基板の外側に移動させる退避工程を含むことを特徴とする。
本発明の基板処理方法に係る第1の実施の形態を実施する塗布、現像装置1について、図1〜図3を参照しながら説明する。図1、図2、図3は夫々塗布、現像装置1の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置1は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、を水平方向に直線状に、この順番で接続して構成されている。また、インターフェイスブロックD3には露光装置D4が、処理ブロックD2と反対側に接続されている。以降の説明ではブロックD1〜D3の配列方向を前後方向とし、ブロックD1側を前方側、ブロックD3側を後方側とする。
続いて第2の実施形態に係る塗布、現像装置1を、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。この第2の実施形態においては、保護膜形成モジュール3の代わりに図21に示す保護膜形成モジュール7が設けられている。この保護膜形成モジュール7では、ウエハWの全周において、ウエハWの裏面側のベベルよりも当該ウエハWの中心側の位置からウエハWの側周面を介してウエハWの表面のベベルに跨がるように、保護膜30が形成される。つまりこの保護膜形成モジュール7においては、ウエハWの表面においてベベルよりも内側には保護膜30が形成されないように成膜が行われる。これは、レジストパターンが形成される領域をより広くし、1枚のウエハWからより多くの半導体製品を製造するためである。
以下、本発明に関連して行われた評価試験1について説明する。この評価試験1では、上記のモジュール3を用いて複数のウエハWの周縁部に薬液を供給して成膜を行った。ただしこの薬液としては、保護膜形成用の薬液3Aの代わりにレジストを使用した。評価試験1−1として、既述の第1の実施形態の図11〜図14で説明した手順に沿って成膜を行った。また、評価試験1−2として、ウエハWの周縁部上で薬液を吐出するノズル37を停止させた後、ノズル37をウエハWの外側へ移動する際にも薬液を吐出するようにしたことを除いては、既述の手順に沿って成膜を行った。さらに、評価試験1−3として、評価試験1−2と同様にノズル37をウエハWの外側へ移動する際にも薬液を吐出するようにしたこと及びウエハWの回転数を250rpmとしたことを除いて、既述の手順に沿って成膜を行った。従って、評価試験1−3におけるウエハWの回転数は、評価試験1−1、1−2におけるウエハWの回転数である150rpmよりも高い。
1 塗布、現像装置
3 保護膜形成モジュール
30 保護膜
3A 保護膜形成用の薬液
31 スピンチャック
37 保護膜形成用ノズル
4 レジスト塗布モジュール
40 レジスト膜
4A レジスト
4B レジストの溶剤
4C 保護膜の溶剤
44 保護膜除去用ノズル
Claims (7)
- 基板の表面側周縁部から周端面を介して裏面側周縁部に保護膜を形成する工程と、
次いで、基板の表面全体に金属を含有するレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
その後、前記保護膜を前記基板から除去する工程と、を含み、
前記保護膜を形成する工程は、
前記基板を回転保持部に保持する工程と、次いで前記回転保持部を回転させた状態で、第1のノズルから保護膜用の塗布液を基板の外方側斜めに向けて吐出させながら、塗布液の吐出領域を基板の外周よりも外側から基板の表面側周縁部に移動させる工程と、続いて前記第1のノズルを停止した状態で保護膜用の塗布液を前記表面側周縁部に吐出する工程と、
を含み、
前記第1のノズルからの塗布液の吐出を停止した状態で、前記塗布液の吐出領域を基板の外側に移動させる退避工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記退避工程は、
前記塗布液の吐出領域が前記基板の外側への移動を開始する時点から当該基板の外側に至るまでの間、前記第1のノズルからの前記塗布液の吐出を停止する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。 - 前記退避工程は、
前記塗布液の吐出領域を、回転する前記基板の外側へと移動させる工程を含む請求項1または2記載の基板処理方法。 - 前記保護膜を除去する工程は、
前記回転保持部を回転させた状態で、第2のノズルから保護膜用の除去液を基板の外方側斜めに向けて吐出させながら、前記保護膜用の除去液の吐出領域を基板の外周よりも外側から基板の表面側周縁部に移動させる工程と、続いて前記第2のノズルを停止した状態で前記保護膜用の除去液を前記表面側周縁部に吐出する工程と、
を含む請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記レジスト膜を形成する工程を行った後、前記保護膜を除去する工程を行う前において行われる、前記基板の周縁部から前記レジスト膜を除去する工程を含み、
当該レジスト膜を除去する工程は、回転保持部を回転させた状態で前記基板の表面側周縁部、基板の裏面側周縁部に夫々第3のノズルから前記レジスト膜を除去するレジスト膜用の除去液を供給する工程を含む請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記第1のノズルから前記保護膜用の塗布液を前記基板に供給中に、当該基板の裏面に設けられるガス吐出部からガスを、前記基板の裏面側に配置された筒状部材の内周面に向けて吐出し、当該内周面に沿って当該ガスを前記基板の裏面の周縁部に向けて供給する工程を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 基板を保持すると共に回転させる回転保持部と、
前記基板に金属を含有するレジストを供給するレジストノズルと、
前記基板に保護膜用の塗布液を供給する第1のノズルと、
前記第1のノズルを移動させる移動機構と、
前記基板に保護膜の除去液を供給する第2のノズルと、
前記回転保持部を回転させた状態で、前記第1のノズルから保護膜用の塗布液を基板の外方側斜めに向けて吐出させながら、塗布液の吐出領域を基板の外周よりも外側から基板の表面側周縁部に移動させ、次いで前記第1のノズルを停止した状態で保護膜用の塗布液を前記表面側周縁部に吐出し、当該基板の表面側周縁部から周端面を介して裏面側周縁部に前記保護膜を形成するステップと、
続いて、前記第1のノズルからの塗布液の吐出を停止した状態で、前記塗布液の吐出領域を前記基板の外側に移動させるステップと、
その後、前記基板の表面全体に前記レジストを供給してレジスト膜を形成するステップと、
然る後、前記基板に前記保護膜の除去液を供給して前記保護膜を除去するステップと、
を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
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