JP2009204926A - 電気泳動表示装置の製造方法、電気泳動表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなるとともに、複数の画素が配列されてなる表示部を備え、前記画素ごとに、選択トランジスタと、前記選択トランジスタと接続されたラッチ回路とが設けられた電気泳動表示装置の製造方法であって、前記選択トランジスタを構成する第1の半導体部と、前記ラッチ回路の帰還インバータを構成する複数のトランジスタの第2の半導体部とを、基板面方向で一列に配列して形成する半導体部形成工程と、前記第1及び第2の半導体部に一括してパルス光を照射する光照射工程とを有する。
【選択図】図6
Description
この回路構成によれば、ラッチ回路に画像データを保持しながらディスプレイの状態を全黒、全白、反転画像と変化させることが可能なため、新たな画像を表示させる場合以外はドライバ回路を動作させる必要がなく、より柔軟的な表示方法が可能となる。
本発明によれば、半導体部を形成する際に、第1の半導体部のうち選択トランジスタのチャネル領域となる平面領域と、第2の半導体部のうち複数のトランジスタのそれぞれのチャネル領域となる平面領域とを、画素の配列方向に沿って直線状に配置して形成することとしたので、第1及び第2の半導体部のうちチャネル領域において確実に同程度に結晶化させることができる。
本発明によれば、半導体部を形成する際、後工程の光照射工程でパルス光を照射される領域内に、第1及び第2の半導体部を形成することとしたので、パルス光を第1及び第2の半導体部の全体に確実に照射することができる。これにより、単一パルスのパルス光を照射するだけで各半導体部の全領域を結晶化することができるので、パルス光照射工程の時間短縮を図ることができる。
本発明によれば、半導体部を形成する際、複数の画素の第1及び第2の半導体部を、画素の配列方向に沿って直線状に配置して形成することとしたので、複数の画素においてラッチ回路の誤動作を防ぐことができる。これにより、より信頼性の高い電気泳動表示装置を製造することができる。
本発明によれば、複数の画素が、表示部に延在する走査線又はデータ線のうち1本の走査線又はデータ線に属する複数の画素であるとしたので、1本の走査線又はデータ線に属する複数の画素についてラッチ回路の誤動作を防ぐことができる。
本発明によれば、複数の画素の第1及び第2の半導体部が、画素の配列方向に沿って直線状に配列されていることとしたので、複数の画素においてラッチ回路の誤動作を防ぐことができる。これにより、より信頼性の高い電気泳動表示装置を得ることができる。
本発明によれば、複数の画素が、表示部に延在する走査線又はデータ線のうち1本の走査線又はデータ線に属する複数の画素であることとしたので、1本の走査線又はデータ線に属する複数の画素についてラッチ回路の誤動作を防ぐことができる。
本発明によれば、ラッチ回路の誤動作を防ぐことができ、信頼性の高い電気泳動表示装置を搭載したので、表示部の信頼性が高い電子機器を得ることができる。
同図に示すように、画素20は、選択トランジスタ24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。
同図に示すように、画素20は平面視矩形状の領域に設けられており、当該画素20の下辺に沿って形成された走査線40、左辺に沿って形成されたデータ線50、右辺に沿って形成された低電位電源線77及び下辺に走査線40と並んで形成された高電位電源線78の4本のグローバル配線によって囲まれている。図5には低電位電源線77の一部を切断した状態が示されており、当該低電位電源線77に平面視で重なる下層部分の構造がわかるようになっている。
上記のように構成された電気泳動表示装置1を製造する際には、素子基板28上のうち画素20内の第1層に半導体部24a、半導体部31a、半導体部32a、半導体部33a及び半導体部34aを形成し(半導体形成工程)、これらの半導体部にパルスレーザを照射して各半導体部を結晶化する(光照射工程)。パルスレーザの単位パルスあたりの照射範囲は上記の所定領域Aの図中上下方向の幅と同一になっている。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態に係る電気泳動表示装置101は、第1実施形態の図2及び図5に示された画素20に、反転データ線及び当該反転データ線に接続された選択トランジスタを設けた構成になっている。したがって、以下で参照する図面において、図2及び図5の画素20と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
図7に示すように、画素120は、選択トランジスタ24と、選択トランジスタ24Rと、ラッチ回路(メモリ回路)25と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。選択トランジスタ24及びラッチ回路25の構成は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
このように、図7の回路構成によれば、2つの選択トランジスタによって書き込みを行うため、図2の回路に比べて、より確実にデータを書き込むことができる。
同図に示すように、画素120は平面視矩形に設けられている。第1実施形態と同様、画素120は下辺に沿って形成された走査線40、左辺に沿って形成されたデータ線50、右辺に沿って形成された低電位電源線77及び下辺に走査線40と並んで形成された高電位電源線78に囲まれている。これらのグローバル配線に加えて、画素120の右辺には低電位電源線77との間に所定のスペースを空けて反転データ線50Rが形成されている。なお、図8には低電位電源線77の一部を切断した状態で示されており、当該低電位電源線77に平面視で重なる下層部分の構造がわかるようになっている。
次に、本発明の第3実施形態を説明する。本実施形態に係る電気泳動表示装置201は、第1実施形態の図2に示された画素20に、電位制御用スイッチ回路としてのトランスファゲートを設けた構成になっている。したがって、以下で参照する図面において、図2の画素20と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
図9に示すように、画素220は、選択トランジスタ24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、電位制御用スイッチ回路であるトランスミッションゲートTG1、TG2と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。選択トランジスタ24及びラッチ回路25の構成は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図10に示すように、画素220は平面視矩形に設けられている。第1実施形態と同様、画素220は下辺に沿って形成された走査線40、左辺に沿って形成されたデータ線50、右辺に沿って形成された低電位電源線77及び下辺に走査線40と並んで形成された高電位電源線78に囲まれている。これらのグローバル配線に加えて、画素220の上辺には第1制御線S1が形成されており、画素220の左辺には第2制御線S2が形成されている。なお、図10には低電位電源線77の一部を切断した状態で示されており、当該低電位電源線77に平面視で重なる下層部分の構造がわかるようになっている。
以上の構成を有する画素220において、データ線50から選択トランジスタ24を介してラッチ回路25にローレベルの画像データが入力されると、ラッチ回路25の入力端子N1からローレベル、出力端子N2からハイレベルが出力される。したがって、トランスミッションゲートTG1を構成するP型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のみがオンされる。これにより、画素電極21は配線35を介して第1制御線S1に電気的に接続される。
次に、本発明の第4実施形態を説明する。本実施形態に係る電気泳動表示装置301は、第3実施形態の図9に示された画素220に、反転データ線、当該反転データ線に接続された選択トランジスタを設けた構成になっている。したがって、以下で参照する図面において、図9の画素220と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
図11に示すように、画素320は、選択トランジスタ24と、選択トランジスタ24Rと、ラッチ回路(メモリ回路)25と、電位制御用スイッチ回路であるトランスミッションゲートTG1、TG2と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。なお、選択トランジスタ24及びラッチ回路25の構成は第1実施形態と同様であり、選択トランジスタ24Rの構成は第2実施形態と同様であり、トランスミッションゲートTG1、TG2の構成は第3実施形態と同様である。
図12に示すように、画素320は平面視矩形に設けられている。第1実施形態と同様、画素320は下辺に沿って形成された走査線40、左辺に沿って形成されたデータ線50、右辺に沿って形成された低電位電源線77及び下辺に走査線40と並んで形成された高電位電源線78に囲まれている。これらのグローバル配線に加えて、画素320の右辺には低電位電源線77との間に所定のスペースを空けて反転データ線50Rが形成されている。また、画素320の上辺には第1制御線S1が形成されており、画素320の左辺には第2制御線S2が形成されている。なお、図12には低電位電源線77の一部を切断した状態で示されており、当該低電位電源線77に平面視で重なる下層部分の構造がわかるようになっている。
上記第3実施形態及び第4実施形態に例示した電気泳動表示装置は、トランスミッションゲートTG1、TG2がトランジスタを2個ずつ有している構成されていることとしたが、これに限られることは無く、例えば1つのトランジスタで構成されたトランスミッションゲートであっても構わない。
Claims (9)
- 一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなるとともに、複数の画素が配列されてなる表示部を備え、前記画素ごとに、選択トランジスタと、前記選択トランジスタと接続されたラッチ回路とが設けられた電気泳動表示装置の製造方法であって、
前記選択トランジスタを構成する第1の半導体部と、前記ラッチ回路の帰還インバータを構成する複数のトランジスタからなる第2の半導体部とを、前記画素の配列方向に沿って直線状に形成する半導体部形成工程と、
前記第1及び第2の半導体部に対して、前記直線状の配列に沿ってパルス光を照射する光照射工程と
を有することを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程において、
前記第1の半導体部のうち前記選択トランジスタのチャネル領域となる平面領域と、前記第2の半導体部のうち複数の前記トランジスタのそれぞれのチャネル領域となる平面領域とを、前記画素の配列方向に沿って直線状に配置して形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気泳動表示装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程において、
前記光照射工程で前記パルス光を照射される領域内に、前記第1及び第2の半導体部を形成する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気泳動表示装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程において、
複数の前記画素の前記第1及び第2の半導体部を、前記画素の配列方向に沿って直線状に配置して形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の製造方法。 - 複数の前記画素が、前記表示部に延在する走査線又はデータ線のうち1本の前記走査線又は前記データ線に属する複数の画素である
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の電気泳動表示装置の製造方法。 - 一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなるとともに、複数の画素が配列されてなる表示部を備え、前記画素ごとに、選択トランジスタと、前記選択トランジスタと接続されたラッチ回路とが設けられた電気泳動表示装置であって、
前記選択トランジスタを構成する第1の半導体部と、前記ラッチ回路の帰還インバータを構成する複数のトランジスタの第2の半導体部とが、前記画素の配列方向に沿って直線状に配置されている
ことを特徴とする電気泳動表示装置。 - 複数の前記画素の前記第1及び第2の半導体部が、前記画素の配列方向に沿って直線状に配列されている
ことを特徴とする請求項6に記載の電気泳動表示装置。 - 複数の前記画素が、前記表示部に延在する走査線又はデータ線のうち1本の前記走査線又は前記データ線に属する複数の画素である
ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の電気泳動表示装置。 - 請求項6から請求項8のうちいずれか一項に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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