JP2009181836A - 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光型表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009181836A JP2009181836A JP2008020501A JP2008020501A JP2009181836A JP 2009181836 A JP2009181836 A JP 2009181836A JP 2008020501 A JP2008020501 A JP 2008020501A JP 2008020501 A JP2008020501 A JP 2008020501A JP 2009181836 A JP2009181836 A JP 2009181836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- display device
- alloy film
- anode
- organic electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 347
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 6
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aromatic hydrazones Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の一態様に係る有機電界発光型表示装置は、絶縁性基板1上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード15、電界発光層17、カソード18がこの順に積層されて形成された有機EL素子とを備え、アノード15は、アルミニウムに8族3d遷移金属の1種以上と酸素とを含み、導電性を有するAl合金膜15aと、Al合金膜15aの上に形成されたアモルファスITO膜15bとを有する。
【選択図】図3
Description
本発明の実施の形態1に係る有機電界発光型表示装置について、図3を参照して説明する。図3は、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す断面図である。なお、図3においては、説明のため有機電界発光型表示装置構成するTFT基板とその上部に形成されている有機EL素子を含む画素部について図示している。図3に示すように、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置100は、絶縁性基板1、SiN層2、SiO2層3、ポリシリコン膜4、ゲート絶縁膜5、ゲート電極6、第1層間絶縁膜7、ソース電極10、ドレイン電極11、第2層間絶縁膜12、平坦化膜13、アノード15、分離膜16、電界発光層17、カソード18、封止層19、対向基板20を有している。
本発明の実施の形態2に係る有機電界発光型表示装置について、図10を参照して説明する。図10は、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態1と異なる点は、アノード21を第1Al合金膜21a、第2Al合金膜21b、アモルファスITO膜21cの3層構造とした点である。なお、図10において、図3と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
2 SiN膜
3 SiO2膜
4 多結晶シリコン膜
4a ソース領域
4b ドレイン領域
4c チャネル領域
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 第1層間絶縁膜
8、9 コンタクトホール
10 ソース電極
11 ドレイン電極
12 第2層間絶縁膜
13 平坦化膜
14 コンタクトホール
15、21 アノード
15a Al合金膜
15b、21c アモルファスITO膜
16 分離膜
17 電界発光層
17a ホール輸送層
17b 有機EL層
17c 電子輸送層
18 カソード
19 封止層
20 対向基板
21a 第1Al合金膜
21b 第2Al合金膜
40 アモルファスシリコン膜
Claims (17)
- 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機EL素子とを備え、
前記アノードは、
アルミニウムに8族3d遷移金属の1種以上と酸素とを含み、導電性を有するAl合金膜と、
前記Al合金膜の上に形成された透明導電膜と、
を有する有機電界発光型表示装置。 - 前記Al合金膜に添加する8族3d遷移金属元素の組成比率は、0.1at%以上15at%以下であり、
前記透明導電膜は、金属の酸化物を主成分とするものであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光型表示装置。 - 前記Al合金膜に添加する酸素の組成比率は、0.1at%以上8at%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜は、希土類元素であるY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Erの1種以上をさらに含む請求項1、2又は3に記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜に添加する希土類元素であるY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Erの1種以上の元素の組成比率の合計は、0.1at%以上15at%未満であることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜の膜厚は、10nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1〜5に記載の有機電界発光型表示装置。
- 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機EL素子とを備える有機電界発光型表示装置の製造方法であって、
前記アノードの形成工程は、
アルミニウムに8族3d遷移金属の1種以上と酸素とを含み、導電性を有するAl合金膜を形成する工程と、
前記Al合金膜の上に透明導電膜を形成する工程と、
を含む有機電界発光型表示装置の製造方法。 - 前記Al合金膜を、アルゴンガスに酸素を混合した混合ガスを用いたスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金膜を、アルミニウムに8族3d遷移金属元素を0.1at%以上15at%以下の組成比率で添加したAl合金スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により形成し、
前記透明導電膜を、金属の酸化物を主成分とするもので形成することを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。 - 前記Al合金膜に添加する酸素の組成比率が、0.1at%以上8at%以下となるように形成することを特徴とする請求項7、8又は9に記載の有機電界型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金膜を、アルミニウムに8族3d遷移金属元素の1種以上と酸素とを含むAl合金スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法で形成することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金スパッタリングターゲットとして、アルミニウムに8族3d遷移金属元素を0.1at%以上15at%以下の組成比率で添加したものを用い、
前記透明導電膜を、金属の酸化物を主成分とするもので形成することを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。 - 前記Al合金スパッタリングターゲットとして、酸素を0.1at%以上8at%以下の組成比率で添加したものを用いることを特徴とする請求項11又は12に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金膜を、アルミニウムに8族3d遷移金属元素の1種以上と、希土類元素であるY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Erの1種以上をさらに含むAl合金スパッタリングターゲットを用いて形成することを特徴とする請求項7〜13のいずれか1項に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金膜に添加する希土類元素であるY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Erの1種以上の元素の組成比率の合計が、0.1at%以上15at%未満となるように形成することを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記Al合金膜の膜厚が、10nm以上200nm以下となるように形成することを特徴とする請求項7〜15のいずれか1項に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
- 前記アノードは、前記Al合金膜の下に形成され、アルミニウムに8族3d遷移金属の1種以上を含むAl合金膜をさらに備える請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機電界発光型表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008020501A JP5007246B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
US12/358,744 US8040054B2 (en) | 2008-01-31 | 2009-01-23 | Organic electroluminescence type display apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008020501A JP5007246B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009181836A true JP2009181836A (ja) | 2009-08-13 |
JP5007246B2 JP5007246B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=40931002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008020501A Active JP5007246B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8040054B2 (ja) |
JP (1) | JP5007246B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011030534A1 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置および表示パネル装置の製造方法 |
JP2012093748A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
KR20140141459A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20160141315A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20200067206A (ko) * | 2017-10-30 | 2020-06-11 | 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Oled 기판의 제조 방법 및 oled 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP2020529047A (ja) * | 2017-08-21 | 2020-10-01 | 深▲せん▼市華星光電半導体顕示技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co.,Ltd. | フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル |
JP2022177093A (ja) * | 2019-10-11 | 2022-11-30 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US11758774B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-09-12 | Sakai Display Products Corporation | Organic EL display apparatus with suppressed color and/or luminance non-uniformity and method of manufacturing organic EL display apparatus |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007093686A (ja) | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2018032601A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット |
KR20220033650A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US11810907B2 (en) | 2021-01-27 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel structure for displays |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006023388A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法 |
JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
JPH04253342A (ja) | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板 |
JP3219450B2 (ja) * | 1992-01-24 | 2001-10-15 | 旭硝子株式会社 | 導電膜の製造方法、低反射導電膜とその製造方法 |
JP2886014B2 (ja) | 1992-12-24 | 1999-04-26 | キヤノン株式会社 | 太陽電池陽反射膜及びその形成方法並びに太陽電池及びその製造法 |
US6297519B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
JP3288637B2 (ja) | 1998-08-28 | 2002-06-04 | 富士通株式会社 | Ito膜接続構造、tft基板及びその製造方法 |
EP1173049B1 (en) * | 2000-02-02 | 2015-05-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP3967081B2 (ja) | 2000-02-03 | 2007-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2003288993A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極およびそれを用いてなる有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100477746B1 (ko) | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
JP3940385B2 (ja) | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP2004363556A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体素子 |
JP4148182B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2008-09-10 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR100647660B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 평판표시장치 |
US20060240280A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | OLED anode modification layer |
JP2007123672A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 導電体構造、導電体構造の製造方法、素子基板および素子基板の製造方法 |
-
2008
- 2008-01-31 JP JP2008020501A patent/JP5007246B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-23 US US12/358,744 patent/US8040054B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006023388A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法 |
JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5720054B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2015-05-20 | 株式会社Joled | 表示パネル装置および表示パネル装置の製造方法 |
US8569763B2 (en) | 2009-09-14 | 2013-10-29 | Panasonic Corporation | Display panel device and method of manufacturing the same |
WO2011030534A1 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置および表示パネル装置の製造方法 |
JP2012093748A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
KR102212457B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2021-02-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20140141459A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20160141315A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR102520874B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2023-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP2020529047A (ja) * | 2017-08-21 | 2020-10-01 | 深▲せん▼市華星光電半導体顕示技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co.,Ltd. | フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル |
KR20200067206A (ko) * | 2017-10-30 | 2020-06-11 | 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Oled 기판의 제조 방법 및 oled 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP2020534662A (ja) * | 2017-10-30 | 2020-11-26 | 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Disolay Technology Co.,Ltd | Oled基板の製造方法及びoledディスプレイ装置の製造方法 |
KR102315749B1 (ko) * | 2017-10-30 | 2021-10-22 | 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Oled 기판의 제조 방법 및 oled 디스플레이 장치의 제조 방법 |
US11758774B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-09-12 | Sakai Display Products Corporation | Organic EL display apparatus with suppressed color and/or luminance non-uniformity and method of manufacturing organic EL display apparatus |
JP2022177093A (ja) * | 2019-10-11 | 2022-11-30 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP7410242B2 (ja) | 2019-10-11 | 2024-01-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090195151A1 (en) | 2009-08-06 |
US8040054B2 (en) | 2011-10-18 |
JP5007246B2 (ja) | 2012-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5007246B2 (ja) | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 | |
KR100764673B1 (ko) | 유기 전계발광형 표시장치 | |
EP1606848B1 (en) | Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit | |
US7579767B2 (en) | Organic light emitting device having triple layered pixel electrode | |
JP5348299B2 (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 | |
US8963134B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same | |
JPWO2012073269A1 (ja) | 有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機elパネルを用いた有機発光装置、及び有機elパネルを用いた有機表示装置 | |
JP4637831B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 | |
US9099677B2 (en) | Encapsulation structure for an organic light emitting display device, an organic light emitting display device, and methods of manufacturing an organic light emitting display device | |
JP2006351844A (ja) | 電気光学表示装置およびその製造方法 | |
KR100635065B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
JP4556768B2 (ja) | 有機電界発光型表示装置 | |
JP5735535B2 (ja) | 有機el素子と、表示パネルおよび表示装置 | |
JP2005285395A (ja) | 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置 | |
WO2013187046A1 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP4532892B2 (ja) | 有機el素子及び有機el表示装置 | |
JP4603780B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP2006032156A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP4463075B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置の製造方法、ならびにtft基板およびtft基板の製造方法 | |
JP2010199079A (ja) | 有機el素子および表示装置 | |
JP2009134116A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5117553B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2008103253A (ja) | 表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120528 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5007246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |