KR102315749B1 - Oled 기판의 제조 방법 및 oled 디스플레이 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것이며, 이러한 방법은 베이스 기판(20)을 제공하는 단계와, 해당 베이스 기판 상에 차례로 제 1 금속층(211), 제 2 금속층(212) 및 제 3 금속층(213)을 형성하는 단계와, 해당 베이스 기판 상에 픽셀 정의 층(23)을 형성하는 단계와, 해당 제 3 금속층 상에 발광층(22)을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다르다.
Description
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 유닛은 유기 박막 전기 발광소자이며, 간단하고 쉬운 제조 공정, 저비용, 고발광 효율, 가요성 구조의 형성 용이성 및 광시야각 등의 장점을 가진다. 때문에, 유기 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 기술은 중요한 디스플레이 기술로 되어 있다.
현재 주류인 플랫패널 표시 기술인 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(Thin film transistor－liquid crystal display, TFT－LCD)에 비해, 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드 디스플레이(Active－matrix organic light emitting diode, AMOLED)는 고콘트라스트, 광시야각, 저소비 전력, 보다 경량 및 박형인 등 장점을 가지며, LCD에 잇는 차세대 플랫패널 표시 기술로 될 것으로 기대받고 있으며, 현재, 플랫패널 표시 기술 중에서 가장 주목을 받고 있는 기술 중의 하나이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 탑 에미션형 AMOLED에 있어서의 후면 양극(11)(anode)를 제작할 때, 상부 금속층(113)/은(112)/저부 금속층(111)의 구조를 채용하고, 은(112)을 에미터층으로 하고, 상부 금속층(113)및 저부 금속층(111)은 물리 기상 성막 시에 있어서 동일한 성막 파라미터를 채용하고 있었다. 양극(11)에 습식 식각을 실시할 경우, 상부 전극의 식각, 은의 식각, 저부 금속층의 식각으로 나뉘고, 식각을 총 3차례 실시하고 있었다. 여기서, 저부 금속층의 식각 시에 있어서, 상부 금속층(113)이 재차 식각되게 된다. 때문에, 상부 금속층(113)의 손실이 커지고, 그 후 증착되는 OLED 유기 발광재료(12)가 은(112) 위에 떨어져 OLED의 발광에 영향을 미치는 경우가 있었다.
본 발명은, OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하고, OLED 후면 양극에 있어서의 상부 금속층의 과도한 식각에 의한 손실에 의해 유기 발광재료가 직접 은 위에 떨어져 OLED의 발광에 영향을 미치는 문제를 해결하고자 하는 것이다.
상술한 목적을 실현하기 위해, 본 발명에서 제공하는 기술적 방안은 다음과같다.
본 발명의 일 태양에 있어서, OLED 기판의 제조 방법을 제공하며, 해당 제조 방법은 아래의 단계(S10) 내지 단계(S40)를 포함하고,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고,
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층, 제 3 금속층을 포함하고,
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층을 형성하는 재료는 폴리이미드이며, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고, 및
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다르다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하고,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고,
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고,
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고, 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해서 식각을 실시함으로써 원하는 상기 양극층이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 베이스 기판은 박막 트랜지스터 기판이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막한다.
본 발명의 다른 태양에 있어서, OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하고, 이 제조 방법은 아래의 단계(S10) 내지 단계(S60)를 포함하며,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고,
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층, 제 3 금속층을 포함하고,
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고；
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고,
단계(S50)에서, 상기 발광층의 표면에 음극을 도포하고, 및
단계(S60)에서, 상기 음극의 표면에 봉지 박막층을 형성하고,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다르다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하고,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고,
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고,
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고, 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 식각을 실시함으로써, 원하는 상기 양극층이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막한다.
본 발명의 또 다른 태양에 있어서, OLED 기판의 제조 방법을 제공하고, 해당 제조 방법은 아래의 단계(S10) 내지 단계(S40)를 포함하며,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고,
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 3 금속층을 포함하고,
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고, 및
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되며,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다르다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하며,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고,
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고,
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고, 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 식각을 실시함으로써, 원하는 상기 양극층이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 베이스 기판은 박막 트랜지스터 기판이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각이다.
본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 있어서, 물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막한다.
본 발명은 OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하고, 양극에 있어서의 제 1 금속층과 제 3 금속층의 성막 조건을 변경함으로써, 제 3 금속층의 식각에 의한 손실을 감소시키고, 증착한 OLED 유기 발광재료 전부가 제 3 금속층 상에 떨어지게 되어, OLED의 발광 특성을 대폭적으로 개선시킬 수 있다.
실시 형태 또는 종래의 기술에 있어서의 기술적 방안을 보다 명확하게 설명하기 위해서, 이하에서, 실시 형태 또는 종래의 기술과 관련되는 기술에서 필요한 첨부 도면을 간단하게 소개한다. 분명한 것은, 이하에 기재의 첨부 도면은 본 발명에 있어서의 일부 실시 형태를 나타내는 것에 지나지 않으며, 본 분야에서 통상의 기술자라면 어떤 창조적 노력도 낭비하지 않는 것을 전제 하에 이들 첨부 도면에 근거해 기타 첨부 도면을 얻을 수도 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 OLED 기판의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법에 있어서의 단계(S20)를 나타내는 흐름도이다.
도 1은 종래의 기술에 따른 OLED 기판의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법에 있어서의 단계(S20)를 나타내는 흐름도이다.
이하에 있어서의 각 실시 형태의 설명은 첨부 도식을 참조하여 이루어 진것이며, 본 발명에서 실시 가능한 특정 실시 형태가 예시되어 있다. 본 발명에서 사용되고 있는 방향을 나타내는 용어로서, 예를 들면 "위", "아래", "전", "후", "왼쪽", " 오른쪽", "안", "밖", "측면" 등은, 첨부 도식에 있어서의 방향을 참조하기 위한 것에 지나지 않는다. 따라서, 사용되고 있는 방향을 나타내는 용어는 본 발명의 설명 및 이해를 위해 제공되는 것이며, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 도면에서 같은 구조를 가지는 유닛에는 동일한 부호가 표시되고 있다.
발명은, 종래의 OLED 기판 및 OLED 디스플레이 장치에 따른 기술에 있어서, OLED 후면 양극에 있어서의 상부 금속층의 과도한 식각에 의한 손실에 의해, 유기 발광재료가 직접 은 위에 떨어져 OLED의 발광에 영향을 미치는 문제를 해결하고자 하는 것이며, OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 실시 형태는 이러한 결함을 개선할 수 있다.
이하에 있어서, 첨부 도면 및 구체적인 실시 형태를 조합하여, 본 발명에 대해 더 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 구조를 나타내는 개략도이다. 도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 본 발명은 OLED 기판의 제조 방법을 제공하고, 해당 제조 방법은 아래의 단계를 포함한다.
단계(S10)：베이스 기판(20)을 제공한다.
단계(S20)：베이스 기판(20) 상에 양극층(21)을 형성하고, 양극층(21)은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층(211), 제 2 금속층(212) 및 제 3 금속층(213)을 포함한다.
단계(S10)에서, 제공된 베이스 기판(20)은 박막 트랜지스터 기판이며, 상기 박막 트랜지스터 기판은 어레이 형상으로 분포한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
여기서, 베이스 기판(20) 상에 양극층(21)을 형성하는 단계는 아래의 단계를 포함한다.
단계(S201)：물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성한다.
여기서, 제 1 금속층(211)은 양극층(21)의 저부 금속층이며, 베이스 기판(20)의 표면에 설치된다. 제 1 금속층(211)은 통상 ITO 박막이며, ITO 박막은, 즉 인듐·주석 산화물의 반투명 도전막이며, 양호한 도전성을 가진다.
물리 기상 성장법에 의해 제 1 금속층(211)을 성막하고, 제 1 금속층(211)의 성막 조건은：진공 상태, 미리 설정한 물의 유량 4 ~ 6 표준 mL/분이다.
단계(S202)：제 1 금속층(211)의 표면에 증착에 의해 제 2 금속층(212)을 형성한다.
제 2 금속층(212)는 대체로, 은 금속층이며, 은은 양호한 도전성을 가진다. 제 2 금속층(212)은 양극층(21) 구조의 에미터층이기 때문에, 발광층(12)의 유기 발광재료와 직접 접촉해서는 안되며, 접촉한 경우, OLED 기판(2)의 발광 성능에 영향을 미치게 된다.
단계(S203)：물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 제 2 금속층(212)의 표면에 제 3 금속층(213)을 형성한다.
여기서, 제 3 금속층(213)과 제 1 금속층(211)은 동일한 재료로 이루어지며, 그 구조도 기본적으로 동일하다.
제 3 금속층(213)은 물리 기상 성장법에 의해 성막되며, 제 3 금속층(213)의 성막 조건은： 진공 상태, 미리 설정한 물의 유량 1 ~ 2 표준 mL/분이다. 제 1 금속층(211)의 성막 조건과 비교하면 제 3 금속층(213)의 성막 시에 있어서의 미리 설정한 물의 유량은, 제 1 금속층(211)의 성막 시보다 큰폭으로 작다. 차이점으로서 제 3 금속층(213)의 성막 시에 있어서, 미리 설정한 물의 유량이 비교적 적기 때문에, 제 3 금속층(213)의 표면에 미세한 결정 현상이 발생하는 경우가 있다.
단계(S204)：차례로, 제 3 금속층(213), 제 2 금속층(212) 및 제 1 금속층(211)에 대해 식각을 실시함으로써 원하는 양극층(21)이 얻어진다.
제 3 금속층(213)의 재료 및 구조는 제 1 금속층(211)의 재료 및 구조와 기본적으로 동일하기 때문에, 제 3 금속층(213)의 식각 후, 제 1 금속층에 대해 식각을 실시할 때, 식각액은 제 1 금속층(211)의 상방에 위치하는 제 3 금속층(213)에 대해서도 식각 작용을 미치게 되지만, 제 3 금속층(213)의 표면에 있는 소량의 결정이 제 3 금속층(213)의 식각 속도를 지연시키기 때문에 중복 식각으로 인한 제 3 금속층(213)의 손실을 감소시킬 수 있고, 양극층(21)의 구조 상의 완전성이 확보된다.
여기서, 제 1 금속층(211), 제 2 금속층(212) 및 제 3 금속층(213)에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각이다.
단계(S30)：제 2 금속층(212)의 표면에 픽셀 정의층(23)을 형성하고, 픽셀 정의층(23)은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함한다. 여기서, 제 3 금속층(213)은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치된다.
픽셀 정의층(23)을 형성하는 재료는 폴리이미드이다.
단계(S40)：제 3 금속층(213)의 표면에 발광층(22)을 형성하고, 발광층(22)과 제 3 금속층(213)은 대응하도록 설치되며, 발광층(22)은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치된다.
여기서, 발광층(22)은 OLED 기판(2)의 발광부이다.
상술한 목적에 근거해, 본 발명은 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 더 제공하고, 해당 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법은 아래의 단계를 포함한다.
단계(S10)：베이스 기판을 제공한다.
단계(S20)：상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은, 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 3 금속층을 포함한다.
단계(S30)：상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함한다. 여기서, 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치된다.
단계(S40)：제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치된다.
단계(S50)：상기 발광층의 표면에 음극을 도포한다.
단계(S60)：상기 음극의 표면에 봉지 박막층을 형성한다.
여기서, 상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다르다.
상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계를 포함한다.
단계(S201)：물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성한다.
단계(S202)：상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성한다.
단계(S203)：물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성한다.
단계(S204)：차례로 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 식각을 실시함으로써 원하는 양극층이 얻어진다.
본 실시 형태에 따른 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법의 원리는, 상술한 OLED 기판의 제조 방법의 원리와 일치하며, 구체적으로는, 상술한 바람직한 실시 형태에 따른 OLED 기판의 제조 방법에 있어서의 동작 원리를 참조한다. 따라서, 여기서는 그 설명을 생략한다.
본 발명은 OLED 기판의 제조 방법 및 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하고, 양극에 있어서의 제 1 금속층과 제 3 금속층의 성막 조건을 변경함으로써, 제 3 금속층의 식각에 의한 손실을 감소시키고, 증착한 OLED 유기 발광재료 전부가 제 3 금속층 상에 떨어지게 되기 때문에, OLED의 발광 특성을 대폭적으로 개선시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 그 바람직한 실시 형태를 통해 상기에서 개시되었지만, 상술의 바람직한 실시 형태는 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 분야의 통상의 기술자는 본 발명의 취지 및 범위로부터 일탈하지 않는 한, 다양?h 변경 및 수정을 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 특허 청구 범위에서 정해진 범위를 기준으로 한다.
Claims (14)
- 아래의 단계(S10) 내지 단계(S40)를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법으로서,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고;
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층, 제 3 금속층을 포함하고;
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층을 형성하는 재료는 폴리이미드이며, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고; 및
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다른 것이며,
상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계가 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하고,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고;
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고;
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고; 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해서 식각을 실시함으로써 원하는 상기 양극층이 얻어지는 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은인 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막하는 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 아래의 단계(S10) 내지 단계(S60)를 포함하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법으로서,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고;
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층, 제 3 금속층을 포함하고;
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고；
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고;
단계(S50)에서, 상기 발광층의 표면에 음극을 도포하고; 및
단계(S60)에서, 상기 음극의 표면에 봉지 박막층을 형성하고,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다른 것이며,
상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하고,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고;
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고,
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고, 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 식각을 실시함으로써, 원하는 상기 양극층이 얻어지는 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법. - 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은인 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막하는 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법. - 아래의 단계(S10) 내지 단계(S40)를 포함하는 OLED 기판의 제조 방법으로서,
단계(S10)에서, 베이스 기판을 제공하고;
단계(S20)에서, 상기 베이스 기판 상에 양극층을 형성하고, 상기 양극층은 차례로 적층하도록 설치된 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 3 금속층을 포함하고;
단계(S30)에서, 상기 제 2 금속층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 적어도 2개의 픽셀 정의체를 포함하며, 상기 제 3 금속층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되고; 및
단계(S40)에서, 상기 제 3 금속층의 표면에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 제 3 금속층은 대응하도록 설치되며, 상기 발광층은 인접하는 상기 픽셀 정의체의 사이에 배치되며,
상기 제 1 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 3 금속층의 성막 조건은 서로 다른 것이며,
상기 베이스 기판 상에 상기 양극층을 형성하는 단계는 아래의 단계(S201) 내지 단계(S204)를 포함하며,
단계(S201)에서, 물의 유량을 미리 4 ~ 6 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 1 금속층을 형성하고;
단계(S202)에서, 상기 제 1 금속층의 표면에 증착에 의해 상기 제 2 금속층을 형성하고;
단계(S203)에서, 물의 유량을 미리 1 ~ 2 표준 mL/분으로 설정한 조건에서 상기 제 2 금속층의 표면에 상기 제 3 금속층을 형성하고; 및
단계(S204)에서, 차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 식각을 실시함으로써, 원하는 상기 양극층이 얻어지는 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 삭제
- 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층은 ITO이고, 상기 제 2 금속층은 은인 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
차례로, 상기 제 3 금속층, 상기 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층에 대해 실시하는 식각 공정은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
물리 기상 성장법에 의해 상기 제 1 금속층 및 상기 제 3 금속층을 각각 성막하는 것을 특징으로 하는 OLED 기판의 제조 방법.
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