JP2006032156A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 有機平坦化層7上に平滑な陽極10を形成するとともに、この陽極10上に発光部である有機EL層14を形成し、上記有機平坦化層7から有機EL層14中に拡散する水分を遮蔽するため、上記陽極10上の上記有機EL層14の周囲に設けた無機絶縁層からなる水分遮蔽層11と金属陽極層10、有機EL層14上部を覆う陰極層15とにより、有機EL層14の周囲全体を無機材料で囲う。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1の表示装置の有機EL素子ユニット16を示す断面図((a)とC−C面での平面図(b)である。
図1にあるように、ガラス基板1上に、駆動回路であるTFT2が形成されており、このTFT2はゲート絶縁層3で覆われ、このゲート絶縁層3上には層間絶縁層4が形成されている。この層間絶縁層4には貫通孔が形成されており、TFT2に接続されるソース/ドレイン配線5が設けられており、層間絶縁層4の上には保護絶縁層6が形成されている。TFT2とゲート絶縁層3と層間絶縁層4とソース/ドレイン配線5と保護絶縁層6からなる駆動回路における保護絶縁層6の表面には凹凸があり平坦ではないので、保護絶縁層6上には、有機平坦化層7が設けられており、さらに、この有機平坦化層7上には金属層からなる陽極10が一部を開口され全面に亘って形成されている。有機平坦化層7に設けられた貫通孔8と保護絶縁層6に設けられた接続孔9bとを介して、陽極10とソース/ドレイン配線5とが導通しており、ゲート絶縁層3に設けられた接続孔9aを介してソース/ドレイン配線5とTFT2が導通しており、陽極10とTFT2とが、電気的に接続されている。
すなわち、本実施の形態の表示装置の有機EL素子ユニット16は上記のような構成で形成されており、ガラスで封止するとともに、外部制御回路と接続して表示装置となる(図示せず)。
図2(a)に示す第1の工程では、ガラス基板1上の各画素に対応させて、TFT2(TFTは簡易に表現している)を配列形成する。次に、TFT2を覆う状態で二酸化シリコン(SiO2)よりなる無機絶縁層4を形成する。この無機絶縁層4は写真製版法により形成する接続孔9aを設ける。無機絶縁層4上には、3層構造よりなる金属膜を成膜する。この金属膜は、DCマグネトロンスパッタ法を用いて、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)を連続して成膜し、接続孔9aを介してTFT2に接続する。この金属膜は写真製版法にてパターン形成し、ソース配線およびドレイン配線5となる。この無機絶縁層4上には、上記配線5を覆うようにシリコン窒化膜(SiNx)からなる保護絶縁層6を形成する。この保護絶縁層6には写真製版法により接続孔9bを形成する。
この有機平坦化層7は、写真製版法を用い、感光性樹脂材料の塗布、露光、現像、水洗後、230℃で1時間のべーク処理を行う。このベーク処理は樹脂材料の架橋反応を促進する他、写真製版作業中に吸湿した水分を脱水する。
図5は、実施の形態2の表示装置の有機EL素子ユニットを示す断面図である。図5に示すように、本実施の形態2の表示装置は、実施の形態1の有機EL素子ユニットにおける無機の水分遮蔽層11の替わりに、無機絶縁層18と無機絶縁層18上に形成した無機導電層19との複合層とした、水分遮蔽層20としたものである。
この無機導電層19としては、陽極10と同じ条件でモリブデン(Mo)により形成する。この無機導電層の材料は、Moに限定されるものではなくクロム(Cr)やアルミニウム(Al)などの導電率の高い金属等であれば良い。その後、写真製版法により各画素上の有機EL層14に対応する部分を開口するためMoをウエットエッチングし、連続してシリコン窒化膜をドライエッチングする。ウエットエッチング及びドライエッチング条件は、実施の形態1記載のものと同じである。その後、接続孔9bの陽極10表面に残存しているカーボン(C)やフレオン(F)を除去し、表面を清浄化するため、UVオゾン処理を行う。
7 有機平坦化層
10 陽極
11、20 水分遮蔽層
12 画素分離層
14 有機EL層
15 陰極
19 無機導電層
Claims (6)
- 駆動回路と、
上記駆動回路の上面の凹凸を平坦化するために設けられた有機平坦化層と、
上記有機平坦化層の表面に設けられた金属陽極と、
上記金属陽極の上面に配設された複数の発光表示層と、
上記発光表示層の周囲を囲うように上記金属陽極の上面に設けられた無機絶縁層の水分遮蔽層と、
上記発光表示層と上記水分遮蔽層の間隙、及び上記水分遮蔽層と隣接する上記水分遮蔽層の間隙に設けられた画素分離層と、
上記発光表示層上面、上記画素分離層上面及び上記水分遮蔽層上面を覆うように設けられ、且つ上記発光表示層と上記水分遮蔽層とに接合された陰極と、
を備えたことを特徴とする表示装置。 - 水分遮蔽層が、無機絶縁層とその上に積層された無機導電層との複合層で構成されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 無機絶縁層が、プラズマCVDにより形成されたことを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
- 発光表示層が、有機エレクトロルミネッセンス層により構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置。
- 駆動回路の上面の凹凸を平坦化する有機平坦化層を設ける工程と、
上記有機平坦化層の表面に金属陽極を設ける工程と、
上記金属陽極の表面にCVDにより形成された無機絶縁層を加工し開口部を持つ水分遮蔽層を設ける工程と、
上記水分遮蔽層の開口部に、発光表示層を形成するための開口部を持つ画素分離層を設ける工程と、
上記画素分離層の開口部の露出した上記金属陽極面に発光表示層を設ける工程と、
上記発光表示層上面、上記画素分離層上面および上記水分遮蔽層上面を覆い、上記発光表示層と上記水分遮蔽層とに接合する陰極を設ける工程と、
を順番に行うことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 水分遮蔽層を設ける工程が、CVDにより形成された無機絶縁層と、
上記無機絶縁層上に連続して形成した無機導電層とが積層された複合層に開口部を設ける工程であることを特徴とする請求項5記載の表示装置の製造方法。
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