JP5720054B2 - 表示パネル装置および表示パネル装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第3工程において、前記第1電極層の端部を前記隔壁の側壁に乗り上げるように接触させてもよい。
まず、実施の形態1に係る有機EL表示パネル装置、その製造方法、および有機EL表示パネル装置を用いた表示装置について説明する。
図1(A)は、本発明の実施の形態1に係る有機EL表示パネル装置100の要部の構造の一例を示す平面図である。有機EL表示パネル装置100は、本発明の表示パネル装置の一例である。
次に、本発明に係る表示パネル装置の製造方法について説明する。本発明に係る表示パネル装置の製造方法は、上述したような形状の凹部を持つ画素電極を形成する工程を含むことによって特徴付けられる。
次に、実施の形態2に係る有機EL表示パネル装置、およびその製造方法について説明する。
図4は、本発明の実施の形態2に係る有機EL表示パネル装置200の要部の構造の一例を示す断面図である。有機EL表示パネル装置200は、本発明の表示パネル装置の一例である。有機EL表示パネル装置200では、図1(B)に示される実施の形態1の有機EL表示パネル装置100と比べて、画素電極104と正孔注入層113との間に透明導電層である透明導電層108が追加される。
次に、本発明の実施の形態2に係る有機EL表示パネル装置200の製造方法の一例を説明する。有機EL表示パネル装置200の製造方法は、本発明の表示パネル装置の製造方法の一例である。
次に、実施の形態3に係る有機EL表示パネル装置、およびその製造方法について説明する。
図6は、本発明の実施の形態3に係る有機EL表示パネル装置300の要部の構造の一例を示す断面図である。有機EL表示パネル装置300は、本発明の表示パネル装置の一例である。有機EL表示パネル装置300では、実施の形態2の有機EL表示パネル装置200と同様、画素電極104と正孔注入層113との間に透明導電膜である透明導電層108が設けられる。
次に、本発明の実施の形態3に係る有機EL表示パネル装置300の製造方法の一例を説明する。有機EL表示パネル装置300の製造方法は、本発明の表示パネル装置の製造方法の一例である。
以上、本発明の表示パネル装置およびその製造方法について、有機EL表示パネル装置の例を用いて実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものも本発明の範囲内に含まれる。
101 薄膜トランジスタ層
102 駆動トランジスタ
103 平坦化膜
104 画素電極
104A 金属膜
104M レジスト
105 隔壁
106 有機EL層
107 共通電極
108 透明導電層
108A 透明導電膜
108M レジスト
113 正孔注入層
113A 膜
114 封止膜
700 有機EL素子
701 基板
704 画素電極
704A 薄膜層
704M レジスト
705 隔壁
706 有機EL層
708 空洞
709 矢印
800 有機EL表示装置
801 基板
802 駆動トランジスタ
803 絶縁膜
804 画素電極
805 バンク膜
806 発光材料層
807 対向電極
900 有機発光表示装置
901 基板
902 薄膜トランジスタ
903 平坦化膜
904 画素電極
905 画素定義膜
906 有機EL層
907 画素電極
Claims (23)
- 傾斜した側壁により形成される開口部を有する隔壁と、
前記隔壁の開口部に形成された第1電極層と、
前記第1電極層の上方に形成された有機機能層と、
前記有機機能層上に形成された第2電極層と、を具備し、
前記第1電極層は、前記第1電極層の端部が前記隔壁の側壁に乗り上げるように接触し、前記隔壁の側壁と接触する端部に近接する周縁部のみに、上方に開口した凹部を有する
表示パネル装置。 - 前記第1電極層の周縁部に設けられた上方に開口した凹部は、前記第1電極層の上方に形成された前記有機機能層によって覆われている
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層は金属層である、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層と前記有機機能層との間に介在し、前記第1電極層の酸化を防止する透明導電層を設け、
前記第1電極層の周縁部に設けられた上方に開口した凹部は、前記透明導電層によって覆われている
請求項3記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層は透明導電膜である、
請求項1記載の表示パネル装置。 - 前記有機機能層は、有機EL層を含む
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層は、陽極金属層であり、
前記第2電極層は、陰極金属層であり、
前記有機機能層は、有機EL層及び正孔注入層を含む
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層は、陽極金属層であり、
前記第2電極層は、陰極金属層であり、
前記有機機能層は、有機EL層、正孔輸送層、及び正孔注入層、を含む
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示パネル装置。 - 前記第1電極層と前記第2電極層との間に電流を流し前記有機機能層に含まれる有機EL層を発光させる駆動トランジスタを含む薄膜トランジスタ層を前記第1電極層の下方に設け、
前記有機EL層と前記薄膜トランジスタ層との間に、前記有機EL層と前記薄膜トランジスタ層との間を平坦化する平坦化膜が設けられている
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示パネル装置。 - 前記平坦化膜層と前記隔壁とは別部材にて形成されている
請求項9記載の表示パネル装置。 - 前記平坦化膜層と前記隔壁とは同一部材にて一体に形成されている
請求項9記載の表示パネル装置。 - 前記周縁部の内側の前記第1電極層はほぼ平坦である
請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の表示パネル装置。 - 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の表示パネル装置を備えた表示装置。
- 基台上に、傾斜した側壁により形成される開口部を有する隔壁を形成する第1工程と、
所定の薄膜形成法にて、前記隔壁の上面から前記開口部の底面に渡って第1電極層を形成する第2工程と、
前記第1電極層の端部が前記隔壁の側壁と接触した状態を維持しつつ、前記第1電極層の前記隔壁の側壁と接触する端部に近接する周縁部に、上方に開口した凹部が形成されるように、エッチング処理にて前記第1電極層をパターニングする第3工程と、
前記上方に開口した凹部を埋めるように、前記第1電極層の上層を構成する層を形成する第4工程と、
前記第1電極層の上方に第2電極層を形成する第5工程と、を含む
表示パネル装置の製造方法。 - 前記第4工程において、前記第1電極層の上層を構成する層は、前記第1電極層の形成面積より大きい形成面積で形成され、前記第1電極層の周縁部に形成された上方に開口した凹部を埋める、
請求項14記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第4工程において、前記第1電極層の前記凹部を埋める層は有機機能層である
請求項14から請求項15のいずれか1項に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第2工程において前記第1電極層を形成した後、前記第3工程において前記第1電極層をパターニングする前に、前記第1電極層上に透明導電層を形成し、
前記第3工程において、前記透明導電層の所定の位置に、フォトリソグラフィーによりレジストを配置し、前記レジストをマスクにした第1のエッチングにより前記透明導電層をパターニングし、さらに、前記レジストをマスクにした第2のエッチングにより前記第1電極層をパターニングする
請求項15に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第4工程において、前記第1電極層の凹部を埋める層は、前記第1電極層の酸化を防止する透明導電層であり、
さらに、前記透明導電層と前記第2電極層との間に有機機能層を形成する工程を含む
請求項14又は請求項15に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第3工程において、前記第1電極層上の所定の位置に、フォトリソグラフィーにより第1のレジストを配置し、前記第1のレジストをマスクにして前記第1電極層をパターニングし、
前記第4工程において、前記第1のレジストを除去した後、パターニングされた前記第1電極層を覆うように前記透明導電層を成膜し、前記透明導電層上の所定の位置に、フォトリソグラフィーにより第2のレジストを配置し、前記第2のレジストをマスクにしたエッチングにより前記透明導電層をパターニングする
請求項18に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第2工程と前記第3工程とは、同一の工程であって、前記平坦化膜と前記隔壁とを同一部材にて一体に形成する
請求項14から請求項19のいずれか1項に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記所定の薄膜形成法は、スパッタリング法である
請求項14から請求項20のいずれか1項に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第1電極層は、陽極金属層であり、
前記第2電極層は、陰極金属層であり、
前記有機機能層は、有機EL層と前記陽極金属層からの正孔を前記有機EL層に注入する正孔注入層とを含み、
前記正孔注入層の形成は前記所定の薄膜形成法にて行われ、前記有機EL層の形成はインクジェットによる有機材料の塗布にて行われる
請求項14から請求項21のいずれか1項に記載の表示パネル装置の製造方法。 - 前記第3工程において、前記第1電極層の端部を前記隔壁の側壁に乗り上げるように接触させる
請求項14に記載の表示パネル装置の製造方法。
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