JP2009176983A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のレーザ光線照射手段と第2のレーザ光線照射手段とを有し、第1のレーザー光線照射手段を作動しつつチャックテーブルを第1の方向に移動してストリートの中心より幅方向片側に偏倚した位置に積層体101を分断する第1の遮断溝110aを形成する第1の遮断溝形成工程と、第1のレーザー光線照射手段を作動しつつチャックテーブルを第1の方向とは逆の第2の方向に移動してストリートの中心より第1の遮断溝と反対側に偏倚した位置に積層体101を分断する第2の遮断溝110bを形成するするとともに第2のレーザー光線照射手段を作動してウエーハのストリートに形成された第1の遮断溝110aと第2の遮断溝110bの中間部に沿って積層体101および基板100に分割溝111を形成する第2の遮断溝形成工程兼分割溝形成工程を含む。
【選択図】図11
Description
該チャックテールに保持されたウエーハのストリートの一端における幅方向片側を該第1のレーザー光線照射手段の該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルを該加工送り方向における第1の方向に移動しつつ該第1のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートの幅方向片側に一端から他端に向けて該積層体に第1の遮断溝を形成する第1の遮断溝形成工程と、
該第1の遮断溝形成工程が実施されたストリートの他端における幅方向他側を該第1のレーザー光線照射手段の該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルを該加工送り方向における第2の方向に移動しつつ該第1のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートの幅方向他側に他端から一端に向けて該積層体に第2の遮断溝を形成するとともに、該第2のレーザー光線照射手段の該第2の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置を該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置より該加工送り方向における第2の方向の下流側において該第1の遮断溝形成工程が実施されたストリートの幅方向中央部に対応する位置に位置付け、該第2のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートに形成された該第1の遮断溝と該第2の遮断溝の中間部に沿って他端から一端に向けて該積層体および該基板に分割溝を形成する第2の遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
図1に示されたレーザー加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aと、該第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aに矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に配設された第1のレーザー光線照射ユニット5aと、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bと、該第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bに矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に配設された第2のレーザー光線照射ユニット5bとを具備している。
第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bは上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aと平行に配設され、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bの可動支持基台42と上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aの可動支持基台42とが対向して配設されている。従って、上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aの可動支持基台42を構成する装着部422に配設された第1のレーザー光線照射ユニット5aと、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bの可動支持基台42を構成する装着部422に配設された第2のレーザー光線照射ユニット5bとは、近接した位置に線対称に配置される。なお、第2のレーザー光線照射ユニット5bの第2のレーザー光線照射手段6bを構成するケーシング60bの前端部には、撮像手段は配設されていない。
図4には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図5には図4に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図4および図5に示す半導体ウエーハ10は、シリコン等の基板100の表面に絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された積層体101によって複数のIC、LSI等のデバイス102がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス102は、格子状に形成されたストリート103によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、基板100は、SiまたはGaAsによって厚さが例えば60μmに形成されている。また、積層体101は厚さが2〜10μnに形成されており、積層体101を形成する絶縁膜は、SiO2,SiO,SiN等のガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)からなっている。
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :1W
また、上記第2の遮断溝形成工程兼分割溝形成工程において第2のレーザー光線照射手段6bによって実施する分割溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :20kHz
平均出力 :10W
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4a:第1のレーザー光線照射ユニット支持機構
4b:第2のレーザー光線照射ユニット支持機構
43:第2の割り出し送り手段
433:Y軸方向位置検出手段
5a:第1のレーザー光線照射ユニット
5b:第2のレーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
53:集光点位置調整手段
6a:第1のレーザー光線照射手段
61a:パルスレーザー光線発振手段
62a:出力調整手段
62a:第1の集光器
6b:第2のレーザー光線照射手段
61b:パルスレーザー光線発振手段
62b:出力調整手段
62b:第2の集光器
7:撮像手段
8:制御手段
10:半導体ウエーハ
100:基板
101:積層体
102:デバイス
103:ストリート
110a:第1の遮断溝
110b:第2の遮断溝
111:分割溝
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (1)
- 被加工物を保持し加工送り方向に移動可能に配設されたチャックテールと、該チャックテールに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第1の集光器を備えた第1のレーザー光線照射手段と、該チャックテールに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第2の集光器を備え該第2の集光器が該第1の集光器から該加工送り方向に所定の間隔を置いて配設された第2のレーザー光線照射手段と、該チャックテールを該加工送り方向に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテールを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に移動せしめる割り出し送り手段と、該第1の集光器と該第2の集光器との該割り出し送り方向の相対位置を調整する集光器位置調整手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該チャックテールに保持されたウエーハのストリートの一端における幅方向片側を該第1のレーザー光線照射手段の該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルを該加工送り方向における第1の方向に移動しつつ該第1のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートの幅方向片側に一端から他端に向けて該積層体に第1の遮断溝を形成する第1の遮断溝形成工程と、
該第1の遮断溝形成工程が実施されたストリートの他端における幅方向他側を該第1のレーザー光線照射手段の該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置に位置付け、該チャックテーブルを該加工送り方向における第2の方向に移動しつつ該第1のレーザー光線照射手段を作動して該積層体を分断することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートの幅方向他側に他端から一端に向けて該積層体に第2の遮断溝を形成するとともに、該第2のレーザー光線照射手段の該第2の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置を該第1の集光器から照射されるレーザー光線の照射位置より該加工送り方向における第2の方向の下流側において該第1の遮断溝形成工程が実施されたストリートの幅方向中央部に対応する位置に位置付け、該第2のレーザー光線照射手段を作動して該積層体および該基板に分割溝を形成することができる出力のレーザー光線を照射し、ウエーハのストリートに形成された該第1の遮断溝と該第2の遮断溝の中間部に沿って他端から一端に向けて該積層体および該基板に分割溝を形成する第2の遮断溝形成工程兼分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
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