JP2009152555A - クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】クリーニング装置は、プラズマラジカル源、導管およびラジカル閉じ込めシステムを含んでもよい。プラズマラジカル源は、ラジカル流を提供してもよい。導管は、プラズマラジカル源からクリーニングされる表面へラジカルを供給してもよい。ラジカル閉じ込めシステムは、表面の局所的部分をクリーニングするためにラジカルを誘導してもよい。クリーニング装置は、ロテータを含んでもよく、基板エッジをクリーニングするように構成されてもよい。液浸リソグラフィ装置は、基板をサポートするための基板テーブルおよび投影システムと基板テーブルおよび/または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造を含んでもよい。
【選択図】図7
Description
[0019] 本発明の実施形態を、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す付属の概略図を参照して説明する。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度に(すなわち、単一静止露光)ターゲット部分C上に投影する。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームBに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (34)
- 基板をサポートするための基板テーブルおよび投影システムと基板テーブルおよび/または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込めシステムを含む液浸リソグラフィ装置のコンポーネントまたは基板をクリーニングするためのクリーニング装置であって、
ラジカル流を提供するプラズマラジカル源と、
前記プラズマラジカル源からクリーニングされる表面へラジカルを供給するための導管と、
前記表面の局所的部分をクリーニングするために前記ラジカルを誘導するためのラジカル閉じ込めシステムと
を含む、クリーニング装置。 - 前記ラジカル閉じ込めシステムは、バリア部材を含む、請求項1に記載のクリーニング装置。
- 前記ラジカル閉じ込めシステムは、実質的に前記表面の前記局所的部分と同じ前記バリア部材の側面に前記ラジカルを制限するようにガス流を提供する、請求項2に記載のクリーニング装置。
- 前記バリア部材は、前記導管の出口が中に配置されているラジカル閉じ込めチャンバである、請求項2または3に記載のクリーニング装置。
- 前記ラジカル閉じ込めチャンバは、低圧源に接続されている出口を含む、請求項4に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマラジカル源は、前記クリーニングされる表面から約1mm〜約30mmの間に配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記ラジカル閉じ込めシステムは、前記ラジカルを誘導するためにガス流を形成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマラジカル源は、還元ラジカルの源を供給する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマラジカル源は、酸化ラジカルの源を供給する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマラジカル源は、ガス源およびプラズマ生成領域を含み、かつ前記プラズマラジカル源は、前記導管へ前記プラズマ生成領域を通過するように前記ガス源からガスを供給する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマ生成領域は、前記ガス流内に配置された高温要素を含み、前記高温要素の温度は、前記ラジカルを生成するために熱分離をもたらすのに十分である、請求項10に記載のクリーニング装置。
- 前記ガス源は、精製空気の供給を提供する、請求項11に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマ生成領域は、RFコイル、一対のACまたはDC放電電極、および前記ガス源からのガス流内にプラズマの領域を生成するマイクロ波またはRFキャビティのうちの少なくとも1つを含み、前記ラジカルは前記プラズマ領域内に形成される、請求項10に記載のクリーニング装置。
- 前記ガス源は、不活性ガスと活性ガスとの混合を提供し、前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオンおよびキセノンのうちの少なくとも1つであり、かつ前記活性ガスは、酸素および水素のうちの1つである、請求項13に記載のクリーニング装置。
- 前記活性ガスは、前記ガス源によって供給されるガスの約0.5%〜約2%の間であり、好ましくは、約1%である、請求項14に記載のクリーニング装置。
- 前記プラズマラジカル源および前記導管は、実質的に前記導管からイオンが提供されない、請求項1〜15のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記導管に対して基板を回転させるロテータをさらに含み、
前記導管に対する前記基板の回転によって前記基板の全外周がクリーニングされ得るように、前記ラジカル閉じ込めシステムは、前記基板の周辺の局所的部分へ前記ラジカルを誘導する、請求項1〜16のいずれか一項に記載のクリーニング装置。 - 前記導管は、前記基板のエッジの一部上へ前記ラジカルを誘導する、請求項17に記載のクリーニング装置。
- 前記導管は、デバイスが形成される前記基板の主要面の周辺部分上へ前記ラジカルを誘導する、請求項17または18に記載のクリーニング装置。
- 前記ラジカル閉じ込めシステムは、前記ラジカルが前記基板の表面へとわたる範囲を限定するために前記基板の少なくとも1つの主要面に沿った前記導管からのラジカル流と反対のガス流を提供する保護ガス源を含む、請求項17〜19のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記ラジカル閉じ込めシステムはガス抽出器を含み、前記ガス抽出器は、前記導管と前記保護ガス源との間に配置され、かつ前記導管からラジカルをおよび前記保護ガス源からガス流を抽出する、請求項20に記載のクリーニング装置。
- 前記基板を保持する基板ホルダをさらに含み、
前記ロテータは、前記導管に対して前記基板ホルダを回転させる、請求項17〜21のいずれか一項に記載のクリーニング装置。 - 前記基板をサポートする基板マウントをさらに含み、
前記ロテータは、前記基板マウントに対して前記基板を回転させる、請求項17〜21のいずれか一項に記載のクリーニング装置。 - 前記ロテータは、クリーニング中に前記基板をサポートする、請求項17〜21のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- 前記ロテータは、一モードにおいては前記導管に対して前記基板を回転させるように動作可能であり、かつ前記基板を配置間で移動させるように動作可能である少なくとも1つの他のモードを有する、請求項17〜21のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- リソグラフィ装置、基板を搬送する搬送ユニット、ならびに基板をレジストで覆うこと、基板を焼くこと、基板を冷却すること、およびパターン形成された放射ビームにさらされた基板上にレジストの層を現像することのうちの少なくとも1つを行う基板プロセシングユニットのうちの1つの中に設置されている、請求項17〜24のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
- パターン形成されたビームを基板上に付与するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板および/または基板をサポートするための基板テーブルとの間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造と、
請求項1〜16のいずれか一項に記載のクリーニング装置であって、前記流体閉じ込め構造の表面の局所的部分をクリーニングする、クリーニング装置と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - パターン形成されたビームを基板上に付与するための投影システムと、
前記基板をサポートするための基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板および/または基板テーブルとの間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造と、
請求項1〜16のいずれか一項に記載のクリーニング装置であって、前記基板テーブルの表面の局所的部分をクリーニングするクリーニング装置と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - 露光中に前記基板をサポートするための基板テーブル上に基板を位置決めする基板ハンドラであって、前記基板テーブル上に前記基板を位置決めする前に前記基板を回転させる基板ハンドラと、
前記基板が回転するにつれて前記基板表面の局所的部分をクリーニングする基板クリーナーであって、前記プラズマクリーナーは、ラジカル流を提供するプラズマラジカル源と、前記プラズマラジカル源からクリーニングされる表面へラジカルを供給するための導管と、前記部分をクリーニングするために前記ラジカルを誘導するためのラジカル閉じ込めシステムと
を含む、リソグラフィ装置。 - 基板をサポートするための基板テーブルおよび投影システムと基板テーブルおよび/または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造を含む液浸リソグラフィ装置の表面をクリーニングするためのクリーニング装置であって、前記クリーニング装置は、
電気的絶縁材料から形成され、基板の代わりに前記液浸リソグラフィ装置の前記基板テーブルによってサポートされるメインボディと、
前記メインボディが前記基板テーブル上にサポートされている場合に前記流体閉じ込め構造に面する前記メインボディの表面から前記メインボディの少なくとも一部によって電気的に絶縁されるように形成されている少なくとも1つの導電性領域と
を含む、クリーニング装置。 - パターン形成されたビームを基板上に付与するための投影システムと、
基板をサポートするための基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板および/または基板テーブルとの間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造と、
メインボディが前記基板テーブル上にサポートされている場合、請求項39に記載のクリーニング装置の前記メインボディ上の少なくとも1つの導電性領域と前記流体閉じ込め構造との間に電圧を供給する電圧供給と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - パターン形成されたビームを基板上に付与するための投影システムと、
基板をサポートするための基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板および/または基板テーブルとの間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造と、
メインボディが前記基板テーブル上にサポートされている場合、請求項39に記載のクリーニング装置の前記メインボディ上の第1の導電性領域と第2の導電性領域との間に電圧を供給する電圧供給であって、前記クリーニング装置が前記第1の導電性領域から電気的に絶縁された少なくとも1つの第2の導電性領域を含む、電圧供給と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - 液浸リソグラフィ装置のコンポーネントまたは基板をクリーニングする方法であって、前記リソグラフィ装置は、投影システムと基板テーブルおよび/または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造および基板をサポートするための基板テーブルを含み、前記方法は、
プラズマラジカル源を用いてラジカル流を提供することと、
導管を用いて前記プラズマラジカル源からクリーニングされる表面へラジカルを供給することと、
ラジカル閉じ込めシステムを用いて前記表面の局所的部分をクリーニングするために前記ラジカルを誘導することと
を含む、方法。 - 液浸リソグラフィ装置の表面をクリーニングする方法であって、前記液浸リソグラフィ装置は、投影システムと基板テーブルおよび/または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造および基板をサポートするための基板テーブルを含み、前記方法は、
前記基板テーブル上にクリーニング装置をサポートすることであって、前記クリーニング装置が、基板の代わりに前記液浸リソグラフィ装置の前記基板テーブルによってサポートされるメインボディ、およびプラズマラジカル生成器に隣接した領域の中のガス内にラジカルを生成するプラズマラジカル生成器を含む、ことと、
前記流体閉じ込め構造と前記基板テーブルとの間にガス流を提供するために前記流体閉じ込め構造を使用することと
を含み、
前記流体閉じ込め構造によって提供される前記ガス流は、ラジカルの供給が提供されるように前記プラズマラジカル生成器に隣接した前記領域を通過する、方法。
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