JP2004104114A - チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法 - Google Patents
チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004104114A JP2004104114A JP2003296503A JP2003296503A JP2004104114A JP 2004104114 A JP2004104114 A JP 2004104114A JP 2003296503 A JP2003296503 A JP 2003296503A JP 2003296503 A JP2003296503 A JP 2003296503A JP 2004104114 A JP2004104114 A JP 2004104114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- dielectric member
- chuck
- mask
- pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】静電チャック10は、物品と接触する表面上に少なくとも導電層をゆうする複数のピン16が、第1の表面上に形成された誘電要素12を備える。締着するべき物品は、締着表面に対して反対側の誘電部材の表面上に位置する電極14と、締着するべき物品18の締着表面上に位置する電極20との間に電位差を加えることによって、チャック10上の定位置で締着される。
【選択図】図2
Description
− リソグラフィ投影技法を使用してデバイスを製造する際に加工される基板、または
− リソグラフィ投影装置内のリソグラフィ投影マスクもしくはマスク・ブランク、マスク検査装置もしくはマスク洗浄装置などマスク取扱い装置、またはマスク製造装置であり、
前記チャックは、第1の誘電部材を備える。
− 放射線の投影ビームを供給する放射システムと、
− 所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するように働くパターン形成手段を支持する支持構造と、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の標的部分上にパターン形成済みビームを投影する投影システムと、
− 前記支持構造または前記基板テーブル上で誘電部材を備えるチャックと、
− 前記チャックの前記誘電部材の両端間に電位差を加え、それによって締着力を生成する少なくとも第1の電極とを備えるリソグラフィ投影装置に関する。
− マスク。マスクの概念はリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、ハーフトーン型位相シフト、ならびに様々なハイブリッド・マスク・タイプなどのマスク・タイプを含む。放射線ビーム内にそのようなマスクを配置することにより、マスクのパターンに従って、マスク上で衝突する放射線の選択的透過(透過マスクの場合)または反射(反射マスクの場合)が生じる。マスクの場合、支持構造は一般に、マスクを入来放射線ビーム内の所望の位置で保持することができるようにし、望むなら、ビームに対して移動することができるようにするマスク・テーブルである。
− プログラム可能なミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリクス・アドレス可能な表面である。そのような装置の背景にある基本原理は、(たとえば)反射表面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、一方、アドレスされない領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射されたビームから逃がし、回折光だけ残すことができ、このようにして、マトリクス・アドレス可能な表面のアドレッシング・パターンに従って、ビームがパターン形成される。プログラム可能なミラー・アレイの一代替実施例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、適切な局所電界を印加することにより、または圧電始動手段を使用することにより、軸の周りで個別に傾斜させることができる。この場合も、鏡はマトリクス・アドレス可能であり、それにより、アドレスされた鏡は、入来放射線ビームを異なる方向でアドレスされない領域に反射することになり、このようにして、反射されたビームは、マトリクス・アドレス可能な鏡のアドレッシング・パターンに従ってパターン形成される。必要とされるマトリクス・アドレッシングは、適切な電子手段を使用して実行することができる。上述の状況のどちらも、パターン形成手段は1つまたは複数のプログラム可能なミラー・アレイを備えることができる。本明細書で参照したミラー・アレイに関するさらなる情報は、たとえば、米国特許第5,296,891号および米国特許第5,523,193号、ならびにPCT特許出願WO98/38597およびWO98/33096から収集することができ、これらを参照により本明細書に組み込む。プログラム可能なミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、適宜固定または移動可能とすることができるフレームまたはテーブルとして実施することができる。
− プログラム可能なLCDアレイ。そのような構造の一例は、米国特許第5,229,872号にあり、これを参照により本明細書に組み込む。上記のように、この場合の支持構造は、たとえば、適宜固定または移動可能とすることができるフレームまたはテーブルとして実施することができる。
話を簡単にするために、本文の残りの部分では、所々で具体的にマスクおよびマスク・テーブルを含む例を対象とする可能性があるが、そのような場合に論じる一般原理は、本明細書で上述したパターン形成手段の、より広い文脈で理解するべきである。
− 放射線感受性材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を用意するステップと、
− 放射システムを使用して放射線の投影ビームをもたらすステップと、
− パターン形成手段を使用して、投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
− 放射線のパターン形成済みビームを、放射線感受性材料の層の標的部分上に投影するステップとを含むデバイス製造方法であって、
前記誘電部材の前記第1の表面が複数のピンを有し、前記ピンのそれぞれは、上部外面上に少なくとも導電層が形成され、前記導電層が10Ωm未満の比抵抗率を有することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、以下を備える。
・ 放射線(たとえば、EUV放射線)の投影ビームPBを供給するための放射システムEx、IL。この特定の場合では、放射線源LAをも備える。
・ マスクMA(たとえば、レチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備え、部品PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の物体テーブル(マスク・テーブル)MT。
・ 基板W(たとえば、レジスト被覆済みシリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備え、投影システムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の物体テーブル(基板テーブル)WT。
・ マスクMAの照射部分を基板Wの(たとえば、1つまたは複数のダイを備える)標的部分C上に結像するための投影システム(レンズ)PL(たとえば、ミラー群)。
本明細書で示すように、この装置は(たとえば、反射マスクを有する)反射タイプである。しかし、一般にたとえば、(たとえば、透過マスクを有する)透過タイプとすることもできる。別法として、この装置は、上記で参照したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなど、別の種類のパターン形成手段を使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTが本質的に静止しており、マスク・イメージ全体が標的部分C上に一気に(すなわち、1回の「フラッシュ」)投影される。次いで、基板テーブルWTがxおよび/またはy方向でシフトし、その結果、異なる標的部分CをビームPBによって照射することができる。
2.走査モードでは、本質的に同じ状況が当てはまるが、所与の標的部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない。その代わりに、マスク・テーブルMTは、所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度vで移動可能であり、その結果、投影ビームPBはマスク・イメージ全体にわたって走査させられ、それと共に、基板テーブルWTが、同方向または反対方向に速度V=Mvで同時に移動する。この式でMは、レンズPLの倍率である(一般に、M=1/4または1/5)。このようにして、解像度を損なうことなく、比較的大きな標的部分Cを露光することができる。
図3は、本発明の第2の実施例の締着チャック30を示し、下記のとおりを除いて、第1の実施例と同じである。チャック30は、誘電部材34の深さ全体を介して延びる接地ピンと同様ないくつかのピン32を備える。ピン32は、導電性材料によって形成されている。導電ピン32は、基板18を締着するために使用されないチャック30の側に配置された導体36に接続されている。電極38は、締着表面から離れて誘電部材34内に設けられ、誘電部材34によってピン32と導体36のどちらからも絶縁されている。
締着チャックの第3の実施例が図4に示されており、図では、基板44上の微視的な表面ばらつきの縮尺が誇張されている。第3の実施例は、下記のとおりを除いて、第1の実施例と同じである。前述の第1および第2の実施例は、ジョンソン−ラーベック力の作用を最小限に抑えて、締着用電位差が除去されたとき、基板を迅速に解放することを可能にしたが、第3の実施例は、ジョンソン−ラーベック力を管理可能なレベルに制御することを目的とする。したがって、追加のジョンソン−ラーベック力を受益し、締着/締着解除工程中に導入される遅延を最小限に抑えることが可能である。第3の実施例では、誘電部材40の締着表面は、平坦に研磨されていることが好ましい。しかし、締着表面は必ずしも平坦に研磨する必要がないことは理解されよう。
上述の第1から第3の実施例は、単極チャックについて考察した。第4の実施例は、双極チャックを使用する。第4の実施例の構造は、下記のとおりを除いて、第1の実施例のものと同様である。
本発明による締着チャックの第5の実施例が図6に示されている。第5の実施例は、下記のとおりを除いて、第1の実施例と同じである。この場合もチャック10は、一方の表面上に電極14が形成された誘電部材12からなる。誘電部材12の反対側には、いくつかのピン16が形成されている。第1の実施例と対照的に、ピン16は、電極20に面する誘電部材12の表面上に載置された導電ピン16である。
本発明による締着チャックの第6の実施例が図7に示されている。第6の実施例は、下記のとおりを除いて、第1の実施例と同じである。第6の実施例では、導電層22が、それぞれのピン16間の領域上にも設けられている。したがって、電極20に面する誘電部材12の領域は、導電層22によって完全に覆われている。
C 標的部分
CO コンデンサ
Ex 放射システム(ビーム・エキスパンダ)
IF 干渉測定手段
IL 放射システム(照明システム)
IN インテグレータ
LA 放射線源LA
MA マスク
MT 第1の物体テーブル(マスク・テーブル)
PB 投影ビーム
PL 投影システム
W、18、44 基板
WT 第2の物体テーブル(基板テーブル)
10、30 チャック
12 誘電部材
14、20、38、42、47 電極
16、32 ピン
22 導電層
34、40 誘電部材
36 導体
46 センサ
48 制御システム
50 電圧源
52 双極チャック
54a、54b 半円形電極
Claims (13)
- 物品を静電力によって支持テーブル上に保持する際に使用するチャックにおいて、前記物品が、
リソグラフィ投影技法を使用してデバイスを製造する際に加工される基板、または
リソグラフィ投影装置内のリソグラフィ投影マスクもしくはマスク・ブランク、マスク検査装置もしくはマスク洗浄装置などマスク取扱い装置、またはマスク製造装置であり、
第1の誘電部材を備えるチャックであって、
前記物品に面する前記誘電部材の側が複数のピンを備え、前記ピンの少なくともそれぞれが、前記物品と接触する表面上に少なくとも導電層を有し、前記導電層の比抵抗率が10Ωm未満であることを特徴とするチャック。 - 前記導電層が、厚さ200nm未満である請求項1に記載のチャック。
- 前記導電層が非金属である請求項1または請求項2に記載のチャック。
- 前記ピンが、前記誘電部材の厚さ全体を貫通し、導電部材に接続される導電ピンである請求項1に記載のチャック。
- 前記ピンが、前記物品に面する前記第1の誘電部材の表面上に載置された導電ピンである請求項1に記載のチャック。
- 前記誘電部材の厚さが、50〜200μmである前記請求項のいずれか一項に記載のチャック。
- 前記物品と接触している前記ピンの表面積が、前記誘電部材の総面積の4%未満である前記請求項のいずれかに記載のチャック。
- 前記ピンが前記誘電部材の表面から2〜10μm突出する前記請求項のいずれかに記載のチャック。
- 前記ピンが、直径0.15mmから0.5mmの間である前記請求項のいずれかに記載のチャック。
- 前記ピンが、2〜15mm離れている前記請求項のいずれかに記載のチャック。
- 前記物品に面する前記誘電部材の表面が、導電層を備える前記請求項のいずれかに記載のチャック。
- 放射線の投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するように働くパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の標的部分上にパターンビームを投影する投影システムと、
前記支持構造または前記基板テーブル上の請求項1から11までのいずれか一項に記載のチャックと、
前記チャックの前記誘電部材の両端間に電位差を加え、それによって締着力を生成する少なくとも第1の電極と
を備えるリソグラフィ投影装置。 - 放射線感受性材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を用意するステップと、
放射システムを使用して放射線の投影ビームをもたらすステップと、
パターン形成手段を使用して、前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
放射線のパターン形成済みビームを、放射線感受性材料の前記層の標的部分上に投影するステップと、
前記基板を前記基板テーブルに保持するために、第1の誘電部材を備える静電チャックを用意するステップと、
前記基板を前記誘電部材の第1の表面上で位置決めするステップと、
第1の電極と第2の電極の間に電位差を加え、それによって前記誘電部材の両端間に電位差を加え、前記基板上で締着力を生成するステップと
を含むデバイス製造方法であって、
前記誘電部材の前記第1の表面が複数のピンを有し、前記ピンのそれぞれは、上部外面上に少なくとも導電層が形成され、前記導電層が10Ωm未満の比抵抗率を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02255915 | 2002-08-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004104114A true JP2004104114A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=32241343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003296503A Pending JP2004104114A (ja) | 2002-08-23 | 2003-08-20 | チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7092231B2 (ja) |
JP (1) | JP2004104114A (ja) |
KR (1) | KR100532522B1 (ja) |
CN (1) | CN100492172C (ja) |
DE (1) | DE60334428D1 (ja) |
SG (1) | SG108323A1 (ja) |
TW (1) | TWI240153B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128676A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR100883610B1 (ko) | 2005-12-21 | 2009-02-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치용 정전기 클램프를제조하는 방법 |
WO2009035002A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Canon Anelva Corporation | 静電チャック |
WO2009034954A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Asahi Glass Co., Ltd. | TiO2含有石英ガラス基板 |
JP2009152555A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-09 | Asml Netherlands Bv | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
WO2010047311A1 (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの検査方法及び静電チャック装置 |
JP2010541196A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 静電クランプ、リソグラフィ装置および静電クランプを製造する方法 |
WO2012005294A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその製造方法 |
WO2012026421A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその製造方法 |
KR20180021329A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101852735B1 (ko) | 2015-04-02 | 2018-04-27 | 가부시키가이샤 알박 | 흡착 장치 및 진공 처리 장치 |
WO2020017314A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | ボンドテック株式会社 | 基板接合装置 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100511854B1 (ko) | 2002-06-18 | 2005-09-02 | 아네르바 가부시키가이샤 | 정전 흡착 장치 |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1498777A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder and lithographic projection apparatus |
JP2005044893A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Canon Inc | 基板保持装置 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
KR101265081B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2013-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 노광용 척 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
TWI271815B (en) * | 2004-11-30 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Method for processing stuck object and electrostatic sticking method |
US7626681B2 (en) * | 2005-12-28 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352438B2 (en) * | 2006-02-14 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1840657A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-03 | Carl Zeiss SMT AG | Support structure for temporarily supporting a substrate |
KR100803834B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-02-14 | 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 | 포토레지스트 회전 도포기의 척 |
KR100755395B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반사 마스크, 반사 마스크 고정 장치 및 방법 |
CN101563230B (zh) * | 2006-12-26 | 2014-05-28 | 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 | 具有导电元件的打印*** |
US8139340B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-03-20 | Plasma-Therm Llc | Conductive seal ring electrostatic chuck |
NL2007452A (en) | 2010-12-08 | 2012-06-11 | Asml Holding Nv | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp. |
NL2007768A (en) | 2010-12-14 | 2012-06-18 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
EP2490073B1 (en) | 2011-02-18 | 2015-09-23 | ASML Netherlands BV | Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder |
KR101872886B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2018-06-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 정전기 클램프, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
NL2008630A (en) | 2011-04-27 | 2012-10-30 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
EP2555234B1 (en) * | 2011-08-02 | 2020-08-19 | ASML Holding N.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp |
NL2009487A (en) | 2011-10-14 | 2013-04-16 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
JP6085616B2 (ja) | 2012-02-03 | 2017-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び基板ホルダの製造方法 |
EP2841995A2 (en) * | 2012-04-23 | 2015-03-04 | ASML Netherlands BV | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method |
WO2014012749A1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | Asml Netherlands B.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method |
NL2011592A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Compensation for patterning device deformation. |
US10937684B2 (en) * | 2012-11-28 | 2021-03-02 | Kyocera Corporation | Placement member and method of manufacturing the same |
CN106164776B (zh) * | 2014-04-09 | 2019-04-23 | Asml荷兰有限公司 | 用于清洁对象的装置 |
US11373890B2 (en) * | 2018-12-17 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Wireless in-situ real-time measurement of electrostatic chucking force in semiconductor wafer processing |
DE102019101657A1 (de) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co | Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils mit einem durch Diffusionsbonden gefügten Grundkörper und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102020104907A1 (de) | 2020-02-25 | 2021-08-26 | Berliner Glas GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements durch atomares Diffusionsbonden |
US11699611B2 (en) * | 2021-02-23 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Forming mesas on an electrostatic chuck |
EP4206822A1 (en) * | 2021-12-28 | 2023-07-05 | ASML Netherlands B.V. | Object holder, lithographic apparatus comprising such object holder and methods for object holder |
WO2024056552A1 (en) * | 2022-09-13 | 2024-03-21 | Asml Netherlands B.V. | A patterning device voltage biasing system for use in euv lithography |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4384918A (en) | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
GB2106325A (en) | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
US4551192A (en) | 1983-06-30 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography |
JP3129452B2 (ja) | 1990-03-13 | 2001-01-29 | 富士電機株式会社 | 静電チャック |
US5452177A (en) * | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
US5350479A (en) | 1992-12-02 | 1994-09-27 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high power plasma processing |
JP2851766B2 (ja) | 1993-04-28 | 1999-01-27 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
US5885469B1 (en) | 1996-11-05 | 2000-08-08 | Applied Materials Inc | Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same |
JP3082624B2 (ja) | 1994-12-28 | 2000-08-28 | 住友金属工業株式会社 | 静電チャックの使用方法 |
JPH09172055A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
US5923408A (en) | 1996-01-31 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding system and exposure apparatus using the same |
JP3814359B2 (ja) | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | X線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
US5761023A (en) | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
JPH10107132A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Kyocera Corp | 静電チャック |
US5841624A (en) * | 1997-06-09 | 1998-11-24 | Applied Materials, Inc. | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same |
WO1998057361A1 (fr) | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Nikon Corporation | Substrat de fabrication de dispositif, procede de fabrication de ce substrat, et procede d'exposition avec ce substrat |
US5880924A (en) * | 1997-12-01 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
JP3853960B2 (ja) | 1998-02-27 | 2006-12-06 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
JP2000183146A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Ibiden Co Ltd | 静電チャック |
EP1059566B1 (en) | 1999-06-11 | 2006-08-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
JP5165817B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2013-03-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャック及びその製造方法 |
JP3826306B2 (ja) | 2000-06-15 | 2006-09-27 | 株式会社伊藤金網製作所 | 亀甲金網の製造方法 |
US6754062B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-06-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Hybrid ceramic electrostatic clamp |
JP2003296503A (ja) | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Dino Co Ltd | インターネット広告評価方法及びシステム |
-
2003
- 2003-08-19 US US10/643,167 patent/US7092231B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-20 KR KR10-2003-0057530A patent/KR100532522B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-20 TW TW092122908A patent/TWI240153B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-20 DE DE60334428T patent/DE60334428D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-20 SG SG200304850A patent/SG108323A1/en unknown
- 2003-08-20 CN CNB031551394A patent/CN100492172C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-20 JP JP2003296503A patent/JP2004104114A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128676A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR100883610B1 (ko) | 2005-12-21 | 2009-02-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치용 정전기 클램프를제조하는 방법 |
US7944677B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-05-17 | Canon Anelva Corporation | Electrostatic chuck |
WO2009035002A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Canon Anelva Corporation | 静電チャック |
WO2009034954A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Asahi Glass Co., Ltd. | TiO2含有石英ガラス基板 |
JP2010541196A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 静電クランプ、リソグラフィ装置および静電クランプを製造する方法 |
JP2009152555A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-09 | Asml Netherlands Bv | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
TWI495536B (zh) * | 2008-10-20 | 2015-08-11 | Creative Tech Corp | Electrostatic suction cup inspection method and electrostatic sucker device |
JP5283707B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2013-09-04 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの検査方法及び静電チャック装置 |
US8581598B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-11-12 | Creative Technology Corporation | Method for inspecting electrostatic chuck, and electrostatic chuck apparatus |
WO2010047311A1 (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの検査方法及び静電チャック装置 |
KR101612091B1 (ko) | 2008-10-20 | 2016-04-12 | 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 | 정전 척의 검사방법 및 정전 척 장치 |
WO2012005294A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその製造方法 |
WO2012026421A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその製造方法 |
KR101852735B1 (ko) | 2015-04-02 | 2018-04-27 | 가부시키가이샤 알박 | 흡착 장치 및 진공 처리 장치 |
KR20180021329A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102630782B1 (ko) | 2016-08-19 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
WO2020017314A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | ボンドテック株式会社 | 基板接合装置 |
JPWO2020017314A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-12-17 | ボンドテック株式会社 | 基板接合装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7092231B2 (en) | 2006-08-15 |
US20040114124A1 (en) | 2004-06-17 |
SG108323A1 (en) | 2005-01-28 |
TWI240153B (en) | 2005-09-21 |
CN100492172C (zh) | 2009-05-27 |
KR100532522B1 (ko) | 2005-12-01 |
TW200413864A (en) | 2004-08-01 |
KR20040030259A (ko) | 2004-04-09 |
CN1487360A (zh) | 2004-04-07 |
DE60334428D1 (de) | 2010-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004104114A (ja) | チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法 | |
US8098475B2 (en) | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp | |
EP1359466A1 (en) | Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method | |
US7528935B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
US7130049B2 (en) | Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method | |
JP2006013546A (ja) | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 | |
JP4204964B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
US6864958B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
EP1391786B1 (en) | Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4452103B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
TW201235798A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4151934B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
US6747730B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing an optical element | |
EP1059566B1 (en) | Lithographic projection apparatus | |
EP1243970A1 (en) | Lithographic apparatus | |
US7508220B2 (en) | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly | |
JP4005075B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
EP1318431A1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing an optical element | |
EP1439424A2 (en) | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly | |
EP1500984A2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060616 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060728 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060731 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060831 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20061020 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070522 |