JP2002015970A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＵＶ光を用いてマスクに形成されているマ
スクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行
なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下しない
ようにする。 【解決手段】 真空チャンバー１００の内部において、
所望のパターンを有する反射型マスク１０６の表面に形
成されている堆積膜を真空チャンバー１００の内部に発
生させた酸素プラズマ１１５により除去する。真空チャ
ンバー１００の内部において、ＥＵＶ光源から出射され
たＥＵＶ光を、堆積膜が除去された反射型マスク１０６
を介してレジスト膜１０２に照射して、反射型マスク１
０６のパターンをレジスト膜１０２に転写する。
スクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行
なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下しない
ようにする。 【解決手段】 真空チャンバー１００の内部において、
所望のパターンを有する反射型マスク１０６の表面に形
成されている堆積膜を真空チャンバー１００の内部に発
生させた酸素プラズマ１１５により除去する。真空チャ
ンバー１００の内部において、ＥＵＶ光源から出射され
たＥＵＶ光を、堆積膜が除去された反射型マスク１０６
を介してレジスト膜１０２に照射して、反射型マスク１
０６のパターンをレジスト膜１０２に転写する。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は、レジスト膜に極端
紫外光をフォトマスクを介して照射する露光方法及び露
光装置に関する。
紫外光をフォトマスクを介して照射する露光方法及び露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を構成する半導体素子の
微細化に伴って、配線のパターン寸法の微細化が求めら
れている。微細なパターンを加工するためにはリソグラ
フィ技術が不可欠であり、特に、０．０７μｍ以下の配
線幅を有するパターンの形成工程においては、１３ｎｍ
帯の波長を持つ極端紫外光（ＥＵＶ光；Extreme Ultra-
Violet）を露光光とするリソグラフィ技術が非常に期待
されている。
微細化に伴って、配線のパターン寸法の微細化が求めら
れている。微細なパターンを加工するためにはリソグラ
フィ技術が不可欠であり、特に、０．０７μｍ以下の配
線幅を有するパターンの形成工程においては、１３ｎｍ
帯の波長を持つ極端紫外光（ＥＵＶ光；Extreme Ultra-
Violet）を露光光とするリソグラフィ技術が非常に期待
されている。
【０００３】ＥＵＶ光は波長が短いため、従来のクリプ
トンフロライド（ＫｒＦ）エキシマレーザ（波長：２４
８ｎｍ帯）又はアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシマ
レーザ（波長：１９３ｎｍ帯）を用いるリソグラフィの
ように空気中又は窒素の雰囲気中で露光を行なうと、露
光光が酸素分子又は窒素分子に吸収されてしまう。この
ため、ＥＵＶ露光は真空中で行なう必要がある。
トンフロライド（ＫｒＦ）エキシマレーザ（波長：２４
８ｎｍ帯）又はアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシマ
レーザ（波長：１９３ｎｍ帯）を用いるリソグラフィの
ように空気中又は窒素の雰囲気中で露光を行なうと、露
光光が酸素分子又は窒素分子に吸収されてしまう。この
ため、ＥＵＶ露光は真空中で行なう必要がある。
【０００４】図６は、従来のＥＵＶ露光装置の概略断面
構造を示している。真空チャンバー１の下部には基板ホ
ルダー２が設けられており、該基板ホルダー２は、表面
にレジスト膜３が形成された半導体基板４を保持してい
る。また、真空チャンバー１の上部には、所望のマスク
パターンが形成されている反射型マスク５を保持するマ
スクホルダー６が設けられている。
構造を示している。真空チャンバー１の下部には基板ホ
ルダー２が設けられており、該基板ホルダー２は、表面
にレジスト膜３が形成された半導体基板４を保持してい
る。また、真空チャンバー１の上部には、所望のマスク
パターンが形成されている反射型マスク５を保持するマ
スクホルダー６が設けられている。
【０００５】真空チャンバー１の上にはＥＵＶ光を出射
するＥＵＶ光源７が設けられており、該ＥＵＶ光源７か
ら出射されたＥＵＶ光は、反射ミラー８により反射型マ
スク５に向かって反射された後、該反射型マスク５によ
り再び反射され、反射縮小光学系９を通過してレジスト
膜３に例えば１／５程度に縮小された状態で照射され
る。これにより、反射型マスク８に形成されているマス
クパターンは、レジスト膜３に転写される。
するＥＵＶ光源７が設けられており、該ＥＵＶ光源７か
ら出射されたＥＵＶ光は、反射ミラー８により反射型マ
スク５に向かって反射された後、該反射型マスク５によ
り再び反射され、反射縮小光学系９を通過してレジスト
膜３に例えば１／５程度に縮小された状態で照射され
る。これにより、反射型マスク８に形成されているマス
クパターンは、レジスト膜３に転写される。
【０００６】図７は、化学増幅型レジスト材料からなる
レジストパターンを形成する従来のプロセスフローを示
している。
レジストパターンを形成する従来のプロセスフローを示
している。
【０００７】まず、ステップＳＢ１において、半導体基
板の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成した後、
ステップＳＢ２において、レジスト膜に対してプリベー
クを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させ
る。
板の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成した後、
ステップＳＢ２において、レジスト膜に対してプリベー
クを行なってレジスト膜に含まれている溶剤を揮散させ
る。
【０００８】次に、ステップＳＢ３において、ＥＵＶ光
をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射
型マスクのパターンをレジスト膜に転写した後、ステッ
プＳＢ４において、レジスト膜に対してポストベーク
（露光後ベーク）を行なって、レジスト膜の露光部又は
未露光部において酸を拡散させる。
をレジスト膜に照射するパターン露光を行なって、反射
型マスクのパターンをレジスト膜に転写した後、ステッ
プＳＢ４において、レジスト膜に対してポストベーク
（露光後ベーク）を行なって、レジスト膜の露光部又は
未露光部において酸を拡散させる。
【０００９】次に、ステップＳＢ５において、レジスト
膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターン
を形成する。
膜をアルカリ性現像液により現像してレジストパターン
を形成する。
【００１０】尚、通常のレジスト材料（非化学増幅型レ
ジスト材料）からなるレジストパターンを形成する場合
には、ＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、
ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像して、
レジストパターンを形成する。
ジスト材料）からなるレジストパターンを形成する場合
には、ＥＵＶ光を照射してパターン露光を行なった後、
ポストベークを行なうことなくレジスト膜を現像して、
レジストパターンを形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本件発明者
がＥＵＶ光を用いて、反射型マスク５（フォトマスク）
に形成されているマスクパターンをレジスト膜３に転写
する工程を繰り返し行なったところ、レジスト膜３に照
射されるＥＵＶ光の露光量が次第に低下してしまい、パ
ターン露光を再現性良く行なうことができないという問
題に直面した。
がＥＵＶ光を用いて、反射型マスク５（フォトマスク）
に形成されているマスクパターンをレジスト膜３に転写
する工程を繰り返し行なったところ、レジスト膜３に照
射されるＥＵＶ光の露光量が次第に低下してしまい、パ
ターン露光を再現性良く行なうことができないという問
題に直面した。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、ＥＵＶ光を用いて
フォトマスクに形成されているマスクパターンをレジス
ト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜
に照射される露光量が低下せず、パターン露光を再現性
良く行なえるようにすることを目的とする。
フォトマスクに形成されているマスクパターンをレジス
ト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜
に照射される露光量が低下せず、パターン露光を再現性
良く行なえるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、ＥＵＶ光
により繰り返しパターン露光を行なうと、レジスト膜に
照射される露光量が低下する理由について検討した結
果、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうと、パターン露光に用
いたフォトマスクが汚染してしまい、これによって、レ
ジスト膜に照射される露光量が低下するということに気
がついた。
により繰り返しパターン露光を行なうと、レジスト膜に
照射される露光量が低下する理由について検討した結
果、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうと、パターン露光に用
いたフォトマスクが汚染してしまい、これによって、レ
ジスト膜に照射される露光量が低下するということに気
がついた。
【００１４】そこで、ＥＵＶ露光を繰り返し行なうとマ
スクの表面が汚染される原因について検討を行なった結
果、以下の現象を見い出した。すなわち、ＥＵＶ光を用
いるパターン露光は、ＥＵＶ光をフォトマスクに対し
て、真空中において約１００ｅＶという高エネルギーで
照射するため、レジスト膜からの脱ガス（例えばＣＯ2
ガス）に起因して発生する反応生成物例えばＣＯx （ｘ
＜２）がフォトマスクの表面に付着したり、又は露光チ
ャンバー内に微少量存在する炭素化合物が高エネルギー
のＥＵＶ光の照射によって炭化物質に変化してフォトマ
スクの表面に付着したりするので、フォトマスクの表面
に炭素を含む堆積膜が形成され、これによって、フォト
マスクからレジスト膜に向かって出射される露光光の光
量が低減してしまうということを見い出した。
スクの表面が汚染される原因について検討を行なった結
果、以下の現象を見い出した。すなわち、ＥＵＶ光を用
いるパターン露光は、ＥＵＶ光をフォトマスクに対し
て、真空中において約１００ｅＶという高エネルギーで
照射するため、レジスト膜からの脱ガス（例えばＣＯ2
ガス）に起因して発生する反応生成物例えばＣＯx （ｘ
＜２）がフォトマスクの表面に付着したり、又は露光チ
ャンバー内に微少量存在する炭素化合物が高エネルギー
のＥＵＶ光の照射によって炭化物質に変化してフォトマ
スクの表面に付着したりするので、フォトマスクの表面
に炭素を含む堆積膜が形成され、これによって、フォト
マスクからレジスト膜に向かって出射される露光光の光
量が低減してしまうということを見い出した。
【００１５】本発明は、前記の知見に基づいて成された
ものであって、具体的には以下の通りである。
ものであって、具体的には以下の通りである。
【００１６】本発明に係る第１の露光方法は、極端紫外
光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを
介してレジスト膜に照射して、所望のパターンをレジス
ト膜に転写する露光方法を前提とし、極端紫外光をフォ
トマスクを介してレジスト膜に照射する前に、フォトマ
スクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニン
グ工程を備えている。
光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを
介してレジスト膜に照射して、所望のパターンをレジス
ト膜に転写する露光方法を前提とし、極端紫外光をフォ
トマスクを介してレジスト膜に照射する前に、フォトマ
スクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニン
グ工程を備えている。
【００１７】第１の露光方法によると、フォトマスクの
表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光
をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フ
ォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露
光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行な
うことができる。
表面に付着している堆積膜を除去してから、極端紫外光
をフォトマスクを介してレジスト膜に照射するため、フ
ォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の露
光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行な
うことができる。
【００１８】第１の露光方法において、クリーニング工
程は、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を酸素
プラズマにより除去する工程を含むことが好ましい。
程は、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を酸素
プラズマにより除去する工程を含むことが好ましい。
【００１９】このようにすると、フォトマスクの表面に
付着している堆積膜はＣＯx （ｘ＜２）からなる反応生
成物が主成分であるため、フォトマスクの表面に付着し
ている堆積膜は酸素プラズマにより効率良く除去され
る。
付着している堆積膜はＣＯx （ｘ＜２）からなる反応生
成物が主成分であるため、フォトマスクの表面に付着し
ている堆積膜は酸素プラズマにより効率良く除去され
る。
【００２０】本発明に係る第２の露光方法は、表面にレ
ジスト膜が形成されている基板を真空チャンバーの内部
に保持する工程と、真空チャンバーの内部において、所
望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されて
いる堆積膜を真空チャンバーの内部に発生させた酸素プ
ラズマにより除去する工程と、極端紫外光を、表面に形
成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを介して
レジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジス
ト膜に転写する工程とを備えている。
ジスト膜が形成されている基板を真空チャンバーの内部
に保持する工程と、真空チャンバーの内部において、所
望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成されて
いる堆積膜を真空チャンバーの内部に発生させた酸素プ
ラズマにより除去する工程と、極端紫外光を、表面に形
成されている堆積膜が除去されたフォトマスクを介して
レジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジス
ト膜に転写する工程とを備えている。
【００２１】第２の露光方法によると、フォトマスクの
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。
【００２２】本発明に係る第３の露光方法は、第１の真
空チャンバーの内部において、所望のパターンを有する
フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を、第１の
真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより
除去する工程と、第２の真空チャンバーの内部におい
て、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する
工程と、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォ
トマスクを第１の真空チャンバーの内部から第２の真空
チャンバーの内部にインラインで移送する工程と、第２
の真空チャンバーの内部において、極端紫外光をフォト
マスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパ
ターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
空チャンバーの内部において、所望のパターンを有する
フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を、第１の
真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマにより
除去する工程と、第２の真空チャンバーの内部におい
て、表面にレジスト膜が形成されている基板を保持する
工程と、表面に形成されている堆積膜が除去されたフォ
トマスクを第１の真空チャンバーの内部から第２の真空
チャンバーの内部にインラインで移送する工程と、第２
の真空チャンバーの内部において、極端紫外光をフォト
マスクを介してレジスト膜に照射してフォトマスクのパ
ターンをレジスト膜に転写する工程とを備えている。
【００２３】第３の露光方法によると、フォトマスクの
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
われるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再
びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着した
りする事態が防止される。
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
われるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再
びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着した
りする事態が防止される。
【００２４】本発明に係る第１の露光装置は、真空チャ
ンバーと、真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレ
ジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダー
と、真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所
望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレ
ジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト
膜に転写する光学系と、真空チャンバーの内部に酸素ガ
スを導入するガス導入手段と、真空チャンバーの内部に
導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラ
ズマ発生手段とを備えている。
ンバーと、真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレ
ジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダー
と、真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所
望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレ
ジスト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト
膜に転写する光学系と、真空チャンバーの内部に酸素ガ
スを導入するガス導入手段と、真空チャンバーの内部に
導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させるプラ
ズマ発生手段とを備えている。
【００２５】第１の露光装置によると、真空チャンバー
の内部に酸素ガスを導入する手段と、真空チャンバーの
内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させ
る手段とを備えているため、フォトマスクの表面に形成
されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、
極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射す
ることができるので、フォトマスクからレジスト膜に照
射される極端紫外光の露光量が低減せず、これによっ
て、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
の内部に酸素ガスを導入する手段と、真空チャンバーの
内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させ
る手段とを備えているため、フォトマスクの表面に形成
されている堆積膜を酸素プラズマにより除去してから、
極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト膜に照射す
ることができるので、フォトマスクからレジスト膜に照
射される極端紫外光の露光量が低減せず、これによっ
て、パターン露光を再現性良く行なうことができる。
【００２６】本発明に係る第２の露光装置は、第１の真
空チャンバーと、第１の真空チャンバーの内部に酸素ガ
スを導入するガス導入手段と、第１の真空チャンバーの
内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させ
るプラズマ発生手段と、第２の真空チャンバーと、第２
の真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜
が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、第２
の真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望
のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジ
スト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜
に転写する光学系と、光学系を構成するフォトマスクを
第１のチャンバーの内部と第２のチャンバーの内部との
間でインラインで移送する移送手段とを備えている。
空チャンバーと、第１の真空チャンバーの内部に酸素ガ
スを導入するガス導入手段と、第１の真空チャンバーの
内部に導入された酸素ガスからなるプラズマを発生させ
るプラズマ発生手段と、第２の真空チャンバーと、第２
の真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト膜
が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、第２
の真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所望
のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジ
スト膜に照射してフォトマスクのパターンをレジスト膜
に転写する光学系と、光学系を構成するフォトマスクを
第１のチャンバーの内部と第２のチャンバーの内部との
間でインラインで移送する移送手段とを備えている。
【００２７】第２の露光装置によると、フォトマスクの
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
うことができるため、フォトマスクから除去された堆積
膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に
付着したりする事態を防止することができる。
表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマにより除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。また、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
うことができるため、フォトマスクから除去された堆積
膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に
付着したりする事態を防止することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、第１の
実施形態に係る露光方法について、図１のフロー図を参
照しながら説明する。
実施形態に係る露光方法について、図１のフロー図を参
照しながら説明する。
【００２９】まず、ステップＳＡ１において、半導体基
板上に化学増幅型レジスト材料を塗布してレジスト膜を
形成した後、ステップＳＡ２において、レジスト膜に対
してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶
剤を揮散させる。
板上に化学増幅型レジスト材料を塗布してレジスト膜を
形成した後、ステップＳＡ２において、レジスト膜に対
してプリベークを行なってレジスト膜に含まれている溶
剤を揮散させる。
【００３０】ステップＳＡ３において、パターン露光に
用いる反射型マスクの表面を、酸素プラズマによりクリ
ーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆
積膜を除去する。反射型マスクとしては、その種類を特
に問わないが、例えばモリブデン膜とシリコン膜との多
層膜からなるＥＵＶ光反射膜の上に、ＥＵＶ光吸収体で
あるタンタルからなるマスクパターンが形成されたもの
を用いることができる。
用いる反射型マスクの表面を、酸素プラズマによりクリ
ーニングして、反射型マスクの表面に形成されている堆
積膜を除去する。反射型マスクとしては、その種類を特
に問わないが、例えばモリブデン膜とシリコン膜との多
層膜からなるＥＵＶ光反射膜の上に、ＥＵＶ光吸収体で
あるタンタルからなるマスクパターンが形成されたもの
を用いることができる。
【００３１】ステップＳＡ４において、波長が１３ｎｍ
帯であるＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光
を行なって、反射型マスクに形成されているマスクパタ
ーンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＡ５におい
て、レジスト膜にポストベークを行なって、レジスト膜
の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
帯であるＥＵＶ光をレジスト膜に照射するパターン露光
を行なって、反射型マスクに形成されているマスクパタ
ーンをレジスト膜に転写した後、ステップＳＡ５におい
て、レジスト膜にポストベークを行なって、レジスト膜
の露光部又は未露光部において酸を拡散させる。
【００３２】ステップＳＡ６において、レジスト膜をア
ルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成
する。
ルカリ性現像液により現像してレジストパターンを形成
する。
【００３３】第１の実施形態によると、反射型マスクの
表面を酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マ
スクの表面に形成されている堆積膜を除去してから、Ｅ
ＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射
されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパ
ターンを再現性良く形成することができる。
表面を酸素プラズマによりクリーニングして、反射型マ
スクの表面に形成されている堆積膜を除去してから、Ｅ
ＵＶ光をレジスト膜に照射するため、レジスト膜に照射
されるＥＵＶ光の露光量が低減しないので、レジストパ
ターンを再現性良く形成することができる。
【００３４】尚、反射型マスクに対してクリーニングす
ると共に、露光装置のチャンバー内に設けられている光
学系例えば反射型ミラー又は縮小光学系に対しても、酸
素プラズマを用いてクリーニングを行なうことが好まし
い。このようにすると、光学系における露光量の低減が
一層防止されるので、レジストパターンを一層再現性良
く形成することができる。
ると共に、露光装置のチャンバー内に設けられている光
学系例えば反射型ミラー又は縮小光学系に対しても、酸
素プラズマを用いてクリーニングを行なうことが好まし
い。このようにすると、光学系における露光量の低減が
一層防止されるので、レジストパターンを一層再現性良
く形成することができる。
【００３５】また、反射型マスクの表面を酸素プラズマ
によりクリーニングする工程は、ＥＵＶ露光を行なう際
に毎回行なうことが好ましいが、チャンバー内の真空度
を高くして、チャンバー内に微少量存在する炭素化合物
が炭化物質に変化する程度を抑制できる場合には、反射
型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする
工程はパターン露光を行なう度毎に行なわず、数回程度
のパターン露光に対して１回のクリーニングを行なって
もよい。
によりクリーニングする工程は、ＥＵＶ露光を行なう際
に毎回行なうことが好ましいが、チャンバー内の真空度
を高くして、チャンバー内に微少量存在する炭素化合物
が炭化物質に変化する程度を抑制できる場合には、反射
型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングする
工程はパターン露光を行なう度毎に行なわず、数回程度
のパターン露光に対して１回のクリーニングを行なって
もよい。
【００３６】また、ＥＵＶ光としては、波長が１３ｎｍ
帯の光に限定されず、３ｎｍ帯〜５０ｎｍ帯の光を適宜
用いることができる。
帯の光に限定されず、３ｎｍ帯〜５０ｎｍ帯の光を適宜
用いることができる。
【００３７】さらに、非化学増幅型レジストからなるレ
ジストパターンを形成する場合には、レジスト膜に対し
てプリベークを行なった後、パターン露光に用いる反射
型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングし、
次に、レジスト膜にＥＵＶ光を照射してパターン露光を
行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜
を現像してレジストパターンを形成する。
ジストパターンを形成する場合には、レジスト膜に対し
てプリベークを行なった後、パターン露光に用いる反射
型マスクの表面を酸素プラズマによりクリーニングし、
次に、レジスト膜にＥＵＶ光を照射してパターン露光を
行なった後、ポストベークを行なうことなくレジスト膜
を現像してレジストパターンを形成する。
【００３８】（第２の実施形態）以下、第２の実施形態
として、第１の実施形態に係る露光方法を行なうための
露光装置について図２を参照しながら説明する。
として、第１の実施形態に係る露光方法を行なうための
露光装置について図２を参照しながら説明する。
【００３９】図２に示すように、真空チャンバー１００
の下部には基板ホルダー１０１が設けられており、該基
板ホルダー１０１は、表面にレジスト膜１０２が形成さ
れた半導体基板１０３を保持している。
の下部には基板ホルダー１０１が設けられており、該基
板ホルダー１０１は、表面にレジスト膜１０２が形成さ
れた半導体基板１０３を保持している。
【００４０】真空チャンバー１００の上部には、真空チ
ャンバー１００の内部において水平方向（図２における
左右方向）へ移動可能なマスクホルダー１０４が設けら
れており、該マスクホルダー１０４は高周波印加電極１
０５を介して反射型マスク１０６を保持している。高周
波印加電極１０５には整合回路１０７を介して高周波電
源１０８が接続されている。
ャンバー１００の内部において水平方向（図２における
左右方向）へ移動可能なマスクホルダー１０４が設けら
れており、該マスクホルダー１０４は高周波印加電極１
０５を介して反射型マスク１０６を保持している。高周
波印加電極１０５には整合回路１０７を介して高周波電
源１０８が接続されている。
【００４１】マスクホルダー１０４が真空チャンバー１
００の内部において図２における右方向へ移動したとき
に、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加
電極１０５と対向する位置には対向電極１０９が設けら
れており、該対向電極１０９は接地されている。従っ
て、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とが対向し
た状態で、高周波印加電極１０５に高周波電源１０８か
ら高周波電力を供給すると、高周波印加電極１０５と対
向電極１０９との間にプラズマが発生する。
００の内部において図２における右方向へ移動したとき
に、マスクホルダー１０４に固定されている高周波印加
電極１０５と対向する位置には対向電極１０９が設けら
れており、該対向電極１０９は接地されている。従っ
て、高周波印加電極１０５と対向電極１０９とが対向し
た状態で、高周波印加電極１０５に高周波電源１０８か
ら高周波電力を供給すると、高周波印加電極１０５と対
向電極１０９との間にプラズマが発生する。
【００４２】従来と同様、真空チャンバー１００の上に
はＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１１０が設けられてい
ると共に、真空チャンバー１００の内部には、ＥＵＶ光
源１１０から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク１０６
に向かって反射する反射ミラー１１１と、反射型マスク
１０６により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に
縮小して半導体基板１０３上のレジスト膜１０２に照射
させる反射縮小光学系１１２とが設けられている。尚、
反射縮小光学系１１２は、モリブデン膜とシリコン膜と
の多層膜からなる反射面を有する数枚の反射ミラーによ
り構成されている。
はＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１１０が設けられてい
ると共に、真空チャンバー１００の内部には、ＥＵＶ光
源１１０から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク１０６
に向かって反射する反射ミラー１１１と、反射型マスク
１０６により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に
縮小して半導体基板１０３上のレジスト膜１０２に照射
させる反射縮小光学系１１２とが設けられている。尚、
反射縮小光学系１１２は、モリブデン膜とシリコン膜と
の多層膜からなる反射面を有する数枚の反射ミラーによ
り構成されている。
【００４３】真空チャンバー１００には、酸素ガスを内
部に導入するためのガス導入口１１３と、反応生成ガス
を外部に排出するためのガス排出口１１４が設けられて
いる。
部に導入するためのガス導入口１１３と、反応生成ガス
を外部に排出するためのガス排出口１１４が設けられて
いる。
【００４４】尚、第２の実施形態においては、高周波印
加電極１０５と対向電極１０９とを有する平行平板型の
プラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマ
を発生させてもよい。
加電極１０５と対向電極１０９とを有する平行平板型の
プラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマ
を発生させてもよい。
【００４５】以下、図２〜図４を参照しながら、第２の
実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法につい
て説明する。
実施形態に係る露光装置を用いて行なう露光方法につい
て説明する。
【００４６】まず、図２に示すように、表面にレジスト
膜１０２が形成されている半導体基板１０３を基板ホル
ダー１０１上に保持した後、マスクホルダー１０４を真
空チャンバー１００の内部において図２における右方向
へ移動させて、マスクホルダー１０４に固定されている
高周波印加電極１０５を対向電極１０９と対向させる。
膜１０２が形成されている半導体基板１０３を基板ホル
ダー１０１上に保持した後、マスクホルダー１０４を真
空チャンバー１００の内部において図２における右方向
へ移動させて、マスクホルダー１０４に固定されている
高周波印加電極１０５を対向電極１０９と対向させる。
【００４７】次に、図３に示すように、真空チャンバー
１００に設けられたガス導入口１１３から真空チャンバ
ー１００内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度に
なるように導入すると共に、高周波電源１０８から高周
波印加電極１０５に高周波電力を印加する。このように
すると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間
に酸素プラズマ１１５が発生するため、反射型マスク１
０６の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマによ
り除去されるので、反射型マスク１０６の表面はクリー
ニングされる。尚、堆積膜と酸素プラズマとの反応によ
り生成されたＣＯ2 等の反応生成物はガス排出口１１４
から外部に排出される。
１００に設けられたガス導入口１１３から真空チャンバ
ー１００内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度に
なるように導入すると共に、高周波電源１０８から高周
波印加電極１０５に高周波電力を印加する。このように
すると、高周波印加電極１０５と対向電極１０９との間
に酸素プラズマ１１５が発生するため、反射型マスク１
０６の表面に形成されている堆積膜は酸素プラズマによ
り除去されるので、反射型マスク１０６の表面はクリー
ニングされる。尚、堆積膜と酸素プラズマとの反応によ
り生成されたＣＯ2 等の反応生成物はガス排出口１１４
から外部に排出される。
【００４８】次に、図４に示すように、マスクホルダー
１０４を真空チャンバー１００の内部において図４にお
ける左方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に保持
されている反射型マスク１０６を反射ミラー１１１と反
射縮小光学系１１２との間の位置に移動した後、ＥＵＶ
露光源１１０からＥＵＶ光を出射させる。このようにす
ると、ＥＵＶ光は、反射ミラー１１１により反射型マス
ク１０５に向かって反射された後、反射型マスク１０５
により再び反射されるので、反射型マスク１０５からは
パターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵ
Ｖ光は、反射縮小光学系１１２を通過して例えば１／５
程度に縮小された後、レジスト膜１０２に転写される。
１０４を真空チャンバー１００の内部において図４にお
ける左方向へ移動させて、マスクホルダー１０４に保持
されている反射型マスク１０６を反射ミラー１１１と反
射縮小光学系１１２との間の位置に移動した後、ＥＵＶ
露光源１１０からＥＵＶ光を出射させる。このようにす
ると、ＥＵＶ光は、反射ミラー１１１により反射型マス
ク１０５に向かって反射された後、反射型マスク１０５
により再び反射されるので、反射型マスク１０５からは
パターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状のＥＵ
Ｖ光は、反射縮小光学系１１２を通過して例えば１／５
程度に縮小された後、レジスト膜１０２に転写される。
【００４９】第２の実施形態によると、反射型マスク１
０５の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なっ
て、反射型マスク１０５の表面に形成されている堆積膜
を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜１０２に照射す
るため、レジスト膜１０２に照射されるＥＵＶ光の露光
量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形
成することができる。
０５の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なっ
て、反射型マスク１０５の表面に形成されている堆積膜
を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜１０２に照射す
るため、レジスト膜１０２に照射されるＥＵＶ光の露光
量が低減しないので、レジストパターンを再現性良く形
成することができる。
【００５０】（第３の実施形態）以下、第３の実施形態
として、本発明に係るパターン形成方法を行なうための
露光装置について図５を参照しながら説明する。
として、本発明に係るパターン形成方法を行なうための
露光装置について図５を参照しながら説明する。
【００５１】図５に示すように、露光装置は、内部が真
空に保持される露光用チャンバー２００と、内部が真空
に保持されるプラズマ発生用チャンバー２１０と、露光
用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０
とを連通させる連通室２２０とを備えている。
空に保持される露光用チャンバー２００と、内部が真空
に保持されるプラズマ発生用チャンバー２１０と、露光
用チャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０
とを連通させる連通室２２０とを備えている。
【００５２】露光用チャンバー２００内の下部には基板
ホルダー２０１が設けられており、該基板ホルダー２０
１は、表面にレジスト膜が形成された半導体基板２０２
を保持している。露光用チャンバー２００内の上部には
マスクホルダー２０３が設けられており、該マスクホル
ダー２０３は反射型マスク２０４を着脱可能に保持する
ことができる。
ホルダー２０１が設けられており、該基板ホルダー２０
１は、表面にレジスト膜が形成された半導体基板２０２
を保持している。露光用チャンバー２００内の上部には
マスクホルダー２０３が設けられており、該マスクホル
ダー２０３は反射型マスク２０４を着脱可能に保持する
ことができる。
【００５３】図示は省略しているが、露光用チャンバー
２００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源が設けら
れていると共に、露光用チャンバー２００の内部には、
ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク２０
４に向かって反射する反射ミラーと、反射型マスク２０
４により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小
して半導体基板２０２上のレジスト膜に照射させる反射
縮小光学系とが設けられている。
２００の上にはＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源が設けら
れていると共に、露光用チャンバー２００の内部には、
ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を反射型マスク２０
４に向かって反射する反射ミラーと、反射型マスク２０
４により反射されたＥＵＶ光を例えば１／５程度に縮小
して半導体基板２０２上のレジスト膜に照射させる反射
縮小光学系とが設けられている。
【００５４】プラズマ発生用チャンバー２１０内の上部
には、高周波印加電極２１１が設けられており、図示は
省略しているが、高周波印加電極２１１は整合回路を介
して高周波電源に接続されている。プラズマ発生用チャ
ンバー２１０内の下部における高周波印加電極２１１と
対向する位置には対向電極２１２が設けられており、該
対向電極２１２は反射型マスク２０４を着脱可能に保持
することができる。対向電極２１２は接地されており、
高周波印加電極２１１に高周波電力を供給すると、高周
波印加電極２１１と対向電極２１２との間にプラズマが
発生する。尚、プラズマ発生用チャンバー２１０には、
酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口２１３と、
反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口２１４
が設けられている。
には、高周波印加電極２１１が設けられており、図示は
省略しているが、高周波印加電極２１１は整合回路を介
して高周波電源に接続されている。プラズマ発生用チャ
ンバー２１０内の下部における高周波印加電極２１１と
対向する位置には対向電極２１２が設けられており、該
対向電極２１２は反射型マスク２０４を着脱可能に保持
することができる。対向電極２１２は接地されており、
高周波印加電極２１１に高周波電力を供給すると、高周
波印加電極２１１と対向電極２１２との間にプラズマが
発生する。尚、プラズマ発生用チャンバー２１０には、
酸素ガスを内部に導入するためのガス導入口２１３と、
反応生成ガスを外部に排出するためのガス排出口２１４
が設けられている。
【００５５】露光用チャンバー２００の内部には、反射
型マスク２０４を保持するアーム２０５ａを有し、該ア
ーム２０５ａを伸縮させる運動、アーム２０５ａをその
軸を中心として回転させる運動及びアーム２０５ａを水
平方向に旋回させる運動を行なう駆動手段を備えたハン
ドリングロボット２０５が設けられており、該ハンドリ
ングロボット２０５は反射型マスク２０４を対向電極２
１２とマスクホルダー２０３との間に交互に移送するこ
とができる。
型マスク２０４を保持するアーム２０５ａを有し、該ア
ーム２０５ａを伸縮させる運動、アーム２０５ａをその
軸を中心として回転させる運動及びアーム２０５ａを水
平方向に旋回させる運動を行なう駆動手段を備えたハン
ドリングロボット２０５が設けられており、該ハンドリ
ングロボット２０５は反射型マスク２０４を対向電極２
１２とマスクホルダー２０３との間に交互に移送するこ
とができる。
【００５６】連通室２２０にはシャッター２２１が設け
られており、該シャッター２２１を駆動手段により連通
室２２０に対して進出させることにより、露光用チャン
バー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０との間を
連通させたり遮断させたりすることができる。
られており、該シャッター２２１を駆動手段により連通
室２２０に対して進出させることにより、露光用チャン
バー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０との間を
連通させたり遮断させたりすることができる。
【００５７】以下、第３の実施形態に係る露光装置を用
いて行なう露光方法について説明する。
いて行なう露光方法について説明する。
【００５８】まず、ハンドリングロボット２０５を駆動
して、該ハンドリングロボット２０５のアーム２０５ａ
に保持されている反射型マスク２０４を対向電極２１２
に保持させた後、シャッター２２１を閉じて露光用チャ
ンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮
断する。
して、該ハンドリングロボット２０５のアーム２０５ａ
に保持されている反射型マスク２０４を対向電極２１２
に保持させた後、シャッター２２１を閉じて露光用チャ
ンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを遮
断する。
【００５９】次に、ガス導入口２１３から真空チャンバ
ー２１０内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度に
なるように導入すると共に、高周波印加電極２１１に高
周波電力を印加して、高周波印加電極２１１と対向電極
２１２との間に酸素プラズマを発生させる。このように
すると、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆
積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マス
ク２０４の表面はクリーニングされる。
ー２１０内に酸素ガスを真空度が２５〜３０Ｐａ程度に
なるように導入すると共に、高周波印加電極２１１に高
周波電力を印加して、高周波印加電極２１１と対向電極
２１２との間に酸素プラズマを発生させる。このように
すると、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆
積膜は酸素プラズマにより除去されるので、反射型マス
ク２０４の表面はクリーニングされる。
【００６０】次に、シャッター２２１を開いて露光用チ
ャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを
連通させた状態で、ハンドリングロボット２０５を駆動
して、対向電極２１２に保持されている反射型マスク２
０４をマスクホルダー２０３に移送する。
ャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを
連通させた状態で、ハンドリングロボット２０５を駆動
して、対向電極２１２に保持されている反射型マスク２
０４をマスクホルダー２０３に移送する。
【００６１】次に、シャッター２２１を閉じて露光用チ
ャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを
遮断した後、ＥＵＶ露光源からＥＵＶ光を出射させる。
このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラーにより反射
型マスク２０４に向かって反射された後、反射型マスク
２０４により再び反射されるので、反射型マスク２０４
からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状
のＥＵＶ光は、反射縮小光学系を通過して例えば１／５
程度に縮小された後、半導体基板２０２上のレジスト膜
に転写される。
ャンバー２００とプラズマ発生用チャンバー２１０とを
遮断した後、ＥＵＶ露光源からＥＵＶ光を出射させる。
このようにすると、ＥＵＶ光は、反射ミラーにより反射
型マスク２０４に向かって反射された後、反射型マスク
２０４により再び反射されるので、反射型マスク２０４
からはパターン状のＥＵＶ光が出射される。パターン状
のＥＵＶ光は、反射縮小光学系を通過して例えば１／５
程度に縮小された後、半導体基板２０２上のレジスト膜
に転写される。
【００６２】第３の実施形態によると、反射型マスク２
０４の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なっ
て、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜
を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するた
め、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減し
ないので、レジストパターンを再現性良く形成すること
ができる。
０４の表面を酸素プラズマによりクリーニングを行なっ
て、反射型マスク２０４の表面に形成されている堆積膜
を除去してから、ＥＵＶ光をレジスト膜に照射するた
め、レジスト膜に照射されるＥＵＶ光の露光量が低減し
ないので、レジストパターンを再現性良く形成すること
ができる。
【００６３】また、反射型マスク２０４の表面に形成さ
れている堆積膜を除去するクリーニング工程はプラズマ
発生用チャンバー２１０の内部において行なわれ、ＥＵ
Ｖ露光工程は、プラズマ発生用チャンバー２１０と遮断
された露光用チャンバー２００の内部において行なわれ
るため、反射型マスク２０４の表面から除去された堆積
膜により、反射ミラー又は反射縮小光学系等の光学系が
汚染される恐れはない。
れている堆積膜を除去するクリーニング工程はプラズマ
発生用チャンバー２１０の内部において行なわれ、ＥＵ
Ｖ露光工程は、プラズマ発生用チャンバー２１０と遮断
された露光用チャンバー２００の内部において行なわれ
るため、反射型マスク２０４の表面から除去された堆積
膜により、反射ミラー又は反射縮小光学系等の光学系が
汚染される恐れはない。
【００６４】尚、第３の実施形態においては、高周波印
加電極２１１と対向電極２１２とを有する平行平板型の
プラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマ
を発生させてもよい。
加電極２１１と対向電極２１２とを有する平行平板型の
プラズマ発生装置を用いたが、他の方式によりプラズマ
を発生させてもよい。
【００６５】
【発明の効果】本発明に係る第１〜第３の露光方法によ
ると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。
ると、フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去
してから、極端紫外光をフォトマスクを介してレジスト
膜に照射するため、フォトマスクからレジスト膜に照射
される極端紫外光の露光量が低減しないので、パターン
露光を再現性良く行なうことができる。
【００６６】特に、第３の露光方法によると、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
われるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再
びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着した
りする事態が防止される。
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
われるため、フォトマスクから除去された堆積膜が、再
びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に付着した
りする事態が防止される。
【００６７】本発明に係る第１又は第２の露光装置によ
ると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸
素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマ
スクを介してレジスト膜に照射することができるため、
フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の
露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行
なうことができる。
ると、フォトマスクの表面に形成されている堆積膜を酸
素プラズマにより除去してから、極端紫外光をフォトマ
スクを介してレジスト膜に照射することができるため、
フォトマスクからレジスト膜に照射される極端紫外光の
露光量が低減しないので、パターン露光を再現性良く行
なうことができる。
【００６８】特に、第２の露光装置によると、フォトマ
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
うことができるため、フォトマスクから除去された堆積
膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に
付着したりする事態を防止することができる。
スクの表面に形成されている堆積膜を酸素プラズマによ
り除去する工程と、極端紫外光をフォトマスクを介して
レジスト膜に照射する工程とは異なるチャンバーで行な
うことができるため、フォトマスクから除去された堆積
膜が、再びフォトマスクに付着したり又は他の光学系に
付着したりする事態を防止することができる。
【図１】第１の実施形態に係る露光方法を説明するフロ
ー図である。
ー図である。
【図２】第２の実施形態に係る露光装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図３】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る露光方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る露光装置の概略平面図で
ある。
ある。
【図６】従来の露光装置の概略断面図である。
【図７】従来の露光方法を説明するフロー図である。
１００ 真空チャンバー １０１ 基板ホルダー １０２ レジスト膜 １０３ 半導体基板 １０４ マスクホルダー １０５ 高周波印加電極 １０６ 反射型マスク １０７ 整合回路 １０８ 高周波電源 １０９ 対向電極 １１０ ＥＵＶ光源 １１１ 反射ミラー １１２ 反射縮小光学系 １１３ ガス導入口 １１４ ガス排出口 ２００ 露光用チャンバー ２０１ 基板ホルダー ２０２ 半導体基板 ２０３ マスクホルダー ２０４ 反射型マスク ２０５ ハンドリングロボット ２０５ａ アーム ２１０ プラズマ発生用チャンバー ２１１ 高周波印加電極 ２１２ 対向電極 ２１３ ガス導入口 ２１４ ガス排出口 ２２０ 連通室 ２２１ シャッター
Claims (6)
- 【請求項１】 極端紫外光を、所望のパターンが形成さ
れているフォトマスクを介してレジスト膜に照射して、
前記所望のパターンを前記レジスト膜に転写する露光方
法において、 前記極端紫外光を前記フォトマスクを介して前記レジス
ト膜に照射する前に、前記フォトマスクの表面に付着し
ている堆積膜を除去するクリーニング工程を備えている
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記クリーニング工程は、前記フォトマ
スクの表面に付着している堆積膜を酸素プラズマにより
除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の
露光方法。 - 【請求項３】 表面にレジスト膜が形成されている基板
を真空チャンバーの内部に保持する工程と、 前記真空チャンバーの内部において、所望のパターンを
有するフォトマスクの表面に形成されている堆積膜を前
記真空チャンバーの内部に発生させた酸素プラズマによ
り除去する工程と、 極端紫外光を、表面に形成されている堆積膜が除去され
た前記フォトマスクを介して前記レジスト膜に照射して
前記フォトマスクのパターンを前記レジスト膜に転写す
る工程とを備えていることを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 第１の真空チャンバーの内部において、
所望のパターンを有するフォトマスクの表面に形成され
ている堆積膜を、前記第１の真空チャンバーの内部に発
生させた酸素プラズマにより除去する工程と、 第２の真空チャンバーの内部において、表面にレジスト
膜が形成されている基板を保持する工程と、 表面に形成されている堆積膜が除去された前記フォトマ
スクを前記第１の真空チャンバーの内部から前記第２の
真空チャンバーの内部にインラインで移送する工程と、 第２の真空チャンバーの内部において、極端紫外光を前
記フォトマスクを介して前記レジスト膜に照射して前記
フォトマスクのパターンを前記レジスト膜に転写する工
程とを備えていることを特徴とする露光方法。 - 【請求項５】 真空チャンバーと、 前記真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレジスト
膜が形成されている基板を保持する基板ホルダーと、 前記真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外光を所
望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレ
ジスト膜に照射して前記フォトマスクのパターンを前記
レジスト膜に転写する光学系と、 前記真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入するガス導
入手段と、 前記真空チャンバーの内部に導入された前記酸素ガスか
らなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え
ていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項６】 第１の真空チャンバーと、 前記第１の真空チャンバーの内部に酸素ガスを導入する
ガス導入手段と、 前記第１の真空チャンバーの内部に導入された前記酸素
ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段
と、 第２の真空チャンバーと、 前記第２の真空チャンバーの内部に設けられ、表面にレ
ジスト膜が形成されている基板を保持する基板ホルダー
と、 前記第２の真空チャンバーの内部に設けられ、極端紫外
光を所望のパターンが形成されているフォトマスクを介
して前記レジスト膜に照射して前記フォトマスクのパタ
ーンを前記レジスト膜に転写する光学系と、 前記光学系を構成する前記フォトマスクを前記第１のチ
ャンバーの内部と前記第２のチャンバーの内部との間で
インラインで移送する移送手段とを備えていることを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000192455A JP3628939B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 露光方法及び露光装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000192455A JP3628939B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 露光方法及び露光装置 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3628939B2 (ja) |
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2001
- 2001-06-26 US US09/891,213 patent/US6984472B2/en not_active Expired - Fee Related
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