JP2009123907A - 回路素子形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハカセットへの収納・次工程への搬送をスムーズに行うことができる回路素子形成方法を提供することである。
【解決手段】表面に剛性を有するサポートプレート３が貼り付けられた回路を形成した基板１を、この状態で基板１の裏面を研削して薄板化し、次いで基板１の裏面に貫通電極を含む回路を形成し、この回路を形成した裏面にダイシングテープを貼り合わせ、この後、基板１の表面からサポートプレート３を剥離し、個々の素子に切断する工程を有し、前記研削時、サポートプレート３の基板１を貼り合わせた面の反対側の面にＢＧテープ２を貼り合わせた後、さらにチャックテーブル上にサポートプレートの表面に貼り合せた該ＢＧテープが接するように載せる回路素子形成方法。
【選択図】図９

Description

本発明は、回路素子形成方法に関し、特に多層回路素子（パッケージ）の各層を構成する回路素子（チップ）の裏面にも回路を形成する方法に関する。

図１は現在のパッケージの断面図である。このパッケージはベース１０１上に３段のチップ１０２を上段のチップ１０２ほどその面積が小さくなるものを選定して積み重ね、食み出た部分を利用してチップ１０２の回路とベース１０１の回路とをワイヤボンディング１０３で接続している。

また、図１に示した構造では上段のチップ１０２の面積が小さくなって実装効率が落ちるので、図２の拡大断面図に示すように、チップ間にチップ１０２よりも小面積のスペーサ１０４を介在させて隙間を形成し、この隙間を利用してワイヤボンディング１０３で接続している。

上述したパッケージではワイヤボンディングにおける伝送速度が遅く、高速且つ大容量の伝送が必要なデバイスでは大きな問題となっている。そこで、図３に示す構造のパッケージが提案されている。このパッケージはチップ１０２に貫通電極１０５を形成してワイヤボンディングを廃止している。

一方、チップの製造法としては例えば特許文献１に開示される方法が知られている。
特許文献１に開示される方法は、先ず半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）に保護テープを貼り付け、これを反転して半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）をグラインダーで研削して薄板化し、この薄板化した半導体ウェーハの裏面をダイシングフレームに保持されているダイシングテープ上に固定し、この状態で半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）を覆っている保護テープを剥離し、この後ダイシング装置によって各チップ毎に切り離すようにしている。

図３に示したワイヤボンディングを省略したパッケージとするにはチップの裏面にも回路（貫通電極用の穴）を形成する必要がある。特許文献１に開示される方法においては基板表面に保護テープを貼っているだけであるので基板を薄くするとその後の取り扱いが困難となる。そのため基板を十分に薄くすることができず、せいぜい１２５μｍ〜１５０μｍの厚みである。
特開２００２−２７０６７６号公報段落（００３５）

本発明の目的は、上記の問題点を解決し、ウェーハカセットへの収納・次工程への搬送をスムーズに行うことができる回路素子形成方法を提供することである。

すなわち、本発明は、
（１）表面に剛性を有するサポートプレートが貼り付けられた回路を形成した基板を、この状態で基板の裏面を研削して薄板化し、次いで基板の裏面に貫通電極を含む回路を形成し、この回路を形成した裏面にダイシングテープを貼り合わせ、この後、基板の表面からサポートプレートを剥離し、個々の素子に切断する工程を有し、前記研削前に、サポートプレートの基板を貼り合わせた面の反対側の面にＢＧテープを貼りあわせた後、さらにチャックテーブル上にサポートプレートの表面に貼り合せた該ＢＧテープが接するように載せることを特徴とする回路素子形成方法、および、
（２）基板の裏面を研削した後、ＢＧテープは、ウェーハ裏面（貫通電極の形成された面）を中空ステージに固定した状態で剥がすことを特徴とする（１）項記載の回路素子形成方法
を提供するものである。
ここで、「ＢＧテープ」とは、ウェーハ表面にパターンが完成した後、そのウェーハの裏面全体を研削し、厚さを薄くするバックグラインド工程において、ウェーハ表面を保護するテープのことをいう。

本発明によれば、半導体ウェーハ等の基板を薄板化する際に、テープではなく剛性を有するサポートプレートにて支持するようにしたので、ハンドリングや搬送の自動化が可能になる。
また接着剤として耐熱性に優れた材料を使用できるので、裏面への回路形成が可能になる。特に、裏面に貫通電極を形成することで従来よりも大幅に厚みを小さくしたパッケージを製造することができ、携帯電話やコンピュータに組み込むパッケージの薄型化、小型化、軽量化が図れ、或いはＩＣカードや非接触ＩＣカード自体の薄型化、小型化、軽量化も図れる。
さらに、サポートプレート上にもしくは、研削装置のチャックテーブル上に異物等が存在した場合であっても、サポートプレート上にもしくは、研削装置のチャックテーブル上に異物等が存在した場合も、異物分の凹凸を吸収することができ、均一な裏面研削を行うことができる。

ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれるパッケージの薄厚化が必要とされ、チップの厚さも２５μｍ〜５０μｍにしなければならない。しかしながら保護テープを用いていると現状の厚さ以下に研削するのは困難である。図４は保護テープ（ＢＧテープ）２を半導体ウェーハ１に張り合わせた状態を示す断面図である。また保護テープ２を用いた場合には剥離の際に半導体ウェーハ１に割れや欠けが生じやすい。また保護テープ２だけでは薄膜化した半導体ウェーハ１を支えることができないため、搬送は人手によって行わなければならず自動化することができない。

そこで、回路素子の形成方法は、図５〜７の断面による説明図に示されるように、表面に剛性を有するサポートプレート３が貼り付けられた回路を形成した基板１を（図５）、この状態で基板１の裏面を研削して薄板化し（図６）、次いで基板１の裏面に回路を形成し、この回路を形成した裏面にダイシングテープ８を貼り合わせ（図７）、この後、基板１の表面からサポートプレート３を剥離し、個々の素子に切断するようにする。前記サポートプレート３を貼り付けるにあたっては、従来は接着フィルムを用いていた。これに対し本発明では、基板１の回路形成面に接着剤液を塗布した後、当該接着剤液をオーブン又はホットプレートで乾燥させた接着剤４を用いる。また、必要な厚さを得るために、接着剤液の塗布と予備乾燥を複数回繰り返すようにしてもよい。また、半導体ウェーハなどの基板の回路形成面に接着剤液をスピンコータで塗布すると周縁部に一段高くなったビード部ができる場合がある。この場合には、当該接着剤液を予備乾燥する前に、ビード部を溶剤によって除去することが好ましい。
また、基板の裏面を研削する際には、バックグラインド（ＢＣ）装置のチャックテーブル６上にサポートプレート３の表面を接するように載せ、ＢＣ装置の砥石７を矢印で示すように回転させながら移動させて研削する。
また、ダイシングテープ８の端部は金属フレーム９に張り合わされる。

前記サポートプレート３としては、剛性を有し、図示されるように、厚み方向に多数の貫通穴５が形成したガラス製のプレートが考えられる。貫通穴５を形成したサポートプレート３を用いると、貫通穴５を介して溶剤をサポートプレート３と基板１との間の接着剤４に接触させてサポートプレート３を基板１から剥離することができる。従来ではサポートプレート（ガラス板）側から紫外線を照射し接着テープの粘着力を低下せしめてサポートプレートと基板とを剥離していたため、耐熱性に優れた接着テープを使用することができず、そのため裏面に回路形成工程を施すことができなかったが、多数の貫通穴が形成されたサポートプレートを用いることで、耐熱性に優れた接着剤を使用することができるので、裏面への回路形成が可能になる。

サポートプレート板は一般的に剛性が高く、２５〜５０μｍの肉厚に加工したウェーハの反りを防止し、ウェーハカセットへの収納・次工程への搬送をスムーズに行うことができる。
しかし、図８の断面による説明図に示すように、サポートプレート３上に、もしくは、研削装置のチャックテーブル６上に異物１０等があった場合、異物分の凹凸を追従することができず、ウェーハ１を均一に裏面研削することができないことがある。
そのため本発明では、裏面研削前に、サポートプレートの基板を貼り合わせた面の反対側の面にＢＧテープを貼り合わせる。

以下に、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。なお、以下で、図面に基づく説明において、符号がそれ以前の図面の説明においてなされたものと同じ意味を表す場合には、その符号の説明について省略する場合がある。

本発明においては、表面に剛性を有するサポートプレート３が貼り付けられた回路を形成した基板（ウェーハ）１を、この状態で基板の裏面を研削して薄板化し、次いで基板の裏面に貫通電極を含む回路を形成し、この回路を形成した裏面にダイシングテープを貼り合わせ、この後、基板の表面からサポートプレートを剥離し、個々の素子に切断する工程において、研削前に、図９の断面図に示されるように、サポートプレート３の基板１を貼り合わせた側の反対側の面にＢＧテープ２を貼り合わせる。
基板１としては、通常用いられる任意の基板を用いることができる。例えば、基板としては、シリコン、サファイア、ガラス、ＧａＮ、ＧａＡｓなどの基板を用いることができる。

さらに、図１０の断面による説明図に示すように、研削装置のチャックテーブル６上にサポートプレート３の表面に貼り合せた該ＢＧテープ２が接するように載せられて、基板１の裏面の研削が行われる。
ＢＧテープ２は糊（粘着剤）及び基材（プラスチックフィルム）より構成され、サポートプレート３上に、もしくは、研削装置のチャックテーブル６上に異物１０等が存在した場合も、図１０の断面図に示すように、異物分の凹凸を吸収することができ、均一な裏面研削を行うことができる。また、剛性のあるサポートプレート３と組み合わせることにより、２５〜５０μｍの肉厚にしてもウェーハ１の反りは発生せず、ウェーハカセットへの収納・次工程への搬送をスムーズに行うことができる。

裏面を研削した後、図１１の断面図に示すように、ＢＧテープ２は、ウェーハ１の裏面を脱テープ装置のチャックテーブル１１に固定した状態であれば、矢印１２の方向に剥がすことができる。一方、ウェーハ１の裏面に貫通電極１４が存在する場合、チャックテーブル１１への固定は物理的に不可能である。そこで、図１２の断面図に示すとおり、ウェーハ中央部が中空である中空ステージ１３を用い、矢印１５方向に吸気して中空部を負圧にしてウェーハ１を固定し、ＢＧテープ２を剥離することで、貫通電極１４への損傷を防げることができる。

次に、ＢＧテープ２について、詳細に説明する。
ＢＧテープ２の基材フィルムは、半導体を加工するときの衝撃からの保護や水洗浄等に対する耐水性等が重要である。したがって、基材フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。そして、これらの単層フィルム又は複層フィルムが用いられる。基材フィルムは、可視光透過性であるものが好ましく、特に後述の粘着剤層として紫外線硬化型の材料を使用する場合には紫外線透過性であるものが好ましい。
基材フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜５００μｍ、特に好ましくは８０〜２５０μｍである。
基材の片面には、アクリル系粘着剤又はその溶液を塗布又は塗布後乾燥して得られる粘着剤層を有する。

粘着剤ベースポリマーとしては、従来公知のものが広く用いられ得るが、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単量体との共重合体およびこれら重合体の混合物が用いられる。たとえば、アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなど、また上記のアクリル酸エステルをたとえばメタクリル酸エステルに代えたものなども好ましく使用できる。

さらに接着性や凝集力を制御する目的でアクリル酸あるいはメタクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系重合体の重量平均分子量は、５×１０^４〜２×１０^６であり、好ましくは、４．０×１０^５〜８．０×１０^５である。

上記のような粘着剤は、架橋剤を使用することにより接着力と凝集力とを任意の値に設定することができる。このような架橋剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等がある。多価イソシアナート化合物としては、具体的にはトルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナートおよびこれらのアダクトタイプのもの等が用いられる。

多価エポキシ化合物としては、具体的にはエチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が用いられる。多価アジリジン化合物としては、具体的にはトリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。またキレート化合物としては、具体的にはエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が用いられる。

また、上記のような粘着剤層中に光重合性化合物を含ませることによって、該粘着剤層に紫外線を照射することにより、粘着力をさらに低下させても良い。このような光重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。

さらに上記の粘着剤中に、光照射用の場合には、光開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。このような光開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光開始剤は、通常光重合性化合物１００質量部に対し０．１〜１０質量部の量が用いられる。このようにして形成される光架橋型粘着剤層に対し、光、好ましくは紫外線を照射することにより、初期の接着力が大きく低下し、容易に被着体から該粘着テープを剥離することができる。

本発明で用いられる中空ステージ１３としては、好ましくは、図１２に示すように、ウェーハ裏面を筒状の治具にて外周部のみで保持するものであって、中空内を負圧として、ウェーハを保持することができるものである。

前記の接着剤４としては、研磨時に水を使用するので非水溶性の高分子化合物が好ましく、またＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）の貼り付けなどの高温処理工程があるため軟化点が高いことが望ましい。以上の点を考慮すると、ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリ酢酸ビニルおよびその変性物またはそれらの混合物を溶剤に溶解したものが挙げられる。中でもアクリル系樹脂材料は２００℃以上の耐熱性があり、発生するガスも少なく、クラックが発生し難いので好ましい。またノボラック樹脂もスカムがなく、耐熱性、発生ガス量及びクラックの発生についてはアクリル系樹脂材料に劣るが、軟化点が高く、接着後の剥離についても溶剤剥離が容易な点で好ましい。これに加えて成膜時のクラック防止に可塑剤を混合してもよい。

また、溶剤としては上記物質を溶解でき、また均一にウェーハに成膜できるものが望ましく、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。特にエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体が好ましい。また膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。

接着剤を取り除くための溶剤（剥離液）としては、上記の接着剤の溶剤として挙げた溶剤に加え、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノールなどの一価アルコール類、γ−ブチロラクトンなどの環状ラクトン類、ジエチルエーテルやアニソールなどのエーテル類、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアルデヒドなどを使用してもよい。特に好ましいものは比較的溶解速度が速いメタノールが挙げられる。

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて、さらに詳細に説明する。図１３は本発明に係る回路素子の形成方法の概略を斜視図により説明した説明図、図１４は回路素子の形成方法のうち裏面への回路形成の一例を断面図により詳細に説明した説明図である。

本発明にあっては先ず、半導体ウェーハの回路（素子）形成面であるＡ面２１に接着剤液２２を塗布する（図１３（ａ））。塗布には例えばスピンナーを用いる。接着剤液としてはアクリル系樹脂またはノボラックタイプのフェノール樹脂系材料とする。

次いで、上記の接着剤液２２をオーブン又はホットプレートを用いて乾燥させて接着剤層２３とする。接着剤層２３の厚みは半導体ウェーハのＡ面２１に形成した回路の凹凸に応じて決定する。尚、一回の塗布では必要な厚みを出せない場合には、塗布と乾燥を複数回繰り返して行う。この場合、最上層以外の接着剤層の乾燥は接着剤に流動性を残さないように乾燥の度合いを強める。

また、スピンナーを用いて接着剤液を塗布した場合には、乾燥後にあっても半導体ウェーハのエッジ部には盛上りが生じている。この盛上りについては後工程のプレスで潰してもよいが、処理液で盛上りの部分を除去してもよい。

以上によって所定厚みの接着剤層２３が形成された半導体ウェーハにサポートプレート２４を貼り付ける（図１３（ｂ））。サポートプレート２４は図１５に示すように半導体ウェーハ２５よりも若干大径か同径のガラス板で、例えば、直径０．５ｍｍの貫通穴２０１が０．７ｍｍピッチで形成されている。
上記サポートプレート２４を半導体ウェーハ２５の接着剤層２３の上に重ね、貼り付け機（図示しない）を用いて貼り付ける。

次いで、ＢＧテープをラミネーターにて貼合し、図９に示すようなＢＧテープ＋サポートプレート＋接着剤＋ウェーハの構成にする。

この後、貼り付け機から一体化した半導体ウェーハ２５とサポートプレート２４を取り外し、半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）２６をグラインダー２７で研削し、半導体ウェーハを薄板化する（図１３（ｃ））。尚、研削によってグラインダー２７と半導体ウェーハとの間に生じる摩擦熱を抑えるために水を半導体ウェーハの裏面２６に供給しつつ行う。ここで、前記接着剤は水に不溶（アルコールに可溶）なものを選定しているため、研削の際に半導体ウェーハからサポートプレート２４が剥がれることがない。

この薄板化した半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）に回路を形成する（図１３（ｄ））。回路形成の詳細は図１４に基づいて以下に詳細に説明する。図１４中、３１はレジスト、３２はウェーハ（Ｓｉ）、３３は酸化膜、３４はＡ面側回路、３５はサポートプレート、３６はＢＧテープ、３７はダイシングテープをそれぞれ示す。
先ず、半導体ウェーハ３２の裏面にレジスト３１を塗布し（図１４（ａ））、露光・現像を施してパターンを形成する（図１４（ｂ））。次いで半導体ウェーハ（Ｓｉ）３２を酸化膜３３が露出するまでエッチングし（図１４（ｃ））、更にボトム酸化膜もエッチングにて除いてＡ面側に形成されている回路３４を露出させ（図１４（ｄ））、前記レジスト３１をアッシングにて除去し薬品洗浄することでコンタクトホールとする（図１４（ｅ））。

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後（図１４（ｆ））、Ａ面側の回路３４にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し（図１４（ｇ））、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する（図１４（ｈ））。次いで、Ｃｕメッキを施し（図１４（ｉ））、ドライフィルム（レジストフィルム）を貼り付け（図１４（ｊ））、露光・現像にてパターンを形成し（図１４（ｋ））、エッチングし（図１４（ｌ））、レジストフィルムを除去して裏面側の回路が形成される（図１４（ｍ））。

以上の如くして裏面（Ｂ面）に回路を形成したならば、積層した際の上下の回路の導通を図るべく、はんだボールを搭載する（図１４（ｎ））。次いで、図１２に示したように、中空ステージを用い、ＢＧテープ３６を剥離し、更に裏面をダイシングテープ３７上に固定する（図１４（ｏ））。
この状態が図１３（ｅ）に示す状態に相当する。ダイシングテープ２８は粘着性を有するとともにフレーム２９に保持されている。

図１３に戻って、サポ−トプレート２４の上から溶剤としてのアルコールを注いで接着剤層２３を溶解させる。例えば、サポートプレート２４の上面にＯリングを介して溶剤供給プレートを重ね、次いでサポートプレート２４、Ｏリング及び溶剤供給プレートで囲まれる空間に溶剤供給管から溶剤を供給し、サポートプレート２４に形成した貫通穴２０１を介して接着剤層２３を溶解し除去する。

このように、Ｏリングによって溶剤が供給される空間を制限することで、ダイシングテープに溶剤がかかることを極力防げる。またテープにアルコールが触れた場合、アルコールによって溶解したテープののりがウェーハ表面を汚染する懸念があるが、この機構ではそれを防止することができる。

サポートプレート２４の上から溶剤（好ましくはアルコール、特に好ましくは低分子アルコール）を注ぎ、接着剤層２３を溶解し除去する。この場合、フレームを図示しないスピンナーにて回転せしめることで、アルコールを短時間のうちに接着剤層２３の全面に行き渡らせることができる。

このように接着剤層２３を溶解してサポートプレート２４を取り外し（図１３（ｆ））、ダイシング装置３０によって半導体ウェーハをチップサイズに切断する。切断後は、ダイシングテープ２８に紫外線を照射し、ダイシングテープ２８の粘着力を低下せしめて、切断したチップを取り出す。

上記によって得られたチップを積層することで、ワイヤボンディングのないパッケージが得られる。

従来のパッケージの一例の断面図である。 従来のパッケージの別例の部分拡大断面図である。 ワイヤボンディングを省略したパッケージの断面図である。 保護テープ（ＢＧテープ）を半導体ウェーハに張り合わせた状態を示す断面図。 回路素子形成の説明図である。 回路素子形成の説明図である。 回路素子形成の説明図である。 異物等があった場合のウェーハの裏面研削状態を示す説明図である。 本発明の裏面研削時のウェーハの断面図である。 本発明における異物等があった場合のウェーハの裏面研削状態を示す説明図である。 貫通電極が無い場合のＢＧテープ剥離の状態を示す断面図である。 貫通電極がある場合のＢＧテープ剥離の状態を示す断面図である。 本発明の回路素子の形成方法による工程の１例の説明図である。 本発明における裏面への回路形成工程の一例の詳細な説明図である。 本発明に用いられる好ましいサポートプレートおよび半導体ウェーハの概略断面図である。

符号の説明

１ 基板（ウェーハ）
２ ＢＧテープ（保護テープ）
３ サポートプレート
４ 接着剤
５ 貫通穴
６ バックグラウンド装置のチャックテーブル
７ 砥石
８ ダイシングテープ
９ 金属フレーム
１０ 異物
１１ 脱テープ装置のチャックテーブル
１２ ＢＧテープ剥がし方向
１３ 中空ステージ
１４ 貫通電極
１５ 吸気方向
２１ 半導体ウェーハのＡ面
２２ 接着剤液
２３ 接着剤層
２４ サポートプレート
２５ 半導体ウェーハ
２６ 半導体ウェーハのＢ面
２７ グラインダー
２８ ダイシングテープ
２９ フレーム
３０ ダイシング装置
３１ レジスト
３２ ウェーハ（Ｓｉ）
３３ 酸化膜
３４ Ａ面側回路
３５ サポートプレート
３６ ＢＧテープ
３７ ダイシングテープ
１０１ ベース
１０２ チップ
１０３ ワイヤボンディング
１０４ スペーサ
１０５ 貫通電極
２０１ 貫通穴

Claims (2)

1. 表面に剛性を有するサポートプレートが貼り付けられた回路を形成した基板を、この状態で基板の裏面を研削して薄板化し、次いで基板の裏面に貫通電極を含む回路を形成し、この回路を形成した裏面にダイシングテープを貼り合わせ、この後、基板の表面からサポートプレートを剥離し、個々の素子に切断する工程を有し、前記研削前に、サポートプレートの基板を貼り合わせた面の反対側の面にＢＧテープを貼り合わせた後、さらにチャックテーブル上にサポートプレートの表面に貼り合せた該ＢＧテープが接するように載せることを特徴とする回路素子形成方法。
2. 基板の裏面を研削した後、ＢＧテープは、ウェーハ裏面（貫通電極の形成された面）を中空ステージに固定した状態で剥がすことを特徴とする請求項１記載の回路素子形成方法。
   

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