JP2009064950A - 基板保持装置および基板リリース方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】テーブルと基板との接触面での除電を充分に行うことができる基板保装置を提供する。
【解決手段】テーブル2に載置した基板wを、テーブル表面に設けた吸着溝3からの吸引によって真空吸着保持し、所定の処理後には、真空吸着を解除するとともに、テーブル表面側に設けた吹出し口7からイオン化気体を基板wの裏面に吹き付けて除電する。
【選択図】図2
【解決手段】テーブル2に載置した基板wを、テーブル表面に設けた吸着溝3からの吸引によって真空吸着保持し、所定の処理後には、真空吸着を解除するとともに、テーブル表面側に設けた吹出し口7からイオン化気体を基板wの裏面に吹き付けて除電する。
【選択図】図2
Description
本発明は、ガラス基板などの基板に露光、現像等の処理、あるいは、基板表面のパターンの寸法計測や特性検査等の処理を行う基板処理装置に用いる基板保持装置および処理後の基板をリリースする方法に関する。
上記した基板処理装置においては、テーブルに搬入載置された基板を真空吸着保持し、所定の処理が済むと真空吸着を解除して処理済みの基板を、テーブルからリリースして搬出するのであるが、帯電によって基板が強くテーブル上に吸着され、この状態で無理に基板を取り出すと基板に破損が発生するおそれがある。そこで、テーブル表面に帯電防止処理を施したり、あるいは、特許文献1に開示されているように、イオナイザからイオン化気体を吹き付けて除電する、等の手段が講じられる。
特開2003−100821号公報
しかしながら、テーブル表面に帯電防止処理を施す前者の手段では、当初は所望の帯電防止機能が発揮されるが、繰り返し処理が行われるに連れて徐々に帯電量が増加して所期の機能が発揮されなくなり、再度の帯電防止処理を施す必要が生じ、その間は基板処理の休止を強いられるものであった。
また、イオナイザからイオン化気体を吹き付けて除電する後者の手段は、テーブルに載置された基板に上方からイオン化気体を吹き付けるものであるために、テーブルと基板との接触面での除電を充分に行うことができないものであった。
本発明は、このような点に着目してなされたものであって、テーブルと基板との接触面での除電を充分に行うことができる基板保持装置および基板リリース方法を提供することを目的としている。
(1)本発明の基板保持装置は、基板が載置されるテーブルを備え、前記テーブルの表面側に、イオナイザからのイオン化気体を、基板の裏面に向けて吹き付けて除電する吹出し口を設けている。
テーブルは、移動可能であってもよいし、固定されたものであってもよい。
イオナイザは、テーブルと一体に設置されてもよいし、テーブルとは別に設置されてもよい。
吹出し口は、テーブル自体に形成してもよいし、吹出し口が形成された配管などをテーブルに設置するものであってもよい。
本発明の基板保持装置によると、基板の裏面とテーブルとの接触面の帯電した電荷を、テーブル表面側の吹き出し口から吹出されるイオン化気体によって中和して確実に除電することができ、これによって、処理済みの基板を、静電破壊などを生じさせることなく、テーブルから円滑に剥離して搬出することができる。
(2)本発明の基板保持装置の一つの実施形態では、前記テーブルの表面に、前記基板を吸着保持する吸着溝を備えている。
この実施形態によると、テーブルに載置される基板を、吸着溝で吸着することにより、安定して保持することができる。
(3)本発明の基板保持装置の好ましい実施形態では、前記テーブルの表面に形成した溝に、前記イオナイザに連通接続された配管を埋設し、この配管に前記吹出し口を形成している。
この実施形態によると、イオナイザからのイオン化気体を、配管を介して基板の裏面に効率的に吹き付けて除電を行うことができる。
(4)上記(3)の実施形態では、前記配管の両端に、前記イオナイザをそれぞれ連通接続してもよい。
この実施形態によると、配管の両端からイオン化気体を供給するので、配管が長くても吹出し口から均一にイオン化気体を吹き出すことができ、基板の裏面における除電を均一かつ確実に行うことができる。
(5)本発明の基板保持装置の他の実施形態では、前記基板を前記テーブルから持ち上げる複数のリフトアップピンを、前記テーブルに出退自在に配備している。
この実施形態によると、イオン化気体の吹き付けによって除電した後、退入待機していたリフトアップピンをテーブル上に突出させることで、抵抗なく基板を持ち上げて、円滑に搬出することができる。この場合、吹出し口から適度の圧でイオン化気体を吹き付けることで、基板の持ち上げを一層円滑に行うことができる。
(6)本発明の基板リリース方法は、基板を載置したテーブルの面に設けた吹出し口からイオン化気体を吹出し、前記基板の裏面に吹付けて除電するステップと、前記基板をテーブルから取り除くステップとを含んでいる。
本発明の基板リリース方法によると、基板の裏面とテーブルとの接触面の帯電した電荷を、テーブルの吹出し口から吹出されるイオン化気体によって中和して確実に除電することができ、これによって、処理済みの基板を、静電破壊などを生じさせることなく、テーブルから円滑に剥離させてリリースすることができる。
本発明によれば、テーブルと基板との接触面での除電を充分に行うことができ、静電破壊などの発生なく処理済みの基板をテーブルから円滑に剥離させて搬出することができる。
以下、図面によって本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1〜図3に、ガラス基板などの基板wを上方からカメラ等で撮像して、基板表面に形成されたパターンの寸法などを画像処理して検査する基板検査装置に用いられる基板保持装置1が示されている。
この基板保持装置1は、基板wを水平姿勢で載置保持するものであって、アルミ材などで矩形に形成された水平方向に移動可能なテーブル2が備えられている。
テーブル2の上面(表面)における基板載置エリア内には、内外2本の矩形ループ状の吸着溝3が形成され、適宜の箇所の吸着口が図示しない真空装置に連通接続されている。
また、テーブル2の上面における基板載置エリア内には、複数本(この例では6本)の溝4が平行に形成されている。各溝4には、配管5が埋設されるとともに、図2に示すように、各配管5の両端がテーブル下方にまで貫通延出され、その延出端が、テーブル2の左右にそれぞれ設置したイオナイザ6に連通接続されている。
前記配管5は、図4に示すように、ステンレス鋼やビニルなどからなる丸パイプなどが利用され、その上面には、前記溝4の開口側に臨むように吹出し口7が、図1および図2に示すように、配管長手方向に沿って、複数個所に形成されている。
前記イオナイザ6は、横長バー状に構成されており、その側面に並列形成されたイオン化気体の噴出し口8に、前記配管5の下方延出端が連通接続され、イオナイザ6で発生したイオン化気体、この例では、イオン化エアを各噴出し口8から配管5に供給し、テーブル2の上面において複数の吹出し口7から吹き出すようになっている。
さらに、テーブル2の基板載置エリア内の複数個所には、リフトアップピン9が出退自在に分散配備されている。各リフトアップピン9はテーブル2の下方の図示しない駆動昇降機構に連結されており、全リフトアップピン9がテーブル上面から没入した退避位置とテーブル上面から突出した作用位置とに亘って上下にスライド駆動されるようになっている。
基板保持装置1は以上のように構成されており、基板wのパターンの寸法ななどの計測処理に際しては、搬入されてきた基板wをテーブル2に位置決め載置し、真空装置を作動制御して吸着溝3に所定の負圧を作用させ、載置した基板wを所定の位置で真空吸着保持する。この時、リフトアップピン9は退避位置に退入されるとともに、イオナイザ6からのイオン化エアの供給は停止している。
基板wの処理が終了すると、吸着溝3での真空吸着が解除されて大気圧に戻されるとともに、イオナイザ6からのイオン化エアの供給が開始され、配管5の吹出し口7から基板wの裏面に向けてイオン化エアが吹き付け供給され、テーブル2と基板wとの接触面の帯電した電荷がイオン化エアによって中和(除電)される。
その後、全リフトアップピン9が作用位置まで突出されることで基板wがテーブル上に持ち上げ浮上され、このときに生じる静電気もイオン化エアによって除電される。
持ち上げられた処理済み基板wは、図示しないアンローダーなどによって搬出される。
(他の実施形態)
(1)図5に示すように、イオン化気体の吹出し口7を、円形の配管5の周方向に沿って複数、例えば、2箇所に形成してもよい。
(1)図5に示すように、イオン化気体の吹出し口7を、円形の配管5の周方向に沿って複数、例えば、2箇所に形成してもよい。
(2)図6に示すように、イオン化気体を供給する配管5を角パイプで形成し、吹出し口7を備えた上面が、テーブル上面と略面一になるように溝4に埋設して実施することもできる。
(3)図7に示すように、角パイプからなる配管5を、テーブル上面から大きく没入するように設置して実施することもできる。これによると、吹出し口7から出たイオン化気体が、溝4の上部に形成された長い空隙cで拡散流動して均一に吹き出す。
(4)前記吸着溝3および配管5を同心円状に設置することで、円形の基板wに対応しやすいようにしてもよい。
本発明は、基板に対する処理を行なう基板処理装置の基板の保持に有用である。
2 テーブル
3 吸着溝
4 溝
5 配管
6 イオナイザ
7 吹出し口
9 リフトアップビン
w 基板
3 吸着溝
4 溝
5 配管
6 イオナイザ
7 吹出し口
9 リフトアップビン
w 基板
Claims (6)
- 基板が載置されるテーブルを備え、前記テーブルの表面側に、イオナイザからのイオン化気体を、基板の裏面に向けて吹き付けて除電する吹出し口を設けたことを特徴とする基板保持装置。
- 前記テーブルの表面に、前記基板を吸着保持する吸着溝を備える請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記テーブルの表面に形成した溝に、前記イオナイザに連通接続された配管を埋設し、この配管に前記吹出し口を形成してある請求項1または2に記載の基板保持装置。
- 前記配管の両端に、前記イオナイザをそれぞれ連通接続してある請求項3に記載の基板保持装置。
- 前記基板を前記テーブルから持ち上げる複数のリフトアップピンを、前記テーブルに出退自在に配備した請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 基板を載置したテーブルの面に設けた吹出し口からイオン化気体を吹出し、前記基板の裏面に吹付けて除電するステップと、
前記基板をテーブルから取り除くステップと、
を含むことを特徴とする基板リリース方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9120698B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-01 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
WO2018139667A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社新川 | ピックアップ装置およびピックアップ方法 |
CN117457557A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-26 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种等离子体处理设备及方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101125430B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2012-03-28 | 주식회사 디엠에스 | 피처리물의 디척킹과 함께 반응 챔버 내부 및 정전 척의 드라이 클리닝을 실행하는 플라즈마 반응기의 피처리물 디척킹 장치 및 방법 |
KR101522452B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2015-05-21 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 디스플레이용 글래스 기판의 제조 방법, 글래스 기판 및 디스플레이용 패널 |
CN104149095B (zh) * | 2014-07-07 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种机械手 |
JP6077023B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2017-02-08 | 株式会社伸興 | 静電気除去装置及び静電気除去方法 |
CN104669221A (zh) | 2015-03-17 | 2015-06-03 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种绝缘机台、设备及消除静电的方法 |
JP6524858B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-06-05 | オムロンヘルスケア株式会社 | 脈波測定装置 |
CN107329289A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 去静电剥离装置及液晶面板制作设备 |
KR102177490B1 (ko) * | 2019-08-12 | 2020-11-11 | 주식회사 영우디에스피 | 디스플레이 패널용 프로브 검사장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927540A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 基板の保持装置 |
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007231327A patent/JP2009064950A/ja active Pending
-
2008
- 2008-08-26 KR KR1020080083207A patent/KR20090026049A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-05 TW TW097134006A patent/TW200919625A/zh unknown
- 2008-09-08 CN CNA2008102137910A patent/CN101382414A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927540A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 基板の保持装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9120698B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-01 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
US9126858B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-08 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
WO2018139667A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社新川 | ピックアップ装置およびピックアップ方法 |
JPWO2018139667A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2019-07-25 | 株式会社新川 | ピックアップ装置およびピックアップ方法 |
TWI671844B (zh) * | 2017-01-30 | 2019-09-11 | 日商新川股份有限公司 | 拾取裝置以及拾取方法 |
US11508599B2 (en) | 2017-01-30 | 2022-11-22 | Shinkawa Ltd. | Pick-up device and pick-up method |
CN117457557A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-26 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种等离子体处理设备及方法 |
CN117457557B (zh) * | 2023-12-12 | 2024-04-16 | 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司 | 一种等离子体处理设备及方法 |
Also Published As
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TW200919625A (en) | 2009-05-01 |
CN101382414A (zh) | 2009-03-11 |
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