JP2009062233A - シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶の引上げ用種結晶として、炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出され、ドープされた炭素濃度が5×1015〜5×1017atoms/cm3である種結晶を使用することにより、炭素原子自体および炭素ドープによって形成される微細な析出核により熱衝撃起因のスリップ転位の伝播が抑制される。さらに種結晶中の酸素あるいは窒素をそれぞれ1×1018〜2×1018atoms/cm3、あるいは5×1013〜5×1015atoms/cm3の範囲でドープすることにより、炭素ドープとの相乗効果を高めることが可能となる。
【選択図】なし
Description
Claims (6)
- チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げに使用される種結晶において、
前記種結晶が炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、
前記ドープされている炭素の濃度が5×1015〜5×1017atoms/cm3の割合であることを特徴とするシリコン単結晶引上げ用種結晶。 - 種結晶中の酸素の濃度が1×1018〜2×1018atoms/cm3の割合である請求項1記載の種結晶。
- 種結晶が炭素の他に、窒素もドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、
前記窒素の濃度が5×1013〜5×1015atoms/cm3の割合である請求項1記載の種結晶。 - チョクラルスキー法により種結晶に導かれたシリコン融液を引上げてシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法において、
前記種結晶が炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、前記ドープされている炭素の濃度が5×1015〜5×1017atoms/cm3の割合である
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 種結晶中の酸素の濃度が1×1018〜2×1018atoms/cm3の割合である請求項4記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 種結晶が炭素の他に、窒素もドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、前記窒素の濃度が5×1013〜5×1015atoms/cm3の割合である請求項4記載のシリコン単結晶の製造方法。
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