JP5070916B2 - シリコン単結晶およびシリコンウェーハ - Google Patents
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Description
2:石英ルツボ
3:シリコン溶融液
4:転位、4a:ピット
5:引き上げ軸
6:ネック部
7:成長結晶
8:シリコン単結晶
Claims (3)
- 結晶軸方位が[110]であるシリコン単結晶であって、
前記シリコン単結晶の結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在し、前記結晶中心部以外の部分に転位が存在せず、
前記結晶中心部がシリコン単結晶の中心軸を中心とし、シリコン単結晶の直径の20%以下を直径とする円柱状の領域であり、
前記シリコン単結晶を結晶長さ方向に対して垂直に切断し、当該切断表面をエッチングしてその表面を観察した場合に、前記結晶中心部に20個以下のピットが観察されることを特徴とするシリコン単結晶。 - 前記シリコン単結晶中のドーパントとしてのボロンまたはリンの濃度が1×1017〜1×1020atoms/cm3の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶。
- 前記請求項1または請求項2のいずれかに記載のシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハ。
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