JP2009054920A - 半導体ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの表面に形成された絶縁膜などの付加層を平坦化する加工方法において、効率よく付加層を平坦化し、加工時間の短縮ならびにコストの低減を図る。
【解決手段】付加層5が形成されたウェーハ1を切削装置10のチャックテーブル20に保持し、テーブルベース25を加工位置に向けて移動させる。この移動に伴って付加層5の表面5aが回転するバイト37によって切削される。次いで、研磨装置などを用いて、切削した付加層5の表面5aを研磨して、付加層5の表面5aを平坦に仕上げる。
【選択図】図2
【解決手段】付加層5が形成されたウェーハ1を切削装置10のチャックテーブル20に保持し、テーブルベース25を加工位置に向けて移動させる。この移動に伴って付加層5の表面5aが回転するバイト37によって切削される。次いで、研磨装置などを用いて、切削した付加層5の表面5aを研磨して、付加層5の表面5aを平坦に仕上げる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウェーハなどのウェーハの表面に形成される絶縁膜などの付加層を加工する加工方法に関する。
コンピュータのメイン演算デバイス(MPU)や記憶デバイス(DRAMなど)などの半導体デバイスは、半導体デバイスが内蔵される各種電子機器の小型化、薄型化に伴い、高集積化が図られている。半導体デバイスは、シリコンなどの半導体からなるウェーハの表面に多数のデバイスを形成し、ウェーハを分割することで得られる。半導体デバイスを高集積化するのに伴い、集積度向上と動作速度の向上や設計自由度を確保するため、表面に形成される配線層を多層化する必要が生じる。配線層を多層化する場合、積層される配線層の間を絶縁しなければならないため、配線層の表面に化学気相成長(CVD)やスピンコートなどの方法により絶縁膜を形成している。
配線層は、化学機械研磨(CMP)などの方法によって絶縁膜を平坦化して、この表面にフォトリソグラフィによって形成される。これを繰り返して行うことで配線層が多層に形成される。このとき、絶縁膜が平坦化されてないと、フォトリソグラフィでの露光時に光の焦点位置が一定でなくなるため、一定の太さの配線が形成できなくなる。そのため、絶縁膜を平坦にする必要がある。この絶縁膜を平坦にする技術として、バイトによる切削方法がある(特許文献1参照)。また、絶縁膜の平坦度を向上させるために、絶縁膜のバイト切削時に基準面となるウェーハの裏面を平坦に研削してから絶縁膜を切削するという方法もある(特許文献2参照)。
昨今の誘電率の低い絶縁膜の厚さは厚くなる傾向にあり、絶縁膜を加工する量が増加している。このため、CMPのみで絶縁膜を加工すると、加工量に比例して加工コストが増大してしまう。また、上記文献に記載のバイト切削による絶縁膜の除去では、加工コストをCMPに比べて低くすることができるが、仕上げ面の面粗度がCMPでの仕上げ面に比べ粗くなる。また、バイト切削はウェーハの裏面を基準に保持テーブルに固定して表面側を加工するので、表面側基準で膜厚を一定とするような加工には向かない。
よって本発明は、ウェーハの表面に形成された絶縁膜などの付加層を平坦化する加工方法において、効率よく絶縁膜を平坦化し、加工時間の短縮ならびにコストの低減が図られる絶縁膜の加工方法を提供することを目的としている。
本発明は、半導体ウェーハの表面に形成された付加層を平坦化する加工方法であって、半導体ウェーハを、回転体に保持された切削部材の加工面に対する対面角度が略平行に調整可能な切削装置の保持手段に、表面を露出する向きで保持する半導体ウェーハ保持工程と、半導体ウェーハの表面の付加層を、回転する切削部材によって平坦に加工する付加層切削工程と、平坦に切削加工された半導体ウェーハの表面の付加層を研磨加工する付加層研磨工程とを備えることを特徴としている。
本発明では、半導体ウェーハを切削部材の加工面に対して略平行に保持し、次いで、半導体ウェーハの表面に形成された付加層を切削部材によって切削して、最後に付加層研磨工程で付加層を研磨することで付加層が平坦に加工される。付加層切削工程で付加層の加工量のうちの大部分を除去することにより、CMPのみの場合に比べ比較的早く加工することができる。また、付加層研磨工程で残りの加工量を除去するため、加工後の付加層の表面は、切削部材だけで仕上げるより平坦度を向上させることができる。
本発明では、付加層切削工程と付加層研磨工程によって付加層の合計加工量が3μmを超え、かつ、そのうち付加層切削工程による付加層の加工量が2μm以上であることが好ましい。全体の加工量が1μm程度では、加工コストが比較的高い付加層研磨工程だけで加工しても、加工量が少ないため、加工コストを抑えることができる。しかしながら、全体の加工量が3μm程度以上と大きくなった場合には、付加層研磨加工のみを適用すると加工コストが高騰してしまうという不満が生じる。このため、付加層研磨工程での仕上げ量を1μm残して、加工量の大部分を、加工コストが比較的安い切削加工で除去することによりコストダウンを図ることができる。
本発明によれば、ウェーハの表面に形成される付加層を、付加層切削工程と付加層研磨工程で平坦に加工することで、加工時間の短縮や、加工コストの低減が図られるとともに、付加層の表面を平坦に仕上げることができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係るウェーハの加工方法を説明する。
図1の符合1は、円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等である。ウェーハ1の表面1aには格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
図1の符合1は、円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等である。ウェーハ1の表面1aには格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
ウェーハ1の表面には、図2(b)に示すように、ウェーハ1の表面に付加層(配線層)5が形成されている。付加層5は、選択された金属電極どうしを結線するアルミニウム等からなる金属製の配線6と、ウェーハ1の表面および配線6を被覆する絶縁膜7とから構成される。付加層5を形成するには、はじめに、CVDによる成膜法等によって配線6を施し、次いで、絶縁膜7を形成する。絶縁膜7の材料には、ポリイミド等の絶縁性樹脂や、SOG(Spin On Glass)、BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)等のガラス系酸化膜が適用される。樹脂やSOGの場合は、回転させたウェーハ表面の中心に液体材料を滴下して遠心力により表面全面に行き渡らせるスピンコート法によって形成される。また、BPSGはCVD等の成膜法によって形成される。絶縁膜7の厚さは、例えば1〜5μm程度とされる。図1のウェーハ1の表面1aには、そのようにして形成された付加層5が示されている。図1(a)では、付加層5で被覆される半導体チップ3が透視された状態で図示されている。
表面1aに付加層5が形成されたウェーハ1は、次いで、その付加層5の表面5a(実際には絶縁膜7の表面)が平坦に切削される。その切削には、図3に示す切削装置10が用いられる。この切削装置10によれば、ウェーハ1の裏面1bを真空チャック式のチャックテーブル20の吸着面に吸着させて保持し、切削ユニット30の回転する切削工具35のバイト37によって付加層5の表面5aが平坦に切削される。切削工具35は、後でも説明するが、図4に示すように環状のフレーム36の下面に、バイト37が着脱可能に取り付けられたものである。
以下、この切削装置10の構成ならびに動作を説明する。
切削装置10は直方体状の基台11を有しており、ウェーハ1は、この基台11上の所定箇所に着脱自在にセットされる供給カセット12内に、付加層5で被覆されている表面1a側を上にした状態で、複数が積層して収納される。その供給カセット12から1枚のウェーハ1が搬送ロボット13によって引き出され、そのウェーハ1は、表面1a側を上にした状態で位置決めテーブル14上に載置され、ここで一定の位置に決められる。
切削装置10は直方体状の基台11を有しており、ウェーハ1は、この基台11上の所定箇所に着脱自在にセットされる供給カセット12内に、付加層5で被覆されている表面1a側を上にした状態で、複数が積層して収納される。その供給カセット12から1枚のウェーハ1が搬送ロボット13によって引き出され、そのウェーハ1は、表面1a側を上にした状態で位置決めテーブル14上に載置され、ここで一定の位置に決められる。
位置決めテーブル14上で位置決めがなされたウェーハ1は、供給アーム15によって位置決めテーブル14から取り上げられ、真空運転されている円盤状のチャックテーブル20上に、表面1a側を上に向けた状態で同心状に載置される(半導体ウェーハ保持工程)。チャックテーブル20は、図4に示すように、枠体21の中央上部に、多数のピン22が立設されてなる吸着部22Aが形成されたピンチャック式のもので、ウェーハ1は、吸着部22Aの上面である吸着面22aに、裏面1bが当接し、かつ、表面1a側の付加層5が露出する状態に吸着、保持される。
図3に示すように、チャックテーブル20は、基台11上においてY方向に移動自在に設けられたテーブルベース25に回転不能の状態に支持されている。ウェーハ1は、テーブルベース25およびチャックテーブル20を介して、チャックテーブル20に載置されるY方向手前側の着脱位置から、Y方向奥側の加工位置に送り込まれる。加工位置の上方には、ウェーハ1の表面1aに形成された付加層5の表面5aを切削する切削ユニット30が配設されている。基台11上には、テーブルベース25の移動路を塞いで切削屑等が基台11内に落下することを防ぐ蛇腹状のカバー26が伸縮自在に設けられている。
切削ユニット30の、実際に付加層5を切削するバイト37は、水平面内で回転し、したがってその先端の刃部の回転軌跡によって形成される切削加工面も水平である。チャックテーブル20は、枠体21がテーブルベース25上に揺動自在に支持されることにより、バイト37の切削加工面に対する吸着面22aの対面角度が、次のようにして調整可能となっている。
図5および図6に示すように、チャックテーブル20の枠体21は、テーブルベース25に組み込まれた1つの固定軸40Aおよび2つの可動軸:第1可動軸40B、第2可動軸40Cによって支持されている。各軸40A〜40Cは、軸方向がZ方向に延びており、チャックテーブル20の回転中心を中心とする正三角形の頂点となる位置に、それぞれ配されている。
図5(a)に示すように、固定軸40Aは、上端に形成されたピボット41が、チャックテーブル20の枠体21の下面側に形成された軸受穴21aに嵌め込まれており、このピボット41を支点として、チャックテーブル20は揺動する。第1および第2可動軸40B,40Cは、回転自在、かつ、軸方向への移動は規制された状態でテーブルベース25に装着されている。これら可動軸40B,40Cは、上端に形成されたねじ部42が枠体21の下面側に形成されたねじ穴43にねじ込まれており、下端部に設けられた減速ギヤ列44を介して、モータ45B,45Cによりそれぞれ回転させられる。
第1可動軸40Bや第2可動軸40Cが回転すると、その回転方向に応じて枠体21の各可動軸の装着部分が昇降し、チャックテーブル20全体としては、固定軸40Aのピボット41を支点として揺動する。チャックテーブル20は、吸着面22aが水平な状態を基本姿勢とされ、2つの可動軸45B,45Cを適宜に作動させることにより揺動し、これによって切削ユニット20に対する吸着面22aの対面角度が可変となる。図5(a)はチャックテーブル20の吸着面22aが水平な状態を示しており、図5(b)は、第2可動軸40Cをねじ穴43から抜け出す方向に回転させて、その部分を上昇させることにより、チャックテーブル20を傾斜させた状態を示している。
切削ユニット30は、基台11の奥側の端部に立設されたコラム16の前面に、Z方向(鉛直方向)に沿って昇降自在に設置されている。すなわちコラム16の前面にはZ方向に延びるガイド51が設けられており、切削ユニット30は、スライダ52を介してガイド51に摺動自在に装着されている。そして切削ユニット30は、サーボモータ53によって駆動されるボールねじ式の送り機構54により、スライダ52を介してZ方向に昇降する。
切削ユニット30は、軸方向がZ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング31内に、図4に示すスピンドルシャフト32が同軸的、かつ回転自在に支持されたもので、スピンドルシャフト32は、スピンドルハウジング31の上端部に固定されたスピンドルモータ33によって回転駆動させられる。図4に示すように、スピンドルシャフト32の下端には、円盤状のフランジ34を介して、切削工具35が取り付けられている。
この切削工具35は、環状のフレーム36の下面に、バイト37がシャンク38を介して着脱可能に取り付けられたもので、フレーム36がフランジ34に同心状に取り付けられるようになっている。バイト37は、ダイヤモンドや超硬等からなり、実際に被加工物を削って切削する刃部を下端に有している。切削工具35はスピンドルシャフト32とともに一体回転し、回転するバイト37の切削外径は、ウェーハ1の直径よりも大きく設定されている。そしてバイト37の先端の刃部の回転軌跡によって形成される切削加工面は、前述したように水平に設定されている。
上記切削ユニット30で付加層5を切削するにあたっては、着脱位置において、チャックテーブル20の吸着面22aを水平に調整し、バイト37の切削加工面に対する吸着面22aの対面角度を平行に設定する。ウェーハ1の厚さは均一であることから、吸着面22aを水平に調整することにより、吸着面22aに保持されたウェーハ1の表面1a(付加層5で被覆されている面)がバイト37の切削加工面と平行、すなわち水平に設定される。
このウェーハ1の保持角度の調整は、ウェーハ1の厚さが均一であれば、上記のようにチャックテーブル20の吸着面22aを水平に設定すればよい。ところが、ウェーハ1の厚さが均一であるという許容範囲を超えている場合(例えば3μm以上の厚さムラがある場合)には、チャックテーブル20の吸着面22aを水平にしても、ウェーハ1の表面1aはバイト37の切削加工面と平行にはならない。この場合には、付加層5を被覆する前の段階でウェーハ1の厚さムラの状態を把握し、それに基づいて、チャックテーブル20に保持したウェーハ1の表面1aが水平になるようにチャックテーブル20を適宜に傾斜させて対面角度を調整すればよい。
ウェーハ1の厚さムラの状態を把握するには、ウェーハ1のノッチ4を基準位置としてウェーハ1の厚さを複数箇所(例えば3箇所)において測定することにより可能である。そのウェーハ1をチャックテーブル20に保持して対面角度を調整する際には、ノッチ4を基準としてウェーハ1の表面1aが水平になるようにチャックテーブル20を傾斜させればよい。
このようにしてウェーハ1の表面1aを水平、すなわちバイト37の切削加工面と平行に設定したら、切削ユニット30のバイト37によって、付加層5の表面5aを平坦に切削する(付加層切削工程)。それには、バイト37の刃部先端の高さが付加層5を所定量(例えば2μm以上)削り込む高さになる位置に、切削ユニット30を送り機構54によって下降させ、さらに、切削工具35を回転させた状態とする。そして、テーブルベース25を奥側に移動させてウェーハ1を加工位置に向けて移動させていく。すると、図7に示すように、その移動に伴って付加層5の表面5aが回転するバイト37によって切削されていく。切削工具35は2000rpm程度の回転速度で運転され、また、テーブルベース25の移動速度、すなわち研削送り速度は0.5〜1.5mm/sec程度とされる。本実施形態では、付加層5の全体の加工量が3μmを超え、かつ、付加層切削工程での加工量を2μm以上とする。
ウェーハ1がフレーム36に覆われるまで移動した時点で、付加層5の表面5a全面が平坦に切削される。この段階で付加層5が必要量切削されれば付加層切削工程は終了であるが、切削量が多い場合にはそれに応じてテーブルベース25を往復動させ、複数回にわたってバイト37を付加層5の表面5aに作用させる。
図2(c)に示すように、付加層5の表面5a全面が必要量切削されたら、切削ユニット30が上昇してウェーハ1から退避し、一方、テーブルベース25が着脱位置に戻される。この着脱位置でチャックテーブル20の真空運転は停止され、次いでウェーハ1は、回収アーム17によってスピンナ式洗浄装置18に搬送されて洗浄、乾燥処理され、この後、搬送ロボット13によって回収カセット19内に移送、収容される。また、ウェーハ1が取り去られたチャックテーブル20は、エアノズル27から噴射される空気によって切削屑等が除去される。
上記のようにして所定量の付加層5が切削されたら、図2(d)に示すように、ウェーハ1の付加層5の表面5aを、CMP等の研磨装置などを用いて研磨する(付加層研磨工程)。この付加層研磨工程で付加層5の残りの加工量(例えば1μm程度)を除去し、付加層5の表面5aを平坦かつ目的厚さに仕上げる。付加層5を平坦かつ目的厚さに仕上げたら、再び付加層5を形成して、図2(e)〜(g)に示すように、上記工程を繰り返し行う。これにより、付加層5が多層に形成される。付加層5を何層にも積層するには、積層する数に応じて、上記工程を繰り返し行う。
このようにして付加層5が多層に形成されたら、ウェーハ1の裏面1bを研削してウェーハ1を目的厚さに薄化する。ウェーハ1は、最終的には分割予定ライン2に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ3に個片化される。
本実施形態では、ウェーハ1をバイト37の切削加工面に対して略平行に保持し、次いで、ウェーハ1の表面1aに形成された付加層5をバイト37によって切削して、最後に付加層研磨工程で付加層5を研磨することで付加層5が平坦に加工される。付加層切削工程で付加層5の加工量のうちの大部分を除去することにより、CMP等による研磨のみの場合に比べ加工コストを抑えることができる。また、付加層研磨工程で残りの加工量を除去するため、加工後の付加層5の表面5aは、バイト37だけで仕上げるより平坦度を向上させることができる。
ウェーハ1の表面1aを被覆する付加層5は、表面5aがウェーハ1の表面1aと平行になるように切削されるので、絶縁膜7を表面1aに塗布する際には、特に厚さを厳密に管理する必要がない。このため、絶縁膜7の材料の種類や塗布方法などを、表面1aの凹凸の状態や塗布のし易さ、あるいはコストなどの観点から、比較的自由に選定することができる。
本実施形態では、付加層切削工程と付加層研磨工程によって付加層5の合計加工量が3μmを超え、かつ、そのうち付加層切削工程による付加層5の加工量を2μm以上に設定することで、コストダウンを図ることができる。例えば、全体の加工量が1μm程度では、加工コストが比較的高い付加層研磨工程だけで加工しても、加工量が少ないため、加工コストを抑えることができる。しかしながら、全体の加工量が3μm程度以上と大きくなった場合には、付加層研磨加工のみを適応すると加工コストが高騰してしまうという不満が生じる。このため、付加層研磨工程での仕上げ量を1μm残して、加工量の大部分を、加工コストが比較的安い切削加工で除去することによりコストダウンを図ることができる。
1…半導体ウェーハ
1a…表面
5…付加層
10…切削装置
20…チャックテーブル(保持手段)
36…フレーム(回転体)
37…バイト(切削部材)
1a…表面
5…付加層
10…切削装置
20…チャックテーブル(保持手段)
36…フレーム(回転体)
37…バイト(切削部材)
Claims (2)
- 半導体ウェーハの表面に形成された付加層を平坦化する加工方法であって、
該半導体ウェーハを、回転体に保持された切削部材の加工面に対する対面角度が略平行に調整可能な切削装置の保持手段に、表面を露出する向きで保持する半導体ウェーハ保持工程と、
該半導体ウェーハの表面の付加層を、回転する前記切削部材によって平坦に加工する付加層切削工程と、
平坦に切削加工された該半導体ウェーハの表面の付加層を研磨加工する付加層研磨工程とを備えることを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。 - 前記付加層切削工程と前記付加層研磨工程による該付加層の合計加工量が3μmを超え、かつ、そのうち付加層切削工程による付加層の加工量が2μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの加工方法。
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