JP2009004406A - 基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハ(基板)1の裏面をチャックテーブル20の吸着面22aに直接吸着させて保持し、突起状電極4の先端とレジスト層5とを切削して面一とする(付加部切削工程)。次いで、切削した付加部6の表面をチャックテーブル60の吸着面62aに直接吸着させて保持してウェーハ裏面を研削し(裏面研削工程)、この後、レジスト層5を除去する。ウェーハ1をチャックテーブル60に保持する際に保護テープTを用いず、直接保持させることでウェーハ1の厚さを均一に研削する。
【選択図】図3
Description
[1]半導体ウェーハ(基板)
図1(a)は、本実施形態で表面側の切削加工および裏面側の研削による薄化加工が施される円盤状の半導体ウェーハを示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度である。ウェーハ1の表面には、複数の半導体チップ2が形成されている。これら半導体チップ2は、分割予定ライン3によって格子状に区画された矩形領域の表面にICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されることにより構成されている。
[2−1]付加部切削工程
図3(a)は、図1に示したものと同様のウェーハ1を示しており、まずこのウェーハ1の付加部6の表面を切削して、各電極4の高さを均一に揃える切削を行う。この場合、切削する付加部6は、全ての電極4の先端部とレジスト層5であり、これらが面一になり、かつ、電極4が目的高さになるまで切削する。
ここで、図5に示す切削装置10の構成ならびに動作を説明する。
切削装置10は直方体状の基台11を有しており、ウェーハ1は、この基台11上の所定箇所に着脱自在にセットされる供給カセット12内に、付加部6が形成されている表面側を上にした状態で、複数が積層して収納される。その供給カセット12から1枚のウェーハ1が搬送ロボット13によって引き出され、そのウェーハ1は、表面側を上に向けた状態で位置決めテーブル14上に載置され、ここで一定の位置に決められる。
上記のようにして付加部6が切削されたウェーハ1に対しては、続いて、裏面研削して目的厚さに薄化する加工が施される。裏面研削は、図7に示すインフィード研削を行う研削装置50が好適に用いられる。この研削装置50によれば、切削された付加部6の表面を真空チャック式のチャックテーブル(吸着テーブル)60の吸着面に直接吸着させてウェーハ1を保持し、2台の研削ユニット(粗研削用と仕上げ研削用)70A,70Bによってウェーハ裏面に対し粗研削と仕上げ研削を順次行う。図3(c)は、チャックテーブル60上に保持されたウェーハ1の裏面が研削された状態を示している。
ここで、研削装置50の構成ならびに動作を説明する。
研削装置50は直方体状の基台51を有しており、ウェーハ1は、この基台51上の所定箇所に着脱自在にセットされる供給カセット52内に、裏面側を上にした状態で、複数が積層して収納される。その供給カセット52から1枚のウェーハ1が搬送ロボット53によって引き出され、そのウェーハ1は、裏面側を上に向けた状態で位置決めテーブル54上に載置され、ここで一定の位置に決められる。
上記付加部切削工程および裏面研削工程を経たら、次いで、エッチング等の手段によってレジスト層5を除去し、図3(d)に示すような、表面に複数の電極4が突出形成されたウェーハ1を得る。
次に、本発明の第2実施形態のウェーハの加工方法を、図8を参照して説明する。この第2実施形態では、付加部切削工程を、付加部6のレジスト層5の表面のみであって電極4に至らない範囲を切削する第1の付加部切削工程と、電極4の先端とレジスト層5の双方を切削して面一とする第2の付加部切削工程とに分けている。そして裏面研削工程は、これら第1の切削工程と第2の切削工程の間に行う。切削および研削を行うにあたっては、上記の切削装置10および研削装置50が用いられる。
図8(a)は、図1に示したものと同様のウェーハ1を示しており、まずこのウェーハ1の裏面を、切削装置10におけるチャックテーブル20の吸着面22aに直接吸着させて保持し、切削ユニット30によって、付加部6のレジスト層5の表面のみであって電極4に至らない範囲を切削する(図8(b))。これにより付加部6の表面は、図9に示すように平坦なレジスト層5で構成され、そのレジスト層5の表面から、切削されなかった全ての電極4が埋没した状態となっている。
次に、図8(c)に示すように、切削された付加部6の表面を、研削装置50におけるチャックテーブル60の吸着面62aに直接吸着させて保持し、各研削ユニット70A,70Bによって順次裏面を研削し、ウェーハ1を目的厚さまで薄化する。
次に、ウェーハ1を再び切削装置10にセットして、第2の付加部切削工程を行う。この時には、研削された裏面をチャックテーブル20の吸着面22aに直接吸着させて保持し、切削ユニット30によって電極4およびレジスト層5をともに切削して、各電極4の高さを均一に揃えるとともに付加部6の表面を平坦にする(図8(d))。これによって付加部6の表面は、図4に示すように、各電極4とレジスト層5が面一になっており、かつ、電極4の高さが均一に揃った状態となる。
上記付加部切削工程および裏面研削工程を経たら、次いで、エッチング等の手段によってレジスト層5を除去し、図8(d)に示すような、表面に複数の電極4が突出形成されたウェーハ1を得る。このウェーハ1も、ウェーハ1の厚さおよび各電極4の高さが均一で、かつ総厚が均一なものとなっている。
上記各実施形態での裏面研削工程では、ウェーハ1の裏面全面を研削しているが、全面を研削せず、裏面におけるデバイス形成領域7に対応する領域のみを研削してもよい。こうすることによりウェーハ1は、図10に示すように、デバイス形成領域7のみが薄化され、周囲の外周余剰領域8は元の厚さのままで新たに環状凸部8Aとして形成される。このようなウェーハ1によれば、環状凸部8Aによって剛性が確保され、裏面研削後の薄くなったウェーハ1のハンドリングがし易くなるとともに、損傷を防ぐことができるといった利点がある。なお、このようにウェーハ裏面のデバイス形成領域7に対応する領域のみを研削するには、研削外径がウェーハ1の半径程度に相当する砥石ホイールを用いることによって可能である。
最後に、本発明の効果を明確にするために、従来の加工方法を簡単に例示してその問題点を挙げておく。
4…電極(突起状金属)
5…レジスト層(樹脂部)
6…付加部
7…デバイス形成領域
8…外周余剰領域
10…切削装置
20…切削装置のチャックテーブル(吸着テーブル)
22a…吸着面
60…研削装置のチャックテーブル(吸着テーブル)
62a…吸着面
Claims (3)
- 表面に、該表面から突出して形成された突起状金属と、該突起状金属を囲繞し、かつ該突起状金属の突出量を超える高さを有する樹脂部とからなる付加部を備えた基板を、吸着テーブルの吸着面に該基板の裏面側を合わせて吸着、保持して、前記付加部を切削するとともに、該基板の裏面を研削して薄化する基板の加工方法であって、
前記基板の裏面を吸着テーブルの前記吸着面に直接吸着させて保持し、前記突起状金属の先端と前記樹脂部とが少なくとも面一になるまで前記付加部の表面を切削する付加部切削工程と、
切削された前記付加部を吸着テーブルの前記吸着面に直接吸着させて保持し、該基板の裏面を研削する裏面研削工程と、
前記樹脂部を該基板の表面から除去する樹脂部除去工程と
を備えることを特徴とする基板の加工方法。 - 表面に、該表面から突出して形成された突起状金属と、該突起状金属を囲繞し、かつ該突起状金属の突出量を超える高さを有する樹脂部とからなる付加部を備えた基板を、吸着テーブルの吸着面に該基板の裏面側を合わせて吸着、保持して、前記付加部を切削するとともに、該基板の裏面を研削して薄化する基板の加工方法であって、
前記基板の裏面を吸着テーブルの吸着面に直接吸着させて保持し、前記付加部の前記樹脂部の表面のみを、前記突起状金属に至らない範囲で切削する第1の付加部切削工程と、
切削された前記樹脂部を吸着テーブルの吸着面に直接吸着させて保持し、該基板の裏面を研削する裏面研削工程と、
該基板の裏面を吸着テーブルの吸着面に直接吸着させて保持し、前記付加部の前記突起状金属の先端と前記樹脂部とが少なくとも面一になるまで、これら突起状金属と樹脂部とを同時に切削する第2の付加部切削工程と、
前記樹脂部を該基板の表面から除去する樹脂部除去工程と
を備えることを特徴とする基板の加工方法。 - 前記基板の前記表面には、デバイス形成領域と、該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とが設けられており、前記裏面研削工程では、裏面における該デバイス形成領域に対応する領域のみを研削することを特徴とする請求項1または2に記載の基板の加工方法。
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