JP2009027477A

JP2009027477A - 圧電発振器

Info

Publication number: JP2009027477A
Application number: JP2007188838A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Yoda; 由雄依田
Original assignee: Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Current assignee: Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Priority date: 2007-07-19
Filing date: 2007-07-19
Publication date: 2009-02-05

Abstract

【課題】小型な圧電発振器、さらに、追従性の優れた温度補償機能を有する圧電発振器を提供することを課題としている。
【解決手段】少なくとも、励振電極４６が形成された圧電振動片３５と、該圧電振動片３５を収容するパッケージ底部３１と、該パッケージ底部３１と接合され、前記圧電振動片３５を気密封止する蓋体３９とからなる圧電発振器であって、前記パッケージ底部３１および蓋体３９は半導体基板で構成され、前記パッケージ底３１部および蓋体３９の表面には、半導体集積回路プロセスにより回路パターン３２、４０が形成され、さらに、温度検知部４３が、前記圧電振動片３５の励振電極４６の最近傍となる位置に配置される圧電発振器とする。
【選択図】図１

Description

本発明は内部に圧電振動片を有する圧電発振器で、特にそのパッケージが半導体から成るものに関する。

最近の電子機器の多くは、制御部にマイクロコントローラなどを有しており、その基準クロックを発生させるため、圧電振動子および圧電発振器は必須の電子部品となっている。このうち圧電発振器は、圧電振動片と発振回路を一体化して一つのパッケージとして提供されるのもので、利用する側にとって、一般的に難易度が高いと考えられる周波数の調整や、発振安定度の確保が、あらかじめ製造業者によりなされて提供されるため、利用者はその困難さを避けることができる。さらに、現在、圧電発振器の大口の需要先である携帯電話機などの用途では、広い温度範囲において、高精度の周波数安定度が要求されるので、圧電振動子ではなく、圧電発振器、特に発振周波数の温度補償機能を有する温度補償型圧電発振器が利用されるのが一般的である。

携帯電話機は小型化、高機能化のため電子回路基板の高密度実装が必要であるため、それに利用される圧電発振器にも絶え間ない小型化が要求される。しかし、圧電発振器は、一般的に、圧電振動片と、発振回路を構成する半導体集積回路をセラミック製などのパッケージに収容し、金属あるいはガラスなどの蓋で気密封止した構造であるため、半導体集積回路の小型化の限界、それを収納するパッケージ強度確保の必要性などの制限により、小型化が限界に来つつある。

図４は従来技術による一般的な構成の圧電発振器の説明図であり、（１）は上面図、（２）は（１）のＡ−Ａ断面図である。図４における圧電発振器１０の外形底面積を決定する要素は、発振回路を内蔵する半導体集積回路１２の底面積、十分な機械的強度を保つための大きさを要するパッケージ底部１３、さらに、パッケージ底部１３に、圧電振動片１１および半導体集積回路１２を搭載する際に必要な作業空間である。これらの要素は小型化のため最大の努力が払われるが、製造装置からの制約や、パッケージの機械的強度確保の点で限界がある。また、温度補償機能や、電圧制御機能を有する高機能な圧電発振器の場合、それらの機能を半導体集積回路１２に内蔵するので、発振回路の規模が大きくなり、半導体集積回路１２の面積が増加し、圧電発振器１０の外形底面積を決定する上で支配的になる。

上記小型化の限界を解決するための従来技術として、特許文献１に示される圧電発振器がある。図５は特許文献１に示される圧電発振器２０の実施例の説明図で、（１）は上面図、（２）は（１）のＡ−Ａ断面図であ。小型化を達成する手段として、電気絶縁性材料からなる平板２１の一方面側に集積回路素子２６の回路パターン２２を形成し、前記平板２１の他方面側に圧電振動片２５を実装するキャビティ２７を形成して、前記キャビティ２７の内部に前記圧電振動片２５を実装している。回路パターン２２には外部接続用の電極パッド２３が接続されており、該電極パッド２３を除く回路パターン２２の表面は、ポリイミド被膜２４によって保護されている。平板２１の上面には接着剤２９を介してリッド２８が封着され圧電発振器が構成されている。しかしながら、特許文献１による技術によっても、集積回路に要する面積が、外形底面積を決定する上で支配的であり、上述した温度補償機能や、電圧制御機能を有する圧電発振器の場合は、集積回路素子２６の回路パターン２２の規模が大きく、面積が増大するので、小型化に対して依然として限界がある。

また、温度補償機能を有する圧電発振器は、温度検知部を必要とするが、温度補償機能は、温度変化による圧電振動片の発振周波数変化を補償するための機能なので、温度検知部は圧電振動片に最近接して配置するのが望ましい。しかしながら、特許文献１に示される従来技術による圧電発振器において、温度検知部を設置できるのは、集積回路素子の回路パターン部であり、パッケージの底面を挟んで、圧電振動片の反対面になってしまう。このような構成では、周囲温度変化があった場合、温度検知部が検知する温度変化が、圧電振動片の温度変化に十分に追従できず、正確な温度補償ができない。さらに、図１に示す一般的な圧電発振器１０においても、半導体集積回路内１２に設ける温度検知部は、回路配置制約上の問題があり、最適な位置、すなわち圧電振動片に最近接して設置できるとは限らない。
特開２００４−２１４７８７号公報

上述した従来技術における問題点を鑑み、本発明は、小型な圧電発振器、さらに、追従性の優れた温度補償機能を有する圧電発振器を提供することを課題としている。

上記課題を達成するため、本発明による圧電発振器は、少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、前記パッケージ底部および蓋体は半導体基板で構成され、前記パッケージ底部および蓋体の表面には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記回路パターンが、温度検知部を有し、該温度検知部は、前記圧電振動片が気密封止される空間内に露出する前記パッケージ底部、若しくは蓋体の表面の一部に形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となる位置に配置されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記パッケージ底部表面および前記蓋体の表面に形成された前記回路パターンの各々が、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合面部にまで延在する配線パターンを有し、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合により、前記各々の配線パターンが接続されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記パッケージ底部および／または前記蓋体の外表面に、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記パッケージ底部および／または前記蓋体に形成されたスルーホール、および／または、前記パッケージ底部および／または前記蓋体に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、前記パッケージ底部は前記圧電振動片を収容するためのキャビティ構造であり、前記蓋体は平板状半導体基板からなり、前記平板状半導体基板の両主面上には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記回路パターンが、温度検知部を有し、該温度検知部は、前記圧電振動片が気密封止される空間内に露出する前記平板状半導体基板の表面の一部に形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となるように配置されたことを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記パッケージ底部が、前記パッケージ底部と前記蓋体の接合部まで延在する配線パターンを有し、前記蓋体の表面に形成された前記回路パターンが、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合面部にまで延在する配線パターンを有し、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合により、前記各々の配線パターンが接続されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記平板状半導体基板の両主面上に形成された各々の前記回路パターンが、前記平板状半導体基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記蓋体の外表面に、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記蓋体に形成されたスルーホール、および／または、前記蓋体に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、前記蓋体は前記圧電振動片を収容するためのキャビティ構造であり、前記パッケージ底部は平板状半導体基板からなり、前記平板状半導体基板の両主面上には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となる位置に配置されたことを特徴とする。

さらに、本発明による圧電発振器は、前記パッケージ底部の外表面に、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記パッケージ底部に形成されたスルーホール、および／または、前記パッケージ底部に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする。

本発明によれば、圧電発振器のパッケージ底部および蓋体を半導体基板で構成し、前記パッケージ底部および蓋体の表面に半導体集積回路プロセスにより回路パターンを形成するようにしたので小型な圧電発振器が得られる。さらに、前記構成によれば機能に応じた回路パターンの配置ができ、追従性の優れた温度補償機能を有する圧電発振器を提供することが可能になる。

本発明による圧電発振器の最良の実施形態を、実施例を示す説明図を用いて説明する。

図１は、本発明の第一実施例である圧電発振器の説明図で、（１）は上面図、（２）は（１）のＡ−Ａ断面図である。本実施例の圧電発振器は、温度補償機能を有する圧電発振器（以下ＴＣＸＯと記す）であるとして説明をする。本実施例のＴＣＸＯ３０は、半導体材料より形成されるパッケージ底部３１の第一主面に、半導体プロセスにより、発振回路を含む回路パターン３２が形成され、さらにその上部には、回路パターン３２を保護するための保護皮膜３３および、ＴＣＸＯ３０を外部の電子回路に接続するための外部接続電極３４および、回路パターン３２と外部接続電極３４を電気的に接続するための配線パターン（不図示）が設けられている。パッケージ底部３１の回路パターン３２が形成されている面と反対側の第二主面には、圧電振動片３５を格納するためのキャビティ３６が形成されている。キャビティ３６内には、配線パターン３７が施されており、さらに、圧電振動片３５を機械的に保持することと、圧電振動片３５の励振電極４６と配線パターン３７を電気的に接続することを目的とするマウント電極４５が設けられている。マウント電極４５上に、圧電振動片３５が接着固定されている。接着の方法は、導電性接着剤が一般的であるが、金属ロー材接合、あるいは、金属結合を利用した圧接なども考えられるが、この限りでない。

キャビティ３６内の配線パターン３７とパッケージ底部３１の第一主面に形成された回路パターン（不図示）とは、パッケージ底部３１に形成されたスルーホール３８を通じて電気的に接続される。スルーホール３８の形成方法としては、半導体エッチング技術により貫通孔を形成し、その内面に金属をメッキするのが一般的であるが、機械的加工による孔空け、真空蒸着やスパッタ技術による金属薄膜形成も考えられ、この限りでない。

本実施例のＴＣＸＯ３０は、蓋体３９が半導体材料により形成されており、蓋体３９の第一主面には、半導体プロセスにより回路パターン４０が形成されている。さらにその上部には、回路パターン４０を保護するための保護皮膜４１、および、回路パターン４０を他の電子回路に接続するための配線パターン４２が設けられている。回路パターン４０には、温度補償機能を実現するために必要な温度検知部４３が設けられている。温度検知部４３は、圧電振動片３５の温度変化をできる限り遅延なく検知するために、圧電振動片３５の最近近傍となるように、回路パターン４０内に配置することが望ましい。しかし、この限りではない。

圧電振動片３５を搭載したパッケージ底部３１および蓋体３９は、パッケージ底部３１のキャビティ３６を気密に保つため、接合部４４において封着される。封着の方法は様々な従来技術が採用でき、例えば、金属ロー材を利用した溶着、接合面をイオンビームなどで清浄にした後圧着する原子間結合を利用した接合、等が考えられるが、この限りではない。

上述したパッケージ底部３１に形成されているキャビティ３６内の配線パターン３７、および、蓋体３９の第一主面上に形成された配線パターン４２は、それぞれ、パッケージ底部３１と蓋体３９が封着される際の接合部４４まで延在し、配線パターン３７および４２の端部には、それぞれ、パッケージ底部３１と蓋体３９が封着される際に互いに当接する位置に、接合用電極（不図示）が設けられている。パッケージ底部３１および蓋体３９の接合用電極は、パッケージ底部３１と蓋体３９が封着される際に、圧接あるいは金属ロー材により電気的に接合され、パッケージ底部３１に形成されているキャビティ３６内の配線パターン３７、および、蓋体３９の第一主面上に形成された配線パターン４２は電気的に接続される。接合方法として、圧接あるいは金属ロー材を例として述べたが、様々な方法が採用でき、この限りではない。

一般的なＴＣＸＯは、圧電振動片を発振させるための発振回路、温度補償機能を実現するための回路、温度を検知する温度検知部、制御回路および出力回路などが必要である。特許文献１で示される圧電発振器（図５参照）は、上述した必要な電子回路は、パッケージ底部を構成している平板２１に形成された回路パターン２２のみに内蔵されており、回路パターン２２の面積は圧電発振器２０の大きさに対して支配的あるので、圧電発振器２０の小型化を制約することになっていた。一方で、本実施例のＴＣＸＯ３０は、必要な電子回路が、パッケージ底部３１に形成された回路パターン３２、あるいは、蓋体３９に形成された回路パターン４０のどちらかに含まれる。そのため、それぞれの回路パターンの面積を小さくすることができ、ＴＣＸＯ３０の小型化が達成されている。

本実施例のＴＣＸＯ３０では、必要な電子回路を、パッケージ底部３１に形成された回路パターン３２、あるいは、蓋体３９に形成された回路パターン４０のどちらかに配置するかについては、本実施例のＴＣＸＯ３０は、特許文献１のような構成の圧電発振器よりも配置の自由度が向上するので、温度検知部４３を圧電振動片３６の最近傍に配置して、温度補償機能の追従性を最適化が達成されている。また、圧電振動片３５を励振するための発振回路については、発振特性を考慮して、圧電振動片３５への配線が最短になるようマウント電極近傍に配置するのが望ましい。

図２は、本発明の第二実施例である圧電発振器、特にＴＣＸＯ５０の説明図である。パッケージ底部５１および蓋体５９が半導体材料により構成され、パッケージ底部５１には圧電振動片５５を格納するためのキャビティ５６、キャビティ５６内にはマウント電極６５と繋がる配線パターン５７を有することは実施例１と同一である。本実施例のＴＣＸＯ５０は、蓋体５９両主面上に回路パターン５２および６０が形成されており、その間がスルーホール５８により接続されている。前記回路パターン５２および６０の表面は保護被膜５３および６１によって保護されている。温度検知部６３は、蓋体５９の、圧電振動片５５が格納されるキャビティ５６の空間に面する第一主面上で、圧電振動片５５の最近傍になるように、回路パターン５２内に配置されている。外部接続電極５４は、蓋体５９の、第一主面の反対側の第二主面に配置されている。しかしながら、外部接続電極５４の配置はこの限りではなく、パッケージ底部５１の、キャビティ５６が形成されている側と反対の第一主面上に設けても良い。この場合は、パッケージ底部５１にスルーホール（不図示）を設けて、キャビティ５６内の配線パターン５７と接続する。本実施例のＴＣＸＯ５０も、実施例１のＴＣＸＯ３０と同様、必要な電子回路を最適分割することによる小型化と、温度検知部６３を圧電振動片５５の最近傍に配置することによる、温度補償機能の追従性の改善が達成されている。

圧電振動片５５を搭載したパッケージ底部５１および蓋体５９は、パッケージ底部５１のキャビティ５６を気密に保つため、接合部６４において封着される。封着の方法は様々な従来技術が採用でき、例えば、金属ロー材を利用した溶着、接合面をイオンビームなどで清浄にした後圧着する原子間結合を利用した接合、等が考えられるが、この限りではない。

上述したパッケージ底部５１に形成されているキャビティ５６内の配線パターン５７、および、蓋体５９の第一主面上に形成された配線パターン６２は、それぞれ、パッケージ底部５１と蓋体５９が封着される際の接合部６４まで延在し、配線パターン５７および６２の端部には、それぞれ、パッケージ底部５１と蓋体５９が封着される際に互いに当接する位置に、接合用電極（不図示）が設けられている。パッケージ底部５１および蓋体５９の接合用電極は、パッケージ底部５１と蓋体５９が封着される際に、圧接あるいは金属ロー材により電気的に接合され、パッケージ底部５１に形成されているキャビティ５６内の配線パターン５７、および、蓋体５９の第一主面上に形成された配線パターン６２は電気的に接続される。接合方法として、圧接あるいは金属ロー材を例として述べたが、様々な方法が採用でき、この限りではない。

図３は、本発明の第三実施例である圧電発振器、特にＴＣＸＯ７０の説明図である。パッケージ底部７１は平板の半導体材料より構成されており、その両主面には回路パターン７２および８０が形成されている。回路パターン７２および８０の表面は保護被膜７３および８１によって保護されている。パッケージ底部７１の第一主面には外部接続電極７４が形成されている。パッケージ底部７１の第一主面の反対面である第二主面上には圧電振動片７５がマウント電極８５上に搭載される。前記回路パターン７２とマウント電極８５は、配線パターン７７を介して電気的に接続される。そして、第一主面および第二主面上の回路パターン７２および８０は、それぞれがスルーホール７８を通して電気的に接続されている。温度検知部８３は、パッケージ底部７１の第二主面上に形成された回路パターン７２内に、圧電振動片７５に最近接する位置に配置される。蓋体７９は、圧電振動片７５を収納する空間を確保するためのキャビティ７６を有する。パッケージ底部７１と蓋体７９は、接合部８４にて接合される。実施例１および実施例２では、蓋体は半導体材料から構成されていたが、本実施例のＴＣＸＯ７０は、蓋体７９は半導体材料であっても良いが、他の材料で構成されていても良い。本実施例のＴＣＸＯ７０も、実施例１のＴＣＸＯ３０あるいは実施例２のＴＣＸＯ５０と同様、必要な電子回路を最適分割することによる小型化と、温度検知部を圧電振動片の最近傍に配置することによる、温度補償機能の追従性の改善が達成されている。

本発明による圧電発振器の第一実施例の説明図本発明による圧電発振器の第二実施例の説明図説明図本発明による圧電発振器の第三実施例の説明図従来技術による一般的な構成の圧電発振器の説明図特許文献１に示される圧電発振器の説明図

符号の説明

１０圧電発振器
１１圧電振動片
１２半導体集積回路
１３パッケージ底部
２０圧電発振器
２１平板
２２回路パターン
２３電極パッド
２４ポリイミド皮膜
２５圧電振動片
２６集積回路素子
２７キャビティ
２８リッド
２９接着剤
３０ＴＣＸＯ
３１パッケージ底部
３２回路パターン
３３保護皮膜
３４外部接続電極
３５圧電振動片
３６キャビティ
３７配線パターン
３８スルーホール
３９蓋体
４０回路パターン
４１保護皮膜
４２配線パターン
４３温度検知部
４４接合部
４５マウント電極
４６励振電極
５０ＴＣＸＯ
５１パッケージ底部
５２回路パターン
５３保護皮膜
５４外部接続電極
５５圧電振動片
５６キャビティ
５７配線パターン
５８スルーホール
５９蓋体
６０回路パターン
６１保護皮膜
６２配線パターン
６３温度検知部
６４接合部
６５マウント電極
７０ＴＣＸＯ
７１パッケージ底部
７２回路パターン
７３保護皮膜
７４外部接続電極
７５圧電振動片
７６キャビティ
７７配線パターン
７８スルーホール
７９蓋体
８０回路パターン
８１保護皮膜
８３温度検知部
８４接合部
８５マウント電極

Claims

少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、
前記パッケージ底部および蓋体は半導体基板で構成され、前記パッケージ底部および蓋体の表面には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする圧電発振器。
前記回路パターンは、温度検知部を有し、該温度検知部は、前記圧電振動片が気密封止される空間内に露出する前記パッケージ底部、若しくは蓋体の表面の一部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となる位置に配置されることを特徴とする請求項２に記載の圧電発振器。
前記パッケージ底部表面および前記蓋体の表面に形成された前記回路パターンの各々は、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合面部にまで延在する配線パターンを有し、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合により、前記各々の配線パターンが接続されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の圧電発振器。
前記パッケージ底部および／または前記蓋体の外表面には、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記パッケージ底部および／または前記蓋体に形成されたスルーホール、および／または、前記パッケージ底部および／または前記蓋体に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の圧電発振器。
少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、
前記パッケージ底部は前記圧電振動片を収容するためのキャビティ構造であり、前記蓋体は平板状半導体基板からなり、前記平板状半導体基板の両主面上には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする圧電発振器。
前記回路パターンは、温度検知部を有し、該温度検知部は、前記圧電振動片が気密封止される空間内に露出する前記平板状半導体基板の表面の一部に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の圧電発振器。
前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となるように配置されたことを特徴とする請求項７に記載の圧電発振器。
前記パッケージ底部は、前記パッケージ底部と前記蓋体の接合部まで延在する配線パターンを有し、前記蓋体は、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合部まで延在する配線パターンを有し、前記パッケージ底部と前記蓋体との接合により、前記各々の配線パターンが接続されることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の圧電発振器。
前記蓋体の両主面上に形成された各々の前記回路パターンは、前記平板状半導体基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載の圧電発振器
前記蓋体の外表面には、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記蓋体に形成されたスルーホール、および／または、前記蓋体に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする請求項６〜１０の何れか１項に記載の圧電発振器。
少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電発振器であって、
前記蓋体は前記圧電振動片を収容するためのキャビティ構造であり、前記パッケージ底部は平板状半導体基板からなり、前記平板状半導体基板の両主面上には、半導体集積回路プロセスにより回路パターンが形成されていることを特徴とする圧電発振器。
前記回路パターンは、温度検知部を有し、該温度検知部は、前記圧電振動片が気密封止される空間内に露出する前記平板状半導体基板の表面の一部に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の圧電発振器。
前記温度検知部が、前記圧電振動片の励振電極の最近傍となる位置に配置されたことを特徴とする請求項１３に記載の圧電発振器。
前記平板状半導体基板の両主面上に形成された各々の前記回路パターンは、前記平板状半導体基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする請求項１２〜１４の何れか１項に記載の圧電発振器
前記パッケージ底部の外表面には、外部との接続をなす外部接続電極が形成されており、該外部接続電極と前記回路パターンとは、前記パッケージ底部に形成されたスルーホール、および／または、前記パッケージ底部に形成された配線パターンを介して接続されることを特徴とする請求項１２〜１５の何れか１項に記載の圧電発振器。