JP2009009777A - Film forming mask - Google Patents
Film forming mask Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009009777A JP2009009777A JP2007168747A JP2007168747A JP2009009777A JP 2009009777 A JP2009009777 A JP 2009009777A JP 2007168747 A JP2007168747 A JP 2007168747A JP 2007168747 A JP2007168747 A JP 2007168747A JP 2009009777 A JP2009009777 A JP 2009009777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- film
- forming
- opening
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical group [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の発光層等の薄膜を成膜する際に用いられる成膜用マスクに関するものである。 The present invention relates to a film formation mask used when forming a thin film such as a light emitting layer of an organic EL (electroluminescence) element.
従来、有機ＥＬ素子の製造方法では、成膜用マスクをガラス基板に密着するように配置して成膜するマスク成膜法が多く採用されている。このようなマスク成膜法の一例として、マスク蒸着法があり、有機ＥＬ素子の有機化合物層のパターンを精度良く形成することができる。近年、有機ＥＬパネルの高解像化に伴い、パターニングの微細化が進んでいる。それに伴い、マスクの開口部の微細化も必要になり、開口部の配列位置の精度、開口形状の精度のより一層の向上が求められている。 Conventionally, in a method for manufacturing an organic EL element, a mask film forming method in which a film forming mask is disposed so as to be in close contact with a glass substrate to form a film is often employed. As an example of such a mask film forming method, there is a mask vapor deposition method, and the pattern of the organic compound layer of the organic EL element can be formed with high accuracy. In recent years, patterning miniaturization has progressed with the increase in resolution of organic EL panels. Along with this, miniaturization of the openings of the mask is required, and further improvements in the accuracy of the arrangement of the openings and the accuracy of the opening shape are required.
特許文献１では、２層の電着金属から成るマスクの表面全体にメッキ処理によって金属膜を形成している。この方法により、２層のマスクを強固に密着させることができるため、パターニング精度や再現性が向上するという効果を有している。 In Patent Document 1, a metal film is formed by plating on the entire surface of a mask made of two layers of electrodeposited metal. By this method, since the two-layer mask can be firmly adhered, the patterning accuracy and reproducibility are improved.
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、マスク全体に金属膜をメッキ処理するため、成膜用の基板と密着する側（基板側）のマスク表面にも金属膜が形成されている。そのため、基板側のマスク表面に形成された金属膜の分だけマスクの厚みが大きくなり、斜め方向からの成膜材料がマスクの開口部によって遮蔽されて、所望の成膜領域に均一に成膜することが困難になる。その結果、成膜領域内に膜厚分布や非成膜領域が生じてしまい、有機ＥＬ素子の発光特性に影響を及ぼし、表示品位が低下する傾向がある。 However, in the configuration described in Patent Document 1, since the metal film is plated on the entire mask, the metal film is also formed on the mask surface on the side (substrate side) in close contact with the substrate for film formation. Therefore, the thickness of the mask is increased by the amount of the metal film formed on the mask surface on the substrate side, and the film forming material from the oblique direction is shielded by the opening of the mask, and the film is uniformly formed in a desired film forming region. It becomes difficult to do. As a result, a film thickness distribution or a non-film formation region occurs in the film formation region, which affects the light emission characteristics of the organic EL element and tends to lower the display quality.
本発明は、有機ＥＬパネルの製造等に用いられる成膜用マスクおいて、マスクの厚みを低減するとともに開口部の高精細化を促進し、品質の良い有機ＥＬ素子を効率的に製造することを可能にする成膜用マスクを提供することを目的とする。 The present invention provides a film-forming mask used for manufacturing an organic EL panel, etc., and efficiently manufacturing a high-quality organic EL element by reducing the thickness of the mask and promoting high definition of the opening. An object of the present invention is to provide a film formation mask that enables the above.
本発明の成膜用マスクは、基板にパターン薄膜をマスク成膜するための成膜用マスクにおいて、マスク成膜のための開口部を有するマスク部材と、前記マスク部材の、前記基板側の表面を除く残りの表面及び前記開口部の側面に形成された金属膜と、を備えたことを特徴とする。 The film forming mask of the present invention is a film forming mask for forming a pattern thin film on a substrate, a mask member having an opening for forming the mask, and the surface of the mask member on the substrate side And a metal film formed on the remaining surface and side surfaces of the opening.
金属膜を開口部の側面に形成することで、開口径の微細化が可能となり、有機ＥＬ素子のパターンを高精細に形成することができる。また、成膜用の基板と反対側のマスク部材の表面にも金属膜を形成することによって、マスク強度が向上し、マスク洗浄に対する耐性向上による長寿命化の効果が期待できる。 By forming the metal film on the side surface of the opening, the opening diameter can be reduced and the pattern of the organic EL element can be formed with high definition. Further, by forming a metal film on the surface of the mask member opposite to the substrate for film formation, the mask strength is improved, and the effect of extending the life by improving the resistance to mask cleaning can be expected.
基板に対向する側のマスク部材の表面には金属膜が形成されていないため、開口部による成膜材料のけられを抑えられる。そのため、パターン内の膜厚分布や、非成膜領域が低減し、有機ＥＬ素子の発光特性を向上させることができる。 Since the metal film is not formed on the surface of the mask member facing the substrate, the film deposition material can be prevented from being squeezed by the openings. Therefore, the film thickness distribution in the pattern and the non-film formation region are reduced, and the light emission characteristics of the organic EL element can be improved.
本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、一実施形態による成膜用マスクの概略構成を示す。この成膜用マスクは、複数の開口部１を有する蒸着用マスクである。金属膜２は、マスク部材３の、成膜用の基板である蒸着基板側（基板側）の表面を除く残りの表面と、開口部１の側面１ａに形成されている。複数の開口部１を面内に含むマスク部材３は、蒸着用マスクの保管、搬送、蒸着等の取り扱い時において常にマスクの撓みを抑えて、開口部１の位置精度を保つために、テンションを加えた状態でフレーム（不図示）に固定支持されている。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a film forming mask according to an embodiment. This deposition mask is a deposition mask having a plurality of openings 1. The metal film 2 is formed on the remaining surface of the
金属膜２は、図１の（ｂ）の示すように、蒸着基板側と反対側のマスク部材３の表面と開口部１の側面１ａに形成されている。図１の（ａ）に示す金属膜２が形成される前のマスク部材３の開口部１は、蒸着基板側において開口径Ｘ３であるが、図１の（ｂ）に示すように金属膜２が開口部１の側面１ａに形成されると、金属膜２の厚みＨ２分だけ開口径が小さくなり、開口径Ｘ２となる。このような開口径の微細化によって、有機ＥＬ素子のパターン薄膜を高精細に形成することができる。
As shown in FIG. 1B, the metal film 2 is formed on the surface of the
図１に示す蒸着用マスクは、蒸着基板側と反対側の開口径Ｘ１が、蒸着基板側の開口径Ｘ３より大きいテーパー形状の開口部１とすることで、蒸着材料（成膜材料）のけられを低減する構成である。 The vapor deposition mask shown in FIG. 1 has a tapered opening 1 having an opening diameter X1 opposite to the vapor deposition substrate side larger than the opening diameter X3 on the vapor deposition substrate side. This is a configuration that reduces this.
あるいは、図２に示すように、蒸着基板側とその反対側の開口径Ｘ２，Ｘ１が同じである開口形状でもよい。 Or as shown in FIG. 2, the opening shape where opening diameter X2, X1 of the vapor deposition board | substrate side and the opposite side may be the same may be sufficient.
また、図１及び図２に示すように、金属膜２は蒸着基板側のマスク部材３の表面には形成されていないので、マスクの厚みが原因となって生じる蒸着材料のけられが低減される。そのため、蒸着領域内における膜厚分布及び非成膜領域が低減し、素子の発光特性が向上する。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, since the metal film 2 is not formed on the surface of the
また、金属膜２は、蒸着基板と反対側のマスク部材３の表面にも形成されているため、マスク部材３の厚みＨ３に金属膜２の厚みＨ１が加わり、これによって、マスク強度が向上し、洗浄に対する耐性向上とマスクの長寿命化の効果が期待できる。
Further, since the metal film 2 is also formed on the surface of the
金属膜２及びマスク部材３は、金属膜やマスク部材として形成することが可能な材料であれば特に限定しないが、形成の容易性や強度の観点から金属、あるいは合金の薄膜を用いるとよい。例えば、銅、ニッケル、ステンレス等の材料を用いることができる。また、ニッケル、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−鉄合金であるインバー材、ニッケル−鉄−コバルト合金であるスーパーインバー材等のニッケル合金を用いて金属膜２やマスク部材３を作製してもよい。
The metal film 2 and the
マスク部材３はエッチングによって形成してもよい。特に、開口部を鍍金工程で形成することが困難な材料の場合に有効である。例えば、低熱膨張率であるインバーをマスク部材３としてエッチングによって形成することによって、耐熱性とパターニング精度に優れたマスクを作製することができる。
The
図１に示すように、金属膜２が形成されたマスク表面の開口径Ｘ１が反対側の開口径Ｘ２よりも大きくなるように開口部１を形成することによって、開口部１による斜め方向からの成膜材料のけられの抑制効果が大きくなる。そのため、成膜される薄膜の膜厚分布や非成膜領域の低減効果も大きくなり、素子の発光特性がより向上する効果が得られる。 As shown in FIG. 1, by forming the opening 1 so that the opening diameter X1 on the mask surface on which the metal film 2 is formed is larger than the opening diameter X2 on the opposite side, the opening 1 is inclined from the oblique direction. The effect of suppressing the film deposition material is increased. Therefore, the effect of reducing the film thickness distribution and the non-film formation region of the thin film to be formed is increased, and the light emission characteristics of the element are further improved.
また、金属膜２の熱膨張率とマスク部材３の熱膨張率が等しくなるように、金属膜２とマスク部材３の材料を選定するとよい。有機ＥＬ材料の成膜時に熱が発生した場合、金属膜２とマスク部材３の熱膨張量が等しくなるために金属膜２とマスク部材３間に発生する応力が低減され、マスクへの負荷を抑えることができる。さらに、熱膨張量の違いによって発生するマスクの撓みの変化量も抑えることができるため、基板とマスクの密着性が安定し、パターニングの再現性を向上させることができる。例えば、インバー材、スーパーインバー材の熱膨張係数は１〜２×１０−６／℃と他の金属に比べて小さいので、これらの材料を金属膜２とマスク部材３に用いることによって蒸着時における熱膨張による蒸着用マスクの変形をより抑えることができる。
In addition, the materials of the metal film 2 and the
金属膜２の主成分材料のイオン化傾向は、鉄のイオン化傾向よりも小さいことが望ましい。有機ＥＬ素子の配線等の形成に用いられるアルミニウムやクロムなどは、鉄よりもイオン化傾向が大きい。そのため、金属膜２の材料がイオン化傾向が鉄よりも小さいと、マスクを洗浄する際にアルミニウムやクロム等の成膜材料（蒸着材料）を選択的に除去することが容易になる。例えば、金属膜２として、ニッケルや銅などを用いることができる。 It is desirable that the ionization tendency of the main component material of the metal film 2 is smaller than the ionization tendency of iron. Aluminum, chromium, and the like used for forming the wiring of the organic EL element have a higher ionization tendency than iron. For this reason, when the material of the metal film 2 has a smaller ionization tendency than iron, it becomes easy to selectively remove a film forming material (evaporation material) such as aluminum or chromium when cleaning the mask. For example, nickel or copper can be used as the metal film 2.
次に、蒸着用マスクの製造方法を説明する。 Next, a method for manufacturing a vapor deposition mask will be described.
まず、図１の（ａ）に示すように、複数の開口部１を含むマスク薄膜からなるマスク部材３及びフレームを作製する。開口部１は、金属や合金の薄板にエッチング、レーザー加工、または電鋳等の手段を用いることによって作製する。また、フレームは、金属や合金をレーザー加工や機械加工することで作製する。次にマスク薄膜の周辺をクランプ等で外側向きに引っ張り、マスク薄膜に所望の寸法精度を満たすように張力を与えながらマスク薄膜をゆがみのない状態にする。その状態のまま、マスク薄膜の周辺部分をフレームにスポット溶接等の固着方法によって固定支持することができる。また、マスク薄膜とフレームを電着金属層等を介して不離一体的に接合することでマスク薄膜をフレームに固定支持してもよい。
First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図１の（ｂ）に示すように、金属膜２を、蒸着によってマスク部材３の表面に形成する。蒸着基板と反対側に蒸着源を配置することによって、蒸着基板と反対側のマスク部材３の表面と開口部１の側面１ａに同時に金属膜２を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 1B, a metal film 2 is formed on the surface of the
金属膜２として、例えばニッケルや銅などの金属を蒸着によって形成することができる。 As the metal film 2, for example, a metal such as nickel or copper can be formed by vapor deposition.
また、鍍金によって金属膜２をマスク部材３の表面に形成させてもよい。金属膜２を形成するための蒸着装置を用いる必要がなく、レジスト等を用いることによってマスク部材３の所望の領域に金属膜２を形成することが可能になる。
Further, the metal film 2 may be formed on the surface of the
この蒸着用マスクを例にして、以下に実施例を説明する。 Examples will be described below by taking this vapor deposition mask as an example.
蒸着基板には、無アルカリガラスの０．６ｍｍ厚のガラス基板を用いた。この基板上に定法によって薄膜トランジスタと電極配線、及び画素電極がマトリクス状に形成されている。 As the deposition substrate, a 0.6 mm thick glass substrate made of alkali-free glass was used. Thin film transistors, electrode wirings, and pixel electrodes are formed in a matrix on this substrate by a conventional method.
マスク部材には、スーパーインバーから成る３０μｍ厚の薄膜を用い、エッチングによって複数の開口部を画素電極に対応するようにマトリクス状に形成した。さらに、蒸着法によってニッケル膜（金属膜）をマスク部材上に１０μｍの厚みで形成することで、マスクの厚みが合計４０μｍとなるようにした。これらの一連の工程によって、開口径Ｘ３の大きさが３０μｍ×６０μｍ、開口径Ｘ１の大きさが５０μｍ×８０μｍ四方のテーパ−形状の開口部を形成させた。次に、まずスーパーインバー材から成る１０ｍｍ厚のフレームに対して、パターン部精度を調整しながらテンションを加えた４０μｍ厚のマスク薄膜をスポット溶接することで、蒸着用マスクを作製した。 As a mask member, a 30 μm-thick thin film made of super invar was used, and a plurality of openings were formed in a matrix so as to correspond to the pixel electrodes by etching. Further, a nickel film (metal film) was formed to a thickness of 10 μm on the mask member by a vapor deposition method so that the total thickness of the mask was 40 μm. Through a series of these steps, a tapered opening having an opening diameter X3 of 30 μm × 60 μm and an opening diameter X1 of 50 μm × 80 μm square was formed. Next, a mask for vapor deposition was produced by spot welding a 40 μm thick mask thin film to which tension was applied while adjusting the pattern portion accuracy to a 10 mm thick frame made of Super Invar material.
この蒸着用マスクの開口部とガラス基板上の画素パターンが一致するように位置合わせをおこない、ガラス基板と蒸着用マスクの各４辺を固定することで密着させた。 Positioning was performed so that the opening of the vapor deposition mask and the pixel pattern on the glass substrate coincided, and the four sides of the glass substrate and the vapor deposition mask were fixed to be in close contact.
本実施例の蒸着用マスクの構成により、蒸着用マスクの強度を低下させることなく、開口径の微細化を可能にすることができた。公知の発光材料を用いて真空蒸着することで、ガラス基板上の画素内に膜厚分布の少ない発光層パターンが精度よく形成された有機ＥＬ素子を製造することが可能となり、表示ムラのない高精細な有機ＥＬ素子が得られた。 With the configuration of the evaporation mask of this example, it was possible to make the opening diameter fine without reducing the strength of the evaporation mask. By vacuum-depositing using a known luminescent material, it becomes possible to manufacture an organic EL element in which a light-emitting layer pattern with a small film thickness distribution is accurately formed in a pixel on a glass substrate. A fine organic EL device was obtained.
（比較例１）
蒸着基板には、無アルカリガラスの０．６ｍｍ厚のガラス基板を用いた。この基板上に定法によって薄膜トランジスタと電極配線、及び画素電極がマトリクス状に形成されている。
(Comparative Example 1)
As the vapor deposition substrate, a non-alkali glass 0.6 mm thick glass substrate was used. Thin film transistors, electrode wirings, and pixel electrodes are formed in a matrix on this substrate by a conventional method.
マスク部材には、ニッケルから成る３０μｍ厚の薄膜を用い、鍍金法によって複数の開口部を画素電極に対応するようにマトリクス状に形成した。さらに、鍍金法によってニッケル膜（金属膜）を、マスク部材の表裏両面上と開口部の側面に１０μｍの厚みで形成することで、マスクの厚みが合計５０μｍとなるようにした。これらの工程によって、開口径Ｘ３の大きさが３０μｍ×６０μｍ、開口径Ｘ１の大きさが３０μｍ×６０μｍ四方のテーパ−形状の開口部を形成させた。次に、スーパーインバー材から成る１０ｍｍ厚のフレームに対して、パターン部精度を調整しながらテンションを加えた５０μｍ厚のマスク薄膜をスポット溶接することで、蒸着用マスクを作製した。 As the mask member, a 30 μm-thick thin film made of nickel was used, and a plurality of openings were formed in a matrix shape corresponding to the pixel electrodes by a plating method. Further, a nickel film (metal film) was formed on the front and back surfaces of the mask member and the side surface of the opening by a plating method to a thickness of 10 μm, so that the total thickness of the mask was 50 μm. Through these steps, a tapered opening having an opening diameter X3 of 30 μm × 60 μm and an opening diameter X1 of 30 μm × 60 μm square was formed. Next, a 50 μm thick mask thin film to which tension was applied while adjusting the pattern portion accuracy was spot-welded to a 10 mm thick frame made of Super Invar material to produce a vapor deposition mask.
この蒸着用マスクの開口部とガラス基板上の画素パターンが一致するように位置合わせをおこない、ガラス基板と蒸着用マスクの各４辺を固定することで密着させた。 Positioning was performed so that the opening of the vapor deposition mask and the pixel pattern on the glass substrate coincided, and the four sides of the glass substrate and the vapor deposition mask were fixed to be in close contact.
この蒸着用マスクを用いて公知の発光材料を用いて真空蒸着すると、開口部による蒸着材料のけられが増加し、実施例１と比較して画素内の有機層の膜厚分布が大きくなった。その結果、得られた有機ＥＬ素子に表示ムラが生じた。 When vacuum deposition was performed using a known light-emitting material using this deposition mask, the deposition of the deposition material due to the openings increased, and the film thickness distribution of the organic layer in the pixel increased compared to Example 1. . As a result, display unevenness occurred in the obtained organic EL element.
（比較例２）
蒸着基板には、無アルカリガラスの０．６ｍｍ厚のガラス基板を用いた。この基板上に定法によって薄膜トランジスタと電極配線、及び画素電極がマトリクス状に形成されている。
(Comparative Example 2)
As the vapor deposition substrate, a non-alkali glass 0.6 mm thick glass substrate was used. Thin film transistors, electrode wirings, and pixel electrodes are formed in a matrix on this substrate by a conventional method.
マスク部材には、スーパーインバーから成る３０μｍ厚の薄膜を用い、エッチングによって複数の開口部を画素電極に対応するようにマトリクス状に形成した。これらの工程によって、開口径Ｘ３の大きさが５０μｍ×８０μｍ、開口径Ｘ１の大きさが７０μｍ×１００μｍ四方のテーパ−形状の開口部を形成させた。次に、まずスーパーインバー材から成る１０ｍｍ厚のフレームに対して、パターン部精度を調整しながらテンションを加えた３０μｍ厚のマスク薄膜をスポット溶接することで、蒸着用マスクを作製した。 As a mask member, a 30 μm-thick thin film made of super invar was used, and a plurality of openings were formed in a matrix so as to correspond to the pixel electrodes by etching. Through these steps, a tapered opening having an opening diameter X3 of 50 μm × 80 μm and an opening diameter X1 of 70 μm × 100 μm square was formed. Next, a mask for vapor deposition was manufactured by spot welding a 30 μm thick mask thin film to which tension was applied while adjusting the pattern portion accuracy to a 10 mm thick frame made of Super Invar material.
この蒸着用マスクの開口部とガラス基板上の画素パターンが一致するように位置合わせをおこない、ガラス基板と蒸着用マスクの各４辺を固定することで密着させた。 Positioning was performed so that the opening of the vapor deposition mask and the pixel pattern on the glass substrate coincided, and the four sides of the glass substrate and the vapor deposition mask were fixed to be in close contact.
この蒸着用マスクでは、開口径の微細化に限界があり、また、実施例１と比較してマスク強度の低下が生じてしまった。公知の発光材料を用いて真空蒸着すると、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ層にパターンずれが生じ、得られた有機ＥＬ素子に表示ムラが生じた。 In this vapor deposition mask, there is a limit to miniaturization of the opening diameter, and the mask strength is reduced as compared with Example 1. When vacuum deposition was performed using a known light-emitting material, a pattern shift occurred in the organic EL layer formed on the glass substrate, and display unevenness occurred in the obtained organic EL element.
１ 開口部
１ａ 側面
２ 金属膜
３ マスク部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Opening part 1a Side surface 2
Claims (9)
マスク成膜のための開口部を有するマスク部材と、
前記マスク部材の、前記基板側の表面を除く残りの表面及び前記開口部の側面に形成された金属膜と、を備えたことを特徴とする成膜用マスク。 In a film formation mask for forming a pattern thin film on a substrate as a mask,
A mask member having an opening for mask film formation;
A film-forming mask comprising: the remaining surface of the mask member excluding the substrate-side surface; and a metal film formed on a side surface of the opening.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007168747A JP2009009777A (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Film forming mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007168747A JP2009009777A (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Film forming mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009009777A true JP2009009777A (en) | 2009-01-15 |
Family
ID=40324671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007168747A Pending JP2009009777A (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Film forming mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009009777A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013142195A (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask |
| JP2013142196A (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask |
| JP2016106179A (en) * | 2016-03-02 | 2016-06-16 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, and method for manufacturing organic electroluminescent element |
| WO2016104207A1 (en) * | 2014-12-27 | 2016-06-30 | 日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask and manufacturing method therefor |
| JP2016148115A (en) * | 2016-03-02 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing vapor deposition mask and method of manufacturing vapor deposition mask device |
| JP2016166413A (en) * | 2016-03-02 | 2016-09-15 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, and production method of organic electroluminescence element |
| JP2017137582A (en) * | 2017-04-28 | 2017-08-10 | 大日本印刷株式会社 | Metal mask with resin layer |
| CN109097727A (en) * | 2018-08-01 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate and preparation method thereof and display device |
| CN109219897A (en) * | 2016-05-24 | 2019-01-15 | 应用材料公司 | Shadow mask with plasma resistant coating |
| WO2020056866A1 (en) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled display panel and preparation method therefor, and mask plate for evaporation plating |
| JP2021080567A (en) * | 2021-01-28 | 2021-05-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow mask with plasma resistant coating |
-
2007
- 2007-06-27 JP JP2007168747A patent/JP2009009777A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013142196A (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask |
| JP2013142195A (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask |
| JP2016125097A (en) * | 2014-12-27 | 2016-07-11 | 日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask and method for manufacturing the same |
| WO2016104207A1 (en) * | 2014-12-27 | 2016-06-30 | 日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask and manufacturing method therefor |
| JP2016166413A (en) * | 2016-03-02 | 2016-09-15 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, and production method of organic electroluminescence element |
| JP2016148115A (en) * | 2016-03-02 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing vapor deposition mask and method of manufacturing vapor deposition mask device |
| JP2016106179A (en) * | 2016-03-02 | 2016-06-16 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, and method for manufacturing organic electroluminescent element |
| CN109219897A (en) * | 2016-05-24 | 2019-01-15 | 应用材料公司 | Shadow mask with plasma resistant coating |
| JP2019516867A (en) * | 2016-05-24 | 2019-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow mask with plasma resistant coating |
| US11566322B2 (en) | 2016-05-24 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Shadow mask with plasma resistant coating |
| JP2017137582A (en) * | 2017-04-28 | 2017-08-10 | 大日本印刷株式会社 | Metal mask with resin layer |
| CN109097727A (en) * | 2018-08-01 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate and preparation method thereof and display device |
| WO2020056866A1 (en) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled display panel and preparation method therefor, and mask plate for evaporation plating |
| JP2021080567A (en) * | 2021-01-28 | 2021-05-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow mask with plasma resistant coating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009009777A (en) | Film forming mask | |
| US7915073B2 (en) | Method of manufacturing the organic electroluminescent display and organic electroluminescent display manufactured by the method | |
| JP4072422B2 (en) | Deposition mask structure, method for producing the same, and method for producing organic EL element using the same | |
| US7572338B2 (en) | Mask for depositing thin film of flat panel display and method of fabricating the mask | |
| JP4971723B2 (en) | Manufacturing method of organic light emitting display device | |
| US10439170B2 (en) | Multi-layer mask | |
| JP5215742B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display device | |
| JP5151004B2 (en) | Metal mask unit and manufacturing method thereof | |
| TWI500784B (en) | Mask plate component | |
| JP2005154879A (en) | Metal mask for vapor deposition, and method of producing vapor deposition pattern using the same | |
| JP2012059631A (en) | Mask for organic electroluminescence | |
| TW201420785A (en) | Mask strips and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
| TWI377866B (en) | Mask frame for thin film deposition of flat panel display and deposition apparatus using the same | |
| JP2007224396A (en) | Film-forming method, and mask used in forming film | |
| WO2019043866A1 (en) | Method for manufacturing film formation mask | |
| JP6671572B1 (en) | Evaporation mask, method of manufacturing evaporation mask, and method of manufacturing organic semiconductor element | |
| KR20140005464A (en) | Method for manufacturing metal mask for large-area display | |
| JP2014194062A (en) | Mask frame unit, mask apparatus, and processing method | |
| JP4616667B2 (en) | Mask structure, vapor deposition method using the same, and method for manufacturing organic light emitting device | |
| JP6167526B2 (en) | Method for manufacturing vapor deposition mask and method for manufacturing organic semiconductor element | |
| US20200362449A1 (en) | Mask plate, method for fabricating the same and evaporation device | |
| JP2007234248A (en) | Deposition mask and manufacturing method of organic el display using it | |
| KR101330488B1 (en) | Shadow mask and method of fabricating the same | |
| JP2007270289A (en) | Film-forming mask | |
| JP2008184670A (en) | Method for producing organic el element, and mask for film deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090527 |