JP4616667B2 - Mask structure, vapor deposition method using the same, and method for manufacturing organic light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子（以後、有機ＥＬ素子と記載）の製造におけるマスク構造体とこれを用いた蒸着方法、並びに有機発光素子の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a mask structure in the production of an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element), a vapor deposition method using the same, and a method for producing an organic light emitting element.

有機ＥＬ素子は、一対の電極とその電極間に挟まれた発光層とからなり、電極間に電圧を印加することによって自発光する。有機ＥＬ素子は、薄型ディスプレイとして現在広く普及している液晶ディスプレイに比較して、高輝度、高コントラスト、広視野角、薄型、少部品数などの長所を持ち、次世代のディスプレイとして注目されている。近年、有機ＥＬ素子が、発光効率の向上と寿命の向上が図られ実用領域に入りつつある。   An organic EL element includes a pair of electrodes and a light emitting layer sandwiched between the electrodes, and emits light by applying a voltage between the electrodes. Organic EL devices have advantages such as high brightness, high contrast, wide viewing angle, thinness, and small number of parts compared to liquid crystal displays that are currently widely used as thin displays. Yes. In recent years, organic EL elements have been put into practical use due to improvements in luminous efficiency and lifetime.

有機ＥＬ素子は、ガラスやプラスチック等の基板に第１の電極を設け、この第１の電極上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層・電子注入層などで構成される有機層及び第２の電極薄膜を堆積することにより作製される。第１の電極と第２の電極の少なくともどちらか一方は透明な電極とする。   An organic EL element is an organic device in which a first electrode is provided on a substrate such as glass or plastic, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. are formed on the first electrode Fabricated by depositing a layer and a second electrode film. At least one of the first electrode and the second electrode is a transparent electrode.

電極間に電圧を印加して電流を供給すると、陽極側からホール、陰極側から電子が有機層に注入される。有機層中でのホールと電子との再結合によって発光体分子が励起され、励起分子が失活する際に発生した光が透明電極側から外部へ取り出される。   When a voltage is applied between the electrodes to supply a current, holes are injected from the anode side and electrons are injected from the cathode side into the organic layer. The phosphor molecules are excited by recombination of holes and electrons in the organic layer, and light generated when the excited molecules are deactivated is extracted from the transparent electrode side to the outside.

このような有機ＥＬ素子の製作において、有機層および第２の電極薄膜の成膜は真空蒸着法が多用される。その際、蒸着すべき領域にのみ蒸着物が堆積するような開口領域を金属薄板に形成したマスクを用いて真空蒸着を行い所望のパターンが形成される。   In the manufacture of such an organic EL element, vacuum deposition is frequently used for forming the organic layer and the second electrode thin film. At this time, a desired pattern is formed by performing vacuum vapor deposition using a mask in which an opening region in which a vapor deposition material is deposited only in a region to be vapor-deposited is formed on a thin metal plate.

近年、有機ＥＬ素子はフルカラー化、高精細化が図られており、フルカラーの場合ＲＧＢ別に３色の有機層のパターニングが必要である。また、有機ＥＬ素子の高精細化のためには高精細なパターニングが求められる。従って、マスクを用いた真空蒸着法には、微細な開口領域と高い寸法精度を持つ高精度なマスクとそれを用いた高精度な真空蒸着パターニングが必要とされる。   In recent years, organic EL elements have been made full color and high definition, and in the case of full color, it is necessary to pattern organic layers of three colors for each RGB. In addition, high-definition patterning is required for high-definition organic EL elements. Therefore, a vacuum deposition method using a mask requires a highly accurate mask having a fine opening region and high dimensional accuracy, and highly accurate vacuum deposition patterning using the mask.

特許文献１では、基板を保持する工程と、基板上に第１電極層、少なくとも１層の有機層及び第２電極層を順次形成する工程と、を有し、上記第１電極層、少なくとも１層の有機層及び第２電極層のうち少なくとも１層を形成する工程は、磁性体マスクを用いて蒸着する蒸着工程を含む。蒸着工程は、基板及び磁性体マスクを所定間隔だけ隔てるスペーサを基板及び磁性体マスク間に介在せしめかつ磁性体マスクを磁気吸着しつつ実行する。このことにより、基板と蒸着マスクとの接触による有機ＥＬ媒体層や電極の損傷を避けつつマスクの密着性を高め、高精度なパターニングを簡便に行うことが可能となる。   Patent Document 1 includes a step of holding a substrate and a step of sequentially forming a first electrode layer, at least one organic layer, and a second electrode layer on the substrate, and the first electrode layer, at least 1 The step of forming at least one of the organic layer and the second electrode layer includes a vapor deposition step of vapor deposition using a magnetic mask. The vapor deposition step is performed while a spacer that separates the substrate and the magnetic mask by a predetermined interval is interposed between the substrate and the magnetic mask, and the magnetic mask is magnetically attracted. As a result, it is possible to easily perform high-precision patterning by improving the adhesion of the mask while avoiding damage to the organic EL medium layer and the electrode due to contact between the substrate and the vapor deposition mask.

特許文献２では、薄板よりなり、所定パターンの開口領域が形成されたマスクと、前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなるメタルマスク構造体が提案されている。これにより、マスクとフレームとの溶接時に生じるクラックなどの溶接不良を最小化してマスクの変形を最小化でき、開口領域幅の精度、トータルピッチの精度及び表面平滑性を同時に高めることができるというものである。   In Patent Document 2, a mask made of a thin plate and having an opening region of a predetermined pattern, a frame that supports a state in which a tensile force is applied to the mask on one surface of the mask, and the other surface of the mask A metal mask structure including a cover mask for supporting a mask portion corresponding to the frame has been proposed. This minimizes welding defects such as cracks that occur when the mask and frame are welded, thereby minimizing mask deformation and simultaneously improving the accuracy of the opening area width, the accuracy of the total pitch, and the surface smoothness. It is.

特許文献３では、蒸着範囲を規制するウインドウを複数個備えた第一金属マスクを兼ねるベースプレートの上に、多数の微細なスリットを微小間隔で平行に配列した構成のすだれ部を備えた第二金属マスクを配置し、その一端をマスククランプでベースプレートに固定し、他端をスライダに固定し、そのスライダに圧縮コイルバネでばね力を付与することで第二金属マスクのすだれ部に張力を付与し、スリットを真っ直ぐな状態で且つ所定のピッチに維持する構成とすることが提案されている。この第二金属マスクの上に基板を配して蒸着を行うことで、基板に高精細なパターンを多面付けで形成することができるとされている。   In Patent Document 3, a second metal provided with a blind portion having a structure in which a large number of minute slits are arranged in parallel at minute intervals on a base plate that also serves as a first metal mask provided with a plurality of windows that regulate the deposition range. Place the mask, fix one end to the base plate with a mask clamp, fix the other end to the slider, and apply tension to the slider with a compression coil spring to apply tension to the interdigital part of the second metal mask, It has been proposed that the slits be kept straight and at a predetermined pitch. It is said that by depositing a substrate on the second metal mask and performing vapor deposition, it is possible to form a high-definition pattern on the substrate with multiple surfaces.

特許文献４では、シート状物質に少なくとも１つ以上の開口領域が存在するシャドーマスクであって、マスク部分の一方の面に前記開口領域を横切るようにして補強線が接続され、前記マスク部分の補強線が存在していない面と前記補強線との間に隙間が存在することを特徴とするシャドーマスクについて述べられている。シート状物質の面内に複数の開口領域が存在し、シート状物質からなるマスク部分に開口領域を横切るように設けられた補強線が接続されている。この補強線はマスク部分がたわみなどによって所定の位置から動き、開口領域の形状が変化することを防止するというものである。マスク部分の厚さに対して補強線幅が細く、また、高い平面性を保った状態で使用可能なシャドーマスクを比較的容易に製造することができるので、高い精度が要求されるパターン加工に対して効果的であるとされている。   In Patent Document 4, a shadow mask in which at least one opening region exists in a sheet-like substance, and a reinforcing wire is connected to one surface of the mask portion so as to cross the opening region, A shadow mask is described in which a gap exists between a surface where no reinforcing wire exists and the reinforcing wire. A plurality of opening areas exist in the plane of the sheet-like substance, and a reinforcing wire provided so as to cross the opening area is connected to a mask portion made of the sheet-like substance. This reinforcement line prevents the mask portion from moving from a predetermined position due to deflection or the like, thereby changing the shape of the opening region. The shadow line width is narrower than the thickness of the mask part, and a shadow mask that can be used with a high level of flatness can be manufactured relatively easily. It is said that it is effective against this.

このように、マスクを用いた高精度な真空蒸着パターニングに関して種々の提案がされている。   As described above, various proposals have been made regarding highly accurate vacuum deposition patterning using a mask.

一般的にこのようなマスクはエッチング法またはエレクトロフォーミング法により作製される。エッチング法ではフォトレジストパターンを金属薄板に形成した後に金属薄板をエッチングして開口を形成するものである。また、エレクトロフォーミング法は、開口の元となる母型に電気めっき法で所要の厚さの金属層を電着させた後にこれを母型から剥離するものである。   In general, such a mask is manufactured by an etching method or an electroforming method. In the etching method, a photoresist pattern is formed on a metal thin plate, and then the metal thin plate is etched to form an opening. In the electroforming method, a metal layer having a required thickness is electrodeposited by electroplating on a mother die serving as an opening, and then peeled off from the mother die.

このようなマスクは高い寸法精度の開口を得るためにその厚さは数１０μｍ程度である。真空蒸着時にたわむことなく支持するためにマスクは張力が加えられた状態でマスクフレームに固定支持される。この際、マスクに形成された開口寸法やそれらのトータルピッチが十分な精度となるように張力の大きさや方向、分布、マスクフレームへの固定方法などに注意が払われる。   Such a mask has a thickness of about several tens of micrometers in order to obtain an opening with high dimensional accuracy. The mask is fixedly supported on the mask frame in a state where tension is applied in order to support it without bending during vacuum deposition. At this time, attention is paid to the size and direction of the tension, the distribution, the fixing method to the mask frame, etc. so that the size of the openings formed in the mask and the total pitch thereof are sufficiently accurate.

また、真空蒸着の際には、基板とマスク間に隙間がある場合には蒸着材料の回り込みが生じてパターンボケやパターンの位置ずれが起こるため、基板とマスクとの間の密着を良好にするために板状のマグネットによりマスクを基板側に吸着する手段が用いられている。   Also, during vacuum deposition, if there is a gap between the substrate and the mask, the vapor deposition material will wrap around and pattern blurring and pattern misalignment will occur, so the adhesion between the substrate and the mask will be good Therefore, means for adsorbing the mask to the substrate side with a plate-like magnet is used.

特開２００１−２７３９７６号公報JP 2001-273976 A 特開２００４−１６９１６９号公報JP 2004-169169 A 特開２００３−６８４５４号公報JP 2003-68454 A 特開平１０−３３０９１０号公報JP-A-10-330910

マスクをマスクフレームに固定したマスク構造体を作製する場合、マスクの張力によってマスクフレームが変形する。寸法精度が良好なマスク構造体を得るためには、マスクの張力とマスク自体の伸びの他に、マスクフレームの変形量も考慮する必要がある。   When producing a mask structure in which a mask is fixed to a mask frame, the mask frame is deformed by the tension of the mask. In order to obtain a mask structure with good dimensional accuracy, it is necessary to consider the deformation amount of the mask frame in addition to the tension of the mask and the elongation of the mask itself.

マスクの張力と伸びとマスクフレームの変形量とを制御してマスクの開口寸法やそれらのトータルピッチなどの寸法精度を高くすることが困難であった。マスクの張力を小さくした場合には、マスクの伸びやマスクフレームの変形が小さくなるためマスクの寸法精度は良くなるが、マスク中央付近が垂れ下がったり、フレーム角部付近のマスクにたるみが生じたり、真空蒸着時の熱によりマスクが膨張してしわが生じたりすることによって、蒸着パターンに寸法ずれやパターンボケが生じたりするという問題点があった。   It has been difficult to control the mask tension and elongation and the amount of deformation of the mask frame to increase the dimensional accuracy of the mask opening dimensions and their total pitch. If the tension of the mask is reduced, mask elongation and deformation of the mask frame are reduced, so the dimensional accuracy of the mask is improved, but the mask center hangs down, sagging occurs in the mask near the corner of the frame, When the mask expands due to heat during vacuum deposition and wrinkles are generated, there is a problem in that dimensional shift and pattern blur occur in the vapor deposition pattern.

また、実際に有機ＥＬ素子を作製する際にはできるだけ大面積のマスクで多数の有機ＥＬ素子を一括蒸着して生産性良く有機ＥＬ素子を作製したいため、寸法精度の高い大面積のマスクが望まれる。   Further, when actually manufacturing an organic EL element, it is desired to produce an organic EL element with high productivity by batch-depositing a large number of organic EL elements with a mask having a large area as much as possible. It is.

近年、携帯電話に搭載される小型有機ＥＬ素子などでは１７０ｐｐｉ(pixels per inch)程度の精細度のものが利用されつつある。図８は１７０ｐｐｉの精細度となるような蒸着パターンを形成する場合に必要とされる蒸着パターンの幅の偏差（ΔＷ）と位置ずれの偏差（ΔＸ）の許容値を示した線図である。横方向の画素有効開口率が４０％と６０％の場合を示した。例えば、画素有効開口率が４０％の場合、蒸着パターンの幅の偏差が７μｍ程度あるときには、位置ずれは６μｍ程度しか許容されない。さらに高輝度化、低消費電力、長寿命化のためにはより大きな開口率とすることが望まれ、要求される蒸着パターンの寸法精度もより高いものとなる。   In recent years, a small organic EL element or the like mounted on a mobile phone has been used with a definition of about 170 ppi (pixels per inch). FIG. 8 is a diagram showing the permissible values of the deviation (ΔW) of the deposition pattern and the deviation (ΔX) of the positional deviation, which are required when forming a deposition pattern having a definition of 170 ppi. The case where the pixel effective aperture ratio in the horizontal direction is 40% and 60% is shown. For example, when the pixel effective aperture ratio is 40% and the deviation of the width of the vapor deposition pattern is about 7 μm, the positional deviation is only allowed to be about 6 μm. Furthermore, a higher aperture ratio is desired for higher brightness, lower power consumption, and longer life, and the required dimensional accuracy of the vapor deposition pattern is higher.

さらに、蒸着時の蒸着粒子は必ずしも基板表面に対して鉛直に入射するのではなくある広がりをもった角度で入射して基板表面に堆積するために、マスクと基板間にギャップがある場合には蒸着パターンに広がりが生じる。さらに、蒸着粒子の飛来角度が基板鉛直線に対して非対称である場合には蒸着パターンがマスクの開口領域直下からずれて位置ずれが生じる。通常、蒸着源は１０ｃｍから１００ｃｍ程度の距離を隔てて基板の下方にあり、蒸着源の直上では蒸着粒子の飛来角度が基板鉛直線に対して対称となるのでマスクの開口中心と蒸着パターン中心とに位置ずれは生じない。基板の端部では蒸着源から水平方向に離れるため、蒸着粒子の飛来角度が基板鉛直線に対して非対称となりマスクの開口中心と蒸着パターン中心とに位置ずれが生じる。これは基板が大きいほど起きやすい。有機EL素子の製造に使用する基板の大きさは３０ｃｍから６０ｃｍ程度であり、基板端に近いところでは、基板表面に入射する蒸着粒子の角度は４５度を超えることがある。図９はマスク−基板間ギャップと蒸着パターンの広がり及び位置ずれを示した線図である。図９は、蒸着粒子が基板表面に入射する最大角度が４５度の実際の蒸着の典型例を示している。マスク−基板間ギャップが１０μｍの場合には、１４μｍ程度の蒸着パターン広がり（ΔＷ）と、３μｍ程度の位置ずれ(ΔＸ）が生じ、図８で示した画素有効開口率が４０％の例の許容値を満足することはできない。マスク−基板間ギャップを小さくすれば蒸着パターン広がりと、位置ずれ(ΔＸ）を小さくすることができる。例えば、マスク−基板間ギャップが５μｍの場合には、蒸着パターン広がり（ΔＷ）を７μｍ程度、位置ずれ(ΔＸ）を１．５μｍ程度にすることができ、図８で示した画素有効開口率が４０％の例の許容値内となる。   Furthermore, when vapor deposition particles are not necessarily incident perpendicularly to the substrate surface but are incident on the substrate surface with a certain angle of spread, there is a gap between the mask and the substrate. A spread occurs in the deposition pattern. Further, when the flying angle of the vapor deposition particles is asymmetric with respect to the substrate vertical line, the vapor deposition pattern is displaced from directly below the opening area of the mask, resulting in a positional shift. Usually, the deposition source is below the substrate with a distance of about 10 cm to 100 cm, and the flying angle of the deposition particles is symmetric with respect to the substrate vertical line immediately above the deposition source, so the center of the mask opening and the center of the deposition pattern There is no misalignment. Since the edge of the substrate is separated from the vapor deposition source in the horizontal direction, the flying angle of the vapor deposition particles becomes asymmetric with respect to the vertical line of the substrate, and a positional deviation occurs between the opening center of the mask and the vapor deposition pattern center. This is more likely to occur with larger substrates. The size of the substrate used for manufacturing the organic EL element is about 30 cm to 60 cm, and the angle of the vapor deposition particles incident on the substrate surface may exceed 45 degrees near the end of the substrate. FIG. 9 is a diagram showing the mask-substrate gap, the spread and misalignment of the vapor deposition pattern. FIG. 9 shows a typical example of actual vapor deposition in which the maximum angle at which the vapor deposition particles enter the substrate surface is 45 degrees. When the mask-substrate gap is 10 μm, an evaporation pattern spread (ΔW) of about 14 μm and a positional shift (ΔX) of about 3 μm occur, and the pixel effective aperture ratio shown in FIG. The value cannot be satisfied. If the mask-substrate gap is reduced, the spread of the deposition pattern and the positional deviation (ΔX) can be reduced. For example, when the mask-substrate gap is 5 μm, the deposition pattern spread (ΔW) can be set to about 7 μm and the positional deviation (ΔX) can be set to about 1.5 μm. The pixel effective aperture ratio shown in FIG. It is within the allowable value of 40% of the example.

本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、高寸法精度の蒸着パターンを得ることができ、マスクフレームの変形を防止しつつマスクを張力が加えられた状態でマスクフレームに固定した高精度なマスク構造体およびそれを用いた蒸着方法、並びに有機発光素子の製造方法を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above problems, and its purpose is to obtain a high dimensional accuracy vapor deposition pattern in a state where a mask is tensioned while preventing deformation of the mask frame. An object of the present invention is to provide a highly accurate mask structure fixed to a frame, a vapor deposition method using the same, and a method for manufacturing an organic light emitting device.

本発明のマスク構造体は、１以上の開口からなる開口領域を有するマスクと、少なくとも互いに対向する一対の辺を有し、前記マスクに張力を印加した状態で該マスクの端部を固定する枠体、および、前記一対の辺を互いに接続し、隣接する前記開口の間の領域の直下のそれぞれに配置され、前記枠体と同一材料で一体的に形成されている接続部材を有するマスクフレームと、を備える。 The mask structure of the present invention has a mask having an opening region composed of one or more openings and a pair of sides facing each other at least, and a frame for fixing an end of the mask in a state where tension is applied to the mask. A mask frame having a body and a connecting member that connects the pair of sides to each other and is disposed immediately below a region between the adjacent openings and is integrally formed of the same material as the frame. .

前記接続部材は前記マスクに接触していることが好ましい。   It is preferable that the connection member is in contact with the mask.

前記マスクフレームは、互いに直交する複数の接続部材を有し、前記枠体と該接続部材の間または該接続部材同士の間の領域に形成される穴部が格子状に配置されることが好ましい。   The mask frame preferably includes a plurality of connection members orthogonal to each other, and holes formed in a region between the frame body and the connection members or between the connection members are preferably arranged in a lattice pattern. .

前記マスクは蒸着用マスクであり、かつ前記接続部材の断面形状は前記マスクより離れるにしたがって幅狭に形成されていることが好ましい。   It is preferable that the mask is a vapor deposition mask, and that the cross-sectional shape of the connection member is formed narrower as the distance from the mask increases.

前記穴部の形成密度は前記マスクの長手方向よりも短手方向の方が大きいことが好ましい。   It is preferable that the formation density of the holes is larger in the short direction than in the longitudinal direction of the mask.

本発明の蒸着方法は、上記のマスク構造体を基板上に配置する工程と、蒸発源からの蒸発物を前記マスク構造体の前記開口領域を介して基板上に堆積させる工程と、を含む。
また本発明の有機発光素子の製造方法は、上記のマスク構造体を基板上に配置する工程と、蒸発源からの蒸発物を前記マスク構造体の前記開口領域を介して基板上に堆積させ、有機発光層及び／または電極層を形成する工程と、を含む。 The vapor deposition method of the present invention includes a step of arranging the mask structure on the substrate and a step of depositing an evaporant from an evaporation source on the substrate through the opening region of the mask structure.
The organic light-emitting device manufacturing method of the present invention includes a step of disposing the mask structure on the substrate, and depositing an evaporant from an evaporation source on the substrate through the opening region of the mask structure, Forming an organic light emitting layer and / or an electrode layer.

本発明によれば、マスク構造体のマスクの開口領域が所望の位置からずれにくくなる。したがって、マスク構造体を用いた蒸着によって形成される蒸着パターンの不良が抑えられ、高精細な有機ＥＬ素子の製造が可能となる。   According to the present invention, the mask opening region of the mask structure is less likely to be displaced from a desired position. Therefore, the defect of the vapor deposition pattern formed by vapor deposition using a mask structure is suppressed, and it becomes possible to manufacture a high-definition organic EL element.

本発明のマスク構造体およびそのマスク構造体を用いた蒸着方法の実施形態について図面を用いて説明する。   Embodiments of a mask structure of the present invention and a vapor deposition method using the mask structure will be described with reference to the drawings.

図１および図２に示すマスク構造体１０は、マスク１２とマスクフレーム１６を備える。マスク１２は、開口領域１４を有するシート状のものである。マスクフレーム１６は、少なくとも互いに対向する一対の辺を有し、マスク１２が張力を加えられながらマスク１２の端部が固定される枠体１８と、枠体１８の一対の辺を互いに接続し、開口領域１４同士の間の直下に配置される桟２０（接続部材に対応）を有する。   A mask structure 10 shown in FIGS. 1 and 2 includes a mask 12 and a mask frame 16. The mask 12 is a sheet having an opening region 14. The mask frame 16 has at least a pair of sides facing each other, and connects the frame body 18 to which the end of the mask 12 is fixed while the mask 12 is applied with tension, and the pair of sides of the frame body 18 to each other. It has a crosspiece 20 (corresponding to a connecting member) arranged immediately below between the opening regions 14.

マスク１２は、金属磁性体からなる。金属磁性体の一例としては、ニッケルまたはニッケル系合金からなるものである。ニッケル系合金としては、例えばニッケル−コバルト合金がある。マスク１２は電鋳法により製造されたものである。マスク１２の厚みは１０μｍ〜３０μｍである。マスク１２が金属磁性体であるので、蒸着時にマスク１２と板状のマグネットによって基板を挟むことができ、マグネットの磁力によってマスク１２を基板に密着させることができる。   The mask 12 is made of a metal magnetic material. An example of the metal magnetic body is made of nickel or a nickel-based alloy. An example of the nickel-based alloy is a nickel-cobalt alloy. The mask 12 is manufactured by an electroforming method. The thickness of the mask 12 is 10 μm to 30 μm. Since the mask 12 is a metal magnetic material, the substrate can be sandwiched between the mask 12 and a plate-shaped magnet during vapor deposition, and the mask 12 can be brought into close contact with the substrate by the magnetic force of the magnet.

図１および図２に示すマスク１２の開口領域１４は、いわゆるセルと言われているものである。開口領域１４は、図３に示すように開口１４ａが縦横に並べられたものである。開口１４ａは、有機ＥＬ素子のサブピクセルに対応している（なお、本発明は開口領域１４に開口１４ａが１つしか存在しない場合を含む）。   The opening area 14 of the mask 12 shown in FIGS. 1 and 2 is a so-called cell. As shown in FIG. 3, the opening region 14 has openings 14 a arranged vertically and horizontally. The opening 14a corresponds to a sub-pixel of the organic EL element (note that the present invention includes a case where only one opening 14a exists in the opening region 14).

桟２０はマスク１２に接触している。桟２０がマスク１２を下方から支えるように接触することによって、マスク１２が重力によってたれ下がるのを防止する。マスク１２がたれ下がらないので、マスク１２と基板との密着度が増す。大型のマスク１２であっても蒸着不良が発生しにくくなる。   The crosspiece 20 is in contact with the mask 12. Since the crosspiece 20 contacts the mask 12 so as to support the mask 12 from below, the mask 12 is prevented from sagging due to gravity. Since the mask 12 does not sag, the degree of adhesion between the mask 12 and the substrate increases. Even a large mask 12 is less likely to cause vapor deposition defects.

枠体１８と桟２０とは、同一材料で一体的に形成されていることが好ましく、その材料の種類としては、SUS、アルミニウム、インバー合金などの金属である。桟２０は、枠体１８で形成される仮想平面よりも上方に飛び出さないようになっている。枠体１８と桟２０とを一体的に形成することによって、マスクフレーム１６の平坦度が高い。平坦度としては、±６０μｍ（高低のレンジが１２０μｍ）以下になるようにする。なお、枠体１８と桟２０とを別体として、ねじ止めなどで枠体１８と桟２０とを接続すると、枠体１８や桟２０にひずみが生じやすく、両者を一体的に形成する場合と比較して平坦度の低いマスクフレーム１６となりやすい。枠体１８および桟２０の厚さおよび幅、形状は、蒸着プロセスに使用する上で十分な精度、剛性が得られるように、構造シミュレーションや実験等により適切に設計、製作すればよい。凡その枠体１８および桟２０の厚さおよび幅としては、厚さが１ｍｍ〜１０ｍｍ、幅が２ｍｍ〜５０ｍｍの間で利用される。   The frame 18 and the crosspiece 20 are preferably formed integrally with the same material, and the material is a metal such as SUS, aluminum, or Invar alloy. The crosspiece 20 is configured not to protrude above a virtual plane formed by the frame body 18. By integrally forming the frame 18 and the crosspiece 20, the flatness of the mask frame 16 is high. The flatness is set to ± 60 μm (the height range is 120 μm) or less. In addition, when the frame 18 and the crosspiece 20 are separated and the frame 18 and the crosspiece 20 are connected by screwing or the like, the frame 18 and the crosspiece 20 are likely to be distorted, and the two are integrally formed. In comparison, the mask frame 16 tends to have a lower flatness. The thickness, width, and shape of the frame 18 and the crosspiece 20 may be appropriately designed and manufactured by structural simulation or experiment so that sufficient accuracy and rigidity can be obtained for use in the vapor deposition process. Generally, the thickness and width of the frame 18 and the crosspiece 20 are 1 mm to 10 mm in thickness and 2 mm to 50 mm in width.

また、図１や図４に示されるように、マスクフレーム１６は、互いに直交する複数の桟２０を有し、桟２０と枠体１８の間または桟２０同士の間の領域に形成される穴部２２は格子状に配置される。開口領域１４と穴部２２とは、Ｎ（Ｎは１以上の整数）対１に対応している（図１ではＮは７、図４ではＮは２）。図１や図４のようにＮを２以上に設定すれば、穴部２２よりも開口領域１４の方が多くなる。また図４の場合、穴部２２が複数列（３列）に配置されており、この場合、桟２０が格子状により密に形成されるので、マスクフレーム１６の剛性をより高いものとすることができ、より寸法精度の高いマスク構造体を容易に製作できる。   As shown in FIGS. 1 and 4, the mask frame 16 has a plurality of crosspieces 20 orthogonal to each other, and a hole formed in a region between the crosspiece 20 and the frame 18 or between the crosspieces 20. The parts 22 are arranged in a grid pattern. The opening region 14 and the hole 22 correspond to N (N is an integer of 1 or more) to 1 (N is 7 in FIG. 1 and N is 2 in FIG. 4). If N is set to 2 or more as shown in FIGS. 1 and 4, the opening area 14 is larger than the hole 22. In the case of FIG. 4, the hole portions 22 are arranged in a plurality of rows (three rows). In this case, the crosspieces 20 are densely formed in a lattice shape, so that the rigidity of the mask frame 16 is made higher. The mask structure with higher dimensional accuracy can be easily manufactured.

また、桟２０は、枠体１８の対向する辺の中点同士を結ぶ線に対して対称になるように桟２０を設けてもよい。枠体１８にマスク１２を固定した際のマスクフレーム１６の変形が対称的とすることができ、マスク１２が非対称にゆがみにくくなる。   Further, the crosspiece 20 may be provided so as to be symmetric with respect to a line connecting the midpoints of the opposite sides of the frame 18. The deformation of the mask frame 16 when the mask 12 is fixed to the frame 18 can be made symmetric, and the mask 12 is hardly asymmetrically distorted.

マスク１２は蒸着用マスクである。桟２０の断面形状はマスク１２より離れるにしたがって幅狭に形成されているため、真空蒸着の際、桟２０側に配置された蒸発源からの蒸発物が桟２０に遮断されて基板に到達することが良好に防止される。なお、桟２０の断面形状は、図２、図５に示すように、桟２０の断面形状は、台形、三角形、半円形であり、その他にも半楕円形など任意である。   The mask 12 is a vapor deposition mask. Since the cross-sectional shape of the crosspiece 20 is formed to become narrower as the distance from the mask 12 increases, vaporized material from the evaporation source disposed on the crosspiece 20 side is blocked by the crosspiece 20 and reaches the substrate during vacuum deposition. Is well prevented. 2 and 5, the cross-sectional shape of the crosspiece 20 is trapezoidal, triangular, semicircular, and any other shape such as a semi-elliptical shape.

穴部２２の形成密度はマスク１２の長手方向よりも短手方向の方が大きい。これは、枠体１８の長手方向の辺がマスク１２の張力によってたわみやすいために、短手方向の辺と平行になる桟２０を設けるためである。枠体１８の内側への変形量は３μｍ以下になるようにする。変形量が大きくなると、マスク１２にしわが発生したりするためである。   The formation density of the holes 22 is larger in the short direction than in the longitudinal direction of the mask 12. This is because the rails 20 that are parallel to the sides in the short direction are provided because the sides in the longitudinal direction of the frame 18 are easily bent by the tension of the mask 12. The amount of deformation to the inside of the frame 18 is set to 3 μm or less. This is because wrinkles occur in the mask 12 when the amount of deformation increases.

以上のように、本発明は、枠体１８の辺同士をつなげる桟２０によって枠体１８の剛性が増している。したがって、張力を加えられながら枠体１８に固定されたマスク１２によって枠体１８が変形しにくくなっている。変形量が小さく、所望の位置にマスク１２の開口領域１４が配置されるため、蒸着時に蒸着不良が発生しにくくなる。   As described above, according to the present invention, the rigidity of the frame 18 is increased by the crosspiece 20 that connects the sides of the frame 18. Therefore, the frame 18 is not easily deformed by the mask 12 fixed to the frame 18 while being applied with tension. Since the amount of deformation is small and the opening region 14 of the mask 12 is disposed at a desired position, it is difficult for vapor deposition defects to occur during vapor deposition.

次に、マスク構造体１０の製造方法について説明する。（１）マスクフレーム１６を製造するために、金属の板状体を準備する。（２）準備した板状体を切削またはエッチングすることによって、枠体１８および桟２０を形成する。この枠体１８と桟２０が形成されたものがマスクフレーム１６となる。（３）次に、開口領域１４を有するマスク１２を準備する。（４）マスク１２をマスクフレーム１６の枠体１８の上面に取り付ける。   Next, a method for manufacturing the mask structure 10 will be described. (1) In order to manufacture the mask frame 16, a metal plate is prepared. (2) The frame 18 and the crosspiece 20 are formed by cutting or etching the prepared plate-like body. The frame frame 18 and the crosspiece 20 are formed as a mask frame 16. (3) Next, the mask 12 having the opening region 14 is prepared. (4) The mask 12 is attached to the upper surface of the frame 18 of the mask frame 16.

上記（２）の工程では、エッチングをおこなうのであれば、板状体の上面にレジストパターンを形成し、エッチングをおこなった後、レジストパターンを除去する。レジストパターンは、枠体１８および桟２０の形状をしたものとなる。   In the step (2), if etching is performed, a resist pattern is formed on the upper surface of the plate-like body, and after the etching, the resist pattern is removed. The resist pattern has the shape of the frame 18 and the crosspiece 20.

また、桟２０の断面の幅は上面から離れるにしたがって狭くなるように加工する。断面形状は、例えば三角形、台形、半円形、半楕円形などである。エッチングで加工をおこなうのであれば、レジストパターンと板状体のエッチングスピードが異なるようにする。枠体１８と桟２０とは直交するように形成する。これによって枠体１８の強度が増す。   In addition, the cross section of the crosspiece 20 is processed so that the width decreases as the distance from the upper surface increases. The cross-sectional shape is, for example, a triangle, a trapezoid, a semicircle, a semi-ellipse, or the like. If processing is performed by etching, the etching speed of the resist pattern is different from that of the plate-like body. The frame 18 and the crosspiece 20 are formed so as to be orthogonal to each other. This increases the strength of the frame 18.

上記（２）の工程では、形成される枠体１８の上面と桟２０の上面が略同一平面上に位置するようにし、枠体１８の上面を延長した仮想面よりも桟２０の上面が突出しないようにする。枠体１８の上面と桟２０との上面を略同一平面上に位置させることによって、上記（４）の工程で固定されたマスク１２を桟２０と枠体１８とで支えることができる。   In the step (2), the upper surface of the frame 18 is formed so that the upper surface of the frame 18 and the upper surface of the beam 20 are located on substantially the same plane, and the upper surface of the beam 20 protrudes from the virtual surface obtained by extending the upper surface of the frame 18. Do not. By positioning the upper surface of the frame 18 and the upper surface of the crosspiece 20 on substantially the same plane, the mask 12 fixed in the step (4) can be supported by the crosspiece 20 and the frame body 18.

上記（４）の工程では、マスク１２に張力をかけながらマスク１２の開口領域１４の位置をアライメントする。その状態で枠体１８にマスク１２を取り付ける。張力によるマスク１２の伸びは２０μｍ以下になるようにする。２０μｍ以下とすることにより、画素をマトリクス状に高密度に配置した表示素子を作製するのに必要な寸法精度となるように、例えば、図８で示したような画素有効開口率が４０％、１７０ｐｐｉの精細度の蒸着パターンに必要とされる位置ずれの偏差（ΔＸ）の許容値を満たすような寸法精度のマスク構造体１０を、マスク１２の張力と伸びを容易に制御しつつ、マスク１２を所要の張力で寸法精度良くマスクフレーム１６に固定したマスク構造体１０を得ることができる。   In the step (4), the position of the opening region 14 of the mask 12 is aligned while applying tension to the mask 12. In this state, the mask 12 is attached to the frame 18. The elongation of the mask 12 due to the tension is set to 20 μm or less. For example, the effective aperture ratio of the pixel as shown in FIG. 8 is 40% so that the dimensional accuracy necessary for manufacturing the display element in which the pixels are arranged in a high density in a matrix shape is set to 20 μm or less. A mask structure 10 having a dimensional accuracy that satisfies an allowable deviation (ΔX) required for a deposition pattern having a fineness of 170 ppi can be controlled while the tension and elongation of the mask 12 are easily controlled. Can be obtained with a required tension and fixed to the mask frame 16 with high dimensional accuracy.

また、張力による枠体１８の内側への変形量は３μｍ以下になるようにする。取り付け方としてはマスク１２の端部の複数のポイントをスポット溶接する方法がある。３μｍ以下であることにより、マスクフレーム１６にマスク１２を所定の張力を保持しつつマスクフレーム１６の枠体上面部分に固定した後にマスク１２の張力によってマスクフレーム１６が変形することによるマスク１２の寸法変化が小さく無視できる程度のものとなる。   Further, the amount of deformation inward of the frame 18 due to the tension is set to 3 μm or less. As an attachment method, there is a method of spot welding a plurality of points at the end of the mask 12. When the mask 12 is 3 μm or less, the mask 12 is deformed by the tension of the mask 12 after the mask 12 is fixed to the upper surface of the frame body of the mask frame 16 while maintaining a predetermined tension on the mask frame 16. The change is small and negligible.

上記（４）の工程では、マスクフレーム１６の矯正をおこなう手段によって、マスクフレーム１６を上下から挟持しながらマスク１２の固定をおこなう。挟持はマスクフレーム１６の長辺となる２辺でおこなう。挟持された２辺が同一平面上で平行になるようにする。マスクフレーム１６で形成される仮想面の平坦度は±６０μｍ（高低のレンジ１２０μｍ）以下になるようにする。   In the step (4), the mask 12 is fixed while the mask frame 16 is sandwiched from above and below by means for correcting the mask frame 16. The clamping is performed on two sides which are the long sides of the mask frame 16. The two sandwiched sides are made parallel on the same plane. The flatness of the virtual surface formed by the mask frame 16 is set to be ± 60 μm (high / low range 120 μm) or less.

以上、上記（１）、（２）の工程で、マスクフレーム１６は一枚の板状体から製造されるため、マスクフレーム１６の強度が高くゆがみが発生しにくくなる。したがって、真空蒸着時に蒸着不良が発生しにくくなる。   As described above, in the steps (1) and (2), since the mask frame 16 is manufactured from a single plate-like body, the strength of the mask frame 16 is high and it is difficult for distortion to occur. Therefore, it is difficult for a deposition failure to occur during vacuum deposition.

次に、上記マスク構造体１０を用いた蒸着方法について説明する。（１）上記マスク構造体１０および基板を準備する。（２）マスク構造体１０と基板とのアライメントをおこない、マスク構造体１０を基板上に配置する。（３）図６に示すように、板状のマグネット２６とマスク構造体１０によって基板２４を挟み込み、磁力によってマスク１２を基板２４に密着させる（マグネットチャック）。（４）真空チャンバー内で蒸発源からの蒸発物をマスク１２の開口１４aを介して基板２４に堆積させる。なお、このような蒸着方法は、例えば、有機ＥＬ素子の発光層や電極層の形成に用いることができる。この場合、蒸発源に設置される材料は発光層や電極層を形成する有機材料や導電材料となる。   Next, a vapor deposition method using the mask structure 10 will be described. (1) The mask structure 10 and the substrate are prepared. (2) The mask structure 10 and the substrate are aligned, and the mask structure 10 is disposed on the substrate. (3) As shown in FIG. 6, the substrate 24 is sandwiched between the plate-like magnet 26 and the mask structure 10, and the mask 12 is brought into close contact with the substrate 24 by magnetic force (magnet chuck). (4) Evaporate from the evaporation source is deposited on the substrate 24 through the opening 14a of the mask 12 in the vacuum chamber. In addition, such a vapor deposition method can be used for formation of the light emitting layer and electrode layer of an organic EL element, for example. In this case, the material installed in the evaporation source is an organic material or a conductive material that forms the light emitting layer or the electrode layer.

上記（２）のアライメントは、マスク構造体１０と基板２４とにアライメントマークを設け、両方のアライメントマークをＣＣＤカメラで撮影し、ＣＣＤカメラで得られたアライメントマークの位置のずれを算出し、算出された値を基に基板２４の位置を調節する。   The alignment (2) is calculated by providing alignment marks on the mask structure 10 and the substrate 24, photographing both alignment marks with a CCD camera, and calculating the displacement of the alignment mark obtained by the CCD camera. The position of the substrate 24 is adjusted based on the obtained value.

上記（３）の工程によってマスク１２が基板２４に密着するため、上記（４）の工程で蒸着不良が発生しにくくなる。   Since the mask 12 is in close contact with the substrate 24 in the step (3), a vapor deposition defect is less likely to occur in the step (4).

また、図７はマスク１２の平坦性とマグネットチャック時の位置ずれを示した線図である。横軸はマスク１２の平坦性としてマスク表面の高さのレンジ、縦軸はマスク１２を基板２４側にマグネットで吸引してマスク１２と基板２４とを密着した時のマスク１２と基板２４との相対的な位置ずれを示したものである。図７に示されるようにマスク１２の平坦性とマグネットチャック時の位置ずれには相関があり、平坦度が±６０μｍつまり高さのレンジが１２０μｍ以下の場合には、マスク１２と基板２４との相対的な位置あわせを行った後にマスク１２と基板２４とを接触させてマグネットで吸引密着した際のマスク１２と基板２４との相対的な位置ずれを１μｍ程度以下に小さくすることができ、良好なアライメント状態で真空蒸着ができるので、寸法位置精度の高い良好な蒸着パターンを得ることができる。   FIG. 7 is a diagram showing the flatness of the mask 12 and the positional deviation during magnet chucking. The horizontal axis represents the range of the height of the mask surface as the flatness of the mask 12, and the vertical axis represents the relationship between the mask 12 and the substrate 24 when the mask 12 and the substrate 24 are brought into close contact with each other by attracting the mask 12 toward the substrate 24 with a magnet. It shows the relative displacement. As shown in FIG. 7, there is a correlation between the flatness of the mask 12 and the positional deviation during magnet chucking. When the flatness is ± 60 μm, that is, the height range is 120 μm or less, the mask 12 and the substrate 24 The relative positional deviation between the mask 12 and the substrate 24 when the mask 12 and the substrate 24 are brought into contact with each other after being relatively aligned and attracted and adhered with a magnet can be reduced to about 1 μm or less. Since vacuum deposition can be performed in a proper alignment state, a good deposition pattern with high dimensional position accuracy can be obtained.

矯正されたマスクフレーム１６で形成される仮想面の平坦度が±６０μｍ（高低のレンジが１２０μｍ）以下である場合には、真空蒸着の際にマグネット２６を用いてマスク１２を基板２４側に吸引して密着させた場合にマスク１２と基板２４との隙間を５μｍ程度以下と小さくすることができ、良好に密着させた状態で蒸着を行うことができ、寸法ずれやパターンボケが小さい良好な蒸着パターンを得ることができる。また、先述のようにマスク１２と基板２４との相対的な位置あわせを行った後にマスク１２と基板２４とを接触させてマグネット２６で吸引密着しようとした際のマスク１２と基板２４との相対的な位置ずれを１μｍ程度以下に小さくすることができ、良好なアライメント状態で真空蒸着ができるので、寸法位置精度の高い良好な蒸着パターンを得ることができる。   When the flatness of the virtual surface formed by the corrected mask frame 16 is ± 60 μm (the height range is 120 μm) or less, the mask 12 is attracted to the substrate 24 side using the magnet 26 during vacuum deposition. When the contact is made, the gap between the mask 12 and the substrate 24 can be reduced to about 5 μm or less, the deposition can be performed in a good contact state, and the good deposition with small dimensional deviation and pattern blurring. A pattern can be obtained. Further, as described above, after the relative positioning of the mask 12 and the substrate 24 is performed, the mask 12 and the substrate 24 are brought into contact with each other, and the relative relationship between the mask 12 and the substrate 24 when trying to attract and adhere with the magnet 26. Therefore, it is possible to obtain a good vapor deposition pattern with high dimensional position accuracy.

上記（４）の工程では、マスク構造体１０の温度が上昇するが、桟２０によってマスク構造体１０が変形しにくくなっている。したがって、マスク１２の開口領域１４、開口１４ａの位置が所望の位置からずれが小さく、蒸着不良の発生が少ない。   In the step (4), the temperature of the mask structure 10 rises, but the mask structure 10 is hardly deformed by the crosspiece 20. Accordingly, the positions of the opening region 14 and the opening 14a of the mask 12 are less displaced from the desired positions, and the occurrence of defective deposition is small.

本発明は、大型の基板であっても、マスク１２が桟２０によって支えられることによって、マスク１２が下方にたれ下がることがなく、マスク１２と基板との間に隙間が発生しにくい。   According to the present invention, even if the substrate is a large substrate, the mask 12 is supported by the crosspiece 20 so that the mask 12 does not sag downward, and a gap is not easily generated between the mask 12 and the substrate.

その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。   In addition, the present invention can be carried out in a mode in which various improvements, modifications, and changes are added based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention.

本発明のマスクフレームにマスクが固定されたマスク構造体の上面図である。It is a top view of a mask structure in which a mask is fixed to a mask frame of the present invention. 図１のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 開口領域を示す図である。It is a figure which shows an opening area | region. 図１の変形例を示すマスク構造体の上面図である。It is a top view of the mask structure which shows the modification of FIG. 桟（接続部材）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a crosspiece (connection member). マスク構造体の上に基板を配置し、マグネットで固定したときの断面図である。It is sectional drawing when arrange | positioning a board | substrate on a mask structure and fixing with a magnet. マスクの平坦性とマグネットチャック時の開口領域の位置ずれを示す図である。It is a figure which shows the flatness of a mask, and the position shift of the opening area | region at the time of a magnet chuck | zipper. １７０ｐｐｉの精細度となるような蒸着パターンを形成する場合に必要とされる蒸着パターンの幅の偏差（ΔＷ）と位置ずれの偏差（ΔＸ）の許容値を示した図である。It is the figure which showed the tolerance | permissible_value of the deviation ((DELTA) W) of the width | variety of a vapor deposition pattern required when forming a vapor deposition pattern which becomes a definition of 170 ppi, and the deviation ((DELTA) X) of position shift. マスク−基板間ギャップと蒸着パターンの広がり、位置ずれを示す図である。It is a figure which shows the spread of a mask-substrate gap, a vapor deposition pattern, and position shift.

符号の説明Explanation of symbols

１０：マスク構造体
１２：マスク
１４：開口領域
１４ａ：開口
１６：マスクフレーム
１８：枠体
２０：桟（接続部材）
２２：穴部
２４：基板
２６：マグネット 10: Mask structure 12: Mask 14: Opening area 14a: Opening 16: Mask frame 18: Frame 20: Crosspiece (connection member)
22: Hole 24: Substrate 26: Magnet

Claims (7)

１以上の開口からなる開口領域を有するマスクと、
少なくとも互いに対向する一対の辺を有し、前記マスクに張力を印加した状態で該マスクの端部を固定する枠体と、前記一対の辺を互いに接続し、隣接する前記開口の間の領域の直下のそれぞれに配置され、前記枠体と同一材料で一体的に形成されている接続部材を有するマスクフレームと、を備えたことを特徴とするマスク構造体。 A mask having an opening region composed of one or more openings;
A frame that has at least a pair of sides facing each other, and that fixes an end of the mask in a state where a tension is applied to the mask; and a pair of sides connected to each other, and an area between adjacent openings each is arranged, said frame and mask structure characterized by comprising a mask frame, a having a connecting member are integrally formed of the same material directly below. 前記接続部材は前記マスクに接触していることを特徴とする請求項１に記載のマスク構造体。 The mask structure according to claim 1, wherein the connection member is in contact with the mask. 前記マスクフレームは、互いに直交する複数の接続部材を有し、前記枠体と該接続部材の間または該接続部材同士の間の領域に形成される穴部が格子状に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のマスク構造体。 The mask frame has a plurality of connecting members orthogonal to each other, and holes formed in a region between the frame and the connecting members or between the connecting members are arranged in a lattice shape. The mask structure according to claim 1 or 2 . 前記マスクは蒸着用マスクであり、かつ前記接続部材の断面形状は前記マスクより離れるにしたがって幅狭に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスク構造体。 The mask is a mask for deposition, and the cross-sectional shape of the connecting member mask structure according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is formed narrower with increasing distance from the mask. 前記穴部の形成密度は前記マスクの長手方向よりも短手方向の方が大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマスク構造体。 Mask structure according to any one of claims 1 to 4 formation density of the holes is characterized by a larger in the lateral direction than the longitudinal direction of the mask. 請求項１乃至５に記載のマスク構造体を基板上に配置する工程と、
蒸発源からの蒸発物を前記マスク構造体の前記開口領域を介して基板上に堆積させる工程と、
を含む蒸着方法。 Placing on the substrate a mask structure according to claim 1 to 5,
Depositing an evaporant from an evaporation source on the substrate through the opening region of the mask structure;
A vapor deposition method comprising: 請求項１乃至５に記載のマスク構造体を基板上に配置する工程と、
蒸発源からの蒸発物を前記マスク構造体の前記開口領域を介して基板上に堆積させ、有機発光層及び／または電極層を形成する工程と、
を含む有機発光素子の製造方法。 Placing on the substrate a mask structure according to claim 1 to 5,
Depositing an evaporant from an evaporation source on the substrate through the opening region of the mask structure to form an organic light emitting layer and / or an electrode layer;
A method for manufacturing an organic light emitting device comprising:
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