JP2007270289A - Film-forming mask - Google Patents
Film-forming mask Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007270289A JP2007270289A JP2006098118A JP2006098118A JP2007270289A JP 2007270289 A JP2007270289 A JP 2007270289A JP 2006098118 A JP2006098118 A JP 2006098118A JP 2006098118 A JP2006098118 A JP 2006098118A JP 2007270289 A JP2007270289 A JP 2007270289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- frame
- pattern
- film
- tension member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical group [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機ＥＬ素子の有機化合物層等を成膜する工程で用いられる成膜用マスクに関するものである。 The present invention relates to a film forming mask used in a step of forming an organic compound layer or the like of an organic EL element.
従来、有機ＥＬ素子の製造方法では、成膜用マスクをガラス基板に密着するように配置することによるマスク成膜法が多く採用されている。このようなマスク成膜法を用いることで、有機ＥＬ素子の有機化合物層のパターンを精度良く形成することができる。近年、有機ＥＬパネルの高解像化に伴い、パターニングの微細化が進んでいる。そのため、ガラス基板上の画素パターンとマスクのパターンのわずかな位置ずれや、ガラス基板とマスク間の密着不良によって品質が低下してしまう。 Conventionally, in a method for manufacturing an organic EL element, a mask film forming method in which a film forming mask is disposed so as to be in close contact with a glass substrate is often employed. By using such a mask film forming method, the pattern of the organic compound layer of the organic EL element can be accurately formed. In recent years, patterning miniaturization has progressed with the increase in resolution of organic EL panels. For this reason, the quality deteriorates due to a slight misalignment between the pixel pattern and the mask pattern on the glass substrate and poor adhesion between the glass substrate and the mask.
特に、ガラス基板とマスクの密着不良は、マスクの僅かなゆがみや、自重によるマスク自身のたるみによっても生じてしまうことが知られている。この改善策として、特許文献１に記載されているように、熱膨張率の小さいインバー材で形成したマスク部とフレームを用いて、マスク部を張った状態になるようにフレームに固定支持する方法が提案されている。この構成は、蒸着源からの熱による温度上昇や自重によるマスクのたわみを低減し、ガラス基板との密着性を向上させるものである。 In particular, it is known that the adhesion failure between the glass substrate and the mask is caused by slight distortion of the mask or sagging of the mask itself due to its own weight. As an improvement measure, as described in Patent Document 1, using a mask portion and a frame formed of an invar material having a low coefficient of thermal expansion, a method of fixing and supporting the frame so that the mask portion is stretched Has been proposed. This configuration reduces the temperature rise due to heat from the vapor deposition source and the deflection of the mask due to its own weight, and improves the adhesion to the glass substrate.
また、特許文献２では、複数の独立したマスク部を備えるようにフレームを配置し、電鋳法によりマスク部とフレームとを不離一体的に接合することで、マスク部を張った状態でフレームに固定する方法が提案されている。
特許文献１、２に開示されたものは、ガラス基板とマスクを密着させるために、マスクのフレームの片面上で、つまりガラス基板側において、マスク部にテンションを加えた状態で固定支持する構成である。そのため、フレームのガラス基板側において面内方向の内側に引張応力が発生する。その結果、マスクの中央部がガラス基板から離れる方向にマスクの反りが発生し、基板とマスクの間に密着不良が生じるおそれがある。 Patent Documents 1 and 2 disclose a configuration in which a glass substrate and a mask are fixedly supported on one side of a mask frame, that is, on the glass substrate side in a state where tension is applied to the mask portion in order to bring the glass substrate and the mask into close contact. is there. Therefore, tensile stress is generated on the inner side in the in-plane direction on the glass substrate side of the frame. As a result, the warpage of the mask occurs in the direction in which the central portion of the mask is separated from the glass substrate, and there is a possibility that poor adhesion occurs between the substrate and the mask.
この引張応力はマスクの自重に関係なく発生するので、平滑な平面上にマスクを設置した場合でも、マスク部の引張応力に応じたマスクの反りが発生する。そのため、ガラス基板とのアライメントの精度に悪影響を及ぼしたり、マスクのパターン精度が損なわれることがある。 Since this tensile stress is generated regardless of the weight of the mask, even when the mask is placed on a smooth plane, the warp of the mask corresponding to the tensile stress of the mask portion occurs. Therefore, the accuracy of alignment with the glass substrate may be adversely affected, and the pattern accuracy of the mask may be impaired.
この問題に対して、フレームの厚みを大きくすることでマスクの反り量を低減する試みが考えられるが、フレームの加工性や、フレームの重量が増加することによるマスクの搬送性を考慮すると、これらに限界があるため課題が残る。 For this problem, attempts to reduce the amount of warpage of the mask by increasing the thickness of the frame can be considered, but considering the processability of the frame and the transportability of the mask due to the increase in the weight of the frame, these The problem remains because there is a limit.
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、成膜用マスクの反りを低減し、品質の良い有機ＥＬ素子等を形成することのできる成膜用マスクを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned unsolved problems of the prior art, and can reduce the warpage of the film-forming mask and form a high-quality organic EL element or the like. Is intended to provide.
本発明の成膜用マスクは、成膜材料の蒸気を通すパターンを有するマスク部と、前記マスク部を支持するフレームと、前記マスク部と対向する平面に沿って配設され、張力を加えて前記フレームに固着されたテンション部材と、を有することを特徴とする。 The film-forming mask of the present invention is disposed along a plane having a pattern through which vapor of the film-forming material passes, a frame that supports the mask part, and a plane that faces the mask part. And a tension member fixed to the frame.
テンション部材に加えた張力による反りが、マスク部の引張応力による反りを相殺することで、成膜用マスクの反りによる基板との密着不良等を防ぐ。 The warp due to the tension applied to the tension member cancels out the warp due to the tensile stress of the mask portion, thereby preventing poor adhesion to the substrate due to the warp of the film forming mask.
マスク部を分割する内フレーム部を設けることで、マスクの剛性を強化し、パターニングの精度を向上させるとよい。 By providing an inner frame portion that divides the mask portion, the rigidity of the mask may be strengthened and the patterning accuracy may be improved.
テンション部材には、マスク部のパターンに対応した開口部を設けておく。 The tension member is provided with an opening corresponding to the mask pattern.
さらに、最外周の外フレーム部の厚みを内フレーム部の厚みよりも大きくすることで、テンション部材と内フレーム部の接触を防ぎ、接触によるテンション部材の磨耗を防ぐことができる。テンション部材の張力が磨耗によって低下することなく安定するため、マスクの形状が安定する。 Furthermore, by making the thickness of the outer frame portion at the outermost periphery larger than the thickness of the inner frame portion, it is possible to prevent the tension member and the inner frame portion from contacting each other and to prevent the tension member from being worn by the contact. Since the tension of the tension member is stabilized without being reduced by wear, the shape of the mask is stabilized.
テンション部材は、外フレーム部とこれに隣接する内フレーム部との間にのみ配設されていてもよい。外周部に配設したテンション部材によって、マスク部の張力によって生じる成膜用マスクの反りに対して逆向きの反りになるような回転モーメントがフレーム周辺部に発生する。その結果、成膜用マスクの反りを低減することが可能となる。テンション部材に対向する領域に、マスク部のパターンがない構成であれば、テンション部材に開口部を設けなくてもよい。また、外フレーム部と隣接する内フレーム部の間にマスク部を形成しなくてもよい。 The tension member may be disposed only between the outer frame portion and the inner frame portion adjacent thereto. The tension member disposed on the outer peripheral portion generates a rotational moment in the peripheral portion of the frame that causes a warp in the opposite direction to the warp of the film forming mask caused by the tension of the mask portion. As a result, it is possible to reduce the warpage of the deposition mask. If there is no mask portion pattern in the region facing the tension member, the tension member need not have an opening. Further, the mask portion may not be formed between the outer frame portion and the adjacent inner frame portion.
成膜用マスクのサイズや重量をほとんど増加させることなく、成膜用マスクの反りを低減させ、成膜用マスクと基板の密着性を向上させることができる。 The warpage of the film-forming mask can be reduced and the adhesion between the film-forming mask and the substrate can be improved without substantially increasing the size and weight of the film-forming mask.
この成膜用マスクを用いることにより、基板上の画素パターンとの幾何学的なずれが少なく、かつ寸法精度の高い有機ＥＬパターンを有する有機ＥＬ素子を形成することが可能となる。 By using this film formation mask, it is possible to form an organic EL element having an organic EL pattern with little geometric deviation from the pixel pattern on the substrate and high dimensional accuracy.
さらに、成膜用マスクの反りが低減されるため、基板とのアライメント時において成膜用マスクのアライメントマークを水平に近づけることが可能になり、被写体深度への悪影響を低減して、アライメント精度を向上させることが可能になる。 Furthermore, since the warpage of the film formation mask is reduced, the alignment mark of the film formation mask can be brought closer to the horizontal during alignment with the substrate, reducing the adverse effect on the object depth and improving the alignment accuracy. It becomes possible to improve.
また、マスク部の反りによって生じるパターンの水平方向の位置ずれが低減するため、成膜用マスクのパターンの精密な位置測定の精度を向上させることができる。 In addition, since the positional deviation in the horizontal direction of the pattern caused by the warp of the mask portion is reduced, the precision of the precise position measurement of the film forming mask pattern can be improved.
本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、有機ＥＬデバイスに搭載する有機ＥＬ素子の有機化合物層（有機ＥＬパターン）を成膜する工程で用いる蒸着用マスク（成膜用マスク）を示すもので、この蒸着用マスクは、マスク部１１を張力を加えた状態で固定支持するフレーム１２を有する。マスク部１１は、有機化合物を蒸着するための複数の蒸気通孔からなるパターン１３を有する。蒸着用マスクの保管、搬送、蒸着等の取り扱い時においてマスク部１１の撓みを抑えるために、マスク部１１は張力を加えた状態でフレーム１２に固定支持されている。
FIG. 1 shows an evaporation mask (deposition mask) used in a process of forming an organic compound layer (organic EL pattern) of an organic EL element mounted on an organic EL device. It has the
マスク部１１には、銅、ニッケル、ステンレス等の部材を用いることができる。また、ニッケル、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−鉄合金であるインバー材、ニッケル−鉄−コバルト合金であるスーパーインバー材等のニッケル合金を用いて電鋳製法でマスク部を作製してもよい。特に、インバー材、スーパーインバー材の熱膨張係数は１〜２×１０-6／℃と他の金属に比べて小さいので、蒸着時における熱膨張による蒸着用マスクの変形を抑えることが可能である。
A member such as copper, nickel, or stainless steel can be used for the
フレーム１２は、マスク部１１を引張状態で固定支持するために大きい剛性を備えたものであり、その剛性を付与するために十分な厚みと幅を持たせている。
The
また、図２に示すように、マスク部１１の周囲を支持する外フレーム部２２ａと、その内側の内フレーム部２２ｂを有するフレーム２２を用いてもよい。マスク部１１を複数の部位に分割する内フレーム部２２ｂを形成することによって、蒸着用マスクの剛性が向上するため、パターンの形状精度が向上する。この場合は、外フレーム部２２ａの剛性を内フレーム部２２ｂより大きくすることが好ましいが、パターン１３の精度を保つことが可能であればこの限りではない。
Further, as shown in FIG. 2, a
フレーム１２、２２には、ニッケル−鉄合金であるインバー材や、ニッケル−鉄−コバルト合金であるスーパーインバー材などの低熱膨張係数の材質を用いることができる。フレーム１２、２２に低膨張係数の材質を用いることで、マスク部１１に用いた場合と同様に、熱膨張による蒸着用マスクの変形を抑える効果が得られる。
For the
図１および図２に示すように、フレーム１２、２２を挟んでマスク部１１と対向する位置には、テンション部材１４を、マスク部１１と同等の引張状態になるように張力を加えてフレーム１２、２２に固定する。これにより、マスク部１１と対向する反対面側にも、テンション部材１４による面内方向内側の引張応力が発生するため、テンション部材１４およびマスク部１１の引張応力から生じる反り同士が相殺される。このようにして、蒸着用マスクの反りを低減することができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
テンション部材１４は、張力を加えた状態でフレーム１２、２２に固定することが可能であれば特に限定しないが、加工の容易性や強度の観点から金属、あるいは合金の薄膜を用いるとよい。
The
テンション部材１４には、マスク部１１のパターン１３に対応した領域に、少なくともパターン１３よりも大きい開口部１４ａが形成されている。そのため、成膜材料の蒸気がテンション部材１４に形成した開口部１４ａを通過してパターン１３の蒸気通孔に到達することが可能になる。開口部１４ａを、対向するパターン１３の領域より大きくすることで、蒸着用マスクから離れた蒸着源から蒸発しパターン１３に対して斜め向きに着膜する場合もテンション部材１４に邪魔されずにパターン１３に到達することが可能になる。
In the
図２に示す構成においては、最外周領域の外フレーム部２２ａに固定したテンション部材１４が内フレーム部２２ｂに接触するのを防ぐために、外フレーム部２２ａの厚みを内フレーム部２２ｂの厚みよりも大きくすることが好ましい。これにより、テンション部材１４と内フレーム部２２ｂの接触によるテンション部材１４の磨耗を防ぎ、テンション部材１４の張力が磨耗によって低下することなく安定するため、蒸着用マスクの形状が安定する。
In the configuration shown in FIG. 2, in order to prevent the
また、図３に示すように、テンション部材１４を外フレーム部２２ａとこれに隣接する内フレーム部２２ｂ間にのみ配設してもよい。外周部に配設したテンション部材１４は、マスク部１１の張力によって生じる蒸着用マスクの反りに対して反対向きの反りになるような回転モーメントをフレーム２２の周辺に発生する。その結果、蒸着用マスクの反りを低減することが可能となる。また、テンション部材１４に対向する領域にパターン１３がなければその領域には開口部１４ａを設けなくてもよい。
As shown in FIG. 3, the
また、図４に示すように、外フレーム部２２ａとこれに隣接する内フレーム部２２ｂ間にマスク部１１を形成しない構成でもよい。
Moreover, as shown in FIG. 4, the structure which does not form the
図５は、図１の蒸着用マスクの製造工程を示す。まず、マスク部１１およびフレーム１２を作製する。マスク部１１は、金属や合金の薄板に、エッチング、レーザー加工、または電鋳等の加工処理を行うことによって作製する。フレーム１２は、金属や合金をレーザー加工や機械加工することで作製する。次に、マスク部１１の周辺をクランプ等で外側向きに引っ張り、マスク部１１に所望の寸法精度を満たすように張力を与えてマスク部１１をゆがみのない引張状態にする。その状態のまま、マスク部１１の周辺部分をフレーム１２にスポット溶接等によって固着し、マスク部１１をフレーム１２に固定する。次に、フレーム１２の反対面に、テンション部材１４をマスク部１１と同様に固定する。
FIG. 5 shows a manufacturing process of the vapor deposition mask of FIG. First, the
マスク部１１とフレーム１２を電着金属層等を介して不離一体的に接合することでマスク部１１をフレーム１２に固定支持してもよい。テンション部材１４とフレーム１２の固定方法についても同様である。また、マスク部１１とテンション部材１４をフレーム１２に固定する順序は、マスク部１１のパターン１３の精度が保証されていれば特に限定せず、マスク部１１とテンション部材１４を同時にフレーム１２の両面に接合してもよい。
The
ここでは、有機ＥＬ素子の有機化合物層を形成するための蒸着用マスクについて説明したが、ＣＶＤによって有機ＥＬ素子の保護膜を成膜するための成膜用マスクについても同様の構成を適用できる。 Although the vapor deposition mask for forming the organic compound layer of the organic EL element has been described here, the same configuration can be applied to the film formation mask for forming the protective film of the organic EL element by CVD.
ガラス基板（基板）には、無アルカリガラスの０．７ｍｍ厚の基板を用いた。この基板上に定法によって薄膜トランジスタと電極配線および画素電極がマトリクス状に形成されている。蒸着マスクは、まずスーパーインバー材からなる１０ｍｍ厚のフレームに対して、パターンの精度を調整しながら張力を加えたスーパーインバー材からなる５０μｍ厚のマスク部をスポット溶接した。次に、フレームを挟んでマスク部と対向する位置に、パターンの精度を調整しながら張力を加えた５０μｍ厚のニッケル薄膜（テンション部材）をスポット溶接することで図１の構成の蒸着マスクを作製した。 A non-alkali glass 0.7 mm thick substrate was used as the glass substrate (substrate). Thin film transistors, electrode wirings, and pixel electrodes are formed in a matrix on this substrate by a conventional method. First, the vapor deposition mask was spot-welded to a 10 mm thick frame made of a super invar material and a 50 μm thick mask portion made of a super invar material to which tension was applied while adjusting the pattern accuracy. Next, a 50 μm thick nickel thin film (tension member) to which tension is applied while adjusting the pattern accuracy is spot-welded at a position facing the mask portion across the frame to produce a vapor deposition mask having the configuration shown in FIG. did.
この蒸着マスクのマスク部の蒸気通孔部（パターン）とガラス基板上の画素パターンが一致するように位置合わせを行い、ガラス基板と蒸着マスクの各４辺を固定することで密着させた。 Positioning was performed so that the vapor passage hole portion (pattern) of the mask portion of the vapor deposition mask and the pixel pattern on the glass substrate coincided with each other, and the four sides of the glass substrate and the vapor deposition mask were fixed and brought into close contact.
本実施例の蒸着用マスクでは、マスク部の反りを大幅低減させ、基板との密着性を向上させることが可能になった。公知の発光材料を用いて真空蒸着することで、ガラス基板上に寸法精度のよい有機ＥＬパターンを形成することができた。この有機ＥＬ素子を用いることで、表示ムラのない有機ＥＬデバイスが得られた。 In the vapor deposition mask of this example, it is possible to greatly reduce the warpage of the mask portion and improve the adhesion to the substrate. An organic EL pattern with good dimensional accuracy could be formed on a glass substrate by vacuum deposition using a known light emitting material. By using this organic EL element, an organic EL device having no display unevenness was obtained.
（比較例）
ガラス基板には、無アルカリガラスの０．７ｍｍ厚の基板を用いた。この基板上に定法によって薄膜トランジスタと電極配線および画素電極がマトリクス状に形成されている。蒸着マスクは、まずスーパーインバー材からなる１０ｍｍ厚のフレームに対して、パターン部精度を調整しながら張力を加えたスーパーインバー材からなる５０μｍ厚のマスク部をスポット溶接することで蒸着マスクを作製した。
(Comparative example)
As the glass substrate, a non-alkali glass 0.7 mm thick substrate was used. Thin film transistors, electrode wirings, and pixel electrodes are formed in a matrix on this substrate by a conventional method. The vapor deposition mask was prepared by spot welding a 50 μm thick mask portion made of a super invar material to which a tension was applied to a 10 mm thick frame made of a super invar material while adjusting the pattern accuracy. .
この蒸着マスクのパターンである蒸気通孔部とガラス基板上の画素パターンが一致するように位置合わせを行い、ガラス基板と蒸着マスクの各４辺を固定することで密着させた。 Positioning was performed such that the vapor passage hole portion, which is the pattern of the vapor deposition mask, and the pixel pattern on the glass substrate coincided, and the four sides of the glass substrate and the vapor deposition mask were fixed to be in close contact.
この蒸着用マスクでは、マスク部の反りが大きくて、マスク部と基板を厳密に密着させることが困難であった。公知の発光材料を用いて真空蒸着すると、ガラス基板上に形成された有機ＥＬパターンにずれが生じ、得られた有機ＥＬ素子に表示ムラが発生した。 In this vapor deposition mask, the warpage of the mask portion is large, and it is difficult to strictly adhere the mask portion and the substrate. When vacuum deposition was performed using a known light emitting material, a shift occurred in the organic EL pattern formed on the glass substrate, and display unevenness occurred in the obtained organic EL element.
本発明は、有機ＥＬ素子を形成する際に用いられる成膜用マスクに限らず、自重によるたわみやマスク自身の反りが問題になる蒸着プロセスやＣＶＤプロセス等でマスク成膜を行う際にも適用できる。 The present invention is not limited to a film-forming mask used when forming an organic EL element, and is also applicable to a mask film-forming by a vapor deposition process or a CVD process in which deflection due to its own weight or warpage of the mask itself is a problem. it can.
１１ マスク部
１２、２２ フレーム
１３ パターン
１４ テンション部材
１４ａ 開口部
２２ａ 外フレーム部
２２ｂ 内フレーム部
11
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006098118A JP2007270289A (en) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Film-forming mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006098118A JP2007270289A (en) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Film-forming mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007270289A true JP2007270289A (en) | 2007-10-18 |
Family
ID=38673386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006098118A Pending JP2007270289A (en) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Film-forming mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007270289A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007280774A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | Deposition mask and its manufacturing method |
| JP2008038178A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tokki Corp | Plasma type mask cvd system |
| JP2015021179A (en) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 大日本印刷株式会社 | Production method of metal mask, and metal mask |
| CN108441817A (en) * | 2018-06-22 | 2018-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate |
| CN110004407A (en) * | 2019-05-21 | 2019-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate component and preparation method thereof |
| US20210313548A1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-07 | Samsung Display Co., Ltd | Mask frame assembly and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006098118A patent/JP2007270289A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007280774A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | Deposition mask and its manufacturing method |
| JP4677363B2 (en) * | 2006-04-07 | 2011-04-27 | 九州日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask and manufacturing method thereof |
| JP2008038178A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tokki Corp | Plasma type mask cvd system |
| JP2015021179A (en) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 大日本印刷株式会社 | Production method of metal mask, and metal mask |
| CN108441817A (en) * | 2018-06-22 | 2018-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate |
| CN110004407A (en) * | 2019-05-21 | 2019-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask plate component and preparation method thereof |
| CN110004407B (en) * | 2019-05-21 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Mask assembly and preparation method thereof |
| US20210313548A1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-07 | Samsung Display Co., Ltd | Mask frame assembly and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US11751465B2 (en) | 2020-04-06 | 2023-09-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask frame assembly and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8343278B2 (en) | Mask assembly and deposition and apparatus for a flat panel display using the same | |
| JP5288074B2 (en) | Method for manufacturing multi-sided deposition mask, multi-sided deposition mask obtained thereby, and method for producing organic semiconductor element | |
| JP2009009777A (en) | Film forming mask | |
| US8151729B2 (en) | Mask assembly and method of fabricating the same | |
| US8286579B2 (en) | Mask assembly for thin film vapor deposition of flat panel display | |
| JP5151004B2 (en) | Metal mask unit and manufacturing method thereof | |
| JP2007270289A (en) | Film-forming mask | |
| TWI500784B (en) | Mask plate component | |
| US20070072337A1 (en) | Method of manufacturing the organic electroluminescent display and organic electroluminescent display manufactured by the method | |
| JP2004169169A (en) | Mask structure for vapor deposition, method of producing the same, and method of producing organic el element obtained by using the same | |
| TW201445000A (en) | Vapor deposition mask, vapor deposition mask precursor, vapor deposition mask manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method | |
| JP2007224396A (en) | Film-forming method, and mask used in forming film | |
| JP5215742B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display device | |
| JP6167526B2 (en) | Method for manufacturing vapor deposition mask and method for manufacturing organic semiconductor element | |
| JP4860909B2 (en) | Mask structure | |
| JP4616667B2 (en) | Mask structure, vapor deposition method using the same, and method for manufacturing organic light emitting device | |
| JP2004323888A (en) | Vapor deposition mask and vapor deposition method | |
| JP2006037203A (en) | Production method for metal mask, and metal mask | |
| JP2008184670A (en) | Method for producing organic el element, and mask for film deposition | |
| JP4944367B2 (en) | Method for manufacturing mask structure | |
| JP2005146338A (en) | Vapor deposition mask | |
| JP2016130348A (en) | Method of manufacturing vapor deposition mask and method of manufacturing organic semiconductor element | |
| JP6885431B2 (en) | Manufacturing method of thin-film mask | |
| JP2007283442A (en) | Planar actuator | |
| KR102591278B1 (en) | Mask sheet for OLED deposition, The Mask assembly using thereof |