JP2008243919A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明における半導体装置の製造方法は、(a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、(b)前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板を200℃以上かつ700℃未満の温度に設定し、酸素ラジカルを発生してラジカル酸化する酸化工程とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の形態1によるSiO2膜の形成方法を示す図であり、以下に説明する。まず、図1(a)に示す洗浄後のSiC基板1上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程を行う(図1(b))。この堆積する工程はCVD法、PVD法、スパッタ法、蒸着法などを用いることができるが、最も欠陥が少なく、量産にも適した方法はCVD法であり、CVD-SiO2膜3(未改質のCVD-SiO2膜)を堆積することが好ましい。
図2は本発明の実施の形態2におけるSiO2膜の形成方法を示す図であり、以下に説明する。実施の形態1と同様に図2(a)に示す洗浄後のSiC基板1上にSiO2を堆積する工程(図2(b))と、オゾン酸化工程(図2(c))を行う。その後、所定の厚みのSiO2膜を堆積する工程(図2(d))、オゾン酸化工程(図2(e))を複数回繰り返す(図2(f),(g))。
Claims (5)
- (a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、
(b)200℃以上かつ700℃未満の温度で、前記SiO2膜及び前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板に酸素ラジカルを供給し、ラジカル酸化する酸化工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記(a)工程と、前記(b)工程とを複数回繰り返す請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(a)工程はCVD法で実行され、
前記CVD法で使用する珪素の原料ガスは、SiCl2H2(ジクロロシラン),SiH4(シラン),SiCl3H(トリクロロシラン),SiCl4(テトラクロロシラン),Si2H6(ジシラン)のうち少なくともいずれかである請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸素ラジカルは、オゾンの自己分解、オゾンの熱分解、オゾンのプラズマによる分解、オゾンのUV照射による分解、酸素分子のプラズマによる分解、酸素分子のUV照射による分解、のうち少なくともいずれか1つ以上により発生させたものである請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b)工程は、内壁の温度が200℃以下であるコールドウォール方式の炉を用いて実行される請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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