JP2008243485A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
二次粒子を所望のエネルギー領域でバンドパス弁別し,なおかつ高収量で検出できる走査電子顕微鏡を提供することを課題とする。
【解決手段】
対物レンズ18より電子源側にレンズ23を設け,このレンズより電子銃側で一次電子線がいかなる光学系を形成していた場合でも,一次電子線を特定の位置である収束点24に収束させるように動作させる。一次電子線の収束点24には,試料2から発生する二次粒子の軌道に作用する場を供給する検出部用ExB16を設け,特定のエネルギー範囲の二次粒子のみを検出部13に導く。二次粒子の軌道に作用する場が供給される位置が一次電子線19の収束点であるため,一次電子線19の収差を拡大させずに所望のエネルギーの二次粒子のみを検出部に導くこと,更にはエネルギーのバンドパス弁別を効果的に行うことが可能になり,観察目的に応じた信号電子を弁別して検出することができる。
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- 電子銃から放出された一次電子線を試料上で走査することにより、前記試料の走査像を得る走査電子顕微鏡であって、
前記一次電子線の光軸上の複数の収束点の内、前記試料に一番近い前記収束点を特定位置に固定する収束点形成部と,
前記一次電子線の照射により前記試料より発生する二次粒子を検出する検出部と
を備えた走査電子顕微鏡。 - 請求項1記載の走査電子顕微鏡であって、
前記特定位置に,前記試料から放出される前記二次粒子を前記検出部に導く電界/磁界を形成する形成部を配置した
走査電子顕微鏡。 - 請求項1記載の走査電子顕微鏡であって、
前記収束点形成部が、前記特定位置より前記電子銃側に配置された軸対称の静電レンズ場と,磁界レンズ場の少なくともどちらか一方を含む
走査電子顕微鏡。 - 請求項1記載の走査電子顕微鏡であって、
前記収束点形成部が,当該特定位置より前記電子銃側に配置された一段もしくは複数段の磁界,電界重畳型の多極子レンズを含む
走査電子顕微鏡。 - 請求項2記載の走査電子顕微鏡であって、
前記検出部は、前記一次電子線の光軸外に設置されており、
前記電界/磁界を形成する形成部は,前記二次粒子を,前記検出部の方向に偏向させるための電界/磁界を形成する
走査電子顕微鏡。 - 請求項5記載の走査電子顕微鏡であって、
前記電界/磁界を形成する形成部が,互いに直交する磁界と電界を生成する、少なくとも一組の電極対と少なくとも一組の磁極対からなるウイーンフィルタである
走査電子顕微鏡。 - 請求項2記載の走査電子顕微鏡であって、
前記電界/磁界を形成する形成部は,前記特定位置より前記電子銃側の所定の位置に,前記二次粒子を収束させる
走査電子顕微鏡。 - 電子銃から放出された一次電子線を試料上で走査することにより、前記試料の走査像を得る走査電子顕微鏡であって、
前記一次電子線の照射により前記試料から発生する二次粒子を検出する検出部と、
前記二次粒子を前記検出部に導く電界/磁界を形成する形成部と、
前記電界/磁界を形成する形成部の動作中心である特定位置に、前記一次電子線の収束点を形成するための収束点形成部とを有する
走査電子顕微鏡。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡であって、
前記電界/磁界を形成する形成部は、前記二次粒子を前記収束点より前記電子銃側の位置に収束する場を供給する場供給部である
走査電子顕微鏡。 - 請求項9記載の走査電子顕微鏡であって、
前記検出部は、前記試料から放出される際のエネルギー,放出コーンアングルによって異なる軌道をたどる前記二次粒子を弁別して検出する、前記二次粒子の軌道上に配置した単数もしくは複数の検出器からなる
走査電子顕微鏡。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡であって、
前記電界/磁界を形成する形成部は、直交電磁界発生器からなる
走査電子顕微鏡。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡であって、
前記収束点形成部が、前記特定位置より前記電子銃側に配置された静電レンズ場と,磁界レンズ場の少なくともどちらか一方からなる
走査電子顕微鏡。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡であって、
前記検出部は、前記特定位置と前記電子銃の間に配置された、前記二次粒子を極低エネルギーの信号電子に変換する変換部と、前記信号電子を検出する光軸外に配置された検出器と,前記信号電子を前記検出器に向けて偏向させるウイーンフィルタとからなる
走査電子顕微鏡。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡であって、
前記特定位置と前記検出部との間に,所望のエネルギー幅の前記二次粒子のみを通過させるための絞りを備えた
走査電子顕微鏡。 - 請求項14記載の前記絞りは,前記一次電子線方向の上下に移動でき,また,前記絞りの直径は,複数段階で可変である
走査電子顕微鏡。 - 一次電子線を試料上で走査することにより、前記試料の走査像を得る走査電子顕微鏡であって、
前記一次電子線を発生する電子銃と、
前記一次電子線の光軸上の特定位置に、前記一次電子線の収束点を形成する収束点形成部と、
前記一次電子線を偏向走査する偏向走査部と、
前記試料を保持する試料台と、
前記試料に前記一次電子線を集束する対物レンズと、
前記一次電子線の照射により前記試料から発生する二次粒子の軌道に作用する場を前記特定位置に供給する場供給部と、
前記場供給部により供給された前記場により、所定の軌道に導かれた前記二次粒子を検出する検出部と
からなる走査電子顕微鏡。 - 請求項16記載の走査電子顕微鏡において,
前記場供給部は、前記収束点より前記電子銃側の所定位置に、前記二次粒子を収束させるための磁界/電界を形成する磁界/電界形成部である
走査電子顕微鏡。 - 請求項16記載の走査電子顕微鏡であって,
前記試料から放出される前記二次粒子のうち、前記検出部では検出されない前記二次粒子を,放出コーンアングル、エネルギーによって別々に検出する複数の検出器を更に備える
走査電子顕微鏡。 - 請求項16記載の走査電子顕微鏡であって、
情報処理部を更に有し、
前記情報処理部は、前記検出部の出力信号に基づき、前記収束点が前記特定位置に形成されているか否かを確認する
走査電子顕微鏡。 - 請求項19記載の走査電子顕微鏡であって、
前記情報処理部は、前記収束点が前記特定位置からずれていた場合に,前記一次電子線に関して軸対称もしくは,非軸対称な振動電場/振動磁場を前記特定位置に形成するよう、前記収束点形成部を制御する
走査電子顕微鏡。
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---|---|
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011092757A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2011187447A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法 |
WO2013011612A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
DE112011102731T5 (de) | 2010-08-18 | 2013-08-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Elektronenstrahlvorrichtung |
JP2014010928A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
WO2015174268A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US9202667B2 (en) | 2009-02-19 | 2015-12-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle radiation device with bandpass detection |
WO2016092642A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JPWO2016120971A1 (ja) * | 2015-01-26 | 2017-10-26 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
CN110189974A (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 | 操作粒子辐射设备的方法和执行该方法的粒子辐射设备 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4977509B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-07-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
TWI473140B (zh) * | 2008-04-11 | 2015-02-11 | Ebara Corp | 試料觀察方法與裝置,及使用該方法與裝置之檢查方法與裝置 |
US20110017909A1 (en) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Raymond Browning | Electron imaging apparatus with image processing |
US8350213B2 (en) * | 2010-03-02 | 2013-01-08 | Hermes Microvision Inc. | Charged particle beam detection unit with multi type detection subunits |
KR101842101B1 (ko) * | 2010-08-03 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 이물질 부착 방지 기능을 구비한 전자선 검사 장치 및 방법 |
JP2012199052A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Jeol Ltd | 電子検出機構及びそれを備えた荷電粒子線装置 |
JP6254445B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2017-12-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JP6932050B2 (ja) * | 2017-09-01 | 2021-09-08 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡 |
US10438769B1 (en) * | 2018-05-02 | 2019-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Array-based characterization tool |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189855A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Hitachi Ltd | 2次電子検出器 |
JPH0349142A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡及びその類以装置 |
WO1998013854A1 (fr) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Hitachi, Ltd. | Emetteur de faisceau a particules chargees |
JP2000133194A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2002110079A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JP2004221089A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子ビーム装置及び検出装置 |
JP2006179504A (ja) * | 2006-03-28 | 2006-07-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 収差補正器付電子線装置 |
JP2006332038A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
JP2007048754A (ja) * | 2000-06-27 | 2007-02-22 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7415318A (nl) * | 1974-11-25 | 1976-05-28 | Philips Nv | Wienfilter. |
US4095143A (en) * | 1976-07-21 | 1978-06-13 | Gte Sylvania Incorporated | Electron beam crossover correction circuitry |
FR2575597B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide |
DE3786588D1 (de) * | 1986-04-24 | 1993-08-26 | Integrated Circuit Testing | Elektrostatisch-magnetische-linse fuer korpuskularstrahlgeraete. |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
WO1999046797A1 (de) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
US6642520B2 (en) * | 1999-04-13 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Topcon | Scanning electron microscope |
US6787772B2 (en) * | 2000-01-25 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
JP2001256914A (ja) | 2001-03-19 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線応用装置 |
US7800062B2 (en) * | 2002-06-11 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Method and system for the examination of specimen |
JP3776887B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2006-05-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置 |
JP4275441B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器付電子線装置 |
US6852982B1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-02-08 | Fei Company | Magnetic lens |
US7141791B2 (en) * | 2004-09-07 | 2006-11-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for E-beam dark field imaging |
JP4636897B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-02-23 | 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ | 走査電子顕微鏡 |
EP1703538B1 (en) * | 2005-03-17 | 2008-11-12 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging |
TW200700717A (en) * | 2005-03-22 | 2007-01-01 | Ebara Corp | Electron beam device |
JP4576272B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-11-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
JP4708854B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP5075375B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP4977509B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-07-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP5102580B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
JP5276860B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007080166A patent/JP4977509B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-12 US US12/073,948 patent/US8217363B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189855A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Hitachi Ltd | 2次電子検出器 |
JPH0349142A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡及びその類以装置 |
WO1998013854A1 (fr) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Hitachi, Ltd. | Emetteur de faisceau a particules chargees |
JP2000133194A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2007048754A (ja) * | 2000-06-27 | 2007-02-22 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
JP2002110079A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JP2004221089A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子ビーム装置及び検出装置 |
JP2006332038A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
JP2006179504A (ja) * | 2006-03-28 | 2006-07-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 収差補正器付電子線装置 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9202667B2 (en) | 2009-02-19 | 2015-12-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle radiation device with bandpass detection |
JP5576406B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-08-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2011092757A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2011187447A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法 |
US9208994B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-12-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam apparatus for visualizing a displacement of an electric field |
DE112011102731T5 (de) | 2010-08-18 | 2013-08-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Elektronenstrahlvorrichtung |
WO2013011612A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
JP2014010928A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
WO2015174268A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2015216075A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
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