JP4636897B2 - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Description
この手法の具体的な適用方式としては、特開2001−126655に、高真空二次電子像観察時に二次電子コレクタ電極として利用している板状の電極を電界供給電極として併用し、イオン電流検出電極として試料台を用いる検出方式が開示されている。また、特開2003−132830では、電界供給電極として二次電子コレクタ電極を用い、イオン電流検出電極として試料台とは別個の専用の電極を用いる検出方式が開示されている。
特開2002−289129には、試料台を電界供給電極および、イオン電流検出電極の両者として用いる検出方法が開示されている。
特開2001−126655(図9)では、接地電位である試料台と正電位が印加された電界供給電極の空間が電子およびイオンのドリフト空間となっている。電子なだれは電子がガス雰囲気中をドリフトする過程で指数関数的に増大するため、多くのイオンは試料台(イオン電流検出電極)より遠方で発生することになる。このため、ガス雰囲気中で発生したイオンがイオン電流検出電極に到達するまでのドリフト時間が長くなってしまい、SEM像の形成に用いられる電流信号の応答速度を高速化に関して十分検討されているとはいえない。
また、イオンの増幅率は二次電子を加速する電位勾配が急激であるほど大きくなることから、電界供給電極の作り出す電位勾配にも依存しているといえる。しかし、イオンの増幅率の向上を目的とした電界供給電極の形状の最適化に関しては上記した従来の手法では十分考慮されていない。
かかる構成により、例えば、次のようにしてSEM像の取得が可能になる。電子銃から発生し加速された一次電子ビームをコンデンサーレンズと対物レンズによって試料上に収束させる。それに伴って試料上の一次電子ビームの照射点を偏向器によって走査する。一次電子ビームの照射に伴って試料から放出された二次電子を、電界供給電極に適当な電圧を印加することで増幅させる。この過程において増幅されたイオンをイオン電流検出電極からイオン電流として検出する。イオン電流検出電極が電界供給電極を覆う形状をしているため、電界供給電極近傍で生成されたイオンを効率良く検出することが可能となる。また、電界供給電極-イオン検出電極間の距離が従来技術による電極配置に比べて短いため、ドリフト時間に起因する応答速度の短縮が可能になる。
イオン電流検出電極7および上部電極と下部電極の間に覆われて配置された電界供給電極11はそれぞれ独立に手動もしくは自動で試料台に近づく向きもしくは遠ざかる向きに位置をスライドできるよう調整機構を設けてもよく、制御装置により自動もしくは手動にて行う。試料の帯電の影響が画像に影響を与える場合、イオン電流検出電極7もしくは電界供給電極11と試料14との間の距離を調節することで、試料台に向かうイオンの量もしくは電子の量を制御し、試料の帯電を相殺するようにする。例えば、一次電子ビームの照射によって試料が負に帯電した場合、イオン電流検出電極7を試料14から遠ざけることで、試料面に向かうイオンの量を増やす。このイオンによって試料面の負の電荷を相殺し、これによって試料面の帯電を低減させる。この場合、イオン電流の収量は、電界供給電極11に印加する電圧および、電界供給電極11と試料14との距離を調節することで制御する。また、二次電子の放出によって試料が正に帯電した場合、電解供給電極11を試料14に近づけることで、ガス増幅された電子の多くを試料面に向かわせる。この電子によって試料面の正の電荷を相殺し、これによって試料面の帯電を低減させる。この場合、イオン電流の収量は、電界供給電極11に印加する電圧および、イオン電流検出電極7と試料14との相対距離を調節することで制御する。また、W.D.を変化させた場合でも、それぞれの電極の位置関係を調節することで、試料面-各電極間の距離を一定に保つことが可能になり、試料面の帯電の程度、イオン電流の収量やドリフト距離を一定に保つことができる。
像観察を行う際の、ガス圧力、W.D.等のパラメータの最適化は手動もしくは自動でイオン電流が最大になるように調節することによって行う。
ガス圧力は制御装置(図示せず)に所望の値を入力することで制御され、真空ポンプを作動させた状態でバルブの開閉によって行われる。最適化は、電界供給電極11に、放電がおこらない範囲の高電圧を印加してガス圧力を調整することによって行われる。また、より高い分解能で測定を行いたい場合にはWDを短くし、ガス圧力を低くする必要がある。
試料室36を高真空状態(10−2〜10−5Pa程度)として観察する際には二次電子コレクタ電極23に正電圧(典型的には1〜500V)を印加して用いる。このとき、二次電子の測定にはシンチレータと光ガイドと光電子増倍管からなる高真空二次電子検出器8を用いる。
電界供給電極は、電界供給電極とイオン電流検出電極のどちらか一方もしくは両方の形状が単線状、もしくはメッシュ状、もしくは多穴板状、もしくは板状の導体から成るものである。
かかる構成により、例えば、電解供給電極を直径200μm程度の細線からなるメッシュ状とした場合、該電極近傍に作られる電位勾配の大きな電界によって、局所的かつ効果的に電子なだれを起こすことができる。ただし、電界供給電極の形状はここに述べた細線状に限定されるものではない。
電子なだれによって増幅されたイオンは電界によって電流検出電極25に向かい、当該電極25からイオン電流として検出される。検出されたイオン電流は増幅器19によって増幅され、A/D変換器を通して画像形成に用いられる。
試料台16、ドーナツ状イオン電流検出電極25、ドーナツ状電界供給電極24、補助電極A10に印加する電圧は電圧制御機構30によって制御する。
二次電子像の形成手法は図1、図5に示した実施例のSEMと同様である。
試料室内が高真空下における二次電子像観察時には、イオン電流検出電極34または電界供給電極35を二次電子コレクタ電極として用いる。二次電子コレクタ電極で集められた二次電子は高真空二次電子検出器8で検出する。イオン電流検出電極34または電界供給電極35を二次電子コレクタとして併用することで、省スペースにて搭載することが可能となる。
高真空での二次電子像観察時には、二次電子コレクタ電極23に加えて電界供給電極11も二次電子コレクタ電極として用いる。
Claims (14)
- 電子ビームを試料に照射する照射光学系と、試料室内に試料を載置する試料台とを備えたガス増幅式イオン電流検出型走査電子顕微鏡において、
前記試料台の周囲に少なくとも1つ配置された電界供給電極と、
イオン電流検出電極とを備え、
前記イオン電流検出電極は前記試料台と前記電界供給電極との間に開口部を有し、
前記電界供給電極は前記イオン電流検出電極に前記開口部を除いた周囲を覆われて配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 電子ビームを試料に照射する照射光学系と、
試料を載置する試料台と、
前記試料台を内部に備える試料室と、
前記電子ビームを照射して前記試料より発生した二次電子を加速させるため電界を供給する電界供給電極とを備え、
前記試料室内の残留ガスと前記加速された二次電子の衝突によって発生したイオンを検出するイオン電流検出電極を前記試料室内に備え、
前記イオン電流検出電極は上部電極と下部電極を有し、
前記電界供給電極は前記上部電極と下部電極の間に配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記イオン電流検出電極は前記試料台と前記電界供給電極との間に開口部を有し、
前記イオン電流検出電極は前記電界供給電極に前記開口部を除いた周囲を覆う形状であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の走査電子顕微鏡において、
前記電界供給電極とイオン電流検出電極のどちらか一方もしくは両方の形状が単線状、もしくはメッシュ状、もしくは多穴板状、もしくは板状であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料台または前記イオン電流検出電極または前記電界供給電極に電圧を印加する手段と、
該印加電圧を制御する手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料室内に、前記電子ビームを照射して前記試料より発生する二次電子に所望の速度を与えるための電界を形成する第一の電極を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料室内に、二次電子を加速して残留ガス分子によるガス増幅を起こさせるのに必要な電界を供給し、前記ガス増幅によって生成されたイオンもしくは電子を帯電した前記試料にドリフトさせるための電界を供給する第二の電極を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5〜7のいずれかに記載の走査電子顕微鏡において、
前記印加電圧制御手段は、前記第一の電極または第二の電極の印加電圧を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記イオン電流検出電極と前記電界供給電極とを独立に相対位置を調整する手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記イオン電流検出電極または前記電界供給電極と前記試料台との相対位置を調整する手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料台を前記イオン電流検出電極として併用することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電界供給電極またはイオン電流検出電極を二次電子コレクタとして併用可能であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記イオン電流検出電極から検出されたイオン電流を像形成に必要な強度まで増幅するための増幅器を、前記試料室内に備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記残留ガスは大気ガスまたは窒素ガスまたは希ガスであることを特徴とする走査電子顕微鏡。
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Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4908934B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法 |
JP4906409B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-03-28 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法 |
EP1953791A1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-06 | FEI Company | Apparatus for observing a sample with a particle beam and an optical microscope |
WO2008098084A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Fei Company | High pressure charged particle beam system |
JP4977509B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-07-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
CZ2007685A3 (cs) | 2007-10-04 | 2008-12-17 | Ústav prístrojové techniky AV CR, v.v.i. | Ionizacní detektor environmentálního rastrovacíhoelektronového mikroskopu |
JP5276860B2 (ja) | 2008-03-13 | 2013-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP5352262B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-11-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
CN102103148B (zh) * | 2010-07-23 | 2014-03-05 | 燕山大学 | 金属材料应力腐蚀断裂扫描电镜原位观察试样台 |
JP5450357B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US8552377B2 (en) * | 2010-12-14 | 2013-10-08 | Hermes Microvision, Inc. | Particle detection system |
DE102011077635A1 (de) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Hochspannungsversorgungseinheit für ein Teilchenstrahlgerät |
KR101348581B1 (ko) * | 2011-09-27 | 2014-01-09 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 주사전자현미경 및 이를 이용한 1차전자의 전류량 측정 방법 |
WO2013102064A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | Protochips, Inc. | Sample holder for electron microscopy for low-current, low-noise analysis |
PL224742B1 (pl) * | 2012-06-06 | 2017-01-31 | Politechnika Wroclawska | Zespolony detektor kierunkowy elektronów |
JP5936484B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2016-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料観察方法 |
JP5909431B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-04-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
EP2755021B1 (en) * | 2013-01-15 | 2016-06-22 | Carl Zeiss Microscopy Ltd. | Method of analyzing a sample and charged particle beam device for analyzing a sample |
EP2959287A4 (en) * | 2013-02-20 | 2016-10-19 | Nano Ltd B | scanning Electron Microscope |
US9190241B2 (en) * | 2013-03-25 | 2015-11-17 | Hermes-Microvision, Inc. | Charged particle beam apparatus |
JP5493044B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2014-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10236156B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-03-19 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP6739207B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-08-12 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP6919014B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2021-08-11 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
CN107275177B (zh) * | 2017-06-12 | 2019-05-28 | 北京理工大学 | 用于超快扫描电子显微镜的可拆卸电场装置 |
JP7013581B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-01-31 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
KR20220151185A (ko) * | 2020-04-15 | 2022-11-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 반송 장치 및 해석 시스템 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0660841A (ja) * | 1992-06-11 | 1994-03-04 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPH06168695A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nikon Corp | 荷電粒子顕微鏡 |
JPH06236744A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPH06338282A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2003132830A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2003197143A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Jeol Ltd | 低真空走査電子顕微鏡 |
JP2005539359A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 粒子−光デバイスおよび検出手段 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR850001390B1 (ko) * | 1980-07-31 | 1985-09-24 | 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 | 2차 전자 검출장치 |
GB8327737D0 (en) * | 1983-10-17 | 1983-11-16 | Texas Instruments Ltd | Electron detector |
US4596929A (en) * | 1983-11-21 | 1986-06-24 | Nanometrics Incorporated | Three-stage secondary emission electron detection in electron microscopes |
EP0262365A3 (de) * | 1986-09-30 | 1989-12-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Spektrometer-Detektoranordnung für quantitative Potentialmessungen |
US4862032A (en) | 1986-10-20 | 1989-08-29 | Kaufman Harold R | End-Hall ion source |
US4880976A (en) | 1987-05-21 | 1989-11-14 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
US4897545A (en) | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
US4786806A (en) * | 1987-06-22 | 1988-11-22 | Gaf Corporation | Retarding field spectrometer |
JP2569057B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | X線マスクの欠陥修正方法 |
JP3323021B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡及びそれを用いた試料像観察方法 |
JPH09283072A (ja) | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | 2次荷電粒子検出方法及びそのシステム並びにイオンビーム加工装置 |
US5945672A (en) | 1998-01-29 | 1999-08-31 | Fei Company | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope |
US6610257B2 (en) * | 1999-01-11 | 2003-08-26 | Ronald A. Vane | Low RF power electrode for plasma generation of oxygen radicals from air |
JP2001126655A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
GB0005717D0 (en) * | 2000-03-09 | 2000-05-03 | Univ Cambridge Tech | Scanning electron microscope |
EP2088615B1 (en) * | 2000-03-31 | 2013-02-13 | Hitachi Ltd. | Charged particle beam device |
US7462839B2 (en) | 2000-07-07 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector for variable pressure areas and an electron microscope comprising a corresponding detector |
JP2002289129A (ja) | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Jeol Ltd | 低真空走査電子顕微鏡 |
US6635871B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-10-21 | Ut-Battelle, Llc | Positron lifetime spectrometer using a DC positron beam |
JP4292068B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2009-07-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US7067807B2 (en) * | 2004-09-08 | 2006-06-27 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Charged particle beam column and method of its operation |
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2005
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JPH0660841A (ja) * | 1992-06-11 | 1994-03-04 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPH06168695A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nikon Corp | 荷電粒子顕微鏡 |
JPH06236744A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JPH06338282A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2003132830A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2003197143A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Jeol Ltd | 低真空走査電子顕微鏡 |
JP2005539359A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 粒子−光デバイスおよび検出手段 |
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