JP2008235290A - 粒子と混合したカーボンナノチューブからの増強した電界放出 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)a)基板、およびb)カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、1つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。
【選択図】なし
Description
本出願は、2002年10月9日出願の米国特許仮出願第60/417,246号に対する優先権を主張する。
本発明は、全体としては電界放出装置に関し、詳しくはカーボンナノチューブを含む電界放出装置に関する。
カーボンナノチューブ(CNT)は興味ある物理的および化学性質を有し、そのためCNTは現在進行中の多数の研究(アジャヤン(Ajayan)ら、トピックス・イン・アプライド・フィジックス(Top.Appl.Phys.)、第80巻、391頁、2001年、ダイ(Dai)、アカウンツ・フォア・ケミカル・リサーチ(Acc.Chem.Res.)、第35巻、1035頁、2002年)の対象となった。これらの研究のいくつかによる結果として、カーボンナノチューブは、高いアスペクト比および優れた化学的安定性を有するため、電界放出ディスプレイ用の優れたカソード材料であることが見いだされた(米国特許第5,773,921号明細書)。単層カーボンナノチューブ(SWNT)は直径5オングストロームから数ナノメートル(nm)、長さミクロン(μm)以上に及ぶ中空のカーボンフラーレンチューブである。多層カーボンナノチューブ(MWNT)は類似のものであるが、チューブを形成する二つ以上の同心炭素層を含む。整列したカーボンナノチューブはより高い幾何学的な電界増強効果を有するので、良好な電界放出特性を有し得ることが示唆された(ワング(Wang)ら、アプライド・フィジックス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)、第72巻、2912頁、1998年)。CNTは化学気相成長(CVD)法(ニコラエフ(Nikolaev)ら、ケミカル・フィジックス・レターズ(Chem.Phys.Lett.)、第313巻、91頁、1999年、ホワン(Huang)ら、アプライド・フィジックス(Appl.Phys.)A、第74巻、387頁、2002年)、アーク放電法(ジュルネ(Journet)ら、ネイチャー(Nature)、第388巻、756頁、1997年)、レーザアブレーション(テス(Thess)ら、サイエンス(Science)、第273巻、483頁、1997年)、およびその他の技法(例えばデレイケ(Derycke)ら、ナノ・レターズ(Nano Letters)、第2巻(10号)、1043頁、2002年)によって製造することができる。さらに、ナノスケール金属触媒を有する基板上に、約550℃から約1200℃の温度でCVD法を用いて垂直に配向したCNTを成長させることができる(ホアンら、2002年)。
(1)a)基板、および
b)カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソード。
(2)カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層
カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、項目1に記載のカソード。
(3)粒子は、球状粒子、円板形粒子、層状粒子、棒状粒子、金属粒子、半導体粒子、重合体粒
子、セラミック粒子、誘電体粒子、粘土粒子、繊維、ナノ粒子、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、項目1に記載のカソード。
(4)カソード材料は基板の表面上に層として存在する、項目1に記載のカソード。
(5)カソード材料の層は約10nmから約1mmの範囲の厚さを有する、項目4に記載のカ
ソード。
(6)ナノチューブは約0.1重量パーセントから約99重量パーセントの範囲の量でカソード
材料中に存在する、項目1に記載のカソード。
(7)カーボンナノチューブは整列している、項目1に記載のカソード。
(8)カーボンナノチューブの少なくとも一端は粒子の間に閉じ込められている、項目1に記
載のカソード。
(9)カーボンナノチューブは粒子中の細孔内に閉じ込められている、項目1に記載のカソー
ド。
(10)カーボンナノチューブは粒子間のギャップ内に閉じ込められている、項目1に記載のカ
ソード。
(11)粒子は層状である、項目1に記載のカソード。
(12)CNTは粒子内の層の間に閉じ込められている、項目11に記載のカソード。
(13)a)アノードアセンブリ、および
b)カソードアセンブリ
を含む電界放出ディスプレイ装置であって、該カソードアセンブリは、
1)基板、
2)基板上に堆積した導電層、および
3)導電層上に層として堆積したカーボンナノチューブと粒子とを含む電界放出カソード材料
を含む電界放出ディスプレイ装置。
(14)a)カーボンナノチューブと粒子との混合物を作製する工程、および
b)カーボンナノチューブと粒子との混合物の層を基板上に堆積させてカソードを作製する工程
を含む方法。
(15)ナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボン
ナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、項目14に記載の方法。
(16)粒子は球状粒子、円板形粒子、層状粒子、棒状粒子、金属粒子、半導体粒子、重合体粒子
、セラミック粒子、誘電体粒子、粘土粒子、繊維、ナノ粒子、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、項目14に記載の方法。
(17)カーボンナノチューブと粒子との混合物を作製する工程は粉砕操作を含む、項目14に
記載の方法。
(18)カーボンナノチューブと粒子との混合物を作製する工程は溶媒分散を含む、項目14に
記載の方法。
(19)カーボンナノチューブと粒子との混合物は、スプレー吹き付け、ブラッシング、電気泳動
堆積、ディッピング、分配、スクリーン印刷、インクジェット印刷およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれた方法を用いて堆積させられる、項目14に記載の方法。
(20)混合物を基板上に堆積させた後に溶媒を混合物から除去する工程をさらに含む、項目1
9に記載の方法。
(21)カソードを活性化させるテーププロセスをさらに含む、項目14に記載の方法。(22)カーボンナノチューブと粒子との層の中のカーボンナノチューブを整列させる方法をさら
に含む、項目14に記載の方法。
(23)粒子は層状である、項目14に記載の方法。
(24)カーボンナノチューブと層状粒子との混合物に加えられた剪断力を用いてカーボンナノチ
ューブを整列させる方法をさらに含む、項目23に記載の方法。
(25)層状粒子は粘土を含む、項目23に記載の方法。
(発明の要約)
本発明は、電界放出装置用の新しいカソード、そのようなカソードを作製する方法、および放出しきい電場を低下させ、放出電流を増大させることによってそのようなカソードの電界放出性能を最適化する方法を目的とする。そのようなカソードはカソード材料を含み、カソード材料自体はカーボンナノチューブ(CNT)および粒子を含む。微粒子マトリックス物質の中の電場放出物質(CNT)の密度を調節することによって、電界放出性能の最適化を実現する。カソード材料混合物(CNTおよび粒子)の中のCNT繊維の最適濃度は、放出のために最大数のCNTを利用可能にするが、加えられた電場の電気的遮蔽によってCNT繊維が互いの性能と干渉し合うほどには高くない濃度であると考えられる。さらに、本発明の処理は室温で実行することができ、CNT濃度の最適化は基板に依存しないので、そのような混合物は非常に広い範囲の材料に塗布することができる。この方法はまた、高解像度リソグラフィー加工工程をまったく必要としない点で非常に経済的でもある。電界放出物質としてのCNT物質の使用を含むどのような用途も、おそらく本発明から潜在的に利益を得ることができよう。
本発明はカソードと、カーボンナノチューブ(CNT)および粒子を含むカソード材料とを目的とする。本発明はまた、本発明のカソードを含む電界放出装置、ならびにこれらのカソードを製造する方法も目的とする。いくつかの実施態様では、本発明のカソードは電界放出ディスプレイ中に用いられる。本発明はまた、基板上にCNTと粒子との層を堆積させて本発明のカソードを作製する方法、ならびにその結果得られる層の電界放出特性を電界放出ディスプレイ用に最適化することを目的として、この混合層中に用いられるCNTの密度を制御する方法を含む。
本実施例は、SWNTをアルミナ(Al2O3)ナノ粒子と混合して適切な密度を実現し、次に基板に塗布して電界放出ディスプレイ(図2および13参照)のカソードとして用いる本発明の実施態様の例を示す。本発明をより十分に説明するために、この実施態様の詳細な実施例を示す。
この実施例は、どのように活性化プロセスを用いて本発明のカソードの電界放出特性をさらに改善するかの例を示す。
本実施例は、粘土粒子を利用する本発明のいくつかの実施態様の例を示す。
数多くの他の用途が存在するが、本実施例は、どのようにして本発明のカソードを含む電界放出ディスプレイ装置をデータ処理システム中に集積化することができるかの例を示すためのものである。
Claims (1)
- 明細書に記載の発明。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41724602P | 2002-10-09 | 2002-10-09 | |
US10/680,941 US6798127B2 (en) | 2002-10-09 | 2003-10-07 | Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004543641A Division JP2006502554A (ja) | 2002-10-09 | 2003-10-09 | 粒子と混合したカーボンナノチューブからの増強した電界放出 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235290A true JP2008235290A (ja) | 2008-10-02 |
JP4459281B2 JP4459281B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=32073442
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004543641A Pending JP2006502554A (ja) | 2002-10-09 | 2003-10-09 | 粒子と混合したカーボンナノチューブからの増強した電界放出 |
JP2008039413A Expired - Fee Related JP4459274B2 (ja) | 2002-10-09 | 2008-02-20 | 電界放出カソード及び電界放出ディスプレイ装置 |
JP2008159797A Expired - Fee Related JP4459281B2 (ja) | 2002-10-09 | 2008-06-18 | 電界放出カソードの作成方法及び電界放出カソードの製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004543641A Pending JP2006502554A (ja) | 2002-10-09 | 2003-10-09 | 粒子と混合したカーボンナノチューブからの増強した電界放出 |
JP2008039413A Expired - Fee Related JP4459274B2 (ja) | 2002-10-09 | 2008-02-20 | 電界放出カソード及び電界放出ディスプレイ装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6798127B2 (ja) |
EP (1) | EP1556878B1 (ja) |
JP (3) | JP2006502554A (ja) |
KR (1) | KR100982631B1 (ja) |
CN (1) | CN1711620B (ja) |
AT (1) | ATE464646T1 (ja) |
AU (1) | AU2003291638A1 (ja) |
DE (1) | DE60332142D1 (ja) |
WO (1) | WO2004034417A2 (ja) |
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- 2003-10-09 EP EP03768525A patent/EP1556878B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-09 AT AT03768525T patent/ATE464646T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-10-09 KR KR1020057006117A patent/KR100982631B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-09 WO PCT/US2003/032104 patent/WO2004034417A2/en active Application Filing
- 2003-10-09 JP JP2004543641A patent/JP2006502554A/ja active Pending
- 2003-10-09 AU AU2003291638A patent/AU2003291638A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-09 DE DE60332142T patent/DE60332142D1/de not_active Expired - Lifetime
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CN1711620B (zh) | 2010-08-25 |
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WO2004034417A2 (en) | 2004-04-22 |
KR100982631B1 (ko) | 2010-09-15 |
EP1556878A2 (en) | 2005-07-27 |
ATE464646T1 (de) | 2010-04-15 |
AU2003291638A8 (en) | 2004-05-04 |
KR20050057636A (ko) | 2005-06-16 |
EP1556878B1 (en) | 2010-04-14 |
JP4459281B2 (ja) | 2010-04-28 |
JP4459274B2 (ja) | 2010-04-28 |
US20040070326A1 (en) | 2004-04-15 |
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JP2006502554A (ja) | 2006-01-19 |
WO2004034417A3 (en) | 2005-04-07 |
JP2008159596A (ja) | 2008-07-10 |
US20050001528A1 (en) | 2005-01-06 |
AU2003291638A1 (en) | 2004-05-04 |
EP1556878A4 (en) | 2008-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080910 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080929 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090609 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4459281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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