KR20060104657A - 전자 방출 소자 - Google Patents

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KR20060104657A
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Abstract

본 발명은 구동 전극들간 기생 캐패시턴스를 낮추어 신호 지연을 억제하기 위한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 연결되는 전자 방출부들을 포함한다. 이 때, 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 하면, 제1 전극들과 제2 전극들 중 적어도 하나의 전극들은 에미션 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 이격되어 위치하는 한 쌍의 라인부와, 에미션 영역을 가로지르며 한 쌍의 라인부를 연결하는 연결부로 이루어진다.
전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 저항, 캐패시턴스, 신호지연

Description

전자 방출 소자 {ELECTRON EMISSION DEVICE}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 도 1에 도시한 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제1 전극의 변형예를 나타낸 부분 절개 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제2 전극의 변형예를 나타낸 부분 절개 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이다.
도 12는 도 11에 도시한 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 신호 지연을 유도하는 캐패시턴스 값을 줄이기 위하여 구동 전극들의 교차 부위 형상을 개선한 전자 방출 소자에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
이 가운데 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 카본 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.
FEA형 전자 방출 소자는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 제1 기판 위에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 형성하고, 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 형광층과 더불어 형광층을 고전위 상태로 유지시키는 애노드 전극을 형성한 구성으로 이루어 진다.
통상의 경우 캐소드 전극과 게이트 전극은 절연층을 사이에 두고 서로 직교하는 방향을 따라 형성되고, 두 전극의 교차 부위마다 게이트 전극과 절연층에 개구부가 형성되며, 개구부 내측으로 캐소드 전극 위에 전자 방출부가 형성된다.
캐소드 전극과 게이트 전극 중 어느 하나의 전극에는 주사 신호 전압이 인가되고, 다른 하나의 전극에는 데이터 신호 전압이 인가된다. 이로써 두 전극간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.
그런데 상기한 전자 방출 소자는 그 작용시 구동 전극들의 저항과 구동 전극들간 기생 캐패시턴스에 의해 구동 신호가 지연되는 등 신호 왜곡이 발생할 수 있다. 신호 지연은 저항(R)과 캐패시턴스(C)에 비례한다. 이 때, 캐패시턴스(C)는 절연층의 유전 상수 및 캐소드-게이트 전극 중첩 영역의 크기에 비례하고, 절연층의 두께에 반비례하는 특성이 있다.
따라서 종래의 전자 방출 소자 분야에서는 저항을 줄이기 위한 방안으로 구동 전극들 위에 도전성이 높은 금속으로 보조 전극을 형성하고 있으며, 캐패시턴스를 줄이기 위한 방안으로 절연층을 유전 상수가 낮은 절연 물질로 형성하거나, 절연층의 두께를 크게 하는 등, 주로 절연층을 개선하는 방법을 적용하고 있다.
그런데 신호 지연을 억제하기 위한 캐패시턴스 감소 기술과 관련하여, 절연 물질 대체 기술은 새로운 물질 개발에 따른 비용과 적용 실험 등이 요구되므로 양산에 적합하지 않은 점이 있다.
또한, 절연층의 두께를 확대시키는 기술은, 절연층을 습식 식각하여 개구부를 형성할 때 습식 식각의 등방성 식각 특성으로 인해 개구부에 경사면이 형성되므로 게이트 전극의 개구부 크기를 확대시키는 결과를 초래한다. 이 경우 전자 방출부와 게이트 전극간 거리가 멀어져 구동 전압이 높아지고, 고해상도 소자 제작에 불리하며, 화소간 전자 방출 균일도가 저하되는 등의 문제가 발생한다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 절연층의 구성 물질과 두께 등을 변경하지 않고도 구동 전극들의 형상을 개선하여 캐패시턴스를 낮추고, 그 결과 신호 지연을 억제하여 양호한 표시 품질을 구현할 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 연결되는 전자 방출부들과, 제2 기판에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 할 때, 제1 전극들과 제2 전극들 중 적어도 하나의 전극들이 에미션 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 이격되어 위치하는 한 쌍의 라인부와, 에미션 영역을 가로지르며 한 쌍의 라인부를 연결하는 연결부를 포함하는 전자 방출 소자를 제공 한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 연결되는 전자 방출부들과, 제2 기판에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 할 때, 제1 전극들과 제2 전극들 중 적어도 하나의 전극들이 이 전극의 길이 방향을 따라 위치하는 각 에미션 영역 사이에 개구 영역을 형성하여 두 전극간 비중첩 영역을 제공하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기 에미션 영역은 제1 전극들과 제2 전극들의 교차 영역 중앙에 위치하며, 상기 적어도 하나의 전극들은 에미션 영역을 제외한 일면 전체에 보조 전극을 형성한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 연결되는 전자 방출부와, 제2 기판에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 제1 전극들과 제2 전극들은 각각 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 라인부와, 각 라인부로부터 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 돌출되어 상호 중첩되는 유효부로 이루어지며, 전자 방출부들이 제1 전극들 또는 제2 전극들의 유효부에 위치하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기에서 전자 방출부는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 구조물이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하는 구조물이 제공된다.
먼저, 제1 기판(2) 위에는 캐소드 전극인 제1 전극들(6)이 제1 기판(2)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 형성되고, 제1 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 게이트 전극인 제2 전극들(10)이 제1 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 형성된다.
본 실시예에서 제1 전극(6)과 제2 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 제1 전극(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 절연층(8)과 제2 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(14)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.
그리고, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(16)과 흑색층(18)이 형성되고, 형광층(16)과 흑색층(18) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(20)이 형성된다. 애노드 전극(20)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(16)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.
여기서, 도 4에 도시한 바와 같이 제1 전극(6)과 제2 전극(10)이 교차하여 제1 전극(6)의 양측 사이드가 한 쌍의 장변을 이루고, 제2 전극(10)의 양측 사이드가 한 쌍의 단변을 이루는 장방형의 영역을 편의상 제1 전극(6)과 제2 전극(10)의 교차 영역(A)으로 정의한다. 그리고 전자 방출부들(12)이 위치하여 전자 방출 소자 작용시 실질적인 전자 방출이 이루어지는 영역을 에미션 영역(B)으로 정의한다.
에미션 영역(B)은 교차 영역(A)보다 작은 크기를 가지며, 교차 영역(A)의 중앙에 위치하는 것이 바람직하다.
이와 같이 두 전극의 교차 영역(A) 내측에 에미션 영역(B)이 위치할 때, 제1 전극(6)은 제1 전극(6)의 양측 사이드에 위치하는 한 쌍의 라인부(61)와, 에미션 영역(B)을 가로지르며 한 쌍의 라인부(61)를 연결하는 연결부(62)로 이루어진다. 제2 전극(10) 또한 제2 전극(10)의 양측 사이드에 위치하는 한 쌍의 라인부(101)와, 에미션 영역(B)을 가로지르며 한 쌍의 라인부(101)를 연결하는 연결부(102)로 이루어진다.
도 5를 참고하면, 제1 전극(6)의 라인부들(61)은 서로간 거리(d1)가 제1 전극(6)의 폭 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭(w1)보다 크게 이루어지며, 제1 전극(6)의 연결부(62)는 바람직하게 제1 전극(6)의 길이 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭(w2)과 동일한 폭으로 형성된다.
제2 전극(10)의 라인부들(101)은 서로간 거리(d2)가 제2 전극(10)의 폭 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭(w2)보다 크게 이루어지며, 제2 전극(10)의 연결부(102)는 바람직하게 제2 전극(10)의 길이 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭(w1)과 동일한 폭으로 형성된다.
이러한 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 형상에 의해, 두 전극의 교차 영역(A) 중 실제 두 전극이 중첩되는 영역은 도 6에 도시한 바와 같이 제1 전극(6)의 라인 부(61)와 제2 전극(10)의 라인부(101)가 중첩되는 네곳의 영역(C)과, 전자 방출부들(12)이 위치하는 에미션 영역(B)이 되고, 그 나머지 영역으로는 두 전극이 서로 중첩되지 않는다.
도 1과 도 3을 참고하여 제1 전극(6)과 제2 전극(10)의 형상을 다시 살펴보면, 제1 전극(6)은 그 길이 방향을 따라 각 에미션 영역(B) 사이에 개구 영역(63)을 형성하고, 제2 전극(10) 또한 그 길이 방향을 따라 각 에미션 영역(B) 사이에 개구 영역(103)을 형성하여 다른 전극과 중첩되지 않는 영역을 제공한다.
제1 전극(6)의 개구 영역(63)은 제1 전극(6)의 폭 방향에 따른 크기가 이 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭보다 크게 이루어지며, 제1 전극(6)의 길이 방향에 따른 크기는 바람직하게 이 길이 방향을 따라 서로 이웃한 두 에미션 영역(B)간 거리와 동일하게 이루어진다.
그리고 제2 전극(10)의 개구 영역(103)은 제2 전극(10)의 폭 방향에 따른 크기가 이 방향에 따른 에미션 영역(B)의 폭보다 크게 이루어지며, 제2 전극(10)의 길이 방향에 따른 크기는 바람직하게 이 길이 방향을 따라 서로 이웃한 두 에미션 영역(B)간 거리와 동일하게 이루어진다.
전술한 구조에서 제1 전극(6)은 한 쌍의 라인부(61)를 통해 구동 전압을 인가받아 에미션 영역(B)에 위치하는 전자 방출부들(12)에 전자 방출에 필요한 전류를 공급한다. 제2 전극(10) 또한 한 쌍의 라인부(101)를 통해 구동 전압을 인가받아 에미션 영역(B)에서 제1 전극(6)과의 전압 차를 이용해 전자 방출부(12) 주위에 전계를 형성한다.
이 때, 도 7에 도시한 바와 같이 제1 전극(6)에는 에미션 영역을 제외한 그 윗면 전체에 도전성이 높은 금속으로 이루어진 보조 전극(64)이 더욱 형성되고, 도 8에 도시한 바와 같이 제2 전극(10) 또한 에미션 영역을 제외한 그 윗면 전체에 도전성이 높은 금속으로 이루어진 보조 전극(104)이 더욱 형성될 수 있다.
제1 전극(6)은 광 투명성을 갖는 ITO로 이루어지고, 제2 전극(10)은 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있다. 보조 전극(64, 104)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 같이 전기 저항이 극히 낮은 물질로 형성되며, 제1 전극(6)과 제2 전극(10)의 저항을 낮추어 전압 강하와 신호 지연을 억제하는 역할을 한다.
전술한 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 그 사이에 스페이서들(22, 도 2 참고)를 배치한 상태에서 가장자리가 일체로 접합되고, 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전자 방출 소자를 구성한다. 이 때, 스페이서들(22)은 흑색층(18)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 배치되며, 도 2에서는 편의상 하나의 스페이서를 도시하였다.
상기 구성의 전자 방출 소자는 외부로부터 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 및 애노드 전극(20)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 제1 전극(6)과 제2 전극(10)에는 수 내지 수십 볼트의 전압 차를 갖는 구동 전압이 인가되고, 애노드 전극(20)에는 수백 내지 수천 볼트의 (+)전압이 인가된다. 따라서, 제1 전극(6)과 제2 전극(10)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(20)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(16)에 충돌하여 이를 발광시킨다.
전술한 구동 과정에서, 본 실시예의 전자 방출 소자는 제1 전극(6)과 제2 전극(10)에 개구 영역(63, 103)이 형성되어 저항은 증가하지만, 두 전극(6, 10)의 중첩 영역 감소에 따른 캐패시턴스 감소 효과가 더욱 뛰어나기 때문에, 신호 지연을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 9와 도 10은 각각 본 발명의 제2 실시예와 제3 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
먼저 도 9를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 전극(6')이 일정한 폭을 갖는 스트라이프 패턴으로 이루어지고, 제2 전극(10)은 전술한 제1 실시예의 제2 전극과 동일한 구성으로 이루어진다. 본 실시예에서는 제2 전극(10)의 개구 영역(103)에 의해 제1 전극(6')과의 중첩 부위를 감소시켜 두 전극간 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.
그리고 도 10을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에서는 제2 전극(10')이 일정한 폭을 갖는 스트라이프 패턴으로 이루어지고, 제1 전극(6)은 전술한 제1 실시예의 제1 전극과 동일한 구성으로 이루어진다. 본 실시예에 있어서도 제1 전극(6)의 개구 영역(63)에 의해 제2 전극(10')과의 중첩 부위를 감소시켜 두 전극간 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이고, 도 12는 도 11에 도시한 제1 기판 구조물의 부분 평면도이다.
도면을 참고하면, 본 실시예에서 제1 전극(24)은 제1 기판(2)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 형성되는 라인부(241)와, 라인부(241)로부터 제1 기판(2) 상에 설정되는 화소 영역마다 돌출되어 위치하는 유효부(242)로 이루어진다. 절연층(8) 위에 배치되는 제2 전극(26)은 제1 전극(24)의 라인부(241)와 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 형성되는 라인부(261)와, 라인부(261)로부터 제1 전극(24)의 유효부(242)를 향해 돌출되어 제1 전극(24)의 유효부(242)와 중첩되는 유효부(262)로 이루어진다.
제1 전극(24)의 유효부(241)에는 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 절연층(8)과 제2 전극(26)의 유효부(262)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(14)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다. 이로써 두 전극의 유효부(242, 262)가 실질적인 전자 방출이 이루어지는 에미션 영역을 이룬다.
이 때, 제1 전극(24)의 라인부(241)와 제2 전극(26)의 라인부(261) 위에는 각각의 보조 전극(243, 263)이 형성되어 선폭 감소에 따른 제1 전극(24)과 제2 전극(26)의 저항 상승을 보상한다.
전술한 구성에 의해 도 12에 도시한 바와 같이 제1 전극(24)과 제2 전극(26)은 각 화소 영역에서 두 전극의 라인부(241, 261)가 교차하는 한 곳의 영역(D)과, 전자 방출부들(12)이 위치하는 에미션 영역(B)에서 실제 두 전극간 중첩이 이루어진다. 따라서 본 실시예의 전자 방출 소자는 제1 전극(24)과 제2 전극(26)의 선폭 감소에 따라 저항은 증가하지만, 두 전극의 중첩 영역 감소에 따른 캐패시턴스 감소 효과가 더욱 뛰어나기 때문에, 신호 지연을 효과적으로 억제할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 전술한 제1 전극과 제2 전극 형상에 의해 두 전극간 중첩 부위를 감소시켜 캐패시턴스 감소에 뛰어난 효과를 발휘한다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 제1 전극과 제2 전극에 구동 전압을 인가하여 화소별 전자 방출을 제어하는 과정에서 신호 지연을 효율적으로 억제하여 양호한 표시 품질을 구현할 수 있다.

Claims (18)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과;
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;
    상기 제2 기판에 형성되는 형광층과;
    상기 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 할 때, 상기 제1 전극들과 제2 전극들 중 적어도 하나의 전극들이 상기 에미션 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 이격되어 위치하는 한 쌍의 라인부와, 상기 에미션 영역을 가로지르며 한 쌍의 라인부를 연결하는 연결부를 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극이 상기 한 쌍의 라인부와 연결부로 이루어지고,
    상기 한 쌍의 라인부간 거리가 상기 제1 전극의 폭 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭보다 크게 이루어지는 전자 방출 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극의 연결부가 상기 제1 전극의 길이 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭과 동일한 폭을 가지는 전자 방출 소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극이 상기 한 쌍의 라인부와 연결부로 이루어지고,
    상기 한 쌍의 라인부간 거리가 상기 제2 전극의 폭 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭보다 크게 이루어지는 전자 방출 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극의 연결부가 상기 제2 전극의 길이 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭과 동일한 폭을 가지는 전자 방출 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에미션 영역이 상기 제1 전극들과 제2 전극들의 교차 영역 중앙에 위치하는 전자 방출 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전극들이 상기 에미션 영역을 제외한 일면 전체에 보조 전극을 형성하는 전자 방출 소자.
  8. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과;
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;
    상기 제2 기판에 형성되는 형광층과;
    상기 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 할 때, 상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 적어도 하나의 전극들이 이 전극의 길이 방향을 따라 위치하는 각 에미션 영역 사이에 개구 영역을 형성하여 두 전극간 비중첩 영역을 제공하는 전자 방출 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극이 상기 각 에미션 영역 사이에 개구 영역을 형성하며,
    상기 개구 영역은 상기 제1 전극의 폭 방향에 따른 크기가 이 폭 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭보다 크게 이루어지는 전자 방출 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전극의 개구 영역은 상기 제1 전극의 길이 방향에 따른 크기가 이 길이 방향을 따라 서로 이웃한 두 에미션 영역간 거리와 동일하게 이루어지는 전자 방출 소자.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제2 전극이 상기 각 에미션 영역 사이에 개구 영역을 형성하며,
    상기 개구 영역은 상기 제2 전극의 폭 방향에 따른 크기가 이 폭 방향에 따른 상기 에미션 영역의 폭보다 크게 이루어지는 전자 방출 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 전극의 개구 영역은 상기 제2 전극의 길이 방향에 따른 크기가 이 길이 방향을 따라 서로 이웃한 두 에미션 영역간 거리와 동일하게 이루어지는 전자 방출 소자.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 에미션 영역이 상기 제1 전극들과 제2 전극들의 교차 영역 중앙에 위치하는 전자 방출 소자.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전극들이 상기 에미션 영역을 제외한 일면 전체에 보조 전극을 형성하는 전자 방출 소자.
  15. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과;
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;
    상기 제2 기판에 형성되는 형광층; 및
    상기 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극들과 제2 전극들은 각각 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 라인부와, 상기 각 라인부로부터 상기 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 돌출되어 상호 중첩되는 유효부로 이루어지며,
    상기 전자 방출부들이 상기 제1 전극들 또는 상기 제2 전극들의 유효부에 위치하는 전자 방출 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들이 상기 라인부 일면에 보조 전극을 형성하는 전자 방출 소자.
  17. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 서로 절연되도록 형성되는 제1 전극들 및 제2 전극들과;
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;
    상기 제2 기판에 형성되는 형광층과;
    상기 형광층의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 전자 방출부들이 위치하는 영역을 에미션 영역이라 할 때, 상기 제1 전극들과 제2 전극들이 상기 에미션 영역을 제외한 상기 교차 영역 내측에서 상호 비중첩 영역을 형성하는 전자 방출 소자.
  18. 제1항, 제8항, 제15항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 소자.
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