JP2008211040A - 単結晶サファイア基板とその製造方法及びそれらを用いた半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶サファイア基板であって、主面の算術平均表面粗さRaが0.0002〜0.001μmであり、上記主面の最大高さRmaxが0.1μm以下であること。
【選択図】図3
Description
表2では試料番号8が標準条件であり、アルミナ砥粒の粒径、アルミナ砥粒の濃度、温度範囲、処理時間の条件をそれぞれ個別に変化させて、Ra、Rmax、研磨時間をそれぞれ評価した。試料番号12,16,17,20,21では、Ra、Rmaxが外れる場合があったため△としている。研磨時間については試料番号9ではアルミナ砥粒の粒径が小さいため,試料番号13ではアルミナ砥粒の濃度が低いため、研磨時間が長くかかった。
12 セラミックス定盤
13 アルミナ砥粒定盤/金属系定盤/硬質の研磨布
14 アルミナ砥粒
41 サファイア基板
42 低温バッファ層
43 アンドープGaN層
44 AlxGayInZn層
Claims (8)
- エピタキシャル成長用の単結晶サファイア基板であって、主面の算術平均表面粗さRaが0.0002〜0.001μmであり、上記主面の最大高さRmaxが0.1μm以下であることを特徴とする単結晶サファイア基板。
- 請求項1に記載の単結晶サファイア基板の主面上にAlxGaYN(X+Y=1,X≧0,Y≧0)のバッファ層と、窒化物半導体層とを順次積層したことを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1に記載の単結晶サファイア基板の製造方法であって、上記単結晶サファイア基板の主面を研磨後に熱処理する工程を有することを特徴とする単結晶サファイア基板の製造方法。
- 上記単結晶サファイア基板の研磨手段として、砥石の表面に固定したアルミナ砥粒を用いることを特徴とする請求項3に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 上記単結晶サファイア基板の研磨手段として、分散媒中に分散したアルミナ砥粒を用いることを特徴とする請求項3に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 上記アルミナ砥粒の粒径が0.05〜10μmであることを特徴とする請求項4または5に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 上記分散媒が水溶性であり、上記アルミナ砥粒の濃度が5〜30重量%であることを特徴とする請求項5に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 上記熱処理工程において、1300℃〜1800℃の温度範囲の酸化雰囲気で3時間以上熱処理することを特徴とする請求項3〜7のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
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