JP2006066442A - 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 - Google Patents
半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。
【選択図】 図1
Description
1a:主面
1b:エッチピット
2:n型GaNコンタクト層
3:n型AlGaNクラッド層
4:GaN系半導体発光層(MQW構造)
5:p型AlGaNクラッド層
6:p型GaNコンタクト層
7:上部電極
8:下部電極
9:湿式タンク
10:基板ホルダー
11:ノズル
Claims (16)
- 鏡面研磨を行った主面上に複数のエッチピットを有することを特徴とする半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの一辺の長さが300μm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの一辺の長さが30μm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットが角錐状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの密度が103個/cm2以上、1010個/cm2以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットが角錐状であり、主面に垂直な方向から見た時の底辺の少なくとも一辺が、サファイアのA軸に平行であるかまたはA軸に垂直であるか、もしくはサファイアのM軸に平行であるかまたはM軸に垂直であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 前記主面は、サファイアのC面±2°以内、A面±2°以内、R面±2°以内、M面±2°以内またはM面から30°±2°以内のいずれかを満たすことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体素子用単結晶サファイア基板。
- 鏡面研磨を行った主面に、乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、前記エッチピットを形成することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体素子用単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記単結晶サファイア基板をEFG法、Cz法、カイロポーラス法のいずれかの方法で作製することを特徴とする請求項8記載の半導体素子用単結晶サファイア基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の単結晶サファイア基板のエッチピットを有する主面上に、単結晶サファイア基板とは異なる屈折率を有する半導体材料からなる第二の結晶層が成長しており、その中に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 前記第二の結晶層がAlXGaYNを含むGaN系のバッファ層と、その上のGaN系の半導体結晶層からなることを特徴とする請求項10記載の半導体発光素子。
- 前記第二の結晶層がAlXGaYNを含むAlN系のバッファ層と、その上のGaN系の半導体結晶層からなることを特徴とする請求項10記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板のエッチピットを有する主面から、第二の結晶層が実質的にファセット構造を形成して成長していることを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記発光層から発せられる光の波長における、単結晶サファイア基板の屈折率と第二の結晶層の屈折率との差が、0.05以上であることを特徴とする請求項10〜13のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板の主面上に、第一のGaN系半導体結晶がエッチピットを覆って凹凸をなすように成長し、該凹凸の少なくとも一部を覆って、第一のGaN系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のGaN系半導体結晶が成長し、さらに第三のGaN系半導体結晶が前記凹凸を平坦化するまで成長し、その上に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板の主面上に、第一のGaN系半導体結晶がエッチピットを覆って凹凸をなすように成長し、該凹凸の少なくとも凸部を膜状に覆って第二のGaN系半導体結晶が成長し、さらにこれを覆って第三のGaN系半導体結晶が前記凹凸を平坦化するまで成長し、その上に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有し、前記第二のGaN系半導体結晶が多層膜構造を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子。
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