JP2006206343A - AlN単結晶の表面平坦化方法およびAlN単結晶基板の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】AlN単結晶基板について、例えば平均粒径0.1μmのアルミナ砥粒を10重量%分散させてあり、かつpHがほぼ5から10の間の研磨液を用いて、平均研磨量が1μmとなるような研磨を行う。その後、1500℃以上、好ましくは1600℃以上の温度で該AlN単結晶基板を加熱するアニール処理を行う。これにより、AlN単結晶基板の表面平坦性が改善される。また、研磨処理によって生じる加工変質層がアニール処理によって除去されてなることから、基板上にデバイス層を形成すると、鏡面状態の表面を有し、かつ、研磨処理のみを行った基板に対して形成するよりも結晶品質のよいデバイス層を得ることが出来る。
【選択図】図2
Description
本実施の形態においては、後述する研磨処理およびアニール処理を行うことによって、AlN単結晶基板(以下、単に「基板」と称する)1の表面の平坦化を実現する。基板1としては、サファイア、SiC、AlNなどの所定の基材上に、例えばMOCVD法、MBE法、HVPE法、昇華法、フラックス法などといった公知の単結晶育成手法を用いてAlN単結晶をエピタキシャル形成したもの、あるいはこのようにAlN単結晶を形成した後、基材を研削加工によって除去したものなど、種々の態様のものが対象となりうる。
図1は、本実施の形態に係るAlN単結晶基板の研磨処理に用いる研磨装置10を例示する概略図である。研磨装置10は、所定の研磨液を用いたCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械研磨)による研磨を行う装置である。研磨装置10は、研磨すべき基板1を保持する回転ヘッド2を備える。また、研磨装置10は、円盤状のポリッシングパッド3を保持するテーブル5を備える。
本実施の形態においては、研磨装置10によって研磨処理を施した基板1に対し、所定の加熱装置(熱処理炉)によって少なくとも1500℃以上に、好ましくは1600℃以上に加熱する熱処理(アニール処理)を行う。これにより、加工変質層が除去されて表面の平坦性がより向上する。また、アニール処理を行わない場合に比して、その上にデバイス層を形成した際の該デバイス層の転位密度が低減し、結晶品質が向上する。例えば、1650℃の熱処理によって、デバイス層において1×108/cm2以下、さらには1×107/cm2以下の転位密度を実現することも可能である。
上述の実施の形態においては、基材にエピタキシャル成長させた単結晶を対象としているが、例えば、フラックス法、昇華法などにより作製されたバルクのAlN単結晶を適宜の厚みにスライスしたものについても、上述の実施の形態と同様の研磨処理及びアニール処理を施すことによる、表面平坦化が可能である。
(0001)面サファイア(c面サファイア)を基材とし、基材窒化層を形成した後、MOCVD法により、1200℃で(0001)面AlN単結晶層(以下、単に「単結晶層」と称する)を1μmの膜厚に形成した。引き続き、1050℃で単結晶層をさらに6μm形成して、基板1を得た。
本比較例においては、実施例1における研磨処理後の基板1に対して、アニール処理を施すことなく、デバイス層に相当するAlN層を実施例1と同様に形成した。その結果、AlN層の表面は鏡面となった。このAlN層についてX線ロッキングカーブ測定を行ったところ、(0002)面の半値幅が300秒以上、(10−12)面の半値幅が1200秒以上であった。また、転位密度は5×1010/cm2であった。なお、下地となっている研磨処理後の基板1からのX線回折の影響は、所定のピーク分離処理により解析的に除去している。この結果は、表面のAlN層の結晶品質が、研磨処理後の基板1よりも劣っていることを示すものである。
c面サファイアを基材とし、基材窒化層を形成した後、MOCVD法により、1200℃で単結晶層を1μmの膜厚に形成した。1650℃でいったんアニール処理を行った後、HVPE法を用いて、その上に単結晶層を300μmの厚みに形成した。その後、サファイア基材を研削加工により除去して、基板1を得た。X線ロッキングカーブ測定を行ったところ、(0002)面の半値幅が100秒、(10−12)面の半値幅が200秒であった。また、基板1の転位密度は8×107/cm2であった。また、基板1の表面をAFMにより観察したところ、5μm×5μm領域のra値が30Åであることが確認された。
本比較例においては、実施例2における研磨処理後の基板1に対して、アニール処理を施すことなく、デバイス層に相当するAlN層を実施例2と同様に形成した。その結果、AlN層の表面は鏡面となった。このAlN層についてX線ロッキングカーブ測定を行ったところ、(0002)面の半値幅が300秒以上、(10−12)面の半値幅が500秒以上であった。また、転位密度は4×109/cm2であった。
研磨処理に使用するアルミナスラリーのpHを12に調整する以外は、実施例1と同様に基板1を作製した。
本比較例においては、実施例1における研磨処理前の基板1に対して、研磨処理を施すことなく、アニール処理のみを行った後、デバイス層に相当するAlN層を実施例1と同様に形成した。その結果、研磨処理前の基板1と同様な非周期的な凸凹が残存し、AlN層の表面は鏡面とはならなかった。このAlN層についてX線ロッキングカーブ測定を行ったところ、(0002)面の半値幅が120秒、(10−12)面の半値幅が350秒であった。また、転位密度は9×108/cm2であった。
1s 研磨対象面
2 回転ヘッド
3 ポリッシングパッド
4 供給ノズル
4a 供給口
5 テーブル
10 研磨装置
Claims (6)
- AlN単結晶の表面を平坦化する方法であって、
AlN単結晶を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を経たAlN単結晶を1500℃以上の温度で加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とするAlN単結晶の表面平坦化方法。 - 請求項1に記載の表面平坦化方法であって、
前記研磨工程に用いる研磨液のpHが10以下である、
ことを特徴とするAlN単結晶の表面平坦化方法。 - 請求項2に記載の表面平坦化方法であって、
前記研磨工程に用いる研磨液のpHが5以上である、
ことを特徴とするAlN単結晶の表面平坦化方法。 - AlN単結晶基板の作製方法であって、
基材上にAlN単結晶を成長させる成長工程と、
前記AlN単結晶の表面を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を経たAlN単結晶を1500℃以上の温度で加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とするAlN単結晶基板の作製方法。 - 請求項4に記載のAlN単結晶基板の作製方法であって、
前記研磨工程に用いる研磨液のpHが10以下である、
ことを特徴とするAlN単結晶基板の作製方法。 - 請求項5に記載のAlN単結晶基板の作製方法であって、
前記研磨工程に用いる研磨液のpHが5以上である、
ことを特徴とするAlN単結晶基板の作製方法。
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