JP2008198841A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008198841A
JP2008198841A JP2007033481A JP2007033481A JP2008198841A JP 2008198841 A JP2008198841 A JP 2008198841A JP 2007033481 A JP2007033481 A JP 2007033481A JP 2007033481 A JP2007033481 A JP 2007033481A JP 2008198841 A JP2008198841 A JP 2008198841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
pad row
package
semiconductor
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007033481A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Itaya
哲 板谷
Mitsuaki Katagiri
光昭 片桐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Memory Japan Ltd
Original Assignee
Elpida Memory Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elpida Memory Inc filed Critical Elpida Memory Inc
Priority to JP2007033481A priority Critical patent/JP2008198841A/ja
Publication of JP2008198841A publication Critical patent/JP2008198841A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0613Square or rectangular array
    • H01L2224/06134Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06136Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4824Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】半導体チップに配置されるチップパッドの数が増加する場合の結線上の問題を解決する。
【解決手段】半導体チップ2がパッケージ基板3上に実装されてなる半導体パッケージ1において、1列又は2列の第1チップパッド列4Aの並び方向(Y方向)の両側に、更にこの並び方向と直交する方向(X方向)に並ぶ第2チップパッド列4Bを配置する。そして、パッケージ基板3の開口部5の周囲を囲むように配置された複数のチップパッドに対して、第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4との間をボンディングワイヤーによってX方向から接続すると共に、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4との間をボンディングワイヤーによってY方向から接続する。これにより、パッケージ基板3上の一部の領域にパッケージ配線が集中するのを防ぐことができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置に関する。
近年、半導体チップの集積度が年々向上し、それに伴って配線の微細化や多層化などが進んでいる。一方、半導体パッケージ(半導体装置)の高密度実装化のためには、パッケージサイズの小型化が必要となっている。例えば、BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)などの半導体パッケージは、パッケージ基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップとパッケージ基板との間をワイヤーボンディング等で接続した構造を有している。この場合、パッケージ基板の裏面全面に外部接続用のはんだボールを配置することができるため、多ピン化に対応可能なパッケージ形態となっている(例えば、特許文献1〜3を参照。)。
ここで、従来の半導体装置の一例として図9に示すBGAタイプの半導体パッケージ100について説明する。
この半導体パッケージ100は、図9に示すように、半導体チップ101がパッケージ基板102上に実装されてなるものであり、この半導体チップ101のパッケージ基板102と対向する側の面には、複数のチップパッド103が配置されている。これら複数のチップパッド103は、半導体チップ101の中央部において、一の方向(図9中に示すY方向)に並ぶ2列のチップパッド列103Aを構成している。
一方、パッケージ基板102には、半導体チップ101のチップパッド列103を外方に臨ませる開口部104が設けられている。また、パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、図10に示すように、複数のボンディングパッド105が配置されている。これら複数のボンディングパッド105は、開口部104のX方向の両側において、Y方向に並ぶ2列のボンディングパッド列105Aを構成している。そして、チップパッド列103Aを構成するチップパッド103と、ボンディングパッド列105Aを構成するボンディングパッド105との間は、ボンディングワイヤー106を介して電気的に接続されている。また、この結線部分を保護するため、開口部104は結線後に封止樹脂(図示せず。)によって封止される。
パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、図9に示すように、複数のはんだボール107が設けられている。これら複数のはんだボール107は、ボンディングパッド列105Aの外側において、X方向及びY方向にそれぞれ並んで配置されている。また、パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、図10に示すように、複数のパッケージ配線108が形成され、その一端にボンディングパッド105が配置され、その他端にはんだボール107が配置されている。
ところで、上述した半導体チップ101の高集積化や小型化に伴って、この半導体チップ101に配置されるチップパッド103の数が増加すると共に、その狭ピッチ化も進んできている。このため、従来の半導体パッケージでは見られなかった問題が生じてきている。
具体的には、上述したパッケージ100では、パッケージ基板102上のボンディングパッド105からはんだボール107までパッケージ配線108を引き回すことが可能な領域Sには制限がある。したがって、上述したチップパッド103の数が増加すると、これに伴ってパッケージ配線108の数も増加するため、図10に示すように、パッケージ基板102上の一部の領域Sにパッケージ配線108が集中し過ぎてしまい、現状の設計ルールでは全てのパッケージ配線108を引き回すことが困難となる。
また、半導体チップ101では、図9に示すように、中央部に2列のチップパッド列103Aが並んで配置されるが、チップサイズが小さくなると、図10に示すように、これらチップパッド列103Aの両端において、ボンディングパッド105とボンディングワイヤー106を介して接続することが困難となるチップパッド103が生じてしまう。
すなわち、これまでの半導体パッケージ100では、はんだボール107を配置する領域は特定の規格によって定められているのに対し、チップパッド列103Aが並ぶ領域は半導体チップ101の小型化に伴って小さくなる傾向にある。このため、上述したパッケージ基板102上の一部の領域Sにパッケージ配線108が集中してしまい、このパッケージ配線108の集中を緩和するためには、ボンディングパッド105をチップパッド103から離れた位置に配置せざるを得ない。したがって、この場合は、設計ルールを越えてしまうような長いボンディングワイヤー106を用いなくてはチップパッド列103Aの両端に位置するチップパッド103とボンディングパッド105とを接続することは困難である。
特開平8−125143号公報 特開2000−40770号公報 特開平6−350052号公報
以上のように、近年の半導体チップ101の小型化に伴って、この半導体チップ101に配置されるチップパッド103の数が増加する(具体的には上記チップパッド列103Aを1列から2列となる)と共に、その狭ピッチ化も進む傾向にある。それにも関わらず、特定の規格によって定められているはんだボール107の配置等には変化がないため、このような設計ルールを満たし、且つ十分な電気特性を満たすようにするためには、上述したパッケージ配線108の引回しや、半導体チップ101におけるチップパッド103の配置等を工夫しなければならない。
上述した結線上の問題を解決するためには、例えば半導体チップ101のチップパッド103が配置される領域を広く取ることが考えられる。しかしながら、この場合は、半導体チップ101をチップパッド列103Aの並び方向(図9中に示すY方向)において一定以上にまで大きくしなければならず、上述した半導体チップ101の小型化に対してパッケージによる制限が設けられてしまう。
また、従来の半導体パッケージ100では、図9に示すように、上述した開口部104を封止樹脂で封止する際の流路を大きく確保するために、チップパッド列103Aの端部のチップパッド103から開口部104のX方向の開口端まで距離(a)よりもY方向の開口端までの距離(b)の方が長くなっている(a<b)。このため、仮にチップパッド列103Aの端部のチップパッド103からY方向にボンディングワイヤー106を延ばしたとしても、この部分でボンディングワイヤー106が設計ルールに対して長くなり過ぎてしまうことから、上述した結線上の問題が生じてしまう。
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、半導体チップに配置されるチップパッドの数が増加する場合であっても、チップパッドからはんだボールまでの結線上の問題を解決し、半導体チップの更なる小型化に貢献できる半導体装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために、請求項1に係る発明は、半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置であって、前記半導体チップが、前記パッケージ基板と対向する側の面の中央部に位置して複数のチップパッドが一の方向に並んで配置された第1チップパッド列と、前記第1チップパッド列の前記一の方向の両側に位置して複数のチップパッドが前記一の方向と直交する方向に並んで配置された第2チップパッド列とを有し、前記パッケージ基板が、前記半導体チップの第1チップパッド列及び第2チップパッド列を外方に臨ませる開口部と、前記半導体チップが実装される面とは反対側の面に、前記開口部の前記一の方向と直交する方向の両側に位置して複数のパッケージ配線が引き回された第1配線引回し領域と、前記開口部の前記一の方向の両側に位置して複数のパッケージ配線が引き回された第2配線引回し領域とを有し、前記第1チップパッド列を構成するチップパッドが前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端と電気的に接続されると共に、前記第2チップパッド列を構成するチップパッドが前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、請求項2に係る発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体チップに、前記第1チップパッド列が2列並んで配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線上に前記第2チップパッド列の両端のチップパッドが位置していることを特徴とする。
また、請求項3に係る発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体チップに、前記第1チップパッド列が1列配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線上に前記第2チップパッド列の中央のチップパッドが位置していることを特徴とする。
また、請求項4に係る発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体チップに、前記第1チップパッド列が2列並んで配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線よりも外側に前記第2チップパッド列の両端のチップパッドが位置していることを特徴とする。
また、請求項5に係る発明は、請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体装置において、前記パッケージ配線の他端に、それぞれはんだボールが設けられ、前記はんだボールが、前記パッケージ基板上の第1配線引回し領域及び第2配線引回し領域の外側に位置して、前記一の方向及び前記一の方向と直交する方向に複数並んで配置されていることを特徴とする。
また、請求項6に係る発明は、請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体装置において、前記第1配線引回し領域及び前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端に、それぞれボンディングパッドが設けられ、前記ボンディングパッドが、前記開口部の前記一の方向の開口端に沿って並ぶ第1ボンディングパッド列と、前記開口部の前記一の方向と直交する方向の開口端に沿って並ぶ第2ボンディングパッド列とを構成しており、前記第1ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドが前記第1チップパッド列を構成するチップパッドとボンディングワイヤーを介して電気的に接続されると共に、前記第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドが前記第2チップパッド列を構成するチップパッドとボンディングワイヤーを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
また、請求項7に係る発明は、請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体装置において、前記第2チップパッド列が前記半導体チップのPWR/GNDパッドを構成していることを特徴とする。
また、請求項8に係る発明は、請求項1〜7の何れか一項に記載の半導体装置において、前記開口部が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする。
以上のように、本発明によれば、半導体チップに配置されるチップパッドの数が増加する場合でも、パッケージ基板上の一部の領域にパッケージ配線が集中するのを防ぎつつ、チップパッドの数に応じたパッケージ配線を引き回すことが可能なことから、半導体チップの更なる小型化に対応することが可能である。
以下、本発明を適用した半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
先ず、本発明を適用した半導体装置の一例として図1に示すBGAタイプの半導体パッケージ1について説明する。
この半導体パッケージ1は、図1に示すように、半導体チップ2がパッケージ基板3上に実装されてなるものであり、この半導体チップ2のパッケージ基板3と対向する側の面には、複数のチップパッド4が配置されている。これら複数のチップパッド4は、半導体チップ2の中央部に位置して、一の方向(図1中に示すY方向)に直線状に並ぶ2列の第1チップパッド列4Aと、第1チップパッド列4AのY方向の両側に位置してY方向と直交する方向(図1中に示すX方向)に直線状に並ぶ第2チップパッド列4Bとを構成している。また、2列の第1チップパッド列4Aの延長線上に、それぞれ第2チップパッド列4Bの両端のチップパッドAが位置することによって、これら複数のチップパッド4は、矩形状の囲み部分を区画するように配置されている。
一方、パッケージ基板3には、半導体チップ2の第1チップパッド列4A及び第2チップパッド列4Bを外方に臨ませる矩形状の開口部5が設けられている。また、パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、図2に示すように、複数のボンディングパッド6が配置されている。これら複数のボンディングパッド6は、開口部5のX方向の両側においてY方向に直線状に並ぶ2列の第1ボンディングパッド列6Aと、開口部5のY方向の両側においてX方向に直線状に並ぶ第2ボンディングパッド列6Bとを構成している。すなわち、これら複数のボンディングパッド6は、開口部5の周囲を囲むように、第1ボンディングパッド列6Aが開口部5のY方向の開口端に沿って配置されると共に、第2ボンディングパッド列6Aが開口部5のX方向の開口端に沿って配置されている。
そして、この半導体パッケージ1では、図2及び図3に示すように、第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4と第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6との間がボンディングワイヤー7を介して電気的に接続されると共に、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4と第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6との間がボンディングワイヤー7を介して電気的に接続されている。
また、この半導体パッケージ1では、図1、図3及び図4に示すように、チップパッド4とボンディングパッド6との間の結線部分を保護するため、開口部5が結線後に封止樹脂8によって封止された構造を有している。具体的に、開口部5は、X方向において半導体チップ2よりも小さく、Y方向において半導体チップ2よりも大きい平面視略矩形状の開口部を形成している。そして、この開口部5を封止樹脂8によって封止する際は、半導体チップ2のY方向の両端部よりも外側にはみ出した開口部5の隙間5aから封止樹脂8をパッケージ基板3の半導体チップ2を実装する面側から流し込むことによって行われる。
また、この半導体パッケージ1では、半導体チップ2を保護するため、最終的にパッケージ基板3の半導体チップ2が実装される側の面が封止樹脂(図示せず。)により封止される。なお、この封止樹脂による封止の際は、例えばトランスファー方式やポッティング方式などのモールド成形法を用いることができる。
パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、図1に示すように、複数のはんだボール9が設けられている。これら複数のはんだボール9は、後述するパッケージ基板3上の第1配線引回し領域S1及び第2配線引回し領域S2の外側に位置して、X方向及びY方向にそれぞれ格子状に並んで配置されている。
また、パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、図2に示すように、開口部5のX方向の両側に位置して複数のパッケージ配線10が引き回された第1配線引回し領域S1と、開口部5のY方向の両側に位置して複数のパッケージ配線10が引き回された第2配線引回し領域S2とが設けられている。第1配線引回し領域S1に配置されたパッケージ配線10の一端には、それぞれ第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6が配置され、その他端には、それぞれはんだボール9が配置されている。一方、第2配線引回し領域S2に配置されたパッケージ配線10の一端には、それぞれ第2ボンディングパッド6Bを構成するボンディングパッド6が配置され、その他端には、それぞれ上記はんだボール9(図示せず。)が配置されている。
以上のような構造を有する半導体パッケージ1では、2列の第1チップパッド列4Aの並び方向(Y方向)の両側に、更にこの並び方向と直交する方向(X方向)に並ぶ第2チップパッド列4Bが配置されている。そして、この半導体パッケージ1の場合は、図2に示すように、上述したパッケージ基板3上に配置された複数のボンディングパッド6のうち、第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6と第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4との間をボンディングワイヤー7によってX方向から接続するだけでなく、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6と第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4との間をボンディングワイヤー7によってY方向から接続することになる。
このように、本発明を適用した半導体パッケージ1では、上述した第1配線引き回し領域S1だけでなく、第2配線引き回し領域S2にもパッケージ配線10を引き回すことによって、パッケージ基板3上の一部の領域にパッケージ配線10が集中するのを防ぎつつ、パッケージ基板3上のボンディングパッド6からはんだボール9までチップパッド4の数に応じたパッケージ配線10を引き回すことが可能である。
また、本発明を適用した半導体パッケージ1では、図1に示すように、上述した開口部5を封止樹脂8で封止する際の流路(隙間5a)を確保するために、開口部5が半導体チップ2のY方向の両端部よりも外側にはみ出しているものの、第1チップパッド列4Aの端部のチップパッド4から開口部5のX方向の開口端まで距離(a)とY方向の開口端までの距離(b)とはほぼ等しくなっている(a=b)。これにより、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4から第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6までY方向にボンディングワイヤー7を延ばしたとしても、この部分でボンディングワイヤー106が設計ルールに対して長くなり過ぎることがないため、上述したチップパッド4からはんだボール9までの結線上の問題を回避することが可能である。
以上のように、本発明を適用した半導体パッケージ1では、半導体チップ2に配置されるチップパッド4の数が増加する場合であっても、上述した結線上の問題を解決することが可能なことから、半導体チップ2の更なる小型化に対応することが可能である。
なお、本発明を適用した半導体パッケージ1は、上記構成に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、図5に示すように、第1チップパッド列4Aが1列配置されると共に、この第1チップパッド列4Aの延長線上に第2チップパッド列4Bの中央のチップパッド4が位置することによって、複数のチップパッド4が、いわゆるH字状に並んで配置された構成とすることが可能である。また、図6に示すように、第1チップパッド列4Aが2列並んで配置されると共に、当該第1チップパッド列4Aの延長線よりも外側に第2チップパッド列4Bの両端のチップパッドが位置することによって、複数のチップパッド4が、いわゆるII字状に並んで配置された構成とすることが可能である。
何れの場合も、パッケージ基板3上の一部の領域にパッケージ配線10が集中するのを防ぎつつ、パッケージ基板3上のボンディングパッド6からはんだボール9までチップパッド4の数に応じたパッケージ配線10を引き回すことが可能である。したがって、半導体チップ2に配置されるチップパッド4の数が増加する場合であっても、チップパッド4からはんだボール9までの結線上の問題を解決し、半導体チップ2の更なる小型化に対応することが可能である。
また、本発明は、図7及び図8に示すように、上述したボンディングパッド6の代わりに、パッケージ配線10の一端に設けられたインナーリード11が開口部5の内側まで延在されて、その先端部がチップパッド4と電気的に接続される、いわゆるILB(Inner Lead Bonding)接続タイプにも適用可能である。
ここで、ILB接続の場合には、上述した2列の第1チップパッド列4Aの間に背骨配線12が配置される。この背骨配線12は、開口部5の内側まで延在されたインナーリード11の先端部が浮いてしまうのを防ぐものである。また、ILB接続では、この背骨配線12があるために、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4との間をY方向からILB接続することができない。さらに、上述した2列の第1チップパッド4A間の距離は通常小さく取られるために、この第1チップパッド4Aと直交する方向に並ぶ第2チップパッド列4Bとの間をY方向からILB接続することはほとんどできない。
したがって、本発明においてILB接続を適用する場合は、図7及び図8に示すように、上記第1配線引回し領域S1に配置されたパッケージ配線10の一端に、それぞれインナーリード11を設け、上記第2配線引回し領域S2に配置されたパッケージ配線10の一端に、それぞれボンディングパッド6を設けた構成とすることが好ましい。
この場合、インナーリード11は、開口部5のY方向の開口端に沿って並ぶインナーリード列11Aを構成し、ボンディングパッド6は、開口部5のX方向の開口端に沿って並ぶ第2ボンディングパッド列(図示せず。)6Bを構成する。そして、インナーリード列11Aを構成するインナーリード11と第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4との間はILB接続とし、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6と第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4との間はボンディングワイヤー7によって接続する。
このように、本発明は、ワイヤーボンディングとILB接続とを併用したタイプに適用可能である。但し、第2チップパッド列4Bは、半導体チップ1のPWRパッド或いはGNDパッドを構成することが好ましい。すなわち、これらのPWR/GNDパッドは、電源系を強化するために用いられる。
なお、本発明は、上述したワイヤーボンディングやILB接続によって接続されるタイプ以外にも、半導体チップのチップパッドとパッケージ基板のボンディングパッドとが直接接続(フリップチップ接続)されるタイプ等にも適用可能である。
図1は、本発明を適用した半導体パッケージの一例を示す平面図である。 図2は、図1に示す半導体パッケージの結線部分を拡大して示す平面図である。 図3は、図1に示す半導体パッケージのX方向の縦断面図である。 図4は、図1に示す半導体パッケージのY方向の縦断面図である。 図5は、本発明を適用した半導体パッケージの変形例を示す平面図である。 図6は、本発明を適用した半導体パッケージの別の変形例を示す平面図である。 図7は、ILB接続タイプの結線部分を拡大して示す平面図である。 図8は、図7に示す半導体パッケージのX方向の縦断面図である。 図9は、従来の半導体パッケージの一例を示す平面図である。 図10は、図9に示す半導体パッケージの結線部分を拡大して示す平面図である。
符号の説明
1…半導体パッケージ 2…半導体チップ 3…パッケージ基板 4…チップパッド 4A…第1チップパッド列 4B…第2チップパッド列 5…開口部 6…ボンディングパッド 6A…第1ボンディングパッド列 6B…第2ボンディングパッド列 7…ボンディングワイヤー 8…封止樹脂 9…はんだボール 10…パッケージ配線 11…インナーリード 11A…インナーリード列 S1…第1配線引回し領域 S2…第2配線引回し領域

Claims (8)

  1. 半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置であって、
    前記半導体チップは、前記パッケージ基板と対向する側の面の中央部に位置して複数のチップパッドが一の方向に並んで配置された第1チップパッド列と、前記第1チップパッド列の前記一の方向の両側に位置して複数のチップパッドが前記一の方向と直交する方向に並んで配置された第2チップパッド列とを有し、
    前記パッケージ基板は、前記半導体チップの第1チップパッド列及び第2チップパッド列を外方に臨ませる開口部と、前記半導体チップが実装される面とは反対側の面に、前記開口部の前記一の方向と直交する方向の両側に位置して複数のパッケージ配線が引き回された第1配線引回し領域と、前記開口部の一の方向の両側に位置して複数のパッケージ配線が引き回された第2配線引回し領域とを有し、
    前記第1チップパッド列を構成するチップパッドが前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端と電気的に接続されると共に、前記第2チップパッド列を構成するチップパッドが前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記半導体チップには、前記第1チップパッド列が2列並んで配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線上に前記第2チップパッド列の両端のチップパッドが位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記半導体チップには、前記第1チップパッド列が1列配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線上に前記第2チップパッド列の中央のチップパッドが位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体チップには、前記第1チップパッド列が2列並んで配置されると共に、当該第1チップパッド列の延長線よりも外側に前記第2チップパッド列の両端のチップパッドが位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記パッケージ配線の他端には、それぞれはんだボールが設けられ、
    前記はんだボールは、前記パッケージ基板上の第1配線引回し領域及び第2配線引回し領域の外側に位置して、前記一の方向及び前記一の方向と直交する方向に複数並んで配置されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記第1配線引回し領域及び前記第2配線引回し領域に配置されたパッケージ配線の一端には、それぞれボンディングパッドが設けられ、
    前記ボンディングパッドは、前記開口部の前記一の方向の開口端に沿って並ぶ第1ボンディングパッド列と、前記開口部の前記一の方向と直交する方向の開口端に沿って並ぶ第2ボンディングパッド列とを構成しており、
    前記第1ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドが前記第1チップパッド列を構成するチップパッドとボンディングワイヤーを介して電気的に接続されると共に、前記第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドが前記第2チップパッド列を構成するチップパッドとボンディングワイヤーを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体装置。
  7. 前記第2チップパッド列が前記半導体チップのPWR/GNDパッドを構成していることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記開口部が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の半導体装置。
JP2007033481A 2007-02-14 2007-02-14 半導体装置 Pending JP2008198841A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007033481A JP2008198841A (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007033481A JP2008198841A (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008198841A true JP2008198841A (ja) 2008-08-28

Family

ID=39757516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007033481A Pending JP2008198841A (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008198841A (ja)

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8254155B1 (en) 2011-10-03 2012-08-28 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with orthogonal windows
US8304881B1 (en) 2011-04-21 2012-11-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package
US8338963B2 (en) 2011-04-21 2012-12-25 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US8345441B1 (en) 2011-10-03 2013-01-01 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8405207B1 (en) 2011-10-03 2013-03-26 Invensas Corporation Stub minimization for wirebond assemblies without windows
US8426983B2 (en) 2010-01-28 2013-04-23 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
US8436477B2 (en) 2011-10-03 2013-05-07 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals in assemblies without wirebonds to package substrate
US8441111B2 (en) 2011-10-03 2013-05-14 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8487433B2 (en) 2010-07-29 2013-07-16 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
US8502390B2 (en) 2011-07-12 2013-08-06 Tessera, Inc. De-skewed multi-die packages
US8513817B2 (en) 2011-07-12 2013-08-20 Invensas Corporation Memory module in a package
US8513813B2 (en) 2011-10-03 2013-08-20 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US8525327B2 (en) 2011-10-03 2013-09-03 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US8587097B2 (en) 2009-06-11 2013-11-19 Elpida Memory Inc. Semiconductor device that suppresses malfunctions due to noise generated in internal circuit
US8633576B2 (en) 2011-04-21 2014-01-21 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US8670261B2 (en) 2011-10-03 2014-03-11 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals
US8787034B2 (en) 2012-08-27 2014-07-22 Invensas Corporation Co-support system and microelectronic assembly
US8823165B2 (en) 2011-07-12 2014-09-02 Invensas Corporation Memory module in a package
US8848392B2 (en) 2012-08-27 2014-09-30 Invensas Corporation Co-support module and microelectronic assembly
US8848391B2 (en) 2012-08-27 2014-09-30 Invensas Corporation Co-support component and microelectronic assembly
US8917532B2 (en) 2011-10-03 2014-12-23 Invensas Corporation Stub minimization with terminal grids offset from center of package
US8928153B2 (en) 2011-04-21 2015-01-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies
US8941999B2 (en) 2010-10-19 2015-01-27 Tessera, Inc. Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and improved thermal characteristics
US8952516B2 (en) 2011-04-21 2015-02-10 Tessera, Inc. Multiple die stacking for two or more die
US8970028B2 (en) 2011-12-29 2015-03-03 Invensas Corporation Embedded heat spreader for package with multiple microelectronic elements and face-down connection
US8981547B2 (en) 2011-10-03 2015-03-17 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US9013033B2 (en) 2011-04-21 2015-04-21 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US9070423B2 (en) 2013-06-11 2015-06-30 Invensas Corporation Single package dual channel memory with co-support
US9123555B2 (en) 2013-10-25 2015-09-01 Invensas Corporation Co-support for XFD packaging
US9281296B2 (en) 2014-07-31 2016-03-08 Invensas Corporation Die stacking techniques in BGA memory package for small footprint CPU and memory motherboard design
US9368477B2 (en) 2012-08-27 2016-06-14 Invensas Corporation Co-support circuit panel and microelectronic packages
US9484080B1 (en) 2015-11-09 2016-11-01 Invensas Corporation High-bandwidth memory application with controlled impedance loading
US9679613B1 (en) 2016-05-06 2017-06-13 Invensas Corporation TFD I/O partition for high-speed, high-density applications
US9691437B2 (en) 2014-09-25 2017-06-27 Invensas Corporation Compact microelectronic assembly having reduced spacing between controller and memory packages
CN113016079A (zh) * 2019-10-18 2021-06-22 深圳市大疆创新科技有限公司 半导体芯片封装结构、封装方法及电子设备

Cited By (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8587097B2 (en) 2009-06-11 2013-11-19 Elpida Memory Inc. Semiconductor device that suppresses malfunctions due to noise generated in internal circuit
US8426983B2 (en) 2010-01-28 2013-04-23 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
US8941237B2 (en) 2010-07-29 2015-01-27 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device
US8487433B2 (en) 2010-07-29 2013-07-16 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
US8941999B2 (en) 2010-10-19 2015-01-27 Tessera, Inc. Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and improved thermal characteristics
US9312239B2 (en) 2010-10-19 2016-04-12 Tessera, Inc. Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and improved thermal characteristics
US9640515B2 (en) 2011-04-21 2017-05-02 Tessera, Inc. Multiple die stacking for two or more die
US8304881B1 (en) 2011-04-21 2012-11-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package
US8436458B2 (en) 2011-04-21 2013-05-07 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package
US8928153B2 (en) 2011-04-21 2015-01-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies
US9437579B2 (en) 2011-04-21 2016-09-06 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US9735093B2 (en) 2011-04-21 2017-08-15 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US10622289B2 (en) 2011-04-21 2020-04-14 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US9013033B2 (en) 2011-04-21 2015-04-21 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US9806017B2 (en) 2011-04-21 2017-10-31 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies
US9312244B2 (en) 2011-04-21 2016-04-12 Tessera, Inc. Multiple die stacking for two or more die
US8338963B2 (en) 2011-04-21 2012-12-25 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US8952516B2 (en) 2011-04-21 2015-02-10 Tessera, Inc. Multiple die stacking for two or more die
US9281295B2 (en) 2011-04-21 2016-03-08 Invensas Corporation Embedded heat spreader for package with multiple microelectronic elements and face-down connection
US8633576B2 (en) 2011-04-21 2014-01-21 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US9281266B2 (en) 2011-04-21 2016-03-08 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US9093291B2 (en) 2011-04-21 2015-07-28 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package
US8502390B2 (en) 2011-07-12 2013-08-06 Tessera, Inc. De-skewed multi-die packages
US9287216B2 (en) 2011-07-12 2016-03-15 Invensas Corporation Memory module in a package
US8513817B2 (en) 2011-07-12 2013-08-20 Invensas Corporation Memory module in a package
US8823165B2 (en) 2011-07-12 2014-09-02 Invensas Corporation Memory module in a package
US9508629B2 (en) 2011-07-12 2016-11-29 Invensas Corporation Memory module in a package
US8759982B2 (en) 2011-07-12 2014-06-24 Tessera, Inc. Deskewed multi-die packages
US8653646B2 (en) 2011-10-03 2014-02-18 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US9377824B2 (en) 2011-10-03 2016-06-28 Invensas Corporation Microelectronic assembly including memory packages connected to circuit panel, the memory packages having stub minimization for wirebond assemblies without windows
US10692842B2 (en) 2011-10-03 2020-06-23 Invensas Corporation Microelectronic package including microelectronic elements having stub minimization for wirebond assemblies without windows
US10643977B2 (en) 2011-10-03 2020-05-05 Invensas Corporation Microelectronic package having stub minimization using symmetrically-positioned duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US8917532B2 (en) 2011-10-03 2014-12-23 Invensas Corporation Stub minimization with terminal grids offset from center of package
US8670261B2 (en) 2011-10-03 2014-03-11 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals
US8659143B2 (en) 2011-10-03 2014-02-25 Invensas Corporation Stub minimization for wirebond assemblies without windows
US8659139B2 (en) 2011-10-03 2014-02-25 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals in assemblies without wirebonds to package substrate
US8659141B2 (en) 2011-10-03 2014-02-25 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US8278764B1 (en) 2011-10-03 2012-10-02 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with orthogonal windows
US8981547B2 (en) 2011-10-03 2015-03-17 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8659142B2 (en) 2011-10-03 2014-02-25 Invensas Corporation Stub minimization for wirebond assemblies without windows
US10090280B2 (en) 2011-10-03 2018-10-02 Invensas Corporation Microelectronic package including microelectronic elements having stub minimization for wirebond assemblies without windows
US8659140B2 (en) 2011-10-03 2014-02-25 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals in assemblies without wirebonds to package substrate
US10032752B2 (en) 2011-10-03 2018-07-24 Invensas Corporation Microelectronic package having stub minimization using symmetrically-positioned duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US9214455B2 (en) 2011-10-03 2015-12-15 Invensas Corporation Stub minimization with terminal grids offset from center of package
US9224431B2 (en) 2011-10-03 2015-12-29 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals
US8345441B1 (en) 2011-10-03 2013-01-01 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8254155B1 (en) 2011-10-03 2012-08-28 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with orthogonal windows
US8629545B2 (en) 2011-10-03 2014-01-14 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US9281271B2 (en) 2011-10-03 2016-03-08 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals having modulo-x symmetry in assemblies without wirebonds to package substrate
US9287195B2 (en) 2011-10-03 2016-03-15 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of terminals having modulo-x symmetry for wirebond assemblies without windows
US8610260B2 (en) 2011-10-03 2013-12-17 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US8405207B1 (en) 2011-10-03 2013-03-26 Invensas Corporation Stub minimization for wirebond assemblies without windows
US8525327B2 (en) 2011-10-03 2013-09-03 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US8513813B2 (en) 2011-10-03 2013-08-20 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows
US9679876B2 (en) 2011-10-03 2017-06-13 Invensas Corporation Microelectronic package having at least two microelectronic elements that are horizontally spaced apart from each other
US9373565B2 (en) 2011-10-03 2016-06-21 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US9679838B2 (en) 2011-10-03 2017-06-13 Invensas Corporation Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate
US9423824B2 (en) 2011-10-03 2016-08-23 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8441111B2 (en) 2011-10-03 2013-05-14 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US8436457B2 (en) 2011-10-03 2013-05-07 Invensas Corporation Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows
US9530458B2 (en) 2011-10-03 2016-12-27 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals
US9496243B2 (en) 2011-10-03 2016-11-15 Invensas Corporation Microelectronic assembly with opposing microelectronic packages each having terminals with signal assignments that mirror each other with respect to a central axis
US8436477B2 (en) 2011-10-03 2013-05-07 Invensas Corporation Stub minimization using duplicate sets of signal terminals in assemblies without wirebonds to package substrate
US9515053B2 (en) 2011-10-03 2016-12-06 Invensas Corporation Microelectronic packaging without wirebonds to package substrate having terminals with signal assignments that mirror each other with respect to a central axis
US8970028B2 (en) 2011-12-29 2015-03-03 Invensas Corporation Embedded heat spreader for package with multiple microelectronic elements and face-down connection
US8848392B2 (en) 2012-08-27 2014-09-30 Invensas Corporation Co-support module and microelectronic assembly
US8787034B2 (en) 2012-08-27 2014-07-22 Invensas Corporation Co-support system and microelectronic assembly
US9368477B2 (en) 2012-08-27 2016-06-14 Invensas Corporation Co-support circuit panel and microelectronic packages
US8848391B2 (en) 2012-08-27 2014-09-30 Invensas Corporation Co-support component and microelectronic assembly
US9460758B2 (en) 2013-06-11 2016-10-04 Invensas Corporation Single package dual channel memory with co-support
US9070423B2 (en) 2013-06-11 2015-06-30 Invensas Corporation Single package dual channel memory with co-support
US9293444B2 (en) 2013-10-25 2016-03-22 Invensas Corporation Co-support for XFD packaging
US9123555B2 (en) 2013-10-25 2015-09-01 Invensas Corporation Co-support for XFD packaging
US9281296B2 (en) 2014-07-31 2016-03-08 Invensas Corporation Die stacking techniques in BGA memory package for small footprint CPU and memory motherboard design
US9691437B2 (en) 2014-09-25 2017-06-27 Invensas Corporation Compact microelectronic assembly having reduced spacing between controller and memory packages
US10026467B2 (en) 2015-11-09 2018-07-17 Invensas Corporation High-bandwidth memory application with controlled impedance loading
US9484080B1 (en) 2015-11-09 2016-11-01 Invensas Corporation High-bandwidth memory application with controlled impedance loading
US9679613B1 (en) 2016-05-06 2017-06-13 Invensas Corporation TFD I/O partition for high-speed, high-density applications
US9928883B2 (en) 2016-05-06 2018-03-27 Invensas Corporation TFD I/O partition for high-speed, high-density applications
CN113016079A (zh) * 2019-10-18 2021-06-22 深圳市大疆创新科技有限公司 半导体芯片封装结构、封装方法及电子设备
CN113016079B (zh) * 2019-10-18 2022-06-24 深圳市大疆创新科技有限公司 半导体芯片封装结构、封装方法及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008198841A (ja) 半導体装置
TWI430417B (zh) 半導體晶片封裝
JP2009070965A (ja) 半導体装置
JP2009038142A (ja) 半導体積層パッケージ
JP2007103430A (ja) 配線基板
JP2008103685A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5511823B2 (ja) 半導体装置および電子装置
JP2006156797A (ja) 半導体装置
JP2010267837A (ja) 半導体装置
JP2009071046A (ja) 半導体装置、その製造方法及びワイヤボンディング方法
JP2006165077A (ja) 積層型半導体パッケージ
JP2011222901A (ja) 半導体装置
JP2011066298A (ja) 半導体チップ、及びこれを備えた半導体装置
JP2008270597A (ja) 半導体装置
JP5166903B2 (ja) 半導体装置
JP2007103792A (ja) 半導体装置
JP2008187050A (ja) システムインパッケージ装置
JP2011211077A (ja) 半導体積層パッケージ及びその製造方法
JP4640950B2 (ja) 半導体装置
JP2005209899A (ja) 中継部材、及び中継部材を用いたマルチチップパッケージ
JP2006086150A (ja) 半導体装置
JP2009283873A (ja) 半導体装置
US20100059874A1 (en) Semiconductor chip capable of increased number of pads in limited region and semiconductor package using the same
TW587324B (en) Wiring substrate and semiconductor device
JP2012018988A (ja) 半導体装置