JP2009071046A - 半導体装置、その製造方法及びワイヤボンディング方法 - Google Patents

半導体装置、その製造方法及びワイヤボンディング方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体チップのボンディングパッド間を接続する技術において、ワイヤ間の接触を防止する。
【解決手段】半導体装置は、複数のボンディングパッド３が直線状に配列されている半導体チップ１と、複数のボンディングパッド３と略平行な直線状に複数のボンディングパッド４が配列されている半導体チップ４と、ボンディングパッド３とボンディングパッド４とを個々に接続している複数のワイヤ７とを備える。ワイヤ７で個々に接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とが配列方向に相対的に変位した位置に配置されている。ワイヤ７で接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とを通過する基準直線Ｓに対して、ワイヤ７の少なくとも一つが基準直線Ｓに対して湾曲している。湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤがボンディングパッド４から延出している。
【選択図】図１

Description

本発明は、ワイヤボンディングにより接続された半導体チップを備える半導体装置に関する。
従来の半導体装置のワイヤボンディング技術として、たとえば、特許文献１及び２が挙げられる。
たとえば、特許文献１には、半導体チップが有する電極とリードとの間を、ボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング方法が記載されている。この方法においては、ワイヤの途中をピンを介して屈曲させて配置することにより、ワイヤ間の接触が防止される。
また、特許文献２には、モールド樹脂封止時に、隣設ワイヤ間の接触を防止するため、封止樹脂が流れる方向にワイヤを傾斜させる技術が記載されている。
特開２０００−２１６１８８号公報 特開平１１−６７８０８号公報
しかしながら、近年の半導体チップの高機能化・小パッケージ化の要求に伴い、パッド間のピッチが狭くなっている。また、ＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造により配線が複雑化している。特に、半導体チップ間の配線技術が増加する中で、半導体チップの配置位置の制約で隣設するワイヤとの間隔が狭くなっている。そのため、ワイヤのショートなどが懸念されることから、ワイヤ間の距離の拡大が必要となる。
特許文献１及び２に記載された技術は、半導体チップのボンディングパッドとリードとを接続する技術であるため、リード側の配置の制約が少ない。たとえば、特許文献１に記載された技術では、ボンディングパッドの中心点間距離よりもリードの中心点間距離を広くして配置することにより、ワイヤ間のピッチを広くする。
一方、ボンディングパッド同士を接続する場合は、ボンディングパッドの配置位置の制約を受ける。具体的には、ボンディングパッドは、半導体チップ上に直線状に配列されている。したがって、大きさの異なる半導体チップやボンディングパッドのピッチ間の距離が相互に異なる半導体チップを接続する場合、ボンディングパッド間を接続するワイヤは角度がつくこととなり、隣設するワイヤとの間隔がさらに狭くなる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体チップのボンディングパッド間を接続する技術において、ワイヤ間の接触を防止する。
本発明によれば、
複数の第一のボンディングパッドが直線状に配列されている第一の半導体チップと、
複数の第一のボンディングパッドと略平行な直線状に複数の第二のボンディングパッドが配列されている第二の半導体チップと、
第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを個々に接続している複数のワイヤと、
を備える半導体装置であって、
ワイヤで個々に接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとが配列方向に相対的に変位した位置に配置されており、
ワイヤで接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、ワイヤの少なくとも一つが基準直線に対して湾曲しており、湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤが第二のボンディングパッドから延出していることを特徴とする半導体装置
が提供される。
この発明によれば、ワイヤ間の距離が基準線との間の距離よりも大きくなるようにワイヤを湾曲させて、略平行な直線状に配列されたボンディングパッド間を接続している。これにより、ワイヤ間隔を広くすることができ、隣設するワイヤ同士が接触して、ショートなどを起こすことを防止することができる。
また、本発明によれば、
複数の第一のボンディングパッドが直線状に配列されている第一の半導体チップと、
複数の第一のボンディングパッドと略平行な直線状に複数の第二のボンディングパッドが配列されている第二の半導体チップと、
第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを個々に接続している複数のワイヤと、
を備える半導体装置の製造方法であって、
ワイヤで個々に接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを配列方向に相対的に変位した位置に配置する工程と、
ワイヤで接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、ワイヤの少なくとも一つを基準直線に対して湾曲し、湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤを第二のボンディングパッドから延出させることを特徴とする半導体装置の製造方法
が提供される。
また、本発明によれば、
第一の半導体チップに直線状に配列された複数の第一のボンディングパッドと、
第二の半導体チップに複数の第一のボンディングパッドと略平行な直線状に配列された複数の第二のボンディングパッドとを複数のワイヤで個々に接続するワイヤボンディング方法であって、
ワイヤで個々に接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを配列方向に相対的に変位した位置に配置する工程と、
ワイヤで接続されている第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、ワイヤの少なくとも一つを基準直線に対して湾曲し、湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤを第二のボンディングパッドから延出させることを特徴とするワイヤボンディング方法
が提供される。
本発明によれば、半導体チップのボンディングパッド間の接続において、ワイヤ間の接触を防止する。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、本実施形態の半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態の半導体装置は、複数のボンディングパッド３が直線状に配列されている半導体チップ１と、複数のボンディングパッド３と略平行な直線状に複数のボンディングパッド４が配列されている半導体チップ２と、ボンディングパッド３とボンディングパッド４とを個々に接続している複数のワイヤ７とを備える。ワイヤ７で個々に接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とが配列方向に相対的に変位した位置に配置されている。ワイヤ７で接続されているボンディングパッド３とボンディングパッド４とを通過する基準直線Ｓに対して、ワイヤ７の少なくとも一つが基準直線Ｓに対して湾曲している。湾曲された湾曲ワイヤと、湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、湾曲ワイヤの基準直線と隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に湾曲ワイヤがボンディングパッド４から延出している。
ボンディングパッド３とワイヤ７とを接続している接合部５にワイヤ７の立ち上がり部（図示せず）が形成され、ボンディングパッド４とワイヤ７とを接続する接合部６にワイヤ７の傾斜部（図示せず）が形成されている。立ち上がり部は、ボンディングパッド３の表面に対してワイヤ７がほぼ垂直方向となるように立設されることにより形成される。また、傾斜部は、ボンディングパッド４の表面に対してワイヤ７がほぼ平行になるように設けられることにより形成される。
接合部５は、ボール（図示せず）を介してボンディングパッド３とワイヤ７とを接続しており、ボールの上方に立ち上がり部が形成されている。
ボンディングパッド４の配列方向に対する直角な線Ｌと湾曲ワイヤの基準直線Ｓとのなす角をθ１とし、湾曲ワイヤの延出方向と基準直線Ｓとのなす角をθ２としたとき、０＜θ２≦θ１を満たすことにより、ワイヤ間の距離を大きくすることができる。また、湾曲ワイヤはボンディングパッド４の配列方向に対してほぼ直角方向に延出されていてもよい。こうすることにより、ワイヤ間の距離を最大に大きくすることができ、ワイヤ間の接触を効果的に防止することができる。本実施形態において、「ほぼ直角」とは９０°に対し±５°の誤差範囲を含むことをいう。
ワイヤ７は、屈曲させることにより、屈曲点が設けられていてもよい。屈曲点はボンディングパッド４の配列方向で順番に変位する位置に設けることができる。
また、半導体チップ１及び半導体チップ２は、並行に配置されていてもよいし、積層されていてもよい。
つづいて、本実施形態の半導体装置の製造方法について図５を用いて説明する。キャピラリ９に挿通されたワイヤ７の先端に形成されたボール８をボンディングパッド４に接続し（ａ）、バンプ１０を形成してワイヤ７を切断する（ｂ）。次に、キャピラリ９に挿通されたワイヤ７の先端にボール８をボンディングパッド３に接続し（ｃ）、形成されたボール８の上方にワイヤ７の立ち上がり部を形成して接合部５を形成する（ｄ）。キャピラリ９の移動動作により、ワイヤ７を湾曲させて湾曲ワイヤを形成し（ｅ）、ワイヤ７をバンプ１０を介してボンディングパッド４に接続することにより、接合部６を形成する（ｆ）。なお、図５（ａ）〜（ｄ）および（ｆ）は、本実施形態の半導体装置の製造工程を側面視で説明する模式図であり、図５（ｅ）は、本実施形態の半導体装置の製造工程を上面視で説明する模式図である。
つづいて、本実施形態の効果について説明する。図１に示すような本実施形態の半導体装置によれば、ワイヤ７間の距離が基準直線Ｓとの間の距離よりも大きくなるようにワイヤ７を湾曲させて、直線上に配列されたボンディングパッド３及びボンディングパッド４の間を接続している。これにより、ワイヤ間隔を広くすることができ、隣設するワイヤ同士が接触して、ショートなどを起こすことを防止することができる。
図３は、ワイヤが湾曲されていない比較の半導体装置を示す図である。図３（ａ）は比較となる半導体装置の平面図、図３（ｂ）は比較となる半導体装置の断面図である。なお、図１で示す本実施形態の半導体装置の断面図も図３（ｂ）と同様である。ワイヤボンディング方法においては、ボンディングパッド３とワイヤ７との接合部５にはキャピラリに挿通されたワイヤ７の先端に形成されたボール８をボンディングし、ボンディングパッド４とワイヤ７との接合部６にはワイヤ７自体がボンディングされる。ワイヤループ形状には接合部５に設けられたボールの上方に立ち上がり部が形成され、接合部６付近のワイヤ７は下方に傾斜して低く形成される。したがって、接合部６付近のワイヤ７は特にばらつきやすく、狭パッド化による隣設ワイヤとの接触が特に問題となる。
図３の半導体チップ１と半導体チップ２も、図１と同様に横方向にずれて配置されているので、半導体チップ１と半導体チップ２とを配線するワイヤ７に角度がつく。したがって、隣設するワイヤ７の間隔が狭くなり、ワイヤ７のばらつきなどで隣設するワイヤ７との間でショートを起こすことが懸念される。
そこで、ワイヤ間の接触によるショートを防止するため、ワイヤ間隔の拡大が必要となる。特に、ワイヤが傾斜する接合部６は、ワイヤ７がばらつきやすく、安定した組立を行う時に、ループ安定性やワイヤ間隔の拡大がさらに必要となる。
本実施形態によれば、図１で示すように、ワイヤ７間の距離が基準直線Ｓとの間の距離よりも大きくなるようにワイヤ７を湾曲させて、直線上に配列されたボンディングパッド３及びボンディングパッド４の間を接続している。これにより、隣設するワイヤ７との間隔を広げることができる。また、接合部６側でワイヤ７を湾曲させることにより、ワイヤ７がばらつきやすい箇所で隣設ワイヤとの間隔を広げることができる。
図４は、図３に表された半導体チップ２を拡大した図である。ワイヤ７の幅をＷとすると、ワイヤ７が湾曲されていない半導体装置では、ワイヤ７間の距離Ｘは、Ｘ＝Ａｓｉｎθ−Ｗと表される。たとえば、θ＝３０°とすると、ワイヤ間の距離はＸ１＝Ａ／２−Ｗと表すことができる。
一方、本実施形態によれば、ワイヤ７を湾曲させることにより、隣設ワイヤとの間隔を広げることができる。図２には、図１に表された半導体チップ２を拡大した図を示す。図２において、θ１＝θ２となるように、ワイヤが湾曲されている。すなわち、図２において、ボンディングパッド４の配列方向に対して直角方向にワイヤ７がボンディングパッド４から延出されている。このとき、ワイヤ間の距離Ｘ２は、Ｘ２＝Ａ−Ｗと表される。したがって、比較の半導体装置のワイヤ間の距離Ｘ１と比較してワイヤ間の距離を２倍広げることが可能となる。
このように、本実施形態によれば、ワイヤ７をボンディングパッド４の配列方向に対して略垂直方向に屈曲させることにより、隣設するワイヤとの間隔を拡大させて、ボンディングパッドの中心間距離が小さい場合においても、ワイヤ間の接触を防止することが可能となる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した平面図である。 実施の形態に係る半導体装置の効果を説明する図である。 （ａ）比較となる半導体装置を模式的に示した平面図である。（ｂ）比較となる半導体装置を模式的に示した断面図である。 比較となる半導体装置を模式的に示した平面図である。 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
符号の説明
１ 半導体チップ
２ 半導体チップ
３ ボンディングパッド
４ ボンディングパッド
５ 接合部
６ 接合部
７ ワイヤ
８ ボール
９ キャピラリ
１０ バンプ
Ｓ 基準直線

Claims (8)

  1. 複数の第一のボンディングパッドが直線状に配列されている第一の半導体チップと、
    複数の前記第一のボンディングパッドと略平行な直線状に複数の第二のボンディングパッドが配列されている第二の半導体チップと、
    前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを個々に接続している複数のワイヤと、
    を備える半導体装置であって、
    前記ワイヤで個々に接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとが配列方向に相対的に変位した位置に配置されており、
    前記ワイヤで接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、前記ワイヤの少なくとも一つが前記基準直線に対して湾曲しており、湾曲された湾曲ワイヤと、前記湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、前記湾曲ワイヤの基準直線と前記隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に前記湾曲ワイヤが前記第二のボンディングパッドから延出していることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第二のボンディングパッドの配列方向に対する直角な線と前記湾曲ワイヤの基準線とのなす角をθ１とし、前記湾曲ワイヤの延出方向と前記基準直線とのなす角をθ２としたとき、０＜θ２≦θ１が満たされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記湾曲ワイヤは、前記第二のボンディングパッドの配列方向に対してほぼ直角方向に延出していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 前記第一のボンディングパッドと前記ワイヤとを接続している第一の接合部に前記ワイヤの立ち上がり部が形成され、前記第二のボンディングパッドと前記ワイヤとを接続している第二の接合部に前記ワイヤの傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置。
  5. 前記第一の接合部は、ボールを介して前記第一のボンディングパッドと前記ワイヤとを接続しており、前記ボールの上方に前記立ち上がり部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
  6. 複数の第一のボンディングパッドが直線状に配列されている第一の半導体チップと、
    複数の前記第一のボンディングパッドと略平行な直線状に複数の第二のボンディングパッドが配列されている第二の半導体チップと、
    前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを個々に接続している複数のワイヤと、
    を備える半導体装置の製造方法であって、
    前記ワイヤで個々に接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを配列方向に相対的に変位した位置に配置する工程と、
    前記ワイヤで接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、前記ワイヤの少なくとも一つを前記基準直線に対して湾曲し、湾曲された湾曲ワイヤと、前記湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、前記湾曲ワイヤの基準直線と前記隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に前記湾曲ワイヤを前記第二のボンディングパッドから延出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 前記第二のボンディングパッド上にバンプを形成する工程と、
    キャピラリに挿通された前記ワイヤの先端に形成されたボールを介して前記第一のボンディングパッドに接続し、前記ボールの上方に前記ワイヤの立ち上がり部を形成して第一の接合部を形成する工程と、
    前記キャピラリの移動動作により、前記ワイヤを湾曲させて前記湾曲ワイヤを形成する工程と、
    前記バンプを介して前記ワイヤと前記第二のボンディングパッドとを接続することにより第二の接合部を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 第一の半導体チップに直線状に配列された複数の第一のボンディングパッドと、
    第二の半導体チップに複数の前記第一のボンディングパッドと略平行な直線状に配列された複数の第二のボンディングパッドとを複数のワイヤで個々に接続するワイヤボンディング方法であって、
    前記ワイヤで個々に接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを配列方向に相対的に変位した位置に配置する工程と、
    前記ワイヤで接続されている前記第一のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを通過する基準直線に対して、前記ワイヤの少なくとも一つを前記基準直線に対して湾曲し、湾曲された湾曲ワイヤと、前記湾曲ワイヤと隣設している隣設ワイヤとの間の距離が、前記湾曲ワイヤの基準直線と前記隣設ワイヤの基準直線との間の距離よりも大きくなる一定方向に前記湾曲ワイヤを前記第二のボンディングパッドから延出させることを特徴とするワイヤボンディング方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014096496A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Shinkawa Ltd 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および半導体装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821112B2 (en) * 2008-03-09 2010-10-26 Powertech Technology Inc Semiconductor device with wire-bonding on multi-zigzag fingers
KR101013557B1 (ko) * 2008-11-06 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 플랙시블 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 와이어 본딩 장치
TWI380426B (en) * 2009-08-25 2012-12-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and method for packaging the same
US8288876B2 (en) * 2010-05-14 2012-10-16 Continental Automotive Systems, Inc. Bonding wire profile for minimizing vibration fatigue failure

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547820A (ja) * 1991-08-15 1993-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH05160192A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPH1167808A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003059961A (ja) * 2001-08-16 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法、および半導体装置
JP2003218154A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Nec Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造装置
JP2003338520A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびワイヤボンディング装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6295729B1 (en) * 1992-10-19 2001-10-02 International Business Machines Corporation Angled flying lead wire bonding process
JP2000216188A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Seiko Epson Corp ワイヤボンディング方法、半導体装置、回路基板、電子機器及びワイヤボンディング装置
US6548764B1 (en) * 2000-06-07 2003-04-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor packages and methods for making the same
CN101652844B (zh) * 2007-04-02 2015-08-26 库利克和索夫工业公司 在引线环中形成弯曲的方法
US8063318B2 (en) * 2007-09-25 2011-11-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic component with wire bonds in low modulus fill encapsulant
US8294249B2 (en) * 2008-08-05 2012-10-23 Integrated Device Technology Inc. Lead frame package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547820A (ja) * 1991-08-15 1993-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH05160192A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPH1167808A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003059961A (ja) * 2001-08-16 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法、および半導体装置
JP2003218154A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Nec Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造装置
JP2003338520A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびワイヤボンディング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014096496A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Shinkawa Ltd 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および半導体装置

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