JP2008192782A - 電極及びそれを有するiii族窒化物系化合物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア等の誘電体基板10に、n型AlxGayIn1-x-yN層11、発光層12、p型AlxGayIn1-x-yN層13を形成する。この後、n型AlxGayIn1-x-yN層11をエッチング等により露出させ、n電極30を形成する。正電極側は、p型層13の上に、ITOから成る透光性電極層21、銀合金から成る反射電極層22、TiとPtを積層した拡散防止層23、金から成る厚膜電極24を順に積層する。銀合金から成る反射電極層22は、パラジウム(Pd)と銅(Cu)を添加し、酸素(O)を含む。これにより、銀合金から成る反射電極層22からのマイグレーションを抑制した上、下層のITOから成る透光性電極層21との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。
【選択図】図1
Description
銀又は銀合金層の厚さは、10nm以上2μm以下とすると良い。10nm未満では光反射層として十分に効果がなく、2μm以上の厚さにすることは、それによる効果等が無く、製造コストを上昇させるのみである。銀又は銀合金層の厚さは、50nm以上1μm以下がより好ましく、更には100nm以上500nm以下とすることが好適である。
純粋な銀層の形成は、蒸着を好適に用いることができるが、スパッタリングその他の形成方法を用いても良い。他の金属元素を添加した銀合金層は、予め合金ターゲットを用意してスパッタリングにより形成する方法が好ましい。スパッタリング元を2元とし、銀と添加する金属の酸化物の同時スパッタにより形成するのが良い。
また、本実施例においては、反射電極層22'の面積を透光性電極21'の面積より大きくとることで、発光層から正電極側に放射された光を誘電体基板10側に、より効率よく反射させる構成であるので、光取り出し効率が更に向上する。
110:n型GaN基板
11:単層又は多重層であるn型AlxGayIn1-x-yN層
12:単層又はSQW若しくはMQW構造である発光層(活性層)
13:単層又は多重層であるp型AlxGayIn1-x-yN層
21、21':透光性電極層
22、22':反射電極層
23、23':導電性の拡散防止層
24:厚膜電極
30:n電極
Claims (8)
- p型のIII族窒化物系化合物半導体層に形成された正電極であって、
透光性電極層と、
銀又は銀を主成分とする合金から成る反射電極層と、
銀の上層への拡散を防止し、導電性である拡散防止層と、
金又は金を主成分とする合金から成る厚膜層とを、
この順に積層した構成を有することを特徴とする電極。 - 前記透光性電極層は、金属酸化物、金属窒化物又は金属硫化物から成ることを特徴とする請求項1に記載の電極。
- 前記透光性電極層は酸化インジウムスズ(ITO)から成ることを特徴とする請求項2に記載の電極。
- 前記拡散防止層は、高融点金属又は金属窒化物から成る、或いはそれらを少なくとも1層含む多重層から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電極。
- 前記拡散防止層は、白金(Pt)、タングステン(W)、チタン(Ti)、ロジウム(Rh)、又は窒化チタン(TiNx)から成ることを特徴とする請求項4に記載の電極。
- 前記反射電極層は、添加物として、銅原子、モリブデン原子及びパラジウム原子のうち少なくとも1種以上を選択してモル比で0.1%以上10%以下添加された銀合金であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の電極。
- 前記反射電極層は、添加物として、酸素原子をモル比で0.1%以上10%以下添加された銀合金であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電極。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の正電極を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
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Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008038725A1 (de) * | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP2010056322A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2010062274A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2011035324A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、ランプ、電子機器および機械装置 |
WO2011027418A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
WO2012091042A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | ローム株式会社 | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2012235152A (ja) * | 2012-07-13 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2012248795A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
CN102931314A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-02-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种防止金属迁移的半导体发光器件 |
JP2013102192A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2013162057A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8637889B2 (en) | 2011-12-09 | 2014-01-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
KR20140067076A (ko) * | 2011-09-26 | 2014-06-03 | 글로 에이비 | 나노와이어 크기의 광-전기 구조 및 이를 제조하는 방법 |
EP2797127A2 (en) | 2013-04-25 | 2014-10-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element |
JP2015057845A (ja) * | 2009-06-18 | 2015-03-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス |
US9070836B2 (en) | 2011-12-16 | 2015-06-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2015144245A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-08-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子及びそれを備える半導体装置、並びに半導体素子の製造方法 |
JP2015173294A (ja) * | 2015-06-05 | 2015-10-01 | ローム株式会社 | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2015216389A (ja) * | 2009-05-11 | 2015-12-03 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2017118080A (ja) * | 2015-12-26 | 2017-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP2017174873A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
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CN110993766A (zh) * | 2015-02-17 | 2020-04-10 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件 |
JP2021034473A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
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JP2021180241A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7915629B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
CN101752477A (zh) * | 2008-11-28 | 2010-06-23 | 清华大学 | 发光二极管 |
US8529102B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Reflector system for lighting device |
JP5244703B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2013-07-24 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ、並びに照明装置 |
US20100327300A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
US8076682B2 (en) * | 2009-07-21 | 2011-12-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
US9362459B2 (en) * | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
US9435493B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
DE102010009717A1 (de) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
TW201133944A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-01 | Orbit Semicon Ltd | Light-emitting diode chip and package structure thereof |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US9105824B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
JP5414627B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US8764224B2 (en) | 2010-08-12 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Luminaire with distributed LED sources |
DE102010035966A1 (de) * | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102010036269A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
DE102010046089A1 (de) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
US8680556B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
US8686429B2 (en) * | 2011-06-24 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | LED structure with enhanced mirror reflectivity |
US9343641B2 (en) * | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
DE102011112000B4 (de) | 2011-08-31 | 2023-11-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
EP3361517B1 (en) | 2011-09-16 | 2021-06-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
DE102011115299B4 (de) * | 2011-09-29 | 2023-04-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
TW201340398A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-01 | High Power Optoelectronics Inc | 發光二極體電性接觸結構 |
DE102012104553A1 (de) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
US9450152B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods |
TW201351700A (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-16 | Walsin Lihwa Corp | 發光二極體及其製造方法 |
TW201414012A (zh) * | 2012-09-26 | 2014-04-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | 發光裝置及其製作方法 |
KR102027301B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-10-01 | 서울바이오시스 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광다이오드 |
KR20140103397A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
KR102187487B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
CN105489727B (zh) * | 2016-01-18 | 2018-06-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装led芯片的键合电极结构及制作方法 |
CN105552191B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-01-30 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的led芯片电极结构 |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
CN106410007B (zh) * | 2016-09-22 | 2019-07-19 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种双层电极led芯片及其制作方法 |
CN107527974B (zh) * | 2017-08-16 | 2019-06-25 | 天津三安光电有限公司 | 一种利于焊线的led电极结构 |
CN109037407B (zh) * | 2018-08-03 | 2024-04-23 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 半导体发光芯片及其制造方法 |
DE102020200621A1 (de) | 2020-01-21 | 2021-07-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
CN113903840B (zh) * | 2021-09-14 | 2022-12-16 | 厦门三安光电有限公司 | 发光二极管及发光模块 |
CN113921672B (zh) * | 2021-09-14 | 2023-06-20 | 厦门三安光电有限公司 | 发光二极管及发光模块 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033197A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2006041403A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006093675A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-04-06 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ |
JP2006303430A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ型の窒化物半導体発光素子 |
JP2007005361A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sharp Corp | 発光素子 |
JP2007035735A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11220171A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
JP2003168823A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-06-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
US7291865B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-11-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device |
JP5008263B2 (ja) | 2005-03-02 | 2012-08-22 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2006269912A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007024969A patent/JP2008192782A/ja active Pending
-
2008
- 2008-02-04 TW TW097104239A patent/TWI353072B/zh active
- 2008-02-04 US US12/068,247 patent/US7646036B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033197A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2006041403A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006093675A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-04-06 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ |
JP2006303430A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ型の窒化物半導体発光素子 |
JP2007005361A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sharp Corp | 発光素子 |
JP2007035735A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 |
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008038725B4 (de) | 2008-08-12 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102008038725A1 (de) * | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP2010056322A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US9070837B2 (en) | 2008-08-28 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
JP2010062274A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2017163154A (ja) * | 2009-05-11 | 2017-09-14 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2015216389A (ja) * | 2009-05-11 | 2015-12-03 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2015057845A (ja) * | 2009-06-18 | 2015-03-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス |
JP2017085144A (ja) * | 2009-06-18 | 2017-05-18 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス、及びその製造方法 |
JP2011035324A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、ランプ、電子機器および機械装置 |
JP5139519B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
US9093614B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device |
WO2011027418A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
US8963177B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-02-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device |
US9166111B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-10-20 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting element unit, and light-emitting element package |
US9559263B2 (en) | 2010-12-27 | 2017-01-31 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting element unit, and light-emitting element package |
US10312411B2 (en) | 2010-12-27 | 2019-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting element unit, and light-emitting element package |
US10811563B2 (en) | 2010-12-27 | 2020-10-20 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting element unit, and light-emitting element package |
WO2012091042A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | ローム株式会社 | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2012248795A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US9147798B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
JP2014530504A (ja) * | 2011-09-26 | 2014-11-17 | グロ アーベーGlo Ab | ナノワイヤサイズ光電構造及びそれを製造する方法 |
KR101944327B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2019-01-31 | 글로 에이비 | 나노와이어 크기의 광-전기 구조 및 이를 제조하는 방법 |
KR20140067076A (ko) * | 2011-09-26 | 2014-06-03 | 글로 에이비 | 나노와이어 크기의 광-전기 구조 및 이를 제조하는 방법 |
US9419183B2 (en) | 2011-09-26 | 2016-08-16 | Glo Ab | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same |
US8637889B2 (en) | 2011-12-09 | 2014-01-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US9070836B2 (en) | 2011-12-16 | 2015-06-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2013162057A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012235152A (ja) * | 2012-07-13 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
CN102931314A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-02-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种防止金属迁移的半导体发光器件 |
JP2013102192A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8941119B2 (en) | 2013-04-25 | 2015-01-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element |
EP2797127A2 (en) | 2013-04-25 | 2014-10-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element |
JP2015144245A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-08-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子及びそれを備える半導体装置、並びに半導体素子の製造方法 |
US9748455B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor element, semiconductor device including the same, and method for manufacturing semiconductor element |
USD826871S1 (en) | 2014-12-11 | 2018-08-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode device |
CN110993766A (zh) * | 2015-02-17 | 2020-04-10 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件 |
JP2015173294A (ja) * | 2015-06-05 | 2015-10-01 | ローム株式会社 | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP2017118080A (ja) * | 2015-12-26 | 2017-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP2017174873A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021034473A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2021180241A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP6890707B1 (ja) * | 2020-10-20 | 2021-06-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
WO2022085231A1 (ja) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光素子接続構造及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2022067526A (ja) * | 2020-10-20 | 2022-05-06 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200849666A (en) | 2008-12-16 |
US7646036B2 (en) | 2010-01-12 |
US20080185609A1 (en) | 2008-08-07 |
TWI353072B (en) | 2011-11-21 |
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WO2012026068A1 (ja) | 発光素子 | |
JP2004179347A (ja) | 半導体発光素子 | |
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US8728843B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same | |
JP2007115941A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び発光素子 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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